JPS6199936A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6199936A JPS6199936A JP21952384A JP21952384A JPS6199936A JP S6199936 A JPS6199936 A JP S6199936A JP 21952384 A JP21952384 A JP 21952384A JP 21952384 A JP21952384 A JP 21952384A JP S6199936 A JPS6199936 A JP S6199936A
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- Japan
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- magnetic field
- target
- recording medium
- magnetic recording
- field generator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する磁気記録媒体の製造方
法に関する。
法に関する。
従来例の構成とその問題点
近年磁気記録の高密度化の進歩は著しく、高分子基板上
に、強磁性金属薄膜を磁気記録層として配した磁気記録
媒体が注目されている。
に、強磁性金属薄膜を磁気記録層として配した磁気記録
媒体が注目されている。
特に磁気ディスクは、光ディスクに競合出来る記録密度
を達成するために、垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気
記録が有望視され、各方面にて活発に検討されている。
を達成するために、垂直磁気記録媒体を用いた垂直磁気
記録が有望視され、各方面にて活発に検討されている。
第１図は、垂直磁気記録媒体の拡大断面図である。第１
図に於て１は高分子基板２は軟磁性層３は垂直磁化層で
ある。
図に於て１は高分子基板２は軟磁性層３は垂直磁化層で
ある。
かかる構成の媒体の製法として提案されているものは、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオングレーティング
法、無電解メッキ法などであるが、それぞれ一長一短で
、現状では経済的な面から実用になる方法はない。
スパッタリング法、真空蒸着法、イオングレーティング
法、無電解メッキ法などであるが、それぞれ一長一短で
、現状では経済的な面から実用になる方法はない。
その中でも、スパッタリング法は、無人運転化できるこ
とと、媒体の性能が最もよいことから、実用に近い位置
にある。テープ状媒体を対象にしない限シ改良されるべ
き問題は、１バツチで生産可能な量を現状の数倍にする
方法を見出すことにより解消されるであろう。
とと、媒体の性能が最もよいことから、実用に近い位置
にある。テープ状媒体を対象にしない限シ改良されるべ
き問題は、１バツチで生産可能な量を現状の数倍にする
方法を見出すことにより解消されるであろう。
本発明者はかかる考えのもとに現在のスパッタリング法
に多くの検討を加えた結果、性能の長手方向の変化は電
圧、電流、ガス圧力等の制御では不十分であることが長
尺化の隘路となっていることよシ更に検討を加え本発明
に至ったものである。
に多くの検討を加えた結果、性能の長手方向の変化は電
圧、電流、ガス圧力等の制御では不十分であることが長
尺化の隘路となっていることよシ更に検討を加え本発明
に至ったものである。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、長尺の生産を
均一な性能で行える磁気記録媒体の製造方法を提供する
ものである。
均一な性能で行える磁気記録媒体の製造方法を提供する
ものである。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、移動速度Ｖ （ｍ
／ｍｉｎ ）で移動する高分子基板にスパッタ原子を堆
積させる際、カソードと磁界発生器が相対速度Ｕ （：
ｍ ／ ｍ工ｎ〕で往復運動し、かつＵ≧３Ｖの関係
を満足することを特徴とし、性能の均一な磁性層の形成
を長時間に渡って行うことができるものである。
／ｍｉｎ ）で移動する高分子基板にスパッタ原子を堆
積させる際、カソードと磁界発生器が相対速度Ｕ （：
ｍ ／ ｍ工ｎ〕で往復運動し、かつＵ≧３Ｖの関係
を満足することを特徴とし、性能の均一な磁性層の形成
を長時間に渡って行うことができるものである。
実施例の説明
以下図面を参照し、本発明の実施例を詳しく説明する。
第２図は本発明の製造方法の説明をするための模式図で
ある。
ある。
第２図で、４は高分子基板、５は送シ出し軸、６は巻取
