JPH044649B2 - - Google Patents
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Description
本発明は磁気記録媒体、特に非磁性支持体上に
金属磁性薄膜を被着形成した磁気記録媒体に関す
る。 従来、針状の磁性粉と高分子結合剤を主体とす
る磁性塗料を非磁性支持体上に塗布して磁性層を
形成した磁気記録媒体が一般に用いられている。 これに対して、Co、Fe、Ni等の磁性金属ある
いはこれらの合金を真空蒸着、スパツタリングあ
るいはイオンブレーテイング等のいわゆるフイジ
カル・ペーパー・デポジシヨン技術によつて非磁
性支持体上に形成する金属薄膜型の磁気記録媒体
が注目される。この金属薄膜型磁気記録媒体は、
非磁性の結合剤を必要としないため、著しく高い
残留磁束密度を得ることが出来ること、また磁性
層を極めて薄く形成することが出来るため高出
力、かつ短波長応答性にすぐれている。 しかしながら、Co等の磁性金属を単に基板上
に蒸着しただけでは大きな抗磁力を有する磁性層
を得ることは困難であつた。そこで、大きな抗磁
力を有する磁性層を形成する一法として、非磁性
支持体に対して斜めに蒸発した金属粒子を入射さ
せる斜め蒸着法が提案されているが、この方法で
は蒸着効率が悪く生産性に劣るものであつた。 本発明はこの様な事情に鑑みてなされたもので
あつて、斜め蒸着法によらなくても高い抗磁力を
有しかつ高い角型比を有する磁気記録媒体を提供
するものである。 すなわち本発明は、非磁性支持体上に厚さ100
Å未満の厚さのビスマス層を有し、このビスマス
層上の金属磁性薄膜を設ける。 本発明で用いられる非磁性支持体としては、ポ
リエテレンテレフタレート、ポリアミド、ポリア
ミドイミド、ポリイミド等の高分子フイルム、ガ
ラスセラミツクあるいは表面を酸化した金属板等
を用いることができる。この非磁性支持体上にビ
スマスBiの下地層が形成されるが、その平均膜
厚は100Å未満（10μｇ／cm2未満）好ましくは10
〜100Å未満（１〜10μｇ／cm2未満）に選定され
る。但しかつこ内に平均膜厚を１cm2当りのBi量
で換算した時の値である。すなわちBi下地層の
膜厚が10Åより薄い場合はBi層上に金属磁性層
を設けた時、その磁性層の抗磁力を大きくする効
果が認められないからであり、100Å以上では磁
性層の角型比が小さくなるからである。すなわち
このBi下地層が100Åより薄い場合、金属磁性層
の角型比は約80％を越えて極めて優れた値とな
る。このBi下地層上に形成される金属磁性層と
してはCo、又はCo−Ni合金を主体としたものが
用いられる。この金属磁性層の厚みは100〜1000
Å好ましくは200〜500Åとする。この金属磁性層
の厚みが100Å以下では磁性量が充分にとれずま
た1000Åをこえると抗磁力Hcおよび角型比Rsが
低下してくるからである。この金属磁性層は前述
のごとくCo単体、或いはCo−Ni合金より構成し
得るがNiを20〜50原子％好ましくは30〜50原子
％含有する場合は、特に抗磁力を大きくすること
が出来る。ここでNiが50原子％を越える場合は
抗磁力は大きく出来るものの磁束密度が低下して
くる。 本発明の磁気記録媒体は、単にBi下地層と金
属磁性層の２層構成のみならず、このBi層と金
属磁性層の２層構造を基本として複数層積層する
ことも出来る。この場合、必要とされる磁束が得
られるに必要な数だけ積層すればよい。尚、この
ように、Bi下地層と、第１及び第２の金属磁性
層の２層構造とを積層する場合第１の金属磁性層
とその上に形成されるBi下地層（第２の金属磁
性層に対する下地層）との間にシリコン又はシリ
コン化合物よりなる非晶質連続膜を介するか、第
１の金属磁性層の化合物を介することによりその
上に形成するBi層の成膜性を改善することが出
来る。第１の金属磁性層の化合物を介在させる場
合は、第１の金属磁性層表面を酸化、窒化又は炭
化することによつて磁性金属の酸化物、窒化物、
炭化物を形成するのが望ましい。そしてこの化合
物層の厚みは10〜100Åに選定されるのが望まし
い。特に磁性金属層の酸化物を形成する場合には
金属磁性層の形成後、磁性層を形成した真空雰囲
気中に少量の酸素ガスを導入して、直流、交流若
しくは高周波プラズマ中で磁性金属層表面を酸化
することによつて形成し得、この酸化物層の厚さ
は供給酸素ガスの分圧、印加電圧、電極形状、電
極間距離、あるいは電圧印加時間等を選定するこ
とによつて制御できる。 第１図は本発明の磁気記録媒体を作成する装置
