JPS5925975A - 合金薄膜の製造法 - Google Patents
合金薄膜の製造法Info
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- JPS5925975A JPS5925975A JP13380382A JP13380382A JPS5925975A JP S5925975 A JPS5925975 A JP S5925975A JP 13380382 A JP13380382 A JP 13380382A JP 13380382 A JP13380382 A JP 13380382A JP S5925975 A JPS5925975 A JP S5925975A
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- JP
- Japan
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- film
- sputtering
- substrate
- essential component
- thin film
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は合金薄膜の製造方法に関する。特に本発明は、
所謂、非塗布型の磁気記録媒体として用いるに適する合
金薄膜の製造方法に関する。
所謂、非塗布型の磁気記録媒体として用いるに適する合
金薄膜の製造方法に関する。
従来、例えば、所謂、非塗布型の磁気記録媒体。
同磁気記録媒体用下地、光学記録材料、コンデンサー、
各種装飾材料等、真空中で基体に各種合金（金属）Ｎ膜
を形成することによって製造されている。
各種装飾材料等、真空中で基体に各種合金（金属）Ｎ膜
を形成することによって製造されている。
このような合金薄膜の製造に際しては、真空蒸着やイオ
ンブレーティングの如く、金属材料を真空中で加熱蒸発
し、蒸発した金属の蒸気流を基体に蒸着させる方式や、
真空中でプラズマを発生させ、プラズマ中の陽イオンを
所望の金属材料で構成したターゲットに衝突させ、ター
ゲットの金属原子をたたき出して基板に付着させるスノ
ツクリング方式が行われている。
ンブレーティングの如く、金属材料を真空中で加熱蒸発
し、蒸発した金属の蒸気流を基体に蒸着させる方式や、
真空中でプラズマを発生させ、プラズマ中の陽イオンを
所望の金属材料で構成したターゲットに衝突させ、ター
ゲットの金属原子をたたき出して基板に付着させるスノ
ツクリング方式が行われている。
また、上記の如き合金薄膜の形成に際して、主材料とし
ての金属又は合金（以下、本発明では主成分と称する）
よりなる金属又は合金薄膜の特性、例えば物理的や化学
的性質、電気的性質、磁気的性質等を改良するために微
量の第６成分（本発明では非主成分と称する）を加える
ことが要求される。
ての金属又は合金（以下、本発明では主成分と称する）
よりなる金属又は合金薄膜の特性、例えば物理的や化学
的性質、電気的性質、磁気的性質等を改良するために微
量の第６成分（本発明では非主成分と称する）を加える
ことが要求される。
しかしながら、上記方式のうちで、真空蒸着やイオンプ
レイティングは、蒸発速度が早く、製膜速度は良いが、
非生成分、すなわち、微量の不純物（非主成分）が一定
量入った合金薄膜を作成することが難かしく、一方、ス
パッタリングでは微量の不純物（非主成分）を一定量入
った合金薄膜を作成することはできるが、製膜速度が遅
い欠点がある。
レイティングは、蒸発速度が早く、製膜速度は良いが、
非生成分、すなわち、微量の不純物（非主成分）が一定
量入った合金薄膜を作成することが難かしく、一方、ス
パッタリングでは微量の不純物（非主成分）を一定量入
った合金薄膜を作成することはできるが、製膜速度が遅
い欠点がある。
更に、磁気記録としては、従来一般に非塗布型磁気記録
媒体では記録媒体層の面内の長手方向の磁化を用いる方
