JP2605803B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP2605803B2 JP2605803B2 JP13392488A JP13392488A JP2605803B2 JP 2605803 B2 JP2605803 B2 JP 2605803B2 JP 13392488 A JP13392488 A JP 13392488A JP 13392488 A JP13392488 A JP 13392488A JP 2605803 B2 JP2605803 B2 JP 2605803B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気テープ等の磁気記録媒体に関するもの
であり、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体に
関するものである。
であり、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒体に
関するものである。
本発明は、強磁性金属薄膜を磁性層とする磁気記録媒
体において、非磁性支持体上に所定の膜厚でCo系面内磁
化膜を形成し、続けてCo−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成す
ることにより、耐蝕性及び短波長における電磁変換特性
に優れた磁気記録媒体を提供しようとするものである。
体において、非磁性支持体上に所定の膜厚でCo系面内磁
化膜を形成し、続けてCo−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成す
ることにより、耐蝕性及び短波長における電磁変換特性
に優れた磁気記録媒体を提供しようとするものである。
従来より磁気記録媒体としては、酸化物強磁性粉末あ
るいは金属磁性粉末等の磁性粉末を塩化ビニル−酢酸ビ
ニル系共重合体，ポリエステル樹脂，ポリウレタン樹脂
等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を非磁性
支持体上に塗布・乾燥することにより作製される塗布型
の磁気記録媒体が広く使用されている。
るいは金属磁性粉末等の磁性粉末を塩化ビニル−酢酸ビ
ニル系共重合体，ポリエステル樹脂，ポリウレタン樹脂
等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を非磁性
支持体上に塗布・乾燥することにより作製される塗布型
の磁気記録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりとと
もに、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真空
薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法，イオン
プレーティング法等）によってポリエステルフィルムや
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有してい
る。
もに、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真空
薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法，イオン
プレーティング法等）によってポリエステルフィルムや
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有してい
る。
ところで、一般に強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体で
は、磁性層である強磁性金属薄膜を斜方連続蒸着により
形成しており、その最小入射角は45゜〜60゜とした高入
射角で単層連続蒸着している。この場合、形成された強
磁性金属薄膜は入射ビーム方向に成長したカラム構造と
なるため、錆びに対して弱く耐蝕性において不十分であ
る。
は、磁性層である強磁性金属薄膜を斜方連続蒸着により
形成しており、その最小入射角は45゜〜60゜とした高入
射角で単層連続蒸着している。この場合、形成された強
磁性金属薄膜は入射ビーム方向に成長したカラム構造と
なるため、錆びに対して弱く耐蝕性において不十分であ
る。
そのため、従来より防錆剤等を磁性層上に塗布してこ
れらの問題の対策としている。
れらの問題の対策としている。
しかしながら、この方法は上述の問題解決の方法とし
て完全とはいえず、また防錆剤等を塗布したことにより
種々の問題を引き起こす可能性がある。
て完全とはいえず、また防錆剤等を塗布したことにより
種々の問題を引き起こす可能性がある。
