JPS60217518A

JPS60217518A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPS60217518A
Application number: JP7255984A
Authority: JP
Inventors: Kazunori Ozawa; 和典小沢
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1984-04-11
Filing date: 1984-04-11
Publication date: 1985-10-31

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、磁気記録媒体に関する。

背景技術とその問題点従来一般に普及されている磁気記録媒体は、針状の磁性
粉と高分子結合剤とを主体とする磁性塗料を非磁性支持
体上に塗布して磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体
である。

これに比し、Ｃｏ、　Ｆｅ、　Ｎｉの磁性金属或はこれ
らの合金を真空蒸着、スパッタリング等によって非磁性
支持体上に形成する磁性薄膜型の磁気記録媒体は、その
磁性層中に非磁性の結合剤が混入されていないために西
い残留磁束密度が得られ、また磁性層を極めて薄く形成
することができるために高出力且つ短波長応答性にすぐ
れているという利点がある。

また、このような磁性薄膜型の磁気記録媒体として、例
えばほぼ垂直方向の蒸着、スパッタリングによっても高
い抗磁力をポし且つ高い角形比を有する磁気的に等方性
の磁気記録媒体が提案されている。この磁気記録媒体は
非磁性支持体上に下地とし゛ζ非磁性の低融点金属を被
着したのち、この上に磁性金属を被着形成するものであ
る。しかし、この磁気記録媒体では、磁気特性に優れ°
Ｃいるも、耐久性の面でその向上が強く望まれている。

発明の目的本発明は、上述の点に鑑み、耐久性にすぐれた磁性薄膜
型の磁気記録媒体を提供するものである。

発明の概要本発明は、非磁性支持体上に非磁性の低融点金属と磁性
金属を蒸着、スパッタリング等の所謂気相メッキによっ
て形成し、この磁性金属層に微細クランクを生ぜしめる
と共にこのクランク中に低融点金属を浸出せしめて成る
磁気記録媒体である。

この発明の磁気記録媒体では、磁性金属層がクラックに
よつ°ζ微細に分割されることによって高抗磁力が得ら
れ、同時に、クラック中に低融点金属が浸出し即ち充填
されることによって耐久性が向上する。

実施例本発明においては、図に示すように非磁性支持体（１）
上に蒸着、スパックリング等の気相メッキによって、非
磁性の低融点金属（２）と磁性金属（３）とを連続して
被着形成し、その金属の膜形成中又は膜形成後に磁性金
属層（３）にクランク（４）を生せしめるとも共に、こ
のクラック（４）中に下地の低融点金属（２）を浸出さ
せて磁気記録媒体（６）を構成する。

非磁性支持体（１１としては、例えばポリエチレンテレ
フタレート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミ
ド等の重分子フィルムを用いることができる。非磁性の
低融点金属（２）としては６５０℃以下の金属で例えば
Ｂｉ、　Ｇａ、　Ｓｂ、　Ｉｎ、　Ｓｎ、　ＴＩ、　Ｂ
、＾ｌ又はこれを含む合金例えばＧａ−Ａ１．　Ｂ１−
Ｉｎ等を用いることができ、その厚さは５０〜５００人
に選定される。磁性金属（３）としてはＣｏ、　Ｆｅ、
　Ｎｉ又はこれらの合金（例えばＣｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｆｅ合金）等を用いることができ、その厚さは１００
〜１０００人に選定される。

この構成によれば磁性金属Ｍ（３１がクラック（４）に
よって微細に分割されるので高い抗磁力が得られる。同
時にそのクランク（４）中に下地の低融点金属（２）が
浸出されるので、耐久性が向上する。

耐久性をより向上させるには、磁性金属層（３）の微細
クランクを通して下地の低融点金属（２）を膜表面まで
浸出させ即ち拡散させ、同時に低融点金属の少くとも表
面を酸化させるようになずを可とする。この酸化方法と
しては、例えば低融点金属の蒸着は高真空（１０−’　
Ｔｏｒｒ以下）中で行い、磁性金属の蒸着時に酸素ガス
を導入しつつ、蒸着するようになす、この場合には、低
融点金属（２）の浸出した表面の酸化と同時に、磁性金
属もやや酸化されるので高抗磁力Ｈｃが得られる。また
、他の方法としては、低融点金属及び磁性金属の蒸着、
ユバフタリング後に、＃Ｉ素を２０％以上含むプラズマ
処理即ち酸素イオンボンバード処理を行う。この酸素イ
オンボンバード処理では低融点金属の膜表面への拡散が
し易くなり、同時に低融点金属の酸化物が形成される。

