JPS619823A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS619823A JPS619823A JP59129156A JP12915684A JPS619823A JP S619823 A JPS619823 A JP S619823A JP 59129156 A JP59129156 A JP 59129156A JP 12915684 A JP12915684 A JP 12915684A JP S619823 A JPS619823 A JP S619823A
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- magnetic recording
- recording medium
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は短波長記録に適した強磁性薄膜を磁気記録層と
する磁気記録媒体に関するものである。
する磁気記録媒体に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、短波長記録特性の優れた媒体として、基板の垂直
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
現在最も有望視されている垂直磁化膜としては、Ｃｏと
Ｃｒの合金をスパッタリング技術により基板上に０．１
μｍから０．３μｍ程度の厚みの薄膜として形成したも
のが知られている。
Ｃｒの合金をスパッタリング技術により基板上に０．１
μｍから０．３μｍ程度の厚みの薄膜として形成したも
のが知られている。
しかし周知のように、スパッタリング技術による薄膜形
成速度は極めて小さく、磁気テープとして用いようとす
ると、薄膜形成速度の大きい真空蒸着技術によることが
生産面からみると好ましい。
成速度は極めて小さく、磁気テープとして用いようとす
ると、薄膜形成速度の大きい真空蒸着技術によることが
生産面からみると好ましい。
しかし現状では、ＣＯとＣｒは蒸気圧曲線が大きく異な
るため、単一の蒸発源を用いてＧｏ−Ｃｒ合金組成比を
一定に保持して長尺の媒体を得ることができないので、
ＣＯとＣｒの別々の蒸発源を配して蒸着しているためと
、膜形成速度を大きくとっているために、六方稠密構造
の結晶の主軸であるＣ軸が基板面に垂直に配向する度合
いの目安であるＸ線回折像から調べた（００２）面のロ
ッキング曲線の半値幅のΔθ５ｏが、スパッタリング技
術により形成したＣｏ−Ｃｒ膜の値の倍以上と大きな値
になり、ディジタル記録を実際に短波長域で行うと十分
な信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎで表す。）が得られず、狭
トラツク化、短波長化による記録密度の向上は満足し得
ないのが現状である。
るため、単一の蒸発源を用いてＧｏ−Ｃｒ合金組成比を
一定に保持して長尺の媒体を得ることができないので、
ＣＯとＣｒの別々の蒸発源を配して蒸着しているためと
、膜形成速度を大きくとっているために、六方稠密構造
の結晶の主軸であるＣ軸が基板面に垂直に配向する度合
いの目安であるＸ線回折像から調べた（００２）面のロ
ッキング曲線の半値幅のΔθ５ｏが、スパッタリング技
術により形成したＣｏ−Ｃｒ膜の値の倍以上と大きな値
になり、ディジタル記録を実際に短波長域で行うと十分
な信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎで表す。）が得られず、狭
トラツク化、短波長化による記録密度の向上は満足し得
ないのが現状である。
（発明の目的）
本発明は十分なＳハの得られる垂直記録用の磁気記録媒
体を提供することを目的とするものである。
体を提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明はの磁気記録媒体は、原子の充てん率が、０．６
以下の部分酸化されたＣＯ系合金垂直磁化膜からなる磁
気記録層を特徴とし、１００ ＫＢＰＩでも十分なＳハ
を確保できるものである。
以下の部分酸化されたＣＯ系合金垂直磁化膜からなる磁
気記録層を特徴とし、１００ ＫＢＰＩでも十分なＳハ
を確保できるものである。
（実施例の説明）
以下図面を参照しながら本発明を説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図であり、１
は高分子基板、２は垂直磁化膜、３は保護膜である。
は高分子基板、２は垂直磁化膜、３は保護膜である。
第２図は本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置
の要部構成図であり、４は円筒状キャン、５は蒸発源容