例えば、非磁性な防錆剤等を介して磁気テープが磁気
ヘッドに接触することになり、いわゆるスペーシングロ
スにより電磁変換特性が劣化する虞れがある。特に、高
密度記録化に伴い記録波長の短波長化が進められている
状況からこの傾向が著しい。
ヘッドに接触することになり、いわゆるスペーシングロ
スにより電磁変換特性が劣化する虞れがある。特に、高
密度記録化に伴い記録波長の短波長化が進められている
状況からこの傾向が著しい。
このため、特開昭63−14320号公報，特開昭63−14317
号公報，特開昭63−10314号公報，特開昭63−13117号公
報，特開昭63−10315号公報，特開昭63−9015号公報等
に示されるように、２層膜連続蒸着法を使って磁気記録
媒体の耐久性と電磁変換特性の向上を図ろうとする試み
がなされている。
号公報，特開昭63−10314号公報，特開昭63−13117号公
報，特開昭63−10315号公報，特開昭63−9015号公報等
に示されるように、２層膜連続蒸着法を使って磁気記録
媒体の耐久性と電磁変換特性の向上を図ろうとする試み
がなされている。
しかしながら、２層膜といってもいずれの場合も上層
膜と下層膜の酸素濃度を変えたり蒸着方向を変えたにす
ぎず、従って、上述の方法により形成される蒸着膜（特
に上層膜）の膜構造は、磁性粒子が入射方向に成長した
カラム構造となっている。このため、当該上層膜はカラ
ム間に空隙が存在し空気が通過し易い構造となってお
り、面内磁化膜の、錆び等の腐食に対する保護膜として
の機能が不足している。
膜と下層膜の酸素濃度を変えたり蒸着方向を変えたにす
ぎず、従って、上述の方法により形成される蒸着膜（特
に上層膜）の膜構造は、磁性粒子が入射方向に成長した
カラム構造となっている。このため、当該上層膜はカラ
ム間に空隙が存在し空気が通過し易い構造となってお
り、面内磁化膜の、錆び等の腐食に対する保護膜として
の機能が不足している。
そこで、本発明は面内磁化膜上にCo−Ｏ垂直磁化膜を
形成し、磁性層の耐蝕性を向上させた磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。
形成し、磁性層の耐蝕性を向上させた磁気記録媒体を提
供することを目的とするものである。
そこで、本発明者は上述の目的を達成するため鋭意研
究の結果、非磁性支持体上に所定の膜厚でCo系面内磁化
膜及びCo−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成することにより、
耐蝕性と短波長での電磁変換特性の向上が得られるとの
知見を得るに至った。
究の結果、非磁性支持体上に所定の膜厚でCo系面内磁化
膜及びCo−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成することにより、
耐蝕性と短波長での電磁変換特性の向上が得られるとの
知見を得るに至った。
本発明は、上述の知見に基づいて提案されたものであ
って、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上に斜
方蒸着による膜厚1000Å〜3000ÅのCo系面内磁化膜
（２）及び膜厚300Å〜1500ÅのCo−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を順次形成されたことを特徴とするものである。
って、第１図に示すように、非磁性支持体（１）上に斜
方蒸着による膜厚1000Å〜3000ÅのCo系面内磁化膜
（２）及び膜厚300Å〜1500ÅのCo−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を順次形成されたことを特徴とするものである。
本発明の磁気記録媒体における非磁性支持体（１）上
に下層蒸着膜として形成するCo系面内磁化膜（２）は、
斜方連続蒸着法によるCoを主体とする長手方向の面内磁
化膜である。当該Co系面内磁化膜（２）を形成させる際
の膜厚は1000Å以上3000Å以下である。
に下層蒸着膜として形成するCo系面内磁化膜（２）は、
斜方連続蒸着法によるCoを主体とする長手方向の面内磁
化膜である。当該Co系面内磁化膜（２）を形成させる際
の膜厚は1000Å以上3000Å以下である。
ここで、膜厚が1000Å未満の場合は電磁変換特性が低
下し、膜厚が3000Åより大きい時は磁気記録媒体の厚み
が厚くなりすぎる。
下し、膜厚が3000Åより大きい時は磁気記録媒体の厚み
が厚くなりすぎる。
本発明において使用するCo系面内磁化膜（２）として
は、例えば純Co,Co−Ni系合金,Co−Pt系合金,Co−Ni−P
t系合金,Fe−Co系合金,Fe−Co−Ni系合金,Fe−Co−Ｂ系
合金、Fe−Co−Ni−Ｂ系合金等からなるものが使用可能
である。