を模式的に示すが、真空槽１内に供給用リール３
および巻取り用リール４が配され、非磁性支持体
２は図中矢印ａで示される方向に走行する。この
真空槽１中の非磁性支持体２の下方にBiの蒸発
源５および磁性金属たとえば、Co又はCo−Ni合
金の蒸発源６が配される。図中７は非磁性支持体
の温度を制御するための加熱ランプ８は遮蔽板、
９，１０はそれぞれ真空吸引手段である。この様
な構成において、図示はしないが、電子ビーム加
熱、抵抗加熱法等による、Biおよび磁性金属を
それぞれ蒸発させ、移動する非磁性支持体上に
Bi下地層および磁性金属層を順次被着形成する。
尚第１図の例では、Biおよび磁性金属を移動す
る長尺ものの非磁性支持体上に形成しているがこ
れは回転している盤状支持体の上に順次形成して
もかまわない。また本発明においては、斜め蒸着
法を用いなくても高い抗磁力を有する磁性層を形
成することが出来るが斜め蒸着法を用いても本発
明の効果が損なわれることはなく、この場合は非
磁性支持体を円筒状の回転キヤンの外周に沿つて
走行させながら、磁性金属層を形成することもで
きるし、蒸発原子流に対して斜めに非磁性支持体
を走行させながら磁性金属層を形成することもで
きる。 尚Bi下地層の蒸着は高真空雰囲気、たとえば
10-5〜10-7Torrで行うのが好ましい。続いて行
う磁性金属は同様な高真空で行つてもよいが少量
の酸素を含む雰囲気で行つてもよい。この場合蒸
着された磁性金属層中にCo−Ｏ−Co間の反強磁
性が生じ、より高い抗磁力を得ることが出来る。
ただし高真空から徐々に酸素量を増加させれば膜
強度を低下させることなく高いHcが得られる。
酸素圧は５×10-3Torr程度まで導入してもかま
わない。 以下、本発明を実施例に基いて説明する。 実施例 １ 第１図で説明した真空蒸着装置を用いて、ポリ
イミドフイルムより成る非磁性支持体を1.5ｍ／
分の速度で移動させながらBi60ÅとCo300Åを順
次蒸着して磁気記録媒体を得た。この時真空度
は、約10-5Torrであり、非磁性支持体は150℃に
保持された。この磁気記録媒体の特性は、抗磁力
Hcが620Oe、角型比Rsは0.83であつた。 比較例 実施例１と同様な方法により、200ÅのBi下地
層と300ÅのCo磁性層を形成して磁気記録媒体を
作成した。この磁気記録媒体の抗磁力Hcは
1020Oe、角型比Rsは0.73であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様な方法でBi下地層と、20原子
％のNiを含むNi−Co合金磁性層を形成して磁気
記録媒体を得た。この実施例２において、Bi下
地層の厚さを種々変化させた場合の抗磁力Hcと
角型比を第２図に示す。 実施例 ３ 実施例１と同様な方法によりBi下地層と20原
子％のNiを含むNi−Co合金磁性層を形成して磁
気記録媒体を得た。Ni−Co合金磁性層の厚みを
種々変化させた場合の角型比を第３図に示す。図
中□印はBi下地層の厚さが60Åの場合、〇印は
Bi下地層が140Åの場合をそれぞれ示す。 実施例 ４ 酸素分圧0.06〜0.07Torrの雰囲気中で１対の電
極間にポリイミドフイルムを走行させポリイミド
フイルム表面にO2イオンボンバード処理を約1.5
分間施した。この時電極間に1KVの電圧を印加
し、電極間に流れた電流は80ｍＡであつた。しか
る後実施例１と同様な方法によりBi下地層80Å
とNi−Co合金磁性層を300Åの厚さに形成した。
しかる後、再度0.06〜0.07Torrの雰囲気中で前述
と同じ条件下でO2イオンボンバード処理を磁性
層に施し、磁性層表面に酸化物層を形成した。こ
うして表面に酸化物層を形成した磁性層上に再度
Biを80Åの厚さに形成し、更にNi−Co合金磁性
層を300Åの厚さに形成し前述の条件下で磁性層
表面にO2イオンボンバード処理を施して磁気記
録媒体を得た。Ni−Co合金層中のNi含有量を
種々変化させた時の抗磁力Hcおよび角型比Rsを
第４図に示す。尚第４図で破線は飽和磁束密度を
示し、飽和磁束密度にNi含有量の増加に応じて
減少している。 実施例 ５ 実施例４と同様な方法で、ポリイミドフイルム
よりなる非磁性支持体上にO2イオンボンバード
処理を施した後60Åの厚さBi下地層と300Åの厚
さに20原子％のNiを含むNi−Co合金層を形成し
た。しかる後O2イオンボンバード処理を施し、
再度60Åの厚さのBi下地層と300Åの厚さの上述
と同様のNi−Co合金層を形成し再度その表面に
O2イオンボンバード処理を施した。こうして得
