JPS60217531A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS60217531A JPS60217531A JP7332284A JP7332284A JPS60217531A JP S60217531 A JPS60217531 A JP S60217531A JP 7332284 A JP7332284 A JP 7332284A JP 7332284 A JP7332284 A JP 7332284A JP S60217531 A JPS60217531 A JP S60217531A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
高密度磁気記録に利用される金属薄膜型の磁気記録媒体
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
回転磁気ヘッドによるヘリカル走査方式による音声２画
像の記録再生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度
記録化が進んでいる。しかし現状のＣＯをドープしたγ
−Ｆ ｅ ２０ ｓ 微粒子を結合剤で固定したいわゆ
る塗布型磁気記録媒体とフェライトヘッドの組み合わせ
では、記録密度向上は限界にきている。従って更に記録
密度を高めていくには新しい磁気記録媒体と磁気ヘッド
の組み合わせが必要で、いずれも合金系の材料の開発が
進められている。特に磁気記録媒体は従来と製造方法が
異なり、多くの課題が残されている。即ち磁気記録層と
して強磁性金属薄膜を用いる媒体として、長手記録用と
垂直記録用とがあるが、いずれも、磁気特性の制御は勿
論のこと、基板との付着強度や薄膜の硬度等についても
再現良く、大面積に渡って得られる製法でなければなら
ない。
像の記録再生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度
記録化が進んでいる。しかし現状のＣＯをドープしたγ
−Ｆ ｅ ２０ ｓ 微粒子を結合剤で固定したいわゆ
る塗布型磁気記録媒体とフェライトヘッドの組み合わせ
では、記録密度向上は限界にきている。従って更に記録
密度を高めていくには新しい磁気記録媒体と磁気ヘッド
の組み合わせが必要で、いずれも合金系の材料の開発が
進められている。特に磁気記録媒体は従来と製造方法が
異なり、多くの課題が残されている。即ち磁気記録層と
して強磁性金属薄膜を用いる媒体として、長手記録用と
垂直記録用とがあるが、いずれも、磁気特性の制御は勿
論のこと、基板との付着強度や薄膜の硬度等についても
再現良く、大面積に渡って得られる製法でなければなら
ない。
その面から現時点で一歩リードしているのが、電子ビー
ム蒸着法であるが、この方法では、垂直磁気記録の特長
を生かしたディジタル記録をより高密度で行う上で性能
面でやや不足であり、高い垂直保磁力を得るのに、基板
温度を高くする必少があり、汎用性の高い、且つ表面性
の良い安価なポリエチレンテレフタレートフィルムを基
板として用いることが出来ない等の欠点がある。
ム蒸着法であるが、この方法では、垂直磁気記録の特長
を生かしたディジタル記録をより高密度で行う上で性能
面でやや不足であり、高い垂直保磁力を得るのに、基板
温度を高くする必少があり、汎用性の高い、且つ表面性
の良い安価なポリエチレンテレフタレートフィルムを基
板として用いることが出来ない等の欠点がある。
一方、スパッタリング法は、ポリエチレンテレフタレー
トフィルムを基板として用いることができることが知ら
れるが、電子ビーム蒸着法にくらべて、膜形成速度が低
速であることは欠点として良く知られるが、長尺の基板
上に均一・に垂直磁化膜を得ることを目指して実験をく
り返したところ、ディジタル記録用にとって重要な結晶
配向性が長手で変化することがわかった。即ち垂直磁化
膜で最も性能の良いＣｏ−Ｃｒ膜のＸ線回折像から評価
した（ ００２ ）面に関するΔθ５ｏ（ロッキングカ
ーブの半値幅で結晶配向性の目安となる数値である。）
が、６°から１ｏ０ぐらいまで変化することがわかった
。
トフィルムを基板として用いることができることが知ら
れるが、電子ビーム蒸着法にくらべて、膜形成速度が低
速であることは欠点として良く知られるが、長尺の基板
上に均一・に垂直磁化膜を得ることを目指して実験をく
り返したところ、ディジタル記録用にとって重要な結晶