は、例えば純Co,Co−Ni系合金,Co−Pt系合金,Co−Ni−P
t系合金,Fe−Co系合金,Fe−Co−Ni系合金,Fe−Co−Ｂ系
合金、Fe−Co−Ni−Ｂ系合金等からなるものが使用可能
である。
また、その上部に形成する上層蒸着膜であるCo−Ｏ系
垂直磁化膜（３）は、高純度のCoを上記Co系面内磁化膜
（２）上に蒸茶させる際に酸素を導入することによって
容易に作製されるものである。当該Co−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を形成させる際の膜厚は300Å以上1500Å以下で
ある。
垂直磁化膜（３）は、高純度のCoを上記Co系面内磁化膜
（２）上に蒸茶させる際に酸素を導入することによって
容易に作製されるものである。当該Co−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を形成させる際の膜厚は300Å以上1500Å以下で
ある。
ここで、膜厚（t4）が300Å未満の場合錆びに対する
保護膜としての充分な厚みを有しなくなり耐蝕性を確保
できなくなる。また、膜厚が1500Åより大きい時はスペ
ーシングロスの問題が起こってくる。
保護膜としての充分な厚みを有しなくなり耐蝕性を確保
できなくなる。また、膜厚が1500Åより大きい時はスペ
ーシングロスの問題が起こってくる。
本発明において使用する非磁性支持体としては、従来
公知の長尺状のテープ状、シート状等のものを用い、材
質も従来公知のもの例えばポリエチレンテレフタレート
等のものを使用する。これら非磁性支持体は、磁気記録
層を形成するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、
帯電防止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が
行われてもよい。
公知の長尺状のテープ状、シート状等のものを用い、材
質も従来公知のもの例えばポリエチレンテレフタレート
等のものを使用する。これら非磁性支持体は、磁気記録
層を形成するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、
帯電防止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が
行われてもよい。
本発明で磁気記録媒体を製造する際に適用される真空
蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子ビ
ーム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、
レーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着法の
いずれもが実施可能であるが、磁気記録媒体の抗磁力、
異方性磁界等の磁気特性を向上させる上で、又速い蒸着
速度を得るために電子ビーム蒸着、イオンプレーティン
グ等の方法が適しており、さらに操作性、量産性の工業
的観点からは電子ビーム蒸着法が最も適している。
蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子ビ
ーム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンプレーティング、
レーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着法の
いずれもが実施可能であるが、磁気記録媒体の抗磁力、
異方性磁界等の磁気特性を向上させる上で、又速い蒸着
速度を得るために電子ビーム蒸着、イオンプレーティン
グ等の方法が適しており、さらに操作性、量産性の工業
的観点からは電子ビーム蒸着法が最も適している。
上記２層構造の磁気記録媒体を作製するには、Co系合
金を蒸発源とし、先ず非磁性支持体（１）上に真空蒸着
法により膜厚が1000Å以上3000Å以下のCo系面内磁化膜
（２）を蒸着形成する。ここで、非磁性支持体のキャン
接触面における法線方向に対する蒸発蒸気流の入射角は
50゜より大きく90゜以下が好ましい。この理由として、
上記入射角が50゜以下となった場合電磁変換特性が低下
し、また上記入射角90゜より大きくなった場合も同様に
電磁変換特性が低下する。なお、Co系面内磁化膜（２）
の蒸着に際しては、得られる膜の抗磁力を向上させるこ
と等を目的として、蒸着雰囲気中に少量の酸素を導入し
てもよい。
金を蒸発源とし、先ず非磁性支持体（１）上に真空蒸着
法により膜厚が1000Å以上3000Å以下のCo系面内磁化膜
（２）を蒸着形成する。ここで、非磁性支持体のキャン
接触面における法線方向に対する蒸発蒸気流の入射角は
50゜より大きく90゜以下が好ましい。この理由として、
