JPS615425A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS615425A JPS615425A JP12599084A JP12599084A JPS615425A JP S615425 A JPS615425 A JP S615425A JP 12599084 A JP12599084 A JP 12599084A JP 12599084 A JP12599084 A JP 12599084A JP S615425 A JPS615425 A JP S615425A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- value
- magnetic recording
- recording medium
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する垂直磁気記録用の磁気
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
従来例の構成とその問題点
近年、短波長記録特性の優れた媒体として、基板の垂直
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
方向に磁化可能ないわゆる垂直磁化膜を磁気記録層とし
た磁気記録媒体が注目されている。
現在量も特性的に優れた垂直磁化膜はＧｏ −Ｏｒスパ
ッタ膜であるといわれているが、成膜速度が小さいので
大量に必要々磁気記録媒体としては、この面からの改良
が必要で、真空蒸着法も検討されＣｏ −Ｏｒ蒸着膜で
も垂直磁化膜が得られているが、垂直配向の目安である
、六方稠密構造のＣ軸（００２）の分散を表わす、Ｘ線
回析から得られるロッキング曲線の半値幅であるΔθ５
０の値としては、スパッタ膜の倍以上あり、改良が望ま
れている。
ッタ膜であるといわれているが、成膜速度が小さいので
大量に必要々磁気記録媒体としては、この面からの改良
が必要で、真空蒸着法も検討されＣｏ −Ｏｒ蒸着膜で
も垂直磁化膜が得られているが、垂直配向の目安である
、六方稠密構造のＣ軸（００２）の分散を表わす、Ｘ線
回析から得られるロッキング曲線の半値幅であるΔθ５
０の値としては、スパッタ膜の倍以上あり、改良が望ま
れている。
又最近、酸素中で蒸着することで得られるＣｏ −０、
Ｃｏ −Ｎｉ −０膜の中で条件により、垂直磁化膜が
含まれていることが知られ、生産技術的には、Ｇｏ −
Ｃｒの二元蒸着より有利で、期待されているが、Δθｓ
ｏ ＦｉＧｏ −Ｏｒ蒸着膜より大きく、高密度記録を
良好な信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎで示す）で得られず、
改良が望まれている。
Ｃｏ −Ｎｉ −０膜の中で条件により、垂直磁化膜が
含まれていることが知られ、生産技術的には、Ｇｏ −
Ｃｒの二元蒸着より有利で、期待されているが、Δθｓ
ｏ ＦｉＧｏ −Ｏｒ蒸着膜より大きく、高密度記録を
良好な信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎで示す）で得られず、
改良が望まれている。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ｃｏ −０、
Ｇｏ−Ｎｉ−０系垂直磁化膜で改良されたＳ／Ｎを得る
ことのできる磁気記録媒体を提供することを目的とする
。
Ｇｏ−Ｎｉ−０系垂直磁化膜で改良されたＳ／Ｎを得る
ことのできる磁気記録媒体を提供することを目的とする
。
発明の構成
本発明の磁気記録媒体はΔθ５０が５°以下であるＣｉ
ｏ −０、又はＧｏ −Ｎｉ −Ｏスパッタ膜を磁気記
録層とすることを特徴とし、高密度磁気記録を良好なＳ
／Ｎで行うことのできるものである。
ｏ −０、又はＧｏ −Ｎｉ −Ｏスパッタ膜を磁気記
録層とすることを特徴とし、高密度磁気記録を良好なＳ
／Ｎで行うことのできるものである。
実施例の説明
、以下図面を参照し彦がら本発明を説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図である。第
１図に於て１は高分子基板、２は軟磁性層、３はＧｏ
−０又はＧｏ −Ｎｉ −０のスパッタ法により得られ
た垂直磁化膜、４は保護膜である第２図は、第１図の構
成のうち、垂直磁化膜の形成を行うために用いたスパッ
タ蒸着装置である。
１図に於て１は高分子基板、２は軟磁性層、３はＧｏ
−０又はＧｏ −Ｎｉ −０のスパッタ法により得られ
た垂直磁化膜、４は保護膜である第２図は、第１図の構
成のうち、垂直磁化膜の形成を行うために用いたスパッ
タ蒸着装置である。
第２図に於て、５は基板、６は円筒状キャン、７は送り
