JPH0352136B2 - - Google Patents
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- JPH0352136B2 JPH0352136B2 JP58088389A JP8838983A JPH0352136B2 JP H0352136 B2 JPH0352136 B2 JP H0352136B2 JP 58088389 A JP58088389 A JP 58088389A JP 8838983 A JP8838983 A JP 8838983A JP H0352136 B2 JPH0352136 B2 JP H0352136B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、垂直磁化特性の向上を目的としたス
パツタリング法による垂直磁気記録体の製造法に
関する。
パツタリング法による垂直磁気記録体の製造法に
関する。
最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されている。これらの方式に用いら
れる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え、しか
もKu≧2πMs2或はHc ⊥＞Hc 、Br ⊥≧Br の
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
として、垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注
目され、研究されている。これらの方式に用いら
れる媒体は、垂直方向に磁気異方性を備え、しか
もKu≧2πMs2或はHc ⊥＞Hc 、Br ⊥≧Br の
条件を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必
要がある。
発明者は、既に、かゝる要求を満足した垂直磁
化膜をもつ垂直磁気記録体を提案した。（特願昭
58−36653号、特願昭58−36652号など）。
化膜をもつ垂直磁気記録体を提案した。（特願昭
58−36653号、特願昭58−36652号など）。
即ち、Co、Co−Ni、Fe−Co−Ni等の金属又
は合金の磁性金属を真空蒸着法により基材面に実
質上垂直に入射蒸着せしめると同時にO2を導入
してその蒸気の１部を酸化させて、その結果、基
材面上に、垂直に成長した強磁性柱状粒子と非強
磁性酸化物の２相構造の各種の磁性金属Me−Ｏ
組成の垂直磁化膜を形成した垂直磁気記録体を提
供したもので、この場合の膜組成は、Co−15〜
50at％０、（Co1-xNix）1-yOy（茲で０≦ｘ≦0.40、
0.15≦ｙ≦0.50）、（FexCoyNiz）1-nOn（茲で(1)０≦
ｘ≦0.05、０≦ｚ≦0.40、0.15≦ｍ≦0.50、但ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１又は(2)0.40≦ｘ≦1.0、０≦ｚ≦
0.25、0.25≦ｍ≦0.50但ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である。
は合金の磁性金属を真空蒸着法により基材面に実
質上垂直に入射蒸着せしめると同時にO2を導入
してその蒸気の１部を酸化させて、その結果、基
材面上に、垂直に成長した強磁性柱状粒子と非強
磁性酸化物の２相構造の各種の磁性金属Me−Ｏ
組成の垂直磁化膜を形成した垂直磁気記録体を提
供したもので、この場合の膜組成は、Co−15〜
50at％０、（Co1-xNix）1-yOy（茲で０≦ｘ≦0.40、
0.15≦ｙ≦0.50）、（FexCoyNiz）1-nOn（茲で(1)０≦
ｘ≦0.05、０≦ｚ≦0.40、0.15≦ｍ≦0.50、但ｘ
＋ｙ＋ｚ＝１又は(2)0.40≦ｘ≦1.0、０≦ｚ≦
0.25、0.25≦ｍ≦0.50但ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）である。
かゝる膜組成において、飽和磁化が減少し、且
つ形状磁気異方性や結晶磁気異方性による垂直磁
気異方性が増大したものが得られる。
つ形状磁気異方性や結晶磁気異方性による垂直磁
気異方性が増大したものが得られる。
本発明は、更に上記提案のものよりも更に優れ
た垂直磁化特性をもつ磁気記録体の製造法を提供
するもので、真空容器内にO2ガスを導入してCo、
Co−Ni、Fe−Co−Niその他任意の磁性金属の
単体又は合金（以下、磁性金属Meと総称する）
のターゲツトをスパツタリングし、スパツタされ
た磁性金属Meの一部を酸化して基材面に実質上
垂直に入射させ、磁性金属Meとその酸化物の２
相から成る垂直磁化膜を該基材面上に形成するこ
とを特徴とする。
た垂直磁化特性をもつ磁気記録体の製造法を提供
するもので、真空容器内にO2ガスを導入してCo、