配向性が長手で変化することがわかった。即ち垂直磁化
膜で最も性能の良いＣｏ−Ｃｒ膜のＸ線回折像から評価
した（ ００２ ）面に関するΔθ５ｏ（ロッキングカ
ーブの半値幅で結晶配向性の目安となる数値である。）
が、６°から１ｏ０ぐらいまで変化することがわかった
。
発明の目的
本発明は上記した事情に鑑みなされたものであって、長
尺の媒体をスパッタリング法で高速化し且つ、低温で高
分子基板を用いて製造する方法を提供することを目的と
する。
尺の媒体をスパッタリング法で高速化し且つ、低温で高
分子基板を用いて製造する方法を提供することを目的と
する。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、マグネトロンスパ
ッタリングにより、移動する高分子基板上に磁性膜を形
成する際、形成速度が６μｍ／ｍｉｎ以上であることを
特徴とし、磁気特性、結晶配向性を長手に渡って均一に
制御できるものである。
ッタリングにより、移動する高分子基板上に磁性膜を形
成する際、形成速度が６μｍ／ｍｉｎ以上であることを
特徴とし、磁気特性、結晶配向性を長手に渡って均一に
制御できるものである。
実施例の説明
以下本発明の実施例について、図面を１照しながら説明
する。
する。
第１図は、磁気記録媒体の製造方法を実施するだめの装
置の一例である。基板１は、円筒状キャン２に沿って送
り出し軸３から巻取り軸４へ移動する間に、ターゲット
６よシ放射されたスパッタ原子により、薄膜の形成を受
ける。
置の一例である。基板１は、円筒状キャン２に沿って送
り出し軸３から巻取り軸４へ移動する間に、ターゲット
６よシ放射されたスパッタ原子により、薄膜の形成を受
ける。
ターゲット５は多くの場合合金であるが、強磁性又は軟
磁性などの磁性材料であるため、磁界発生器６の発生す
る磁場が、ターゲット６で閉路を形成してしまうか、大
半の磁束がターゲット６を通ってしまうだめ、いわゆる
マグネトロンスパーツタリングによる高速化は狙い通り
行えなくなってしまう。７はマスクである。
磁性などの磁性材料であるため、磁界発生器６の発生す
る磁場が、ターゲット６で閉路を形成してしまうか、大
半の磁束がターゲット６を通ってしまうだめ、いわゆる
マグネトロンスパーツタリングによる高速化は狙い通り
行えなくなってしまう。７はマスクである。
上述の構成要素は、図示せぬ真空容器内に置かれ、ター
ゲットへは、高周波又は直流電圧が印加され、導入ガス
で所定の圧力下でグロー放電を安定に発生させ、生じた
イオンでスパッタリングを行うものである。
ゲットへは、高周波又は直流電圧が印加され、導入ガス
で所定の圧力下でグロー放電を安定に発生させ、生じた
イオンでスパッタリングを行うものである。
一方ターゲットは、磁力線８の集中する領域にいわゆる
エロージョン領域ｅが生じる。
エロージョン領域ｅが生じる。
これは、磁界によシ放電の集中度が高くなるために起る
ことで、時間と共にスパッタ集中域とそうでない領域の
差が大きくなるため、移動する高分子基板上に例えば垂
直磁化膜を構成しようとすると、Δθ５ｏが変化するこ
とが起る。この現象は、ターゲットの厚みがエロージョ
ン領域９では薄くなっていくため、ターゲットが磁性体
でも、漏えい磁束がだんだん増えてきて、ますますスパ
ッタ集中するという帰還現象であるため、制御性が悪い
ものと考えられるもので、本発明はこの点の改良に主眼
を置いたもので、同時に雰囲気、装置構成条件の影響に
関しても改良を加え磁性膜の形成速度を６μｍ／ｍｉｎ
以上にできるよう構成したターゲットを用いるもので
、具体的にはこの速度をスパッタリング（でよシ得られ
る速度にするために非磁性の薄い板の上に蒸着法により
得られる薄膜をターゲットとするものである。
ことで、時間と共にスパッタ集中域とそうでない領域の
差が大きくなるため、移動する高分子基板上に例えば垂
直磁化膜を構成しようとすると、Δθ５ｏが変化するこ
とが起る。この現象は、ターゲットの厚みがエロージョ
ン領域９では薄くなっていくため、ターゲットが磁性体
でも、漏えい磁束がだんだん増えてきて、ますますスパ
ッタ集中するという帰還現象であるため、制御性が悪い
ものと考えられるもので、本発明はこの点の改良に主眼
を置いたもので、同時に雰囲気、装置構成条件の影響に
関しても改良を加え磁性膜の形成速度を６μｍ／ｍｉｎ
以上にできるよう構成したターゲットを用いるもので
、具体的にはこの速度をスパッタリング（でよシ得られ