シ軸、７はガイドローラ、８はターゲット、９は磁界発
生器である。
シ軸、７はガイドローラ、８はターゲット、９は磁界発
生器である。
高分子基板４はＶ （ｍ／ ｍｉｎ 〕で移動しながら
、軟磁性層、垂直磁化層を順次形成されるのであるが、
ターゲット８は目的により材質選定が行われる。９の磁
界発生器は、永久磁石、電磁石などか−らな９、いわゆ
る公知のマグネトロン放電を構成するためのものである
。この場合はターゲット８は固定で、磁界発生器９が往
復運動するように構成しである。この時の相対速度をＶ
Ｃｙｎ／ｍｉｎ〕とすると、後述するようにＵとＶの間
はＵ≧３Ｖの関係を満足するのが好ましい。
、軟磁性層、垂直磁化層を順次形成されるのであるが、
ターゲット８は目的により材質選定が行われる。９の磁
界発生器は、永久磁石、電磁石などか−らな９、いわゆ
る公知のマグネトロン放電を構成するためのものである
。この場合はターゲット８は固定で、磁界発生器９が往
復運動するように構成しである。この時の相対速度をＶ
Ｃｙｎ／ｍｉｎ〕とすると、後述するようにＵとＶの間
はＵ≧３Ｖの関係を満足するのが好ましい。
本発明の構成で用いられるターゲットは、軟磁性材料と
してパーマロイ、垂直磁化用材料としてＧｏ −Ｃｒ
、 Ｇｏ −Ｖ 、 Ｇｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｍｏ等
、面内磁化材料としてＣｏ −Ｏｒ 、 Ｃｏ −Ｎｉ
、 Ｇｏ −Ｔｉ 。
してパーマロイ、垂直磁化用材料としてＧｏ −Ｃｒ
、 Ｇｏ −Ｖ 、 Ｇｏ −Ｗ 、 Ｃｏ −Ｍｏ等
、面内磁化材料としてＣｏ −Ｏｒ 、 Ｃｏ −Ｎｉ
、 Ｇｏ −Ｔｉ 。
Ｇｏ −Ｍｎ 、 （ｉｏ −Ｂ等である。
本発明は、面内磁化に於ても垂直磁気記録に近い高密度
記録を達成できるような媒体を製造する時には適用でき
るものである。
記録を達成できるような媒体を製造する時には適用でき
るものである。
本発明の構成により生ずる作用効果について述べる。
先ず、ターゲットを薄くできる。このことは、固定式［
Ｕ＝ｏの場合〕では磁界集中によジターゲットの特定の
領域に放電集中が起シ、いわゆるエロージョン現象が起
るため、ターゲットが厚かったのであるが本発明では、
磁界集中はないからターゲットは均一に減るため薄くで
きるし、更に、磁性体の磁束の透過性が薄くした分だけ
よくなり、マグネトロンスパッタによる膜形成速度の高
速化も同時に達成できることにもつながるものである。
Ｕ＝ｏの場合〕では磁界集中によジターゲットの特定の
領域に放電集中が起シ、いわゆるエロージョン現象が起
るため、ターゲットが厚かったのであるが本発明では、
磁界集中はないからターゲットは均一に減るため薄くで
きるし、更に、磁性体の磁束の透過性が薄くした分だけ
よくなり、マグネトロンスパッタによる膜形成速度の高
速化も同時に達成できることにもつながるものである。
又ターゲットが均一に減ることから、漏洩磁界は一定で
あるので、厚み変化に応じて、磁界の大きさを制御すれ
ば、長時間に渡ってスパッタリングを厳密に均一かんり
できることにな、す、１バツチでの処理長は極めて長く
できる。
あるので、厚み変化に応じて、磁界の大きさを制御すれ
ば、長時間に渡ってスパッタリングを厳密に均一かんり
できることにな、す、１バツチでの処理長は極めて長く
できる。
又相対速度の関係の臨界的・意義は、ミクロ的な均一性
に起因すると思われる媒体の雑音特性からの制約により
生じてきたものであって、Ｕが２ｖから３Ｖの間は再現
性に乏しいため避けるのが好ましいためＵ≧３Ｖとした
もので、この条件を満足すれば、磁界発生器が移動する
ことで、基板との間で生じる逆に生ずる不均一性を無視
できるようになることと、放電プラズマが振動すること
による磁性膜の結晶性の改良効果も安定するものと考え
られるものである。
に起因すると思われる媒体の雑音特性からの制約により
生じてきたものであって、Ｕが２ｖから３Ｖの間は再現
性に乏しいため避けるのが好ましいためＵ≧３Ｖとした
もので、この条件を満足すれば、磁界発生器が移動する
ことで、基板との間で生じる逆に生ずる不均一性を無視
できるようになることと、放電プラズマが振動すること
による磁性膜の結晶性の改良効果も安定するものと考え
られるものである。
以下さらに具体的に本発明の一実施例について説明する
。
。
（実施例）
直径６ｏｃＴＬの円筒状回転キャンと、６ｃｍ離してタ
ーゲットを水冷固定し、水冷銅板に対して。、５ＭＭ離
して、電磁石で構成した磁界発生器を配置し、往復運動
可能にした。
ーゲットを水冷固定し、水冷銅板に対して。、５ＭＭ離
して、電磁石で構成した磁界発生器を配置し、往復運動
可能にした。
タムゲットには高周波電圧を印加できるようにした。
先ずターゲットとして８０％Ｎｉ−２０％Ｆｅ 。