上記入射角が50゜以下となった場合電磁変換特性が低下
し、また上記入射角90゜より大きくなった場合も同様に
電磁変換特性が低下する。なお、Co系面内磁化膜（２）
の蒸着に際しては、得られる膜の抗磁力を向上させるこ
と等を目的として、蒸着雰囲気中に少量の酸素を導入し
てもよい。
そして、その後高純度Coを多量の（垂直磁化膜とする
に足る量の）酸素ガスを導入しながら、真空蒸着法によ
り膜厚が300Å以上1500Å以下のCo−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を蒸着形成する。ここで、上記入射角は−20゜よ
り大きく20゜より小さいことが好ましい。この理由とし
て、上記入射角が−20゜以下となった場合垂直磁化膜と
ならず、膜構造は入射方向に成長したカラム構造となっ
てしまい錆びに対する保護膜としての機能が不足する。
また、上記入射角が20゜以上となった場合も上記同様膜
構造はカラム構造となってしまい保護層としての働きが
不足する。
に足る量の）酸素ガスを導入しながら、真空蒸着法によ
り膜厚が300Å以上1500Å以下のCo−Ｏ系垂直磁化膜
（３）を蒸着形成する。ここで、上記入射角は−20゜よ
り大きく20゜より小さいことが好ましい。この理由とし
て、上記入射角が−20゜以下となった場合垂直磁化膜と
ならず、膜構造は入射方向に成長したカラム構造となっ
てしまい錆びに対する保護膜としての機能が不足する。
また、上記入射角が20゜以上となった場合も上記同様膜
構造はカラム構造となってしまい保護層としての働きが
不足する。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に膜厚1000
Å〜3000ÅのCo系面内磁化膜及び膜厚300Å〜1500ÅのC
o−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成する２層構造としている
ため、Coを主体とした両膜間の整合性が非常に良好であ
る。
Å〜3000ÅのCo系面内磁化膜及び膜厚300Å〜1500ÅのC
o−Ｏ系垂直磁化膜を順次形成する２層構造としている
ため、Coを主体とした両膜間の整合性が非常に良好であ
る。
また、本発明の磁気記録媒体は、Co−Ｏ系垂直磁化膜
（３）が明確なカラム構造をとらないため、空隙が形成
されず緻密な構造となり空気（特に酸素）を通過させに
くく錆びにくい。そのため下層蒸着膜であるCo系面内磁
化膜（２）に対して耐蝕性に優れた保護膜となる。ま
た、Co−Ｏ系垂直磁化膜（３）は垂直磁化特性が優れて
いるため、特に短波長域における信号の記録再生に寄与
し、その向上が図られる。
（３）が明確なカラム構造をとらないため、空隙が形成
されず緻密な構造となり空気（特に酸素）を通過させに
くく錆びにくい。そのため下層蒸着膜であるCo系面内磁
化膜（２）に対して耐蝕性に優れた保護膜となる。ま
た、Co−Ｏ系垂直磁化膜（３）は垂直磁化特性が優れて
いるため、特に短波長域における信号の記録再生に寄与
し、その向上が図られる。
以下、本発明を適用した実施例について図面を用いて
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ないことはいうまでもない。
説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものでは
ないことはいうまでもない。
実施例１ 長尺状高分子フィルムに対して、第２図に示す２キャ
ンタイプの連続巻き取り蒸着装置を用いてCo系面内磁化
膜及びCo−Ｏ系垂直磁化膜の蒸着を行った。
ンタイプの連続巻き取り蒸着装置を用いてCo系面内磁化
膜及びCo−Ｏ系垂直磁化膜の蒸着を行った。
２キャンタイプの蒸着装置は、走行系、面内磁化膜形
成部、垂直磁化膜形成部の３組により構成されている。
走行系は、供給ローラー（18）、第１の冷却キャン（1
2）、中間ローラー（19）、第２の冷却キャン（13）、
巻き取りローラー（20）からなる。面内磁化膜形成部
は、隔壁（11）によって垂直磁化膜形成部と仕切られ、
純度99.9％のCoに20重量％のNiを含んだCo−Niが備えら
れたルツボ（14）と酸素ガス導入管（23）及び上記Co−
Niを加熱蒸発させるための電子銃（16）とが配設されて
いる。上記第１の冷却キャン（12）において上記Co−Ni
系面内磁化膜（下層蒸着膜）が形成される。なお、ここ
で高分子フィルムへの蒸発気流（Co−Ni）の入射角は、
マスク（24）により規制される。
成部、垂直磁化膜形成部の３組により構成されている。
走行系は、供給ローラー（18）、第１の冷却キャン（1
2）、中間ローラー（19）、第２の冷却キャン（13）、
巻き取りローラー（20）からなる。面内磁化膜形成部
は、隔壁（11）によって垂直磁化膜形成部と仕切られ、