る速度にするために非磁性の薄い板の上に蒸着法により
得られる薄膜をターゲットとするものである。
第３図に本発明を実施するのに用いた装置の要部構成図
を示しだ。基板８は円筒状キャン９に沿って送り出し軸
１ｏより巻取り軸１１へ移動するよう構成される。ター
ゲットキャリア１２は、非磁性のごくうすいエンドレス
ベルトで構成される。
を示しだ。基板８は円筒状キャン９に沿って送り出し軸
１ｏより巻取り軸１１へ移動するよう構成される。ター
ゲットキャリア１２は、非磁性のごくうすいエンドレス
ベルトで構成される。
チタンやステンレス、モリブデン、タンタル等の薄い板
を例えば電子ビーム溶接して製造したものが用いられる
。ターゲットキャリア１２は、冷却ローラ１８に沿って
、一定速度で回転する。１９は、ニップローラである。
を例えば電子ビーム溶接して製造したものが用いられる
。ターゲットキャリア１２は、冷却ローラ１８に沿って
、一定速度で回転する。１９は、ニップローラである。
１７は磁界発生器で、永久磁石か電磁石かは任意纜選択
できる。ターゲットキャリア１２にスパッタリングによ
り形成したい薄膜を真空蒸着法で形成するのに、ここで
は、電子ビーム蒸着がモデル的に示されている。
できる。ターゲットキャリア１２にスパッタリングによ
り形成したい薄膜を真空蒸着法で形成するのに、ここで
は、電子ビーム蒸着がモデル的に示されている。
蒸発源容器１４にチャージされた蒸着材料１３は、電子
ビーム発生源１６の発生する電子により加熱され蒸気流
１５となり、ターゲットキャリア１２を基板とし、この
基板上に薄膜ターゲットを構成する。２０はマスクであ
る。
ビーム発生源１６の発生する電子により加熱され蒸気流
１５となり、ターゲットキャリア１２を基板とし、この
基板上に薄膜ターゲットを構成する。２０はマスクであ
る。
第４図は薄膜ターゲットの一例で、マスキングを調節し
て、材料Ａ２１と材料Ｂ２２を例えば交互に配列し且つ
面積比率は、ツノ５ツタリングにより得たい薄膜に必要
な材料Ａと材料Ｂの比率が得られるよう設計することで
、蒸着の制御はスパッタリング速度が蒸着速度を上まわ
らないようにするだけで充分である。
て、材料Ａ２１と材料Ｂ２２を例えば交互に配列し且つ
面積比率は、ツノ５ツタリングにより得たい薄膜に必要
な材料Ａと材料Ｂの比率が得られるよう設計することで
、蒸着の制御はスパッタリング速度が蒸着速度を上まわ
らないようにするだけで充分である。
かかるターゲットの構成により、磁性体の厚みが極めて
うずくできるので、磁界発生器１７０発生する磁界は、
はとんど減衰しないので、高速化が可能になシ５μｒｒ
Ｌ／ｍｉｎ 以上のスパッタ速度が達成できる。又、連
続して蒸着により供給された材料の一部がスパッタされ
るので、エロージョン領域が固定ターゲットの時と違い
発生しない訳で、Δθ６ｏも均一にできるのである。
うずくできるので、磁界発生器１７０発生する磁界は、
はとんど減衰しないので、高速化が可能になシ５μｒｒ
Ｌ／ｍｉｎ 以上のスパッタ速度が達成できる。又、連
続して蒸着により供給された材料の一部がスパッタされ
るので、エロージョン領域が固定ターゲットの時と違い
発生しない訳で、Δθ６ｏも均一にできるのである。
以下に更に具体的な例について詳述する。
直径５０ＣｎＬの円筒状キャンを用い、キャン表面から
８．５ｃｒｎ離した位置に３ｏｏ’ｐｍのチタンの周長
１．６ｍのエンドレスターゲットキャリアを配置し、二
元蒸着によりターゲット薄膜を形成する方法を採った。
８．５ｃｒｎ離した位置に３ｏｏ’ｐｍのチタンの周長
１．６ｍのエンドレスターゲットキャリアを配置し、二
元蒸着によりターゲット薄膜を形成する方法を採った。
磁界発生器は電磁石を用いた。ターゲットキャリアは電
位が与えられるように絶縁保持した。
位が与えられるように絶縁保持した。
ターゲットの製作は、マスクを用いて第４図に示すよう
に交互に２種類の材料を蒸着し、面積比率を調整した。
に交互に２種類の材料を蒸着し、面積比率を調整した。
基板と、材料を変えて、垂直記録用の磁気記録媒体を製
造し、磁気特性等の安定性を、Ｘ線回折。
造し、磁気特性等の安定性を、Ｘ線回折。
試料振動型磁束計を用い調べた結果を次表に示した。比
較例は、市販の高速スパッタ装置を用いて合金ターゲッ
トを用いた場合を示した。
較例は、市販の高速スパッタ装置を用いて合金ターゲッ
トを用いた場合を示した。
（１）基板として厚み１２μｍのポリエチレンテレフタ