器、６は蒸着材料、７は基板、８は送り出し軸、９は巻
取り軸、１０はマスク、１１はスリット、１２．１３は
ガス導入ノズル、１４．１５はガス導入調節弁、１６は
真空容器、１７は排気系である。
の要部構成図であり、４は円筒状キャン、５は蒸発源容
器、６は蒸着材料、７は基板、８は送り出し軸、９は巻
取り軸、１０はマスク、１１はスリット、１２．１３は
ガス導入ノズル、１４．１５はガス導入調節弁、１６は
真空容器、１７は排気系である。
本発明に用いられる高分子基板は、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類、セルローストリアセテート、ニトロセル
ロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリアミド
イミド、ポリパラパニック酸、ポリイミド等が挙げられ
る。
タレート等のポリエステル類、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類、セルローストリアセテート、ニトロセル
ロース等のセルロース誘導体、ポリアミド、ポリアミド
イミド、ポリパラパニック酸、ポリイミド等が挙げられ
る。
本発明に用いる磁気記録層は、原子の充てん率が０．６
以下の部分酸化されたＣＯ系合金垂直磁化膜で、Ｃｏ−
０、Ｃｏ−Ｎｉ−０、Ｃｏ−Ｔｉ−０、Ｇｏ−Ｃｒ−０
、Ｃｏ−Ｍｏ−０。
以下の部分酸化されたＣＯ系合金垂直磁化膜で、Ｃｏ−
０、Ｃｏ−Ｎｉ−０、Ｃｏ−Ｔｉ−０、Ｇｏ−Ｃｒ−０
、Ｃｏ−Ｍｏ−０。
Ｃｏ−ト０．Ｃｏ−Ｒｕ−０，Ｃｏ−Ｒｈ−０等であり
、ここで原子の充てん率は、厚さを測定し、酸素以外の
原子で構成されたバルクの金属又は合金の比重を適用し
、その重量に対する実際の薄膜の重量の比率で定義する
。
、ここで原子の充てん率は、厚さを測定し、酸素以外の
原子で構成されたバルクの金属又は合金の比重を適用し
、その重量に対する実際の薄膜の重量の比率で定義する
。
本発明の磁気記録層は、Ｇｏ−Ｃｒ蒸着膜に比して八〇
５ｏが必ずしも大幅に改良されてはいないが、十分なＳ
／Ｎを確保できるのは雑音が改良されていることによる
もので、従来の垂直磁化膜は、原子の充てん率が本発明
の定義によれば、０．８近い値かそれ以上であったため
、粒子間の磁気的分離が完全に行われなかったため、磁
気的に不均一性が微視的に無視できなかったのに対し、
本発明品では原子の充てん率が抑制されているので、磁
気的分離が極めて良好なためと判断される。
５ｏが必ずしも大幅に改良されてはいないが、十分なＳ
／Ｎを確保できるのは雑音が改良されていることによる
もので、従来の垂直磁化膜は、原子の充てん率が本発明
の定義によれば、０．８近い値かそれ以上であったため
、粒子間の磁気的分離が完全に行われなかったため、磁
気的に不均一性が微視的に無視できなかったのに対し、
本発明品では原子の充てん率が抑制されているので、磁
気的分離が極めて良好なためと判断される。
尚、０．６の値の臨界的意義は、１００ＫＢＰＩ（キロ
ビットパーインチで、線記録密度を表わす。）のＳ／Ｎ
を機器の設計側からみて４０ ｄＢ必要であるとの判断
からきているもので、記録密度が低くなれば０．６より
大きくても良い傾向をもつものである。
ビットパーインチで、線記録密度を表わす。）のＳ／Ｎ
を機器の設計側からみて４０ ｄＢ必要であるとの判断
からきているもので、記録密度が低くなれば０．６より
大きくても良い傾向をもつものである。
原子の充てん率の調整は、第２図の装置で、ノズルから
導入するガスを酸素と、アルゴン又は酸素と（アルゴン
＋水素）等に組み合わせ、膜形成後、真空中で加熱する
ことで行うことができる。
導入するガスを酸素と、アルゴン又は酸素と（アルゴン
＋水素）等に組み合わせ、膜形成後、真空中で加熱する
ことで行うことができる。
この調整は、我々の実験では蒸着の開始側から酸素を導
入する方が行い易かったが、その理由は明らかでない。
入する方が行い易かったが、その理由は明らかでない。
保護層は適宜必要に応じて設けられる。軟磁性層につい
ても同様である。
ても同様である。
以下、さらに具体的に本発明の一実施例を説明する。
第２図の蒸着装置で円筒状キャン４の直径を５０■とじ
、蒸発源との距離は２５０、マスク１０のスリット１１
の幅は７Ｇとし、蒸発源の加熱は電子ビームで行った。
、蒸発源との距離は２５０、マスク１０のスリット１１
の幅は７Ｇとし、蒸発源の加熱は電子ビームで行った。
高分子基板として、厚み１５μｍのポリイミドを用い、
円筒状キャン４の表面温度は１５０℃一定とし、蒸着後
の真空加熱は、１８０℃から２５０℃の範囲で調節し、
時間は２０分一定とした。
円筒状キャン４の表面温度は１５０℃一定とし、蒸着後
の真空加熱は、１８０℃から２５０℃の範囲で調節し、
時間は２０分一定とした。