Co−Ni、Fe−Co−Niその他任意の磁性金属の
単体又は合金（以下、磁性金属Meと総称する）
のターゲツトをスパツタリングし、スパツタされ
た磁性金属Meの一部を酸化して基材面に実質上
垂直に入射させ、磁性金属Meとその酸化物の２
相から成る垂直磁化膜を該基材面上に形成するこ
とを特徴とする。
また、第２発明は、上記の製造過程に於いて、
真空容器内に磁性金属Meのターゲツトと対向し
て設けた基材自体又は該基材の付近に設けた電極
に負の直流電圧又は交流電圧を印加するようにし
たもので、こうした電圧の印加により垂直磁気異
方性を更に増大させ得る。
真空容器内に磁性金属Meのターゲツトと対向し
て設けた基材自体又は該基材の付近に設けた電極
に負の直流電圧又は交流電圧を印加するようにし
たもので、こうした電圧の印加により垂直磁気異
方性を更に増大させ得る。
次に本発明の実施例を説明する。
第１図は、本法の前記第１、第２発明を実施す
る装置の１例を示し、１は、調整弁２を介し真空
ポンプ（図示しない）に接続する密閉容器を示
し、該容器１内に回転ドラム冷却キヤン３とその
上方左右に巻取りロール４と送り出しロール５と
を配設し、これらロール４，５に該キヤン３の周
面を介してPETフイルムから成るテープ基材ａ
をかけ渡し、巻取りロール４にベルトを介し接続
する駆動モータ（図示しない）を駆動して、一定
速度で基材ａを矢示方向に走行せしめるようにす
る。
る装置の１例を示し、１は、調整弁２を介し真空
ポンプ（図示しない）に接続する密閉容器を示
し、該容器１内に回転ドラム冷却キヤン３とその
上方左右に巻取りロール４と送り出しロール５と
を配設し、これらロール４，５に該キヤン３の周
面を介してPETフイルムから成るテープ基材ａ
をかけ渡し、巻取りロール４にベルトを介し接続
する駆動モータ（図示しない）を駆動して、一定
速度で基材ａを矢示方向に走行せしめるようにす
る。
該キヤン３の直下方に上面に、磁性金属Me層
６を設置したスパツタリングカソード７を設置
し、該キヤン３とカソード７との間に防着板８を
介在させ、該防着板８の中心透孔９を介して該カ
ソード７よりスパツタされた金属Me原子の実質
上垂直上昇するもののみが通過し該キヤン３下端
面を走行する基材ａ面に実質上垂直に入射付着す
るようにした。１０は酸素O2を導入する導入管
を示し、その導入管１０の先端は該透孔９に指向
せしめて設けられている。該管１０の途中には調
整弁（図示しない）が介入されるのが一般であ
る。１１は、該キヤン３下端面を走行する基材ａ
面近傍に設けたメツシユ状の加速用電極を示し、
該電極１１は、外部のDC又はACの電源１２に接
続し、これに負の直流電圧又は負及び正の交互の
交流電圧を印加できるようにする。１３は、Ar
ガス等のスパツタリングガスを導入する導入管を
示す。
６を設置したスパツタリングカソード７を設置
し、該キヤン３とカソード７との間に防着板８を
介在させ、該防着板８の中心透孔９を介して該カ
ソード７よりスパツタされた金属Me原子の実質
上垂直上昇するもののみが通過し該キヤン３下端
面を走行する基材ａ面に実質上垂直に入射付着す
るようにした。１０は酸素O2を導入する導入管
を示し、その導入管１０の先端は該透孔９に指向
せしめて設けられている。該管１０の途中には調
整弁（図示しない）が介入されるのが一般であ
る。１１は、該キヤン３下端面を走行する基材ａ
面近傍に設けたメツシユ状の加速用電極を示し、
該電極１１は、外部のDC又はACの電源１２に接
続し、これに負の直流電圧又は負及び正の交互の
交流電圧を印加できるようにする。１３は、Ar
ガス等のスパツタリングガスを導入する導入管を
示す。
本法の第１発明を実施するには、該容器１内を
１×10-5トール以下に排気真空とし、スパツタリ
ングガス導入管１３よりArガスを導入し、Arガ
ス圧５×10-3トールで金属Me層６のスパツタリ
ングを行なう。スパツタリングは、DCマグネト
ロンスパツタリング法で行なう。然るときは、そ
のスパツタされて飛び出した無数のMe原子のう
ち、比較的多量の原子が、通常その約10％がイオ
ン化原子となる。而もそのスパツタMe原子の叩
き出された際のエネルギーは、10〜100eV程度の
比較的高いエネルギーをもつているので、これら
が垂直磁気異方性の向上したMe原子−Ｏ組成の
本発明垂直磁化膜の生成に寄与する。
１×10-5トール以下に排気真空とし、スパツタリ
ングガス導入管１３よりArガスを導入し、Arガ
ス圧５×10-3トールで金属Me層６のスパツタリ
ングを行なう。スパツタリングは、DCマグネト
ロンスパツタリング法で行なう。然るときは、そ
のスパツタされて飛び出した無数のMe原子のう
ち、比較的多量の原子が、通常その約10％がイオ
ン化原子となる。而もそのスパツタMe原子の叩
き出された際のエネルギーは、10〜100eV程度の
比較的高いエネルギーをもつているので、これら