レートを用いた。磁性層の厚みは０．２μｍ一定とした
。
レートを用いた。磁性層の厚みは０．２μｍ一定とした
。
真空度はアルゴンで１Ｘ１０ Ｔｏｒｒ 、グロー（１
３，５６Ｍ田）を用いた。
３，５６Ｍ田）を用いた。
以下余白
基板として厚み１２μｍのポリイミドを用いて、更に高
速での膜形成を試みだ。
速での膜形成を試みだ。
Ｃｏ−Ｃｒ 、Ｃｏ −Ｖ 、Ｃｏ −Ｔ ｉ 、 Ｃ
ｏ −Ｍｏ 、Ｃｏ−Ｗについて、夫々Ｃｒ２Ｏ％、■
２１％、Ｔｉ２２％。
ｏ −Ｍｏ 、Ｃｏ−Ｗについて、夫々Ｃｒ２Ｏ％、■
２１％、Ｔｉ２２％。
Ｍｏ２４％、Ｗ２３％の条件で、２２ μｍ／ｍｉｎで
０．２μｍの垂直磁化膜を形成したものは、１６００ｍ
の全長に渡りΔθ５ｏは５％以内に制量でき、垂直抗磁
力（Ｈａｌ）も１０％以内に制御できた。それに比べて
、従来の製法では、長手方向の幅１０インチのターゲッ
ト（厚み５．６ｍｍ）では、長さが３００ ｍを越すと
、急激にΔθ６゜が大きくなり、７００ ｍになると殆
んど垂直配向したものが得られなかった。
０．２μｍの垂直磁化膜を形成したものは、１６００ｍ
の全長に渡りΔθ５ｏは５％以内に制量でき、垂直抗磁
力（Ｈａｌ）も１０％以内に制御できた。それに比べて
、従来の製法では、長手方向の幅１０インチのターゲッ
ト（厚み５．６ｍｍ）では、長さが３００ ｍを越すと
、急激にΔθ６゜が大きくなり、７００ ｍになると殆
んど垂直配向したものが得られなかった。
尚本発明は、合金成分を精密に制御する磁気記録媒体以
外の他の技術分野に於て利用することもできるのは勿論
であり、ターゲツト板を作りにくいか、製作できない合
金成分も容易に得ることもできるものである。
外の他の技術分野に於て利用することもできるのは勿論
であり、ターゲツト板を作りにくいか、製作できない合
金成分も容易に得ることもできるものである。
又磁気記録媒体としては垂直磁化膜に限るものを得る工
程に用いることも、できるものであることは勿論である
。
程に用いることも、できるものであることは勿論である
。
尚、臨界値が６μｍ／ｍ ｉ ｎ にあることは、通常
用いるスパッタリングの圧力領域である１ｏ−２Ｔｏｒ
ｒでのガスによる汚染が無視され、Δθ６ｏが良好なも
のが得られる結果になることからきているのであり、基
板の脱ガスや真空装置の脱ガスがより完全であれば６μ
ｍ／ｍｉｎ を３μｒｒＬ／ｍｉｎ 程度までさげるこ
とができるが、実用上は、管理が容易でないので、５μ
ｍ／ｍｉｎ 以上にするのが安全である。
用いるスパッタリングの圧力領域である１ｏ−２Ｔｏｒ
ｒでのガスによる汚染が無視され、Δθ６ｏが良好なも
のが得られる結果になることからきているのであり、基
板の脱ガスや真空装置の脱ガスがより完全であれば６μ
ｍ／ｍｉｎ を３μｒｒＬ／ｍｉｎ 程度までさげるこ
とができるが、実用上は、管理が容易でないので、５μ
ｍ／ｍｉｎ 以上にするのが安全である。
本発明の効果について従来は、高分子基板を用いずに例
えばガラス基板を用いて、スパッタリング用の電源容量
を強引に増して、３μｍ／ｍｉｎ から６μｍ ／ｍｉ
ｎ 程度に高速化しても、長手の変化について知るこ
とができないものであったし、まして高分子はポリイミ
ドでも溶けて、もはや特性を議論する以前の状態にあっ
たことから、本発明の意義は単に６μ７Ｉｔ／ｍｉｎ
以上の条件規定だけでなく、高分子基板を対象にできる
条件が中に含まれだ６μｍ／ｍｉｎ 以上の条件である
ことに留意しないといけないものである。
えばガラス基板を用いて、スパッタリング用の電源容量
を強引に増して、３μｍ／ｍｉｎ から６μｍ ／ｍｉ
ｎ 程度に高速化しても、長手の変化について知るこ
とができないものであったし、まして高分子はポリイミ
ドでも溶けて、もはや特性を議論する以前の状態にあっ
たことから、本発明の意義は単に６μ７Ｉｔ／ｍｉｎ
以上の条件規定だけでなく、高分子基板を対象にできる
条件が中に含まれだ６μｍ／ｍｉｎ 以上の条件である
ことに留意しないといけないものである。
発明の効果
以上のように本発明はマグネトロンスパッタリングによ
り、移動する高分子基板上に磁性膜を形成する際、形成
速度が６μｍ／ｍｉｎ 以上であることを特徴とし、長
尺の媒体を均一に得ることができかつ大量に生産できる
ものでその実用的効果は大きい。
り、移動する高分子基板上に磁性膜を形成する際、形成
速度が６μｍ／ｍｉｎ 以上であることを特徴とし、長
尺の媒体を均一に得ることができかつ大量に生産できる