式によっ【いるが、面内長手方向の磁化に用いる記録方
式では記録密度に限界があり、高密度記録に適した記録
方式として垂直磁化記録方式の研究が盛んに行われるよ
うになってきている。
媒体では記録媒体層の面内の長手方向の磁化を用いる方
式によっ【いるが、面内長手方向の磁化に用いる記録方
式では記録密度に限界があり、高密度記録に適した記録
方式として垂直磁化記録方式の研究が盛んに行われるよ
うになってきている。
非塗布型の垂直磁気記録媒体としてはＧｏ −Ｏｒ系ス
パッタ膜が知られている。しかしながら、前記したよう
に、この場合もスパッタリング法の欠点として製膜速度
が小さく 、Ｇｏ −Ｏｒ 膜を量産しようとする場合
の大きな障害となっている。
パッタ膜が知られている。しかしながら、前記したよう
に、この場合もスパッタリング法の欠点として製膜速度
が小さく 、Ｇｏ −Ｏｒ 膜を量産しようとする場合
の大きな障害となっている。
従って、スパッタリング法を改良して製膜速度を高める
ことも検討されている。例えば、プレーナーマグネトロ
ン方式の高スパッタリングがよく知られている。この方
式では、スパッタリングを行う場合に磁場を印加してプ
ラズマ密度を高めることにまり製膜速度を上げている。
ことも検討されている。例えば、プレーナーマグネトロ
ン方式の高スパッタリングがよく知られている。この方
式では、スパッタリングを行う場合に磁場を印加してプ
ラズマ密度を高めることにまり製膜速度を上げている。
しかしながら。
スパッタリングのターゲットとして用いるＧｏ Ｃｉｒ
合金は磁性体であるので外部からの磁場がターゲット内
に入り込み、プラズマ密度が余り高くならない欠点があ
る。即ち、Ｃｏ Ｃｒの場合に関しては、このような改
良にも拘わらす製膜速度が未だ満足できるまでには至っ
ていない現状である。
合金は磁性体であるので外部からの磁場がターゲット内
に入り込み、プラズマ密度が余り高くならない欠点があ
る。即ち、Ｃｏ Ｃｒの場合に関しては、このような改
良にも拘わらす製膜速度が未だ満足できるまでには至っ
ていない現状である。
一方、他の薄膜形成法として加熱蒸発方法、すなわち、
真空蒸着、イオンプレイティング等があり、この方式は
前記したように製膜速度が大きい特長を有しているが、
ＣｏＣ１ｒの場合には次のような問題が生ずる。すな
わち、蒸発源としてＧｏ−Ｏｒ金合金用いた場合、Ｏｒ
の方がＣｏより蒸気圧が高い為に（３ｒが先に蒸発し、
ｃｒ含量の多い膜となり。
真空蒸着、イオンプレイティング等があり、この方式は
前記したように製膜速度が大きい特長を有しているが、
ＣｏＣ１ｒの場合には次のような問題が生ずる。すな
わち、蒸発源としてＧｏ−Ｏｒ金合金用いた場合、Ｏｒ
の方がＣｏより蒸気圧が高い為に（３ｒが先に蒸発し、
ｃｒ含量の多い膜となり。
垂直磁化に適した記録層が得られない。又、Ｇ。
とＯｒとを別々の蒸発源とする２元共蒸着も考えられる
が、ＧＯは蒸着適正が良く、蒸発速度を一定に保つこと
ができるが、 Ｏｒは昇華性であり、更に酸化され易く
蒸発中に（３ｒ の表面に酸化物が溜まる等のために蒸
発面の形状が変り、Ｇｒの蒸発速度を常に一定に保つこ
とは極めて困難である。
が、ＧＯは蒸着適正が良く、蒸発速度を一定に保つこと
ができるが、 Ｏｒは昇華性であり、更に酸化され易く
蒸発中に（３ｒ の表面に酸化物が溜まる等のために蒸
発面の形状が変り、Ｇｒの蒸発速度を常に一定に保つこ
とは極めて困難である。
このように０ｏＣｒの組成が変わると得られたＧｏＧｒ
系磁性層の飽和磁化が変り、出力信号が大巾に変化して
良質な記録媒体が得られない。
系磁性層の飽和磁化が変り、出力信号が大巾に変化して
良質な記録媒体が得られない。
この系の他の欠点は、形成されたＧｏＯｒ膜の配向性が
悪く、又所望の保磁力（例えばＨｃ＝１．００００ｅ）
のものを得るためには蒸着時のベースの温度を約３ｏｏ
ｃに保たなければならない。この為、表面性の良いＦＩ
ＥＴベース（１００ｔ：’以下で用いる必要がある）を
支持体として用Ｘ、でることができない。