が垂直磁気異方性の向上したMe原子−Ｏ組成の
本発明垂直磁化膜の生成に寄与する。
１方該O2ガス導入管１０より酸素を一定の流
量で導入し、上記のスパツタされて上昇する１部
イオン化された金属Me原子に接触させてその１
部を酸化せしめ乍ら、その金属酸化物を含むスパ
ツタ金属Me組成物を、該透孔９を介して一定速
度で走行する基材ａ面に殆んど垂直に入射付着せ
しめ、磁性金属Me原子とその非磁性金属酸化物
との２相から成る一定組成の垂直磁化膜ｂを基材
ａ面に形成した。本発明垂直磁気記録体Ａとして
巻取りロール４上に巻き取り製造を終る。前記の
第２発明を実施するには、上記の第１発明の製造
法を実施する過程において、加速用電極１１に例
えばDC電源１２より負の電圧を印加し、その周
辺に負電界を生成せしめ、この状態で、前記実施
例と同様に実施する。然るときは、前記の１部イ
オン化した正に帯電のMe原子は、該電極１１に
より加速される。交流電源１２の場合は、電極１
１に交互に正及び負の電圧が印加し、イオン化
Me原子の加速と１部の負イオン化したＯ原子の
加速とが交互に与えられ、該メツシユ状電極１１
の近傍で、スパツタ金属Me原子と酸素原子との
反応及び拡散が良好に行なわれ、この状態で基材
ａ面に均一に拡散した金属Me原子と金属Me原子
の酸化した酸化物の２相から成る良好な金属Me
−Ｏ原子組成の垂直磁化膜が得られる。基材が電
気絶縁性のものでは、可及的に帯電を防止するた
め、交流による電圧印加が好ましい。尚、図示し
ないが、基材を導電性のものを使用する場合は、
これに直流電源又は交流電源を接続し、これを加
速用電極として利用することも出来る。
量で導入し、上記のスパツタされて上昇する１部
イオン化された金属Me原子に接触させてその１
部を酸化せしめ乍ら、その金属酸化物を含むスパ
ツタ金属Me組成物を、該透孔９を介して一定速
度で走行する基材ａ面に殆んど垂直に入射付着せ
しめ、磁性金属Me原子とその非磁性金属酸化物
との２相から成る一定組成の垂直磁化膜ｂを基材
ａ面に形成した。本発明垂直磁気記録体Ａとして
巻取りロール４上に巻き取り製造を終る。前記の
第２発明を実施するには、上記の第１発明の製造
法を実施する過程において、加速用電極１１に例
えばDC電源１２より負の電圧を印加し、その周
辺に負電界を生成せしめ、この状態で、前記実施
例と同様に実施する。然るときは、前記の１部イ
オン化した正に帯電のMe原子は、該電極１１に
より加速される。交流電源１２の場合は、電極１
１に交互に正及び負の電圧が印加し、イオン化
Me原子の加速と１部の負イオン化したＯ原子の
加速とが交互に与えられ、該メツシユ状電極１１
の近傍で、スパツタ金属Me原子と酸素原子との
反応及び拡散が良好に行なわれ、この状態で基材
ａ面に均一に拡散した金属Me原子と金属Me原子
の酸化した酸化物の２相から成る良好な金属Me
−Ｏ原子組成の垂直磁化膜が得られる。基材が電
気絶縁性のものでは、可及的に帯電を防止するた
め、交流による電圧印加が好ましい。尚、図示し
ないが、基材を導電性のものを使用する場合は、
これに直流電源又は交流電源を接続し、これを加
速用電極として利用することも出来る。
第２図及び第３図は、ターゲツトとしてCoを
使用した場合の酸素組成割合を変えて本法により
作成した各種のCo−Ｏ垂直磁化膜のHC ⊥／Hc
及びBr ⊥／Br の各垂直磁化特性曲線Ａ，
A′を示す。比較のため先に提案の蒸着法により
作成した同様のCo−Ｏ垂直磁化膜の同様の垂直
磁化特性曲線Ｂ，B′を示す。これから明らかな
ように、本法のスパツタリング法を利用したもの
が、垂直磁化特性が蒸着法に比し優れている。第
４図及び第５図は、ターゲツトとして10％Co−
10％Ni−残Fe合金〔（Fe0.8−Co0.1−Ni0.1）−Ｏ〕
を用いた場合の本法による（Fe−Co−Ni）Ｏ垂
直磁化膜Ａ，A′と先に提案の蒸着法による仝じ
組成の垂直磁化膜Ｂ，B′の同様の垂直磁気特性
を示し、同様に、本法がより優れていることが分
る。
使用した場合の酸素組成割合を変えて本法により
作成した各種のCo−Ｏ垂直磁化膜のHC ⊥／Hc
及びBr ⊥／Br の各垂直磁化特性曲線Ａ，
A′を示す。比較のため先に提案の蒸着法により
作成した同様のCo−Ｏ垂直磁化膜の同様の垂直
磁化特性曲線Ｂ，B′を示す。これから明らかな
ように、本法のスパツタリング法を利用したもの
が、垂直磁化特性が蒸着法に比し優れている。第
４図及び第５図は、ターゲツトとして10％Co−
10％Ni−残Fe合金〔（Fe0.8−Co0.1−Ni0.1）−Ｏ〕
を用いた場合の本法による（Fe−Co−Ni）Ｏ垂
直磁化膜Ａ，A′と先に提案の蒸着法による仝じ
組成の垂直磁化膜Ｂ，B′の同様の垂直磁気特性
を示し、同様に、本法がより優れていることが分
る。
第６図は、Co0.7−O0.3の本法による直流及び交