ものでその実用的効果は大きい。
第１図はスパッタリング法により連続して磁性膜を形成
するだめの装置の要部構成を示す図、第２図はマグネト
ロンスパッタリング時のターゲットを説明するだめの図
、第３図は、本発明を実施するために用いた磁性膜の形
成装置の構成を示す図、第４図は、本発明のターゲット
を説明するだめの図である。 ８・・・−・高分子基板、１２・・・・・−ターゲット
キャリア、１５・・・・・・蒸気流。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図
するだめの装置の要部構成を示す図、第２図はマグネト
ロンスパッタリング時のターゲットを説明するだめの図
、第３図は、本発明を実施するために用いた磁性膜の形
成装置の構成を示す図、第４図は、本発明のターゲット
を説明するだめの図である。 ８・・・−・高分子基板、１２・・・・・−ターゲット
キャリア、１５・・・・・・蒸気流。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図
Claims (1)
- マグネトロ／スバッタリゾグにより移動する高分子基板
上に磁性膜を形成する際、形成速度が５μｍ／ｍｉｎ
以上であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332284A JPS60217531A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332284A JPS60217531A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217531A true JPS60217531A (ja) | 1985-10-31 |
| JPH0550052B2 JPH0550052B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=13514814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7332284A Granted JPS60217531A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63251936A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6414729A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760538A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture for magnetic recording medium |
| JPS5876429A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-09 | Toshiba Corp | 金属薄膜の形成方法 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP7332284A patent/JPS60217531A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760538A (en) * | 1980-09-26 | 1982-04-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture for magnetic recording medium |
| JPS5876429A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-09 | Toshiba Corp | 金属薄膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63251936A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS6414729A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550052B2 (ja) | 1993-07-28 |
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