悪く、又所望の保磁力（例えばＨｃ＝１．００００ｅ）
のものを得るためには蒸着時のベースの温度を約３ｏｏ
ｃに保たなければならない。この為、表面性の良いＦＩ
ＥＴベース（１００ｔ：’以下で用いる必要がある）を
支持体として用Ｘ、でることができない。
本発明者等は、上記の欠点を克服すべく研究を重ねた結
果、本発明を達成した。
果、本発明を達成した。
すｌよりち、本発明は、２種以上の材料よりなる合金薄
膜を形Ｗ、ｊる合金薄膜の製造方法において、一方の材
料の加熱蒸発と、他方の材料のスパッタリングを同時に
行い、得られた金属の蒸気流と、金属のスパック粒子を
同時に基体に差し向は合金簿膜を形成することを特徴と
する合金薄膜の製造方法である。
膜を形Ｗ、ｊる合金薄膜の製造方法において、一方の材
料の加熱蒸発と、他方の材料のスパッタリングを同時に
行い、得られた金属の蒸気流と、金属のスパック粒子を
同時に基体に差し向は合金簿膜を形成することを特徴と
する合金薄膜の製造方法である。
なお、この発明において加熱蒸発する材料を主成分とし
、スパッタリングする材料を微量成分である非主成分と
することによって、先に延べた欠点が解消され、又本発
明において加熱蒸発する材料を例えばＧｏの如き強磁性
材料とし、スパッタリングする材料を例えばＯｒの如き
非磁性材料とすることにより、後記した如き、非塗布型
磁気記録体、特に垂直磁化型磁気記録媒体の製造時にお
ける諸欠点を解消することができる。
、スパッタリングする材料を微量成分である非主成分と
することによって、先に延べた欠点が解消され、又本発
明において加熱蒸発する材料を例えばＧｏの如き強磁性
材料とし、スパッタリングする材料を例えばＯｒの如き
非磁性材料とすることにより、後記した如き、非塗布型
磁気記録体、特に垂直磁化型磁気記録媒体の製造時にお
ける諸欠点を解消することができる。
以下１本発明を詳述する。
本発明に用いられる基体と１．ては、用途に応じて種々
のものがあり、例えば、プラスチック板、プラスチック
フィルム、ガラス、セラミックス、紙類、金属類等があ
り、特に磁気記録媒体を製造する場合には基体として非
磁性支持体が用いられる。
のものがあり、例えば、プラスチック板、プラスチック
フィルム、ガラス、セラミックス、紙類、金属類等があ
り、特に磁気記録媒体を製造する場合には基体として非
磁性支持体が用いられる。
□非磁性支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフ
タレート、ｙｊｆリイミド、ポリアミ）″、ｉゼリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー）、ｙ１Ｍ
リエチレンナフタレートの如きプラスチックベースが好
ましいが、 Ａｌ、Ｇｕ、ＳＵＳ等の如き非磁性金属や
、ガラス、セラミックス等の無機質の基体も使用できる
。
タレート、ｙｊｆリイミド、ポリアミ）″、ｉゼリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネー）、ｙ１Ｍ
リエチレンナフタレートの如きプラスチックベースが好
ましいが、 Ａｌ、Ｇｕ、ＳＵＳ等の如き非磁性金属や
、ガラス、セラミックス等の無機質の基体も使用できる
。
本発明の第１の態様においては、加熱蒸発して真空蒸着
又はイオンブレーティングすべき材料としてＯｏ、Ｆｅ
、Ｔｉｅ又はこれらの合金等の主成分が用いられ、スパ
ッタリングすべき材料としてＭｏ。
又はイオンブレーティングすべき材料としてＯｏ、Ｆｅ
、Ｔｉｅ又はこれらの合金等の主成分が用いられ、スパ
ッタリングすべき材料としてＭｏ。
Ｏｒ等の微量混入すべき非主成分が用いられる。
これらの材料を、支持体と共に同−真空容器又は真空系
に収め、両方式が実施可能な真空度において操作を行う
。
に収め、両方式が実施可能な真空度において操作を行う
。
加熱蒸発源としては電子ビーム、誘導加熱、抵抗加熱等
が用いられるが電子ビームによる加熱が好ましい。蒸発