出し軸、ｓｉ巻巻取細軸９は真空槽、１０はスパッタカ
ソード、１１は排気系、１２ｉｊガス導入管、１３はガ
ス導入量調節弁である。
出し軸、ｓｉ巻巻取細軸９は真空槽、１０はスパッタカ
ソード、１１は排気系、１２ｉｊガス導入管、１３はガ
ス導入量調節弁である。
本発明に用いることの出来る高分子基板は、ポリエチレ
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン
等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、ニ
トロセルロース等のセルロース誘導体、ポリエーテルス
ルフォン ド，ポリアミドイミド、ポリパラパニック酸，ポリイミ
ド等が挙げられる。
ンテレフタレート等のポリエステル類、ポリプロピレン
等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、ニ
トロセルロース等のセルロース誘導体、ポリエーテルス
ルフォン ド，ポリアミドイミド、ポリパラパニック酸，ポリイミ
ド等が挙げられる。
本発明に用いることの出来る軟磁性層は、電子ビーム蒸
着法，スパッタリング法等で形成した、Ｎｉ−Ｆｅ 、
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ 、 Ｇｏ−Ｍｏ−Ｚｒ 、 Ｇ。
着法，スパッタリング法等で形成した、Ｎｉ−Ｆｅ 、
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｍｏ 、 Ｇｏ−Ｍｏ−Ｚｒ 、 Ｇ。
−Ｔｉ，Ｇｏ−Ｆｅ−Ｂ等である。
本発明に用いることの出来る垂直磁化膜は、Ｇｏ−０、
又はＧｏ − Ｎｉ − ０の０．１ μｍから０．５
μｍの薄膜で、Δθ５０が５°以下の要件を満足したも
のである。
又はＧｏ − Ｎｉ − ０の０．１ μｍから０．５
μｍの薄膜で、Δθ５０が５°以下の要件を満足したも
のである。
Δθ５０が６°以下であれば、雑音は殆んど無視でき、
その値は公知のＣｏ − Ｏｒ膜の同一のΔθ５。
その値は公知のＣｏ − Ｏｒ膜の同一のΔθ５。
の値のものより良好である。
Δθ５０が６°から８°の範囲は十分実用になる範囲で
あるが、後述するように、機器設計の目安としてのＳ／
Ｎの所要値を４５ｄＢとすると、取り扱う波長域が０．
４μｍ以下になると、４ ６ ｄＢのＳ／Ｎがとれない
ので、Δθ５０が６°以下とする 。
あるが、後述するように、機器設計の目安としてのＳ／
Ｎの所要値を４５ｄＢとすると、取り扱う波長域が０．
４μｍ以下になると、４ ６ ｄＢのＳ／Ｎがとれない
ので、Δθ５０が６°以下とする 。
のが好ましい。
Δθ５０を５°以下にするには、ＣＯ−０、又はＧｏ
− Ｎｉ − ００非殊性ターゲツトを準備し、高速ス
パッタする方法で、後述の実施例でわかるように、膜形
成速度を大きくすることでおおむね達成されるが、実験
装置のパラメータの影響を受けるので、条件の最適化は
複数回の試作によって行うものとする。
− Ｎｉ − ００非殊性ターゲツトを準備し、高速ス
パッタする方法で、後述の実施例でわかるように、膜形
成速度を大きくすることでおおむね達成されるが、実験
装置のパラメータの影響を受けるので、条件の最適化は
複数回の試作によって行うものとする。
本発明の磁気記録媒体で、高密度記録再生でのＳ／Ｎが
Ｇｏ − Ｏｒスパッタ膜より良好な“特性となる点に
ついては十分明らかにされてい々いが、結晶粒子間のａ
気的分離が良好で磁区の大きさが小さいことが主で、Δ
θ５０の値の臨界的意義は、機器設計からくるもので、
信号処理技術特に信号と雑音の分離技術が著しく進歩す
れば、若干変化するが、６°以下であれば、そうなって
も更に好ましいことが十分予測されるものである。
Ｇｏ − Ｏｒスパッタ膜より良好な“特性となる点に
ついては十分明らかにされてい々いが、結晶粒子間のａ
気的分離が良好で磁区の大きさが小さいことが主で、Δ
θ５０の値の臨界的意義は、機器設計からくるもので、
信号処理技術特に信号と雑音の分離技術が著しく進歩す
れば、若干変化するが、６°以下であれば、そうなって
も更に好ましいことが十分予測されるものである。
以下さらに具体的な一実施例で本発明を説明する。
第２図の装置条件として主々ものは、クーリングキャン
直径５０偏、カソードとフィルムの最短距離は６薗、カ
ソード表面の磁界強度は、水平磁界成分が４５°［０’
６］、高周波は１ ３．６ ｅ Ｍｌｌｚ。
直径５０偏、カソードとフィルムの最短距離は６薗、カ
ソード表面の磁界強度は、水平磁界成分が４５°［０’
６］、高周波は１ ３．６ ｅ Ｍｌｌｚ。
排気系は１３，ｅｏｏ［β／Ｓｅｃ］の油拡散ポンプを
用いた。カソードは、ＣｏＯとＣｏｏ−ＮｉＯの両者を
用いた。尚Ｃｏｏ−ＮｉＯ系はＣＯとドエの比率は重量
