JPH01264632A - 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法および製造装置Info
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- JPH01264632A JPH01264632A JP9324288A JP9324288A JPH01264632A JP H01264632 A JPH01264632 A JP H01264632A JP 9324288 A JP9324288 A JP 9324288A JP 9324288 A JP9324288 A JP 9324288A JP H01264632 A JPH01264632 A JP H01264632A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は磁気記録媒体の製造方法および製造装置に関
し、さらに詳しくは、高密度記録に好適に利用すること
のてきる高性能の磁気記録媒体を装置の大型化を招かず
に製造する方法、およびこの方法において好適に使用す
ることのてきる装置に関する。
し、さらに詳しくは、高密度記録に好適に利用すること
のてきる高性能の磁気記録媒体を装置の大型化を招かず
に製造する方法、およびこの方法において好適に使用す
ることのてきる装置に関する。
[従来の技術及び発明か解決しようとする課題]近年、
高密度記録に適する磁気記録媒体を製造する方法として
、たとえば真空蒸着、スパッタリンク、イオンブレーテ
ィング等の方法によって磁性材料を非磁性基体上に堆積
させることにより、磁性材料薄膜からなる磁性層を非磁
性基体上に連続的に形成する方法(以下、薄膜型記録媒
体形成法と言う。)が採用されるに至っている。
高密度記録に適する磁気記録媒体を製造する方法として
、たとえば真空蒸着、スパッタリンク、イオンブレーテ
ィング等の方法によって磁性材料を非磁性基体上に堆積
させることにより、磁性材料薄膜からなる磁性層を非磁
性基体上に連続的に形成する方法(以下、薄膜型記録媒
体形成法と言う。)が採用されるに至っている。
そして、この薄膜型記録媒体形成法においては、−・回
の製膜操作て形成される磁性材料薄膜の膜厚、すなわち
磁性層の層厚か充分てはないので、製膜操作を繰り返す
ことによって磁性層の層厚を増す、所謂重層製膜を行な
うことか一般的である。また、たとえば磁性材料薄膜の
上に非磁性金属膜等の保護層を形成する場合にも重層製
膜か行なわれる。
の製膜操作て形成される磁性材料薄膜の膜厚、すなわち
磁性層の層厚か充分てはないので、製膜操作を繰り返す
ことによって磁性層の層厚を増す、所謂重層製膜を行な
うことか一般的である。また、たとえば磁性材料薄膜の
上に非磁性金属膜等の保護層を形成する場合にも重層製
膜か行なわれる。
この重層製膜を行なう方法としては、たとえば第6図に
示すように、駆動ロールaおよびa′と、基体支持体す
とを、図示した如く配置するとともに、駆動ロールaお
よびa′間を走行する非磁性基体すを基体支持体Cに巻
掛け、蒸発源dから発生する磁性材料の蒸発粒子を非磁
性基体す上に堆積させて、−回目の製膜操作を行なった
後、駆動ロールaおよびa′の回転方向を逆転させるこ
とにより非磁性基体すの走行方向を逆にして巻戻してか
ら、再度、−回目の製膜操作と同様にして製膜操作を行
なう方法(以下、繰返し法と言う。)