純度99.9％のCoに20重量％のNiを含んだCo−Niが備えら
れたルツボ（14）と酸素ガス導入管（23）及び上記Co−
Niを加熱蒸発させるための電子銃（16）とが配設されて
いる。上記第１の冷却キャン（12）において上記Co−Ni
系面内磁化膜（下層蒸着膜）が形成される。なお、ここ
で高分子フィルムへの蒸発気流（Co−Ni）の入射角は、
マスク（24）により規制される。
垂直磁化膜形成部は、上記面内磁化膜形成部と同様、
純度99.9％のCoが備えられたルツボ（15）と酸素ガス導
入管（22）及び上記Coを加熱蒸発させるための電子銃
（17）とが配設されており、上記第２の冷却キャン（1
3）においてCo−Ｏ系垂直磁化膜（上層蒸着膜）が形成
される。この場合も高分子フィルムへの蒸発気流（Co）
の入射角は、マスク（25）及びマスク（26）により規制
される。
純度99.9％のCoが備えられたルツボ（15）と酸素ガス導
入管（22）及び上記Coを加熱蒸発させるための電子銃
（17）とが配設されており、上記第２の冷却キャン（1
3）においてCo−Ｏ系垂直磁化膜（上層蒸着膜）が形成
される。この場合も高分子フィルムへの蒸発気流（Co）
の入射角は、マスク（25）及びマスク（26）により規制
される。
上記Co−Ni系面内磁化膜形成部においては、電子銃
（16）からの電子ビームによりルツボ（14）内に備えら
れたCo−Niが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導
入管（23）から導入された酸素ガスとともに第１の冷却
キャン（12）に達し、該第１の冷却キャン（12）上を走
行している非磁性支持体（21）上に上記Co−Ni蒸発蒸気
流として蒸着形成される。このとき、酸素導入量は300c
c/minであり、この酸素導入量と非磁性支持体の走行速
度、Co−Niの蒸発速度等が加味されてCoを主体とするCo
−Ni系面内磁化膜が形成される。
（16）からの電子ビームによりルツボ（14）内に備えら
れたCo−Niが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導
入管（23）から導入された酸素ガスとともに第１の冷却
キャン（12）に達し、該第１の冷却キャン（12）上を走
行している非磁性支持体（21）上に上記Co−Ni蒸発蒸気
流として蒸着形成される。このとき、酸素導入量は300c
c/minであり、この酸素導入量と非磁性支持体の走行速
度、Co−Niの蒸発速度等が加味されてCoを主体とするCo
−Ni系面内磁化膜が形成される。
一方、上記Co−Ｏ系垂直磁化膜形成部においては、電
子銃（17）からの電子ビームによりルツボ（15）内に備
えられたCoが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導
入管（22）から導入された酸素ガスとともに第２の冷却
キャン（13）に達し、該第２の冷却キャン（13）上を走
行している非磁性支持体（21）上に上記Co蒸発蒸気流と
して蒸着形成される。このとき、酸素導入量は150cc/mi
nであり、この酸素導入量と非磁性支持体の走行速度、C
oの蒸発速度が加味されてCoを主体とするCo−Ｏ系垂直
磁化膜が形成される。
子銃（17）からの電子ビームによりルツボ（15）内に備
えられたCoが加熱されることにより蒸発し、酸素ガス導
入管（22）から導入された酸素ガスとともに第２の冷却
キャン（13）に達し、該第２の冷却キャン（13）上を走
行している非磁性支持体（21）上に上記Co蒸発蒸気流と
して蒸着形成される。このとき、酸素導入量は150cc/mi
nであり、この酸素導入量と非磁性支持体の走行速度、C
oの蒸発速度が加味されてCoを主体とするCo−Ｏ系垂直
磁化膜が形成される。
尚、上記電子銃（16）によって加熱され蒸着されるCo
−Ni,上記電子銃（17）によって加熱され蒸着されるCo
は、その蒸着速度を任意に制御して蒸着することができ
る。また、第１の冷却キャン（12）及び第２の冷却キャ
ン（13）は、その表面温度が０℃付近になるように規制
されている。
−Ni,上記電子銃（17）によって加熱され蒸着されるCo
は、その蒸着速度を任意に制御して蒸着することができ
る。また、第１の冷却キャン（12）及び第２の冷却キャ
ン（13）は、その表面温度が０℃付近になるように規制
されている。
上述のような装置を使用して下記の通りの作製条件で
サンプルテープを作製した。
サンプルテープを作製した。