はプラズマ中で行い、ＲＦプラズマ、Ｄ（３プラズマで
もよく、また熱電子の衝突により生じさせたプラズマで
もよい。
が用いられるが電子ビームによる加熱が好ましい。蒸発
はプラズマ中で行い、ＲＦプラズマ、Ｄ（３プラズマで
もよく、また熱電子の衝突により生じさせたプラズマで
もよい。
スパッタリングすべき材料は微量に混入すべき成分であ
りターゲットとして用い、これにプラズマ中の陽イオン
を衝突させてターゲットから金ハ粒子としてたたき出し
て基体に差し向ける。この場合、スパッタリング方式と
してプレーナーマダネトロン方式を用いることにより０
．スパッタリングの速度を上げることができる。
りターゲットとして用い、これにプラズマ中の陽イオン
を衝突させてターゲットから金ハ粒子としてたたき出し
て基体に差し向ける。この場合、スパッタリング方式と
してプレーナーマダネトロン方式を用いることにより０
．スパッタリングの速度を上げることができる。
このようにすることによって、主成分は真空蒸着又はイ
オンブレーティングによって蒸着が行われるので製膜速
度が早く、又微量成分でとして混入される非主成分がス
パッタリングによって行われるので、常に一定量を形成
される薄膜中に加えることができ、しかも微量成分であ
るのでスパッタリングによる速度の遅いことが全体とし
ての製膜速度に影響を与え１よい。
オンブレーティングによって蒸着が行われるので製膜速
度が早く、又微量成分でとして混入される非主成分がス
パッタリングによって行われるので、常に一定量を形成
される薄膜中に加えることができ、しかも微量成分であ
るのでスパッタリングによる速度の遅いことが全体とし
ての製膜速度に影響を与え１よい。
基板は冷却し【おいてもよく、又、必要により蒸着時に
磁場を印加しておいてもよい。
磁場を印加しておいてもよい。
本発明の第２の態様としては、加熱蒸発して真空蒸着又
はイオンブレーティングする材料としてはＦ ｅ ＋
Ｇ ｏ ＋ Ｎｉ＊及びこれらの合金等の如き強磁性材
料が用いられ、スパッタリングする材料としてＯｒ ＋
Ｓ ｉ ｅ Ｃｕ＊ Ｖ ＃ Ｔ １ ＋ リン化
ニッケル等’）Ｊｔｉｔｈ桐料が用いられる。これらの
材料の中で強磁性材料どしてはＧＯ又はＧｏを７５重量
−以上含有するＧｏ金合金非磁性材料としては、Ｏｒ又
はＯｒ金合金特に好ましく、この場合には配向性の良い
垂直磁化型磁気記録媒体を得ることができる。
はイオンブレーティングする材料としてはＦ ｅ ＋
Ｇ ｏ ＋ Ｎｉ＊及びこれらの合金等の如き強磁性材
料が用いられ、スパッタリングする材料としてＯｒ ＋
Ｓ ｉ ｅ Ｃｕ＊ Ｖ ＃ Ｔ １ ＋ リン化
ニッケル等’）Ｊｔｉｔｈ桐料が用いられる。これらの
材料の中で強磁性材料どしてはＧＯ又はＧｏを７５重量
−以上含有するＧｏ金合金非磁性材料としては、Ｏｒ又
はＯｒ金合金特に好ましく、この場合には配向性の良い
垂直磁化型磁気記録媒体を得ることができる。
この態様においても第１の態様と同様な方式が採用され
る。
る。
この方法によるときは、ＧＯ等の強磁性材料の蒸着を真
空蒸着又はイオンブレーティングによって行っているの
で製膜速度を早くすることができ、又Ｏｒ等の非磁性材
料に２いてはスパッタリングを採用しているので常に一
定量の非磁性材料を与えて均質な合金薄膜を形成するこ
とができる。
空蒸着又はイオンブレーティングによって行っているの
で製膜速度を早くすることができ、又Ｏｒ等の非磁性材
料に２いてはスパッタリングを採用しているので常に一
定量の非磁性材料を与えて均質な合金薄膜を形成するこ
とができる。
特に１本発明において強磁性材料としてＧｏ又はＣＯ合
金（例えばｃｏ−Ｎｉ、 ｃｏ−Ｃｕ等）、非磁性材料
としてＯｒを用いる場合、配向性のよい垂直磁化膜が得
られ、又本発明による製膜を１００Ｃ以下で行っても、
保磁力（Ｈｃ）及び配向性の良い垂直磁化膜を得ること
ができるから、磁気記録媒体として好ましいＰＥＴベー
スを垂直磁化型磁気記録媒体の支持体として用いること
ができる。