流電圧を夫々印加した場合に生成する垂直磁化膜
の磁気特性を示す。これから、加速用電圧をかけ
ることにより一層その特性がが向上すること、並
に交流電圧をかけた方が効果が大きいことが判
る。
流電圧を夫々印加した場合に生成する垂直磁化膜
の磁気特性を示す。これから、加速用電圧をかけ
ることにより一層その特性がが向上すること、並
に交流電圧をかけた方が効果が大きいことが判
る。
本法による垂直磁化膜の磁性金属Meと酸素と
の組成割合は、先に提案したCo−Ｏ、（Co−Ni）
Ｏ、（Fe−Co−Ni）Ｏの各垂直磁化膜のそれと
同じである。即ち、本願の明細書の冒頭に記載し
た組成のものを全て含むことは勿論である。その
膜厚は通常1000〜10000Åである。この所定の組
成のものを得るには、酸素導入量スパツタリング
法、テープ走行速度等を適宜変えることにより達
成される。
の組成割合は、先に提案したCo−Ｏ、（Co−Ni）
Ｏ、（Fe−Co−Ni）Ｏの各垂直磁化膜のそれと
同じである。即ち、本願の明細書の冒頭に記載し
た組成のものを全て含むことは勿論である。その
膜厚は通常1000〜10000Åである。この所定の組
成のものを得るには、酸素導入量スパツタリング
法、テープ走行速度等を適宜変えることにより達
成される。
尚、本法でスパツタリング処理すべき基材に
は、予め、軟質鋼材膜を形成されたものにも適用
できる。
は、予め、軟質鋼材膜を形成されたものにも適用
できる。
このように、本発明によるときは、Co、Co−
Ni（Co−Ni−Fe）Ｏ等の磁性金属Meをターゲツ
トとし、これをスパツタしそのスパツタ金属Me
を基材面に垂直に入射させ付着させるに当り酸素
を導入し、該酸素によりその１部を酸化させ乍ら
付着させるようにしたので、著しく高い垂直磁気
特性を有する磁性金属と酸化物の２相から成る
Me−Ｏ組成の垂直磁化膜を備えた磁気記録体を
製造することが出来る効果を有する。
Ni（Co−Ni−Fe）Ｏ等の磁性金属Meをターゲツ
トとし、これをスパツタしそのスパツタ金属Me
を基材面に垂直に入射させ付着させるに当り酸素
を導入し、該酸素によりその１部を酸化させ乍ら
付着させるようにしたので、著しく高い垂直磁気
特性を有する磁性金属と酸化物の２相から成る
Me−Ｏ組成の垂直磁化膜を備えた磁気記録体を
製造することが出来る効果を有する。
第１図は本法を実施する装置の１例の載断側面
線図、第２図乃至第６図は、本法による垂直磁化
膜の垂直磁気特性を示す。 １……密閉容器、ａ……基材、３……キヤン、
４，５……ロール、６……磁性金属Me層、７…
…スパツタリングカソード、８……防着板、９…
…透孔、１０……酸素導入管、１１……電極、１
２……電源、１３……スパツタリング用ガス導入
管。
線図、第２図乃至第６図は、本法による垂直磁化
膜の垂直磁気特性を示す。 １……密閉容器、ａ……基材、３……キヤン、
４，５……ロール、６……磁性金属Me層、７…
…スパツタリングカソード、８……防着板、９…
…透孔、１０……酸素導入管、１１……電極、１
２……電源、１３……スパツタリング用ガス導入
管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器内にO2ガスを導入してCo、Co−
Ni、Fe−Co−Niその他任意の磁性金属の単体又
は合金（以下、磁性金属Meと総称する）のター
ゲツトをスパツタリングし、スパツタされた磁性
金属Meの一部を酸化して基材面に実質上垂直に
入射させ、磁性金属Meとその酸化物の２相から
成る垂直磁化膜を該基材面上に形成することを特
徴とする垂直磁気記録体の製造法。 ２ 真空容器内に磁性金属Meをターゲツトと基
材とを対向して設け、該基材自体又は該基材の付
近に設けた電極に負の直流電圧又は交流電圧を印
加し、該真空容器内にO2ガスを導入して該ター
ゲツトをスパツタリングし、スパツタされた磁性
金属Meの一部を酸化して基材面に実質上垂直に
入射させ、磁性金属Meとその酸化物の２相から
成る垂直磁化膜を該基材面上に形成することを特
徴とする垂直磁気記録体の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8838983A JPS59215025A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 垂直磁気記録体の製造法 |
| DE8484301530T DE3465647D1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| EP84301530A EP0122030B1 (en) | 1983-03-08 | 1984-03-08 | A magnetic recording member and a manufacturing method for such a member |