た磁気記録媒体の長手方向を0゜として、媒体主面
上で0゜30゜60゜および90゜の方向に沿つて磁気特性を
測定して表−１に示す。
金属磁性薄膜を被着形成した磁気記録媒体に関す
る。 従来、針状の磁性粉と高分子結合剤を主体とす
る磁性塗料を非磁性支持体上に塗布して磁性層を
形成した磁気記録媒体が一般に用いられている。 これに対して、Co、Fe、Ni等の磁性金属ある
いはこれらの合金を真空蒸着、スパツタリングあ
るいはイオンブレーテイング等のいわゆるフイジ
カル・ペーパー・デポジシヨン技術によつて非磁
性支持体上に形成する金属薄膜型の磁気記録媒体
が注目される。この金属薄膜型磁気記録媒体は、
非磁性の結合剤を必要としないため、著しく高い
残留磁束密度を得ることが出来ること、また磁性
層を極めて薄く形成することが出来るため高出
力、かつ短波長応答性にすぐれている。 しかしながら、Co等の磁性金属を単に基板上
に蒸着しただけでは大きな抗磁力を有する磁性層
を得ることは困難であつた。そこで、大きな抗磁
力を有する磁性層を形成する一法として、非磁性
支持体に対して斜めに蒸発した金属粒子を入射さ
せる斜め蒸着法が提案されているが、この方法で
は蒸着効率が悪く生産性に劣るものであつた。 本発明はこの様な事情に鑑みてなされたもので
あつて、斜め蒸着法によらなくても高い抗磁力を
有しかつ高い角型比を有する磁気記録媒体を提供
するものである。 すなわち本発明は、非磁性支持体上に厚さ100
Å未満の厚さのビスマス層を有し、このビスマス
層上の金属磁性薄膜を設ける。 本発明で用いられる非磁性支持体としては、ポ
リエテレンテレフタレート、ポリアミド、ポリア
ミドイミド、ポリイミド等の高分子フイルム、ガ
ラスセラミツクあるいは表面を酸化した金属板等
を用いることができる。この非磁性支持体上にビ
スマスBiの下地層が形成されるが、その平均膜
厚は100Å未満（10μｇ／cm2未満）好ましくは10
〜100Å未満（１〜10μｇ／cm2未満）に選定され
る。但しかつこ内に平均膜厚を１cm2当りのBi量
で換算した時の値である。すなわちBi下地層の
膜厚が10Åより薄い場合はBi層上に金属磁性層
を設けた時、その磁性層の抗磁力を大きくする効
果が認められないからであり、100Å以上では磁
性層の角型比が小さくなるからである。すなわち
このBi下地層が100Åより薄い場合、金属磁性層
の角型比は約80％を越えて極めて優れた値とな
る。このBi下地層上に形成される金属磁性層と
してはCo、又はCo−Ni合金を主体としたものが
用いられる。この金属磁性層の厚みは100〜1000
Å好ましくは200〜500Åとする。この金属磁性層
の厚みが100Å以下では磁性量が充分にとれずま
た1000Åをこえると抗磁力Hcおよび角型比Rsが
低下してくるからである。この金属磁性層は前述
のごとくCo単体、或いはCo−Ni合金より構成し
得るがNiを20〜50原子％好ましくは30〜50原子
％含有する場合は、特に抗磁力を大きくすること
が出来る。ここでNiが50原子％を越える場合は
抗磁力は大きく出来るものの磁束密度が低下して
くる。 本発明の磁気記録媒体は、単にBi下地層と金
属磁性層の２層構成のみならず、このBi層と金
属磁性層の２層構造を基本として複数層積層する
ことも出来る。この場合、必要とされる磁束が得
られるに必要な数だけ積層すればよい。尚、この
ように、Bi下地層と、第１及び第２の金属磁性
層の２層構造とを積層する場合第１の金属磁性層
とその上に形成されるBi下地層（第２の金属磁
性層に対する下地層）との間にシリコン又はシリ
コン化合物よりなる非晶質連続膜を介するか、第
１の金属磁性層の化合物を介することによりその
上に形成するBi層の成膜性を改善することが出
来る。第１の金属磁性層の化合物を介在させる場
合は、第１の金属磁性層表面を酸化、窒化又は炭
化することによつて磁性金属の酸化物、窒化物、
炭化物を形成するのが望ましい。そしてこの化合
物層の厚みは10〜100Åに選定されるのが望まし
い。特に磁性金属層の酸化物を形成する場合には
金属磁性層の形成後、磁性層を形成した真空雰囲
気中に少量の酸素ガスを導入して、直流、交流若
しくは高周波プラズマ中で磁性金属層表面を酸化
することによつて形成し得、この酸化物層の厚さ
は供給酸素ガスの分圧、印加電圧、電極形状、電
極間距離、あるいは電圧印加時間等を選定するこ
とによつて制御できる。 第１図は本発明の磁気記録媒体を作成する装置
を模式的に示すが、真空槽１内に供給用リール３
および巻取り用リール４が配され、非磁性支持体