２．６１１１Ｍによシ軟磁性層を厚み１１μｍのポリエ
チレンテレフタレート上に０．４６μｍ形成し、次にタ
ーゲットを交換して垂直磁化層を０．２μｍ形成した。
チレンテレフタレート上に０．４６μｍ形成し、次にタ
ーゲットを交換して垂直磁化層を０．２μｍ形成した。
ターゲットの厚みは夫々２．４Ｍとした。
比軟例として、ターゲット４２．５間の場合とターゲッ
トを１０１１Ｍとした場合で、Ｕ、＝Ｏの場合を用いた
。
トを１０１１Ｍとした場合で、Ｕ、＝Ｏの場合を用いた
。
幅３０αの中央と、幅中心から両側に１ｏｃＩｒＬ離れ
た位置の３点について長手方向について、Ｇｏ−Ｂｌ磁
極Ｃ厚み０．２４μｍ）をもつ垂直へ°ラドで、記録再
生し、トラック幅４０μｍ、ピット長。、２５μｍの信
号出力対雑音比（Ｓ／Ｎ）を調べた。
た位置の３点について長手方向について、Ｇｏ−Ｂｌ磁
極Ｃ厚み０．２４μｍ）をもつ垂直へ°ラドで、記録再
生し、トラック幅４０μｍ、ピット長。、２５μｍの信
号出力対雑音比（Ｓ／Ｎ）を調べた。
条件と測定結果を表にまとめて示した。
以 下 余 白
上表より明らかなように本発明によれば、均一で大面積
の磁気記録媒体を得ることが出来ることがわかる。
の磁気記録媒体を得ることが出来ることがわかる。
又材料利用効率の面からみると、従来例が厚み１０簾で
６０．５ｆｆｌに対して２．４鵬で最小でも２１００ｍ
でるるから、この点からも全体の経済性の改良もなされ
ているものである。
６０．５ｆｆｌに対して２．４鵬で最小でも２１００ｍ
でるるから、この点からも全体の経済性の改良もなされ
ているものである。
発明の効果
以上のように本発明は、ターゲットと磁界発生器の相対
運動により、均一で長尺の磁気記録媒体を得るもので、
その実用性は極めて大きい。
運動により、均一で長尺の磁気記録媒体を得るもので、
その実用性は極めて大きい。
第１図は磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は本発明の
製法を実施するのに用いる装置の主要部模式図である。 ４・・・・・・基板、８・・・・・・ターゲット、９・
・・・・・磁界発生器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ［■恩コ
製法を実施するのに用いる装置の主要部模式図である。 ４・・・・・・基板、８・・・・・・ターゲット、９・
・・・・・磁界発生器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ［■恩コ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 移動速度Ｖ〔ｍ／ｍｉｎ〕で移動する高分子基板に、ス
パッタ原子を堆積させる際、カソードと移動する磁界と
が相対速度Ｕ〔ｍ／ｍｉｎ〕で往復移動し、かつＵ≧３
Ｖの関係を満足することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21952384A JPS6199936A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21952384A JPS6199936A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6199936A true JPS6199936A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16736809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21952384A Pending JPS6199936A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6199936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014532813A (ja) * | 2011-11-04 | 2014-12-08 | インテヴァック インコーポレイテッド | 線走査スパッタリングシステムおよび線走査スパッタリング方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21952384A patent/JPS6199936A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014532813A (ja) * | 2011-11-04 | 2014-12-08 | インテヴァック インコーポレイテッド | 線走査スパッタリングシステムおよび線走査スパッタリング方法 |
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