| US07/412,535 US5024854A (en) | 1983-03-08 | 1989-09-22 | Method of manufacturing perpendicular type magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8838983A JPS59215025A (ja) | 1983-05-21 | 1983-05-21 | 垂直磁気記録体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215025A JPS59215025A (ja) | 1984-12-04 |
| JPH0352136B2 true JPH0352136B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=13941434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8838983A Granted JPS59215025A (ja) | 1983-03-08 | 1983-05-21 | 垂直磁気記録体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215025A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253636A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Teijin Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61253637A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Teijin Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61204836A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-09-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| CA1315612C (en) * | 1986-03-18 | 1993-04-06 | Shogo Nasu | Perpendicular magnetic storage medium |
| JP2811458B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-10-15 | ティーディーケイ株式会社 | マグネタイト膜の製造方法および製造装置 |
| JP4485164B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-06-16 | 兼治 隅山 | 軟磁性材料の製造方法及び製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421974A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-19 | Fujitsu Ltd | Spattering device |
| JPS5724031A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of vertical magnetic recording medium |
| JPS59148317A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性層の形成方法 |
-
1983
- 1983-05-21 JP JP8838983A patent/JPS59215025A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421974A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-19 | Fujitsu Ltd | Spattering device |
| JPS5724031A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of vertical magnetic recording medium |
| JPS59148317A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性層の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59215025A (ja) | 1984-12-04 |
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