２は図中矢印ａで示される方向に走行する。この
真空槽１中の非磁性支持体２の下方にBiの蒸発
源５および磁性金属たとえば、Co又はCo−Ni合
金の蒸発源６が配される。図中７は非磁性支持体
の温度を制御するための加熱ランプ８は遮蔽板、
９，１０はそれぞれ真空吸引手段である。この様
な構成において、図示はしないが、電子ビーム加
熱、抵抗加熱法等による、Biおよび磁性金属を
それぞれ蒸発させ、移動する非磁性支持体上に
Bi下地層および磁性金属層を順次被着形成する。
尚第１図の例では、Biおよび磁性金属を移動す
る長尺ものの非磁性支持体上に形成しているがこ
れは回転している盤状支持体の上に順次形成して
もかまわない。また本発明においては、斜め蒸着
法を用いなくても高い抗磁力を有する磁性層を形
成することが出来るが斜め蒸着法を用いても本発
明の効果が損なわれることはなく、この場合は非
磁性支持体を円筒状の回転キヤンの外周に沿つて
走行させながら、磁性金属層を形成することもで
きるし、蒸発原子流に対して斜めに非磁性支持体
を走行させながら磁性金属層を形成することもで
きる。 尚Bi下地層の蒸着は高真空雰囲気、たとえば
10-5〜10-7Torrで行うのが好ましい。続いて行
う磁性金属は同様な高真空で行つてもよいが少量
の酸素を含む雰囲気で行つてもよい。この場合蒸
着された磁性金属層中にCo−Ｏ−Co間の反強磁
性が生じ、より高い抗磁力を得ることが出来る。
ただし高真空から徐々に酸素量を増加させれば膜
強度を低下させることなく高いHcが得られる。
酸素圧は５×10-3Torr程度まで導入してもかま
わない。 以下、本発明を実施例に基いて説明する。 実施例 １ 第１図で説明した真空蒸着装置を用いて、ポリ
イミドフイルムより成る非磁性支持体を1.5ｍ／
分の速度で移動させながらBi60ÅとCo300Åを順
次蒸着して磁気記録媒体を得た。この時真空度
は、約10-5Torrであり、非磁性支持体は150℃に
保持された。この磁気記録媒体の特性は、抗磁力
Hcが620Oe、角型比Rsは0.83であつた。 比較例 実施例１と同様な方法により、200ÅのBi下地
層と300ÅのCo磁性層を形成して磁気記録媒体を
作成した。この磁気記録媒体の抗磁力Hcは
1020Oe、角型比Rsは0.73であつた。 実施例 ２ 実施例１と同様な方法でBi下地層と、20原子
％のNiを含むNi−Co合金磁性層を形成して磁気
記録媒体を得た。この実施例２において、Bi下
地層の厚さを種々変化させた場合の抗磁力Hcと
角型比を第２図に示す。 実施例 ３ 実施例１と同様な方法によりBi下地層と20原
子％のNiを含むNi−Co合金磁性層を形成して磁
気記録媒体を得た。Ni−Co合金磁性層の厚みを
種々変化させた場合の角型比を第３図に示す。図
中□印はBi下地層の厚さが60Åの場合、〇印は
Bi下地層が140Åの場合をそれぞれ示す。 実施例 ４ 酸素分圧0.06〜0.07Torrの雰囲気中で１対の電
極間にポリイミドフイルムを走行させポリイミド
フイルム表面にO2イオンボンバード処理を約1.5
分間施した。この時電極間に1KVの電圧を印加
し、電極間に流れた電流は80ｍＡであつた。しか
る後実施例１と同様な方法によりBi下地層80Å
とNi−Co合金磁性層を300Åの厚さに形成した。
しかる後、再度0.06〜0.07Torrの雰囲気中で前述
と同じ条件下でO2イオンボンバード処理を磁性
層に施し、磁性層表面に酸化物層を形成した。こ
うして表面に酸化物層を形成した磁性層上に再度
Biを80Åの厚さに形成し、更にNi−Co合金磁性
層を300Åの厚さに形成し前述の条件下で磁性層
表面にO2イオンボンバード処理を施して磁気記
録媒体を得た。Ni−Co合金層中のNi含有量を
種々変化させた時の抗磁力Hcおよび角型比Rsを
第４図に示す。尚第４図で破線は飽和磁束密度を
示し、飽和磁束密度にNi含有量の増加に応じて
減少している。 実施例 ５ 実施例４と同様な方法で、ポリイミドフイルム
よりなる非磁性支持体上にO2イオンボンバード
処理を施した後60Åの厚さBi下地層と300Åの厚
さに20原子％のNiを含むNi−Co合金層を形成し
た。しかる後O2イオンボンバード処理を施し、
再度60Åの厚さのBi下地層と300Åの厚さの上述
と同様のNi−Co合金層を形成し再度その表面に
O2イオンボンバード処理を施した。こうして得
た磁気記録媒体の長手方向を0゜として、媒体主面
上で0゜30゜60゜および90゜の方向に沿つて磁気特性を
測定して表−１に示す。
【表】
