JPS5922234A - 垂直磁気記録用媒体の製造方法 - Google Patents

垂直磁気記録用媒体の製造方法

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JPS5922234A
JPS5922234A JP13083082A JP13083082A JPS5922234A JP S5922234 A JPS5922234 A JP S5922234A JP 13083082 A JP13083082 A JP 13083082A JP 13083082 A JP13083082 A JP 13083082A JP S5922234 A JPS5922234 A JP S5922234A
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JP
Japan
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film
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electron
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JP13083082A
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JPH0334614B2 (ja
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Ryuji Sugita
龍二 杉田
Kenji Kanai
金井 謙二
Kiyoshi Sasaki
清志 佐々木
Takeshi Takahashi
健 高橋
Kazuyoshi Honda
和義 本田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/85Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition

Landscapes

  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は垂直磁気記録方式に適した媒体の製造方法に関
する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直磁気
記録方式がある。この方式においては、媒体の膜面に垂
直方向が磁化容易軸である垂直記録媒体が必要となる。
このような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜
面に垂直方向を向き、したがって、信>、>が短波長に
なる程媒体内反6丑Wは減少1優れた再生出力がイ41
ら涯る。垂直記録媒体は高分子材料あるいは非磁性金属
等の非研性材料からなる基板上に、直接に、あるいはノ
々−マロイ等の軟磁性1曽を介して、COとOrを主成
分とし膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層(以
下この磁性層をGo−Or垂直磁化膜と呼4ζ)をスパ
ッタリング法あるいは真窒蒸虐法により形成したもので
ある。
スパッタリング法、真空族M法のいずれの方法において
も−Go−Or垂直磁化膜が得られるが、特に後者によ
れは、数1000人/秒という非常に生産性の1愛れた
析出速度で膜が得られる。真空蒸着法VCおいては、基
板を円筒状キャンの周側面Vこ沿わせて移動させつつG
o−Orの蒸着を行なうと、安フ「に長尺の垂直磁化膜
を作製することができる。第1図にこのような方式を用
いた真空蒸着装置の概略図を示す。
図において1は基板であり、円筒状キャン2の周側面に
沿って走行する。薄膜月料であるGo −Or合金イン
ゴット5はるつぼ4の中に入っており、電子銃6から発
生する電子ビーム了によって、加熱され蒸発する。なお
、るつぼ4と電子銃6を1とめて蒸発源と称する。蒸発
したGo及びOr原子が移動しつつある基板1に付着し
、Go −Cr垂直磁化膜が形成される。8,9は基板
1を巻くロールである。3は不要な原子が基板に付着す
るのを防ぐためのマスクである。10.11はそれぞれ
真空槽及び排気系である。なお、蒸発源として電子ビー
ム蒸発源を用いるのは、高析出速度が安定に得られるた
めである。
ところで第1図に示されるような真空蒸着装置にてGo
−Cr膜を作製すると、垂直磁化膜が得られるが、得ら
れた膜の特性が蒸着時の基板移動方向によって差がある
ことが、実験の結果明らかになった。すなわち、蒸発源
の配置が第1図に示されるようになっている真空蒸着装
置にてGo−Cr膜を作製すると、蒸着時の基板移動方
向が矢印12の場合と、矢印13の場合とでは、得られ
た膜の特性が異なり、特性の優れたGo−Cr垂直磁化
膜を得るためには、基板移動方向を定める必要のあるこ
とが明らかになった。本発明は真空蒸着法によりGo−
Cr垂直磁化膜を作製する際に、電子銃の配置に対する
基板移動方向を定めることにより、特性の優れた膜を得
る手段を提供するものである。
第2図及び第3図を用いて本発明を説明する。
第2図の矢印14は基板の移動方向が矢印12の方向で
ある場合の、移動方向の水平成分の向きを示し、矢印1
5は基板の移動方向が矢印13の方向である場合の、移
動方向の水平成分の向きを示す。寸だ、矢印16は電子
ビーム7のGo −Or材料5への飛来方向の水平成分
の向きを示す。基板の移動方向を、その水平成分の向き
が矢印14あるいは15のようにして、第2図に示され
るような真空蒸着装置にて、Go−Cr垂直磁化膜を作
製した場合の、垂直磁気異方性定数Ku と蒸着時の基
板温度Tsubとの関係を第3図に示す。ただし、基板
としては耐熱性の高分子材料から成るフィルムを用いて
おり、第3図p曲線1ア及び18ば、基板の移動方向が
12及び13の場合に得られた膜に関する関係を示す。
寸だ、Kuが正であれば膜は垂直磁化膜であるが、Ku