金（例えばｃｏ−Ｎｉ、 ｃｏ−Ｃｕ等）、非磁性材料
としてＯｒを用いる場合、配向性のよい垂直磁化膜が得
られ、又本発明による製膜を１００Ｃ以下で行っても、
保磁力（Ｈｃ）及び配向性の良い垂直磁化膜を得ること
ができるから、磁気記録媒体として好ましいＰＥＴベー
スを垂直磁化型磁気記録媒体の支持体として用いること
ができる。
以下、本発明と実施例によって説明する。
実施例 １
第１図に概略図で示す如き装置を用い、主成分としてＦ
ｅ□７Ｎ１□９合金、非主成分としてＭｏを用い、イオ
ンブレーティングとスノくツタリングによって、二層型
Ｇｏ−Ｏｒ系磁気記録媒体用のＭｏ系パーマロイの下地
層を形成した。
ｅ□７Ｎ１□９合金、非主成分としてＭｏを用い、イオ
ンブレーティングとスノくツタリングによって、二層型
Ｇｏ−Ｏｒ系磁気記録媒体用のＭｏ系パーマロイの下地
層を形成した。
図示するように、高真空にした後、Ａｒを導入し３ Ｘ
１Ｑ Ｔｏｒｒ に保たれたケーシング（図示せず
）内に円筒状クーリンダキャン１に支持案内される２５
μ厚のＰＥＴフィルム２の下方に配設された高融点材料
のハース６に収められた主成分であるＦｅ□７Ｎｌ□０
合金４からなる蒸発源を電子ビーム５により加熱融解し
、これから放出されるＦｅＮ１の金属蒸気流６を、 １
３．５６Ｈｚ、４５０ｗａｔｔのＲＦコイル７の作用で
イオン化し、ＰＥＴフィルム２に差し向は蒸着させる。
１Ｑ Ｔｏｒｒ に保たれたケーシング（図示せず
）内に円筒状クーリンダキャン１に支持案内される２５
μ厚のＰＥＴフィルム２の下方に配設された高融点材料
のハース６に収められた主成分であるＦｅ□７Ｎｌ□０
合金４からなる蒸発源を電子ビーム５により加熱融解し
、これから放出されるＦｅＮ１の金属蒸気流６を、 １
３．５６Ｈｚ、４５０ｗａｔｔのＲＦコイル７の作用で
イオン化し、ＰＥＴフィルム２に差し向は蒸着させる。
また、この場合、非生成分として加えるＭＯのメツシュ
８をターゲットとしてＰＥＴフィルムの下方に設置して
あり、 −２００Ｖの加速電圧を印加しであるので、同
時に生じたＲＦプラズマのＡｒ陽イオンがターゲットに
衝突し、Ｍｏ粒子をたたき出し、スパッタ粒子として前
記ＦｅＮｉの蒸着と同時にＰＥＴフィルムに付着させた
。このようにしてＦｅＮｉＭｏ薄膜を連続的に形成した
。この実施例においては、得られた薄膜のＭ。
８をターゲットとしてＰＥＴフィルムの下方に設置して
あり、 −２００Ｖの加速電圧を印加しであるので、同
時に生じたＲＦプラズマのＡｒ陽イオンがターゲットに
衝突し、Ｍｏ粒子をたたき出し、スパッタ粒子として前
記ＦｅＮｉの蒸着と同時にＰＥＴフィルムに付着させた
。このようにしてＦｅＮｉＭｏ薄膜を連続的に形成した
。この実施例においては、得られた薄膜のＭ。
の組成は、操作中はぼ全景に対して４〜５チのほぼ一定
した値を保っていた。
した値を保っていた。
実施例 ２
第２図に示す装置を用い、強磁性材料としてＧＯを、非
磁性材料としてＯｒを用いてイオンブレーライングとプ
レーナーマメネトロン型スパッタリングを同時に行い、
Ａｌ基板（支持体）上にＧ ｏ ｓ ｓＯｒ□５の垂直
磁化型磁性膜を連続的に形成させた。
磁性材料としてＯｒを用いてイオンブレーライングとプ
レーナーマメネトロン型スパッタリングを同時に行い、
Ａｌ基板（支持体）上にＧ ｏ ｓ ｓＯｒ□５の垂直
磁化型磁性膜を連続的に形成させた。
高真空にした後にＡｒを導入し、 ６ Ｘ １［）−’
Ｔｏｒｒに保たれたクーリング（図示せず）内を水平に
走行するＡｌシート１１の下方にノ・−ス１２に収めら
れたＧｏよりなる蒸発源１ろとＯｒよりなるプレカーマ
グネトロン型スパッタリング用ターゲット１４を設け、
Ａｌシート１１の下刃に接近して設けられた加速電極１
４に一５００ｖの加速電圧を印加しつつ、ＣＯ源を電子
ビーム１５により加熱融解すると共１ｃＲＦｊイル１６
を１．ｌＳ、５６Ｈ７，４５０ｗａｔｔで付勢し、 Ｃ
ｏの蒸気流と、ターゲット１４から゛のＣｊｒ粒子を同