以上実施例から明らかな様に、本発明による磁
気記録媒体は、非磁性支持体上に100Å未満のBi
下地層を形成し、その上に磁性金属層を形成して
いるので大きな抗磁力を有するとともに角型比も
0.80以上の優れた特性を有しており、記録感度、
再生出力ともに優れている。 また下地層として低沸点（1560℃）のBi層を
形成するのでBi層形成時には、非磁性支持体へ
の蒸発源からの熱輻射は比較的少なく、次いで施
す磁性金属、たとえばCo（沸点3100℃）は蒸発時
に大きな熱輻射を生ずるがBi下地層の存在によ
り、非磁性支持体への直接の熱輻射は減じられ
る。従つて高分子フイルム等を非磁性支持体に用
いる場合でも、フイルムの熱変形を大幅に回避で
きる。 更に金属磁性層として20〜50原子％、好ましく
は30〜50原子％のNiを含むNi−Co合金層を形成
した場合は角型比が大きく、更に高い抗磁力を有
する磁気記録媒体を得ることが出来る。 そして、実施例５に示される様に本発明による
磁気記録媒体では、その磁気特性は面内の方向依
存性がないため、長尺のテープ状の磁気記録媒体
のみならず、円盤状の磁気記録媒体に用いても好
適である。
気記録媒体は、非磁性支持体上に100Å未満のBi
下地層を形成し、その上に磁性金属層を形成して
いるので大きな抗磁力を有するとともに角型比も
0.80以上の優れた特性を有しており、記録感度、
再生出力ともに優れている。 また下地層として低沸点（1560℃）のBi層を
形成するのでBi層形成時には、非磁性支持体へ
の蒸発源からの熱輻射は比較的少なく、次いで施
す磁性金属、たとえばCo（沸点3100℃）は蒸発時
に大きな熱輻射を生ずるがBi下地層の存在によ
り、非磁性支持体への直接の熱輻射は減じられ
る。従つて高分子フイルム等を非磁性支持体に用
いる場合でも、フイルムの熱変形を大幅に回避で
きる。 更に金属磁性層として20〜50原子％、好ましく
は30〜50原子％のNiを含むNi−Co合金層を形成
した場合は角型比が大きく、更に高い抗磁力を有
する磁気記録媒体を得ることが出来る。 そして、実施例５に示される様に本発明による
磁気記録媒体では、その磁気特性は面内の方向依
存性がないため、長尺のテープ状の磁気記録媒体
のみならず、円盤状の磁気記録媒体に用いても好
適である。
第１図は本発明の磁気記録媒体を作成する真空
蒸着装置の１例を示す概略図、第２〜４図は本発
明の磁気記録媒体の磁気特性を示す特性図であ
る。 １は真空槽、２は非磁性支持体、３及び４はそ
の供給用及び巻取り用リール、５及び６は蒸発源
である。
蒸着装置の１例を示す概略図、第２〜４図は本発
明の磁気記録媒体の磁気特性を示す特性図であ
る。 １は真空槽、２は非磁性支持体、３及び４はそ
の供給用及び巻取り用リール、５及び６は蒸発源
である。
Claims (1)
- １ 非磁性支持体と、この支持体の一主面に形成
された厚さ100Å未満のビスマス層と、このビス
マス層上に形成された金属磁性薄膜とより成る磁
気記録媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178749A JPS5968815A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気記録媒体 |
| CA000438300A CA1209262A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-04 | Magnetic recording medium |
| US06/539,654 US4539264A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-06 | Magnetic recording medium |
| GB08326882A GB2129832A (en) | 1982-10-12 | 1983-10-07 | Magnetic recording media |
| DE19833336987 DE3336987A1 (de) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Magnetisches aufzeichnungsmedium |
| NL8303487A NL8303487A (nl) | 1982-10-12 | 1983-10-11 | Magnetisch registreermedium. |