得られた磁気テープのＳ／Ｎを１００ＫＢＰＩと１５０
ＫＢＰＩで比較した。
ＫＢＰＩで比較した。
比較例はＧｏ−Ｃｒ蒸着膜である。尚、磁気記録層の厚
みは０．１７μｍ一定とした。
みは０．１７μｍ一定とした。
本発明の磁気記録媒体は、上表より明らかなように、高
密度記録でのＳ／Ｎが優れており、かつ、蒸着法により
得られるものであるから、生産性にも優れており、高密
度記録用の磁気テープとして期待が大きいものであるが
、他に磁気ディスク、磁気シートの形態でも本発明の効
果は勿論発揮されるし、他の材料の組み合わせでも類似
の効果を確認した。
密度記録でのＳ／Ｎが優れており、かつ、蒸着法により
得られるものであるから、生産性にも優れており、高密
度記録用の磁気テープとして期待が大きいものであるが
、他に磁気ディスク、磁気シートの形態でも本発明の効
果は勿論発揮されるし、他の材料の組み合わせでも類似
の効果を確認した。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体は、原子の
充てん率を制御することにより、ｃｏ系合金部分酸化垂
直磁化膜を用いても、優れたＳ／Ｎで高密度記録再生を
行うことができるものでその実用的効果は大きい。
充てん率を制御することにより、ｃｏ系合金部分酸化垂
直磁化膜を用いても、優れたＳ／Ｎで高密度記録再生を
行うことができるものでその実用的効果は大きい。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である １ ・・・高分子基板、 ２・・・垂直磁化膜。
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である １ ・・・高分子基板、 ２・・・垂直磁化膜。
Claims (1)
- 原子の充てん率が０．６以下の部分酸化されたＣｏ系合
金垂直磁化膜を磁気記録層としたことを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129156A JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59129156A JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619823A true JPS619823A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0630134B2 JPH0630134B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=15002523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59129156A Expired - Lifetime JPH0630134B2 (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630134B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0753288A (ja) * | 1993-08-11 | 1995-02-28 | Daihatsu Diesel Mfg Co Ltd | 生ごみ処理容器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57105414U (ja) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | ||
| JPS58119612U (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-15 | フジタ特殊ナツト工業株式会社 | ナツト |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59129156A patent/JPH0630134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57105414U (ja) * | 1980-12-22 | 1982-06-29 | ||
| JPS58119612U (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-15 | フジタ特殊ナツト工業株式会社 | ナツト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630134B2 (ja) | 1994-04-20 |
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