時にＡＩシートに差し向け、ＣｏＣｒ合金の磁性膜を形
成させた。操作中Ｏｒ の組成はほば一定で、高Ｈｃ
（約９０００ｅ）で角型５ａの垂直磁化型合金薄膜を得
た。
Ｔｏｒｒに保たれたクーリング（図示せず）内を水平に
走行するＡｌシート１１の下方にノ・−ス１２に収めら
れたＧｏよりなる蒸発源１ろとＯｒよりなるプレカーマ
グネトロン型スパッタリング用ターゲット１４を設け、
Ａｌシート１１の下刃に接近して設けられた加速電極１
４に一５００ｖの加速電圧を印加しつつ、ＣＯ源を電子
ビーム１５により加熱融解すると共１ｃＲＦｊイル１６
を１．ｌＳ、５６Ｈ７，４５０ｗａｔｔで付勢し、 Ｃ
ｏの蒸気流と、ターゲット１４から゛のＣｊｒ粒子を同
時にＡＩシートに差し向け、ＣｏＣｒ合金の磁性膜を形
成させた。操作中Ｏｒ の組成はほば一定で、高Ｈｃ
（約９０００ｅ）で角型５ａの垂直磁化型合金薄膜を得
た。
実施例 ６
第６図に示す装置を用い強磁性利料としてＧ。
を、非磁性材料としてＣｒを用い、イオンプレーライン
グとスパッタリングを同時に行い垂直磁化型磁性膜を形
成した。
グとスパッタリングを同時に行い垂直磁化型磁性膜を形
成した。
高真空下にＡｒを導入し６ Ｘ １ ｏ−”ｒ Ｏｒｒ
に保たれたクーリング（図示せず）内に２ＤＣに保たれ
たクーリングキャン６１に支持案内された２５μ厚のＰ
ＥＴベース３２の下に、下方からハース６′５に収めら
れたＧＯよりなる蒸発源３４．Ｏｒ よりなるスパッタ
リング用対抗ターゲット対６４．ろ４、及び−４５０ｖ
の電圧が印加された加速電極６６を配置し、 ｃｏ蒸発
源３４を電子ビーム６７により加熱融解してＧＯ蒸気流
をＰＥＴベース面に向って垂直方向に差し向けると共に
ＲＦコイル２８を実施例１２と同様に付勢し？Ａｒ プ
ラズマ中に生じたＡｒ陽イオンをＯｒメタ−ット対に衝
突させ、ターゲットから放出されたＣｉｒ粒子を同時に
ＰＥＴば一スＩＣ付着させた。このようにして−操作中
００ ｓ ６０ ｒ ｚｏのはＦｉ一定組成の垂直磁化
型合金簿膜が得られた。保磁力、配向性（角型）共に良
好であった。なお、２９は（３ｏ蒸気流どＣｒ粒をフィ
ルムの一定部位のみに向けるだめの仕切り板である。
に保たれたクーリング（図示せず）内に２ＤＣに保たれ
たクーリングキャン６１に支持案内された２５μ厚のＰ
ＥＴベース３２の下に、下方からハース６′５に収めら
れたＧＯよりなる蒸発源３４．Ｏｒ よりなるスパッタ
リング用対抗ターゲット対６４．ろ４、及び−４５０ｖ
の電圧が印加された加速電極６６を配置し、 ｃｏ蒸発
源３４を電子ビーム６７により加熱融解してＧＯ蒸気流
をＰＥＴベース面に向って垂直方向に差し向けると共に
ＲＦコイル２８を実施例１２と同様に付勢し？Ａｒ プ
ラズマ中に生じたＡｒ陽イオンをＯｒメタ−ット対に衝
突させ、ターゲットから放出されたＣｉｒ粒子を同時に
ＰＥＴば一スＩＣ付着させた。このようにして−操作中
００ ｓ ６０ ｒ ｚｏのはＦｉ一定組成の垂直磁化
型合金簿膜が得られた。保磁力、配向性（角型）共に良
好であった。なお、２９は（３ｏ蒸気流どＣｒ粒をフィ
ルムの一定部位のみに向けるだめの仕切り板である。
実施例 ４
第４図に示す装置を用い、強磁性材料としてＧｏ、
非磁性材料としてＶ（バナジウム）を用いて、イオンブ
レーライングとプレーナーマメネトロン型スパッタリン
グを同時に行い、２５μ厚ノポリイミドフイルムに垂直
磁化型のＣｏＶ 合金薄膜を形成した。
非磁性材料としてＶ（バナジウム）を用いて、イオンブ
レーライングとプレーナーマメネトロン型スパッタリン
グを同時に行い、２５μ厚ノポリイミドフイルムに垂直
磁化型のＣｏＶ 合金薄膜を形成した。
Ａｒ真空下５ Ｘ １ ｏ−”’Ｔｏｒｒに保たれたケ
ーシング内に約５０Ｃに保たれたクーリングキャン４１
に支持案内されるポリイミｒフィルム４２の下に下から
順次、ハース４３に収められたｃｏ蒸発源４４゜スパッ
タリング用の、傾を有するＶ対抗ターゲット対４５．４
５．−４５０Ｃの加速電圧が印加された加速電極を配置