比で７９：’２１一定とした。
用いた。カソードは、ＣｏＯとＣｏｏ−ＮｉＯの両者を
用いた。尚Ｃｏｏ−ＮｉＯ系はＣＯとドエの比率は重量
比で７９：’２１一定とした。
フィルムは厚み１２μｍのポリアミドフィルムを用い、
クーリングキャンの表面温度は８５℃一定とした。
クーリングキャンの表面温度は８５℃一定とした。
放電ガスはＡｒとＨ２を混合させたものを用いた。
圧力ｕ ９ Ｘ １ ｏ−３Ｔｏｒｒからｒｓ×１ ０
−２Ｔｏｒｒの範囲で選び、Ａｒに対してＨ２を分圧比
で２０％に力るように流量調節した。
−２Ｔｏｒｒの範囲で選び、Ａｒに対してＨ２を分圧比
で２０％に力るように流量調節した。
本実施例では、ポリアミドフィルムに直接、垂直磁化膜
を形成し、解析すると同時に８餌幅の磁気テープにして
、Ｓ／Ｎを測定した。
を形成し、解析すると同時に８餌幅の磁気テープにして
、Ｓ／Ｎを測定した。
Ｓ／Ｎは比較テープ〔テープＡ７〕をＯｄＢ とした
。磁気ヘッドは０．２μｍギャップのリング型アモルフ
ァスヘッドでおル。
。磁気ヘッドは０．２μｍギャップのリング型アモルフ
ァスヘッドでおル。
表よシ明らかなように、Ｓ／Ｎ的にもＧｏ −Ｃｒ膜と
比較しても良好であるのと、膜形成速度的にみても１０
０倍以上で形成できる利点を有していることかわかる。
比較しても良好であるのと、膜形成速度的にみても１０
０倍以上で形成できる利点を有していることかわかる。
本発明は他の材料の組み合わせに於ても同様の効果を有
するのは勿論、磁気ディスク、磁気シートに於ても同様
の効果を有することを確かめた。
するのは勿論、磁気ディスク、磁気シートに於ても同様
の効果を有することを確かめた。
発明の効果
本発明はＣＯ−〇、又はＧｏ −Ｎｉ −０膜でΔθ５
゜を６度以下で構成した垂直磁化膜を用いることにより
Ｓ／Ｎが高密度記録でも十分改良されるものでその実用
的効果は大きい。
゜を６度以下で構成した垂直磁化膜を用いることにより
Ｓ／Ｎが高密度記録でも十分改良されるものでその実用
的効果は大きい。
第１図は本発明の磁気記録媒体の拡大断面図、第２図は
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 １・・・・・・高分子基板、２・・・・・・軟磁性層、
３・・・・・・Ｇ。
本発明の磁気記録媒体の製造に用いた蒸着装置の要部構
成図である。 １・・・・・・高分子基板、２・・・・・・軟磁性層、
３・・・・・・Ｇ。
Claims (1)
- 垂直配向を示すΔθ＿５＿０が５°以下であるＣｏ−Ｏ
、又はＣｏ−Ｎｉ−Ｏスパッタ膜を磁気記録層とするこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12599084A JPS615425A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12599084A JPS615425A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615425A true JPS615425A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14923998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12599084A Pending JPS615425A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615425A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59162622A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-13 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並にその製造法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12599084A patent/JPS615425A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140629A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59162622A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-13 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並にその製造法 |
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