| FR8316228A FR2534403B1 (fr) | 1982-10-12 | 1983-10-12 | Support d'enregistrement magnetique compose d'un film metallique mince depose sur un support non magnetique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178749A JPS5968815A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968815A JPS5968815A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH044649B2 true JPH044649B2 (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=16053913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178749A Granted JPS5968815A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 磁気記録媒体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS5968815A (ja) |
| CA (1) | CA1209262A (ja) |
| DE (1) | DE3336987A1 (ja) |
| FR (1) | FR2534403B1 (ja) |
| GB (1) | GB2129832A (ja) |
| NL (1) | NL8303487A (ja) |
Families Citing this family (9)
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| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS60160015A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS61158025A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
| US4816351A (en) * | 1985-02-26 | 1989-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium |
| JPS63237210A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| EP0421120B1 (en) * | 1989-10-05 | 1996-10-30 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic storage medium and method for the manufacture thereof |
| JPH06162493A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Ibaraki Ltd | 磁気ディスク用基板 |
| US5399386A (en) * | 1992-12-29 | 1995-03-21 | International Business Machines Corporation | In-situ texturing of a thin film magnetic medium |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| GB1458353A (ja) * | 1973-01-17 | 1976-12-15 | ||
| DE2923682C2 (de) * | 1978-06-13 | 1983-11-03 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokyo | Magnetischer Aufzeichnungsträger |
| JPS6052889B2 (ja) * | 1979-06-20 | 1985-11-21 | 三菱電機株式会社 | 放電加工用電源装置 |