した。Ｇｏ蒸発源を電子ビーム４７で加熱蒸発してＣＯ
の蒸気流をフィルムに垂直に差し向けて蒸着さぜ、同時
にＲＦコイｆｉｖ４８を付勢してＡｒプラズマからの入
ｒ陽イオンをＶターゲットに衝突させ、放出された７粒
子をフィルムに付着させた。なお４９゛は粒子がフィル
ム面の垂直同行以外に蒸着及び付着するのを防止するた
めの支切り板である。又５０はマダネトロン型スパッタ
リングを生じさせるための電磁石である。
ーシング内に約５０Ｃに保たれたクーリングキャン４１
に支持案内されるポリイミｒフィルム４２の下に下から
順次、ハース４３に収められたｃｏ蒸発源４４゜スパッ
タリング用の、傾を有するＶ対抗ターゲット対４５．４
５．−４５０Ｃの加速電圧が印加された加速電極を配置
した。Ｇｏ蒸発源を電子ビーム４７で加熱蒸発してＣＯ
の蒸気流をフィルムに垂直に差し向けて蒸着さぜ、同時
にＲＦコイｆｉｖ４８を付勢してＡｒプラズマからの入
ｒ陽イオンをＶターゲットに衝突させ、放出された７粒
子をフィルムに付着させた。なお４９゛は粒子がフィル
ム面の垂直同行以外に蒸着及び付着するのを防止するた
めの支切り板である。又５０はマダネトロン型スパッタ
リングを生じさせるための電磁石である。
操作中、一定した組成の垂直磁化型Ｃｏ８．■１５合金
薄膜が形成され、良好な保磁力と配向性を示した。
薄膜が形成され、良好な保磁力と配向性を示した。
実施例 ５
第５図に示す装置を用い５強磁性材料としてＣ０８ｏＮ
１□０合金、非磁性材料としてＴ１を用い、イオンブレ
ーティングとプレーナーマグネトロン型スパッタリング
によってＧＯ系合金の所謂斜蒸着磁性膜を形成した。
１□０合金、非磁性材料としてＴ１を用い、イオンブレ
ーティングとプレーナーマグネトロン型スパッタリング
によってＧＯ系合金の所謂斜蒸着磁性膜を形成した。
Ａｒ真空下、！５Ｘ１０ Ｔｏｒｒに保たれたケーシ
ング内に２０ＣＫ保たれたクーリングキャン５１に支持
案内された２５μ厚のＰＥＴフィルム５２の下方に配置
されたハース５６に収められたｃＯ８ｏＮｉ２゜合金よ
りなる蒸発源５４を電子ビーム５７により加熱融解して
、該合金蒸気流をＰＥＴフィルム５２に対して斜方向に
差し向けて蒸着させ、同時にＲＦコイルを付勢し、生じ
たＡｒ陽イオンをＴ１ターゲット５５に衝突させて放出
されたＴ１粒子をＰＥＴフィルムに付着させた。本例で
は加速電極に一４００Ｖの電圧を印加した。なお、４９
は支切り板、６０はマスクである。
ング内に２０ＣＫ保たれたクーリングキャン５１に支持
案内された２５μ厚のＰＥＴフィルム５２の下方に配置
されたハース５６に収められたｃＯ８ｏＮｉ２゜合金よ
りなる蒸発源５４を電子ビーム５７により加熱融解して
、該合金蒸気流をＰＥＴフィルム５２に対して斜方向に
差し向けて蒸着させ、同時にＲＦコイルを付勢し、生じ
たＡｒ陽イオンをＴ１ターゲット５５に衝突させて放出
されたＴ１粒子をＰＥＴフィルムに付着させた。本例で
は加速電極に一４００Ｖの電圧を印加した。なお、４９
は支切り板、６０はマスクである。
この操作により、操作中一定した組成のＧｏＮｉＴｉ合
金の面内異プ性を有する磁性膜が形成された。
金の面内異プ性を有する磁性膜が形成された。
この磁性膜は面内方向に８０００θの保持力（Ｈｅ）と
０．８の角型を示した。
０．８の角型を示した。
第１図乃至第５図は本発明を実施するための装置を示す
略図である。 １、ろ１．４１．５１・・・クーリングキャン２．３２
．４２．５２・・・支持体 １１・−・基板 ４・・・主成分 ８・・・非主成分７・・・Ｒ
Ｆコイル １３．３４．４４．５４・・・強磁性材料１４、ろ５．
４５．５５・・・非磁性材料代理人 弁理士（８１０７
）佐々木清隆（ほか３名） 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １４図
略図である。 １、ろ１．４１．５１・・・クーリングキャン２．３２
．４２．５２・・・支持体 １１・−・基板 ４・・・主成分 ８・・・非主成分７・・・Ｒ