蒸発源 ルツボ（14） ……Co−Ni合金 （Co純度99.9％） （Ni20重量％） ルツボ（15） ……Co （Co純度99.9％） 面内磁化膜形成部 酸素導入量 ……300cc/min 蒸着速度 ……3000Å/sec 入射角 ……60゜以上90゜以下 （最小入射角・60゜） 膜厚 ……2000Å 垂直磁化膜形成部 酸素導入量 ……150cc/min 蒸着速度 ……1500Å/sec 入射角 ……−10゜以上10゜以下 膜厚 ……800Å テープ走行速度 ……16m/min 雰囲気ガス圧 ……２×10-4Torr 比較例１ 長尺状高分子フイルムに対して、第２図に示す２キャ
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて比較例を行っ
た。
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて比較例を行っ
た。
このとき、下層蒸着膜の作製条件は実施例１と同様と
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
蒸発源 ルツボ（15） ……Co （Co純度99.9％） 垂直磁化膜形成部 酸素導入量 ……100cc/min 蒸着速度 ……1000Å/sec 入射角 ……30゜以上90゜以下 膜厚 ……1000Å テープ走行速度 ……16m/min 雰囲気ガス圧 ……１×10-4Torr 比較例２ 長尺状高分子フイルムに対して、第２図に示す２キャ
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行っ
た。
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行っ
た。
このとき、下層蒸着膜の作製条件は実施例１と同様と
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
蒸発源 ルツボ（15） ……Co （Co純度99.9％） 垂直磁化膜形成部 酸素導入量 ……200cc/min 蒸着速度 ……2000Å/sec 入射角 ……30゜以上90゜以下 膜厚 ……2000Å テープ走行速度 ……16m/min 雰囲気ガス圧 ……２×10-4Torr 比較例３ 長尺状高分子フイルムに対して、第２図に示す２キャ
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行っ
た。
ンタイプの連続巻き取り蒸着機を用いて実施例を行っ
た。
このとき、下層蒸着膜の作製条件は実施例１と同様と
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
し、上層蒸着膜の作製条件を下記のようにサンプルテー
プを作製した。
蒸発源 ルツボ（15） ……Co （Co純度99.9％） 垂直磁化膜形成部 酸素導入量 ……300cc/min 蒸着速度 ……3000Å/sec 入射角 ……−10゜以上10゜以下 膜厚 ……2000Å テープ走行速度 ……16m/min 雰囲気ガス圧 ……３×10-4Torr 上述のようにして作製した各サンプルテープについ
て、磁気特性、電磁変換特性、磁性膜の耐蝕性について
評価を行い、その結果を第１表に示す。尚、第１表中の
Bsは飽和磁束密度を、Hcは保持力を、Rsは角径比を、△
φ（％）は飽和磁化の減少率を表す。尚、各サンプルテ
ープの電磁変換特性評価では、磁性層表面にリン酸エス
テル潤滑剤を塗布してサンプルとした。また、磁性膜の
耐蝕性評価については（Ｉ）としてSO2ガス腐食試験（S
O2ガス濃度0.01ppm,温度30℃，相対湿度90％の雰囲気中
に24時間放置）、（II）として高温多湿試験（温度60
℃，相対湿度95％，の雰囲気中に一週間放置）の２種類
について行い、表面状態の良い場合は○、やや悪い場合
は△、悪い場合は×として評価した。
て、磁気特性、電磁変換特性、磁性膜の耐蝕性について
評価を行い、その結果を第１表に示す。尚、第１表中の
Bsは飽和磁束密度を、Hcは保持力を、Rsは角径比を、△
φ（％）は飽和磁化の減少率を表す。尚、各サンプルテ
ープの電磁変換特性評価では、磁性層表面にリン酸エス
テル潤滑剤を塗布してサンプルとした。また、磁性膜の
耐蝕性評価については（Ｉ）としてSO2ガス腐食試験（S
O2ガス濃度0.01ppm,温度30℃，相対湿度90％の雰囲気中
に24時間放置）、（II）として高温多湿試験（温度60
℃，相対湿度95％，の雰囲気中に一週間放置）の２種類
について行い、表面状態の良い場合は○、やや悪い場合
は△、悪い場合は×として評価した。
また実施例1,比較例１・比較例３についての記録波長
と再生出力の関係を第３図に示す。尚、第３図中記号Ａ
は実施例１に、記号Ｂは比較例１に、記号Ｃは比較例３
にそれぞれ対応している。
と再生出力の関係を第３図に示す。尚、第３図中記号Ａ
は実施例１に、記号Ｂは比較例１に、記号Ｃは比較例３
にそれぞれ対応している。
第１表及び第３図より明らかなように、本発明を適用
した磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性、