酸化物は硬いので、更に耐久性の向上が得られる。

一方、クランクを通して多量の低融点金属が膜表面に析
出した場合には摩擦係数が大きくなり使用不能となる。

この為、かかる場合には膜形成後に膜表面に析出した不
要な低融点金属を強酸で洗浄して溶解除去するを可とす
る。この処理で摩擦係数が小さくなり走行性が良くなる
。また低融点金属は一般に酸に熔は易く、膜表面では磁
性金属と低融点金属に分離される。

次に具体的実施例について述べる。

実施例１厚さ５０μ開の重分子フィルムよりなる非磁性支持体上
に支持体温度１４０℃に保持した状態で１Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒの真空槽中でＧａｖｏ−＾Ｊｉｏ合金（Ｇａが７０原
子％。

＾ｌが３０原子％）を２００人の厚さに蒸着し、引き続
き真空槽内に酸素（０２）ガスを導入しζ１０−’　Ｔ
ｏｒｒの圧力下でＣｏを４００人の厚さに蒸着した。こ
れらの蒸着はほぼ垂直蒸着である。蒸着後、直ちに０２
ガスを導入し、非磁性支持体に対向して配されたボンバ
ード電極に直流電圧１ｋＶを印加して蒸着膜の表面を酸
素イオンボンバード処理を行って磁気記録媒体を作成し
た。

この磁気記録媒体をオージェ分光法で分析したところ蒸
着膜の表面には下地のＧａ−＾ｌ及び酸素（０）が多く
検出された。また反射電子線回折法により表面を分析し
たところＧａ−＾１合金の酸化物が生成していた。

実施例２蒸着後に酸素イオンボンバード処理を行わず、その他は
実施例１と同しにして磁気記録媒体を作製した。

実施例３Ｃｏ蒸着時の酸素ガス導入を行わず、また蒸着後に酸素
イオンボンバード処理を行わず、その他は実施例Ｉと同
じにし′ζ磁気記録媒体を作製した。

実施例４Ｃｏ蒸着時の酸素ガス導入を行゛わず、蒸着後に酸素イ
オンボンバード処理を行い、その他は実施例１と同じに
して磁気記録媒体を作製した。

実施例５厚さ５０μ備の晶分子フィルムよりなる非磁性支持体上
に支持体温度１８０℃に保持した状態で１×１０−’　
Ｔｏｒｒの圧力“ドでＧａｔｏ　Ａｌ３０合金を５００
人の厚さに蒸着し、引き続きＧｏを４００人の岸−さに
蒸着した。この状態では蒸着膜の表面はくすんだ色をし
”ζおり、Ｇａ−Ａｌ合金が多量に析出し′ζいると見
られた。この表面の摩擦係数は１．０以上であった。

このままでは磁気記録媒体とし°ζは走行性が悪く使用
不能であるため、０．０１規定のＨＣＩ溶液に浸し、不
要（余分）なＧａ−＾１合金析出層を溶解除去し、磁気
記録媒体を作製した。この処理後の摩擦係数は０．３５
であった。

上記各側の磁気記録媒体から直径３．５インチのシート
を切り出し、フロッピーディスク装置に装着し走行させ
て記録、再生を行い、再生出力が初期出力より６ｄＢ減
少するまでの時間を測定して耐久性の評価を行った。そ
の結果を下記表に示す。

表発明の効果本発明においては、非磁性支持体上に蒸着、スパッタリ
ング等の所謂気相メッキによって非磁性の低融点金属と
磁性金属を連続して形成することによって、磁気特性に
すぐれた磁気記録媒体が得られるが、特に本発明では磁
性金属層に微細なりランクを生ぜしめ、そのクラック中
に下地の低融点金属を浸出させることにより、耐久性を
向上することができる。同時に磁性金属層がクランクに
よって微細に分割されるので商い抗磁力が得られるもの
である。

【図面の簡単な説明】

図は本発明による磁気記録媒体の例を示す断面図である
。＋１１は非磁性支持体、（２）は非磁性の低融点金属、
（３）は磁性金属、（４）はクラックである。！、Ｈ’：！、”ｉｊ＝へ−１。　４

Claims

【特許請求の範囲】

非磁性支持体上に非磁性の低融点金属と磁性金属とが連
続し°ζ被着形成され、該磁性金属層が微細クラックに
より分割され、該クラックに前記低融点金属が浸出され
て成る磁気記録媒体。