| US4254189A (en) * | 1979-07-05 | 1981-03-03 | Memorex Corporation | Disc having substrate, intermediate layer and magnetically sensitive layer wherein intermediate layer has melting point less than annealing temperature of substrate but higher than processing temperature of magnetically sensitive layer |
| JPS5634139A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Ulvac Corp | Magnetic recording medium |
| JPS5634150A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| DE3046564A1 (de) * | 1979-12-10 | 1981-09-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | "verfahren und vorrichtung zur vakuum-bedampfung" |
| JPS56143519A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and manufacturing device |
| DE3212907C2 (de) * | 1981-04-06 | 1985-10-24 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokio/Tokyo | Magnetband sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| CA1188796A (en) * | 1981-04-14 | 1985-06-11 | Kenji Yazawa | Magnetic recording medium |
| US4450186A (en) * | 1981-08-20 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for manufacturing magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57178749A patent/JPS5968815A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-04 CA CA000438300A patent/CA1209262A/en not_active Expired
- 1983-10-06 US US06/539,654 patent/US4539264A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-10-07 GB GB08326882A patent/GB2129832A/en not_active Withdrawn
- 1983-10-11 NL NL8303487A patent/NL8303487A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-10-11 DE DE19833336987 patent/DE3336987A1/de not_active Withdrawn
- 1983-10-12 FR FR8316228A patent/FR2534403B1/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4539264A (en) | 1985-09-03 |
| FR2534403B1 (fr) | 1987-03-20 |
| GB8326882D0 (en) | 1983-11-09 |
| FR2534403A1 (fr) | 1984-04-13 |
| DE3336987A1 (de) | 1984-04-19 |
| JPS5968815A (ja) | 1984-04-18 |
| NL8303487A (nl) | 1984-05-01 |
| GB2129832A (en) | 1984-05-23 |
| CA1209262A (en) | 1986-08-05 |
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