Ｆコイル １３．３４．４４．５４・・・強磁性材料１４、ろ５．
４５．５５・・・非磁性材料代理人 弁理士（８１０７
）佐々木清隆（ほか３名） 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）真空中で基板に２種以上の材料よりなる合金簿膜を
形成する合金薄膜の製造方法において。 一方の材料の加熱蒸発と他方の材料のス／ぞツタリング
を同時に行い、得られた金属の蒸気流と金属のスパッタ
粒子を同時に基体に差し向け、合金薄膜を形成すること
を特徴とする合金薄膜の製造方法。 ２）／７．ｉ加熱蒸発する材料が主成分であり、スパッ
タリングする材料が非主成分である特許請求の範囲第１
項に記載の合金薄膜の製造方法。 ３）加熱蒸発する材料が強磁性材料であり、スパッタリ
ングする材料が非強磁性材料である特許請求の範囲第１
項に記載の合金薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13380382A JPS5925975A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 合金薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13380382A JPS5925975A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 合金薄膜の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925975A true JPS5925975A (ja) | 1984-02-10 |
Family
ID=15113393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13380382A Pending JPS5925975A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 合金薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925975A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266731A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造装置 |
| JPH062575U (ja) * | 1992-06-11 | 1994-01-14 | 光南 謝 | 安全プラグ |
| US8864956B2 (en) | 2004-03-19 | 2014-10-21 | United Technologies Corporation | Multi-component deposition |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP13380382A patent/JPS5925975A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266731A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Tohoku Metal Ind Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造装置 |
| JPH062575U (ja) * | 1992-06-11 | 1994-01-14 | 光南 謝 | 安全プラグ |
| US8864956B2 (en) | 2004-03-19 | 2014-10-21 | United Technologies Corporation | Multi-component deposition |
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