耐蝕性を兼ね備えていることがわかる。
した磁気記録媒体は、優れた磁気特性、電磁変換特性、
耐蝕性を兼ね備えていることがわかる。
以上の説明から明らかなように、本発明を適用した磁
気記録媒体は、両膜ともにCoを主体としたCo−Ni,Co−
Ｏから構成されるものであることから面内磁化膜と垂直
磁化膜の整合性が高い。また、Co−Ｏ系垂直磁化膜が耐
蝕性に優れた保護膜として作用すると同時に、Co−Ｏ系
垂直磁化膜は垂直磁化特性が優れているため、特に短波
長域における信号特性及び記録再生特性の向上が得られ
る。
気記録媒体は、両膜ともにCoを主体としたCo−Ni,Co−
Ｏから構成されるものであることから面内磁化膜と垂直
磁化膜の整合性が高い。また、Co−Ｏ系垂直磁化膜が耐
蝕性に優れた保護膜として作用すると同時に、Co−Ｏ系
垂直磁化膜は垂直磁化特性が優れているため、特に短波
長域における信号特性及び記録再生特性の向上が得られ
る。
よって本発明では、耐蝕性及び短波長における電磁変
換特性に優れた磁気記録媒体が得られる。
換特性に優れた磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した磁気記録媒体を作製するため
の真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した磁気記録媒体の記録
波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １……非磁性支持体 ２……Co系面内磁化膜 ３……Co−Ｏ系垂直磁化膜
部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した磁気記録媒体を作製するため
の真空蒸着装置の一例を示す概略図である。 第３図は本発明を適用して作製した磁気記録媒体の記録
波長と再生出力との関係を示す特性図である。 １……非磁性支持体 ２……Co系面内磁化膜 ３……Co−Ｏ系垂直磁化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 真弓 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−34721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−282913（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−145105（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性支持体上に膜厚1000Å〜3000ÅのCo
系面内磁化膜及び膜厚300Å〜1500ÅのCo−Ｏ系垂直磁
化膜が順次形成されたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13392488A JP2605803B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13392488A JP2605803B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303623A JPH01303623A (ja) | 1989-12-07 |
| JP2605803B2 true JP2605803B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15116270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13392488A Expired - Fee Related JP2605803B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605803B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5803488B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-11-04 | 凸版印刷株式会社 | 原子層堆積法によるフレキシブル基板への成膜方法及び成膜装置 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP13392488A patent/JP2605803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01303623A (ja) | 1989-12-07 |
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