が負の場合には砂止容易軸は膜面内を向いてしまう。K
uの大きい膜はど、垂直異方性が強く、従って特性の優
れた垂直磁化膜になる。
第3図から、いずれの基板温度においても、基板の移動
方向を矢印12の方向にした方が、矢印13の移動方向
に比べKuが大きくなっており、特性の優れた垂直磁化
膜が得られることがわかる。
すなわち、第1図に示すようにGo(!:βrを同一の
電子ビー゛ム蒸発源から蒸発さ老て析出する際に、電子
ビームの薄膜材料への飛来方向の水平成分の向きと、−
該相反の移動方向の水平成分の向きを反対であるような
構成にすることにより、特性の優れた垂直磁化膜が得ら
れる。
以上では1個の蒸発源からCOとOrを蒸発させて、連
続的に長尺の膜を作製する場合について述べたが、CO
とOrを別々の蒸発源から蒸発させる二源蒸着法により
C0−Cr膜を作製しても、垂直磁化膜が得られ、この
場合にも蒸着時の基板移動方向が異なると、得られた膜
の特性に差のあることが実験の結果明らかになった。こ
のことを第4図を用いて以下に説明する。
第4図において19.20はそれぞれOr材料21及び
Go利科料22入れるためのるつぼであり、23.24
はそれぞれOr材料21及びG。
材料22を加熱し、蒸発させるための電子銃である。2
6.26はそれぞれ電子銃23及び24から発生する電
子ビームである。このよつな二源蒸着装置にてGo −
Cr垂直磁化膜を作製すべく検討を行なった結果、基板
の移動方向を矢印25の方向にした方が、逆の場合より
もKuが大きくなることがわかった。すなわち、二源蒸
着法を用いて蒸着を行なう際に、CO材料を加熱し蒸発
させるための電子ビームの、co拐刺への飛来方向の水
平成分の向きと、基板の移動力向の水平成分の向きとが
反対であるような構成にすることにより、特性の険れた
Go−Cr垂直磁化膜が得られる。実際に第4図に示さ
れるような構成の真空蒸着装置にて、膜厚2000人の
Go−Cr垂直磁化膜を高分子材料からなる基板上に形
成すると、Ku =4.2 X 105erg / C
Cなる値が得られた。筐だ、この膜の膜面に垂直方向の
保磁力HC土は8500eであった。これに対し、第4
図と構成が殆ど同一であるが、基板の移動方向を逆にし
てCo−1Or膜を形成した場合には、膜のKu、HC
土はそれぞれ3 X 105erg / CCおよび7
000eであり、本発明の方法で作製した膜よりも特性
が悪かった0以上述べたように、本発明の方法によれば
特性の優れた長尺のco −(3r垂直磁化膜が容易に
得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は真空蒸着装置め概略を示す図、第2図は本発明
による製造方法を説明するための図、第3図はGo−O
r蒸着膜の垂直磁気異方性定数Kuと蒸着時の基板温度
Tsubとの関係を示す図、第4図は二源蒸着装置の概
略を示す図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・同筒状キャン、6
・・・・・C0−Cr合金材料、6,23.24・・・
・・・電子銃、7こφ二 ・・・・・・電子ビーム、21・・・・・・0r4J料
、22CO材料。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 故 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 丁Sυb(″’C1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. COとOrを主成分とし膜面に垂直方向に磁化容易軸を
    有する磁性層を、移動しつつある基板上に電子ビーム蒸
    発源を用いた真空蒸着法により形成し、かつその際に、
    電子ビームのGo−Or合金材料あるいはCO拐材料の
    飛来方向の水平成分の向きと、上記基板の移動方向の水
    平成分の向きとか反対になるようにすることを特徴とす
    る垂直磁気記録用媒体の製造方法。
JP13083082A 1982-07-27 1982-07-27 垂直磁気記録用媒体の製造方法 Granted JPS5922234A (ja)

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JP13083082A JPS5922234A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 垂直磁気記録用媒体の製造方法

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JPS5922234A true JPS5922234A (ja) 1984-02-04
JPH0334614B2 JPH0334614B2 (ja) 1991-05-23

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61196441A (ja) * 1985-02-27 1986-08-30 Canon Inc 記録媒体の成膜法
JPS61196442A (ja) * 1985-02-27 1986-08-30 Canon Inc 記録媒体の成膜法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61196441A (ja) * 1985-02-27 1986-08-30 Canon Inc 記録媒体の成膜法
JPS61196442A (ja) * 1985-02-27 1986-08-30 Canon Inc 記録媒体の成膜法

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JPH0334614B2 (ja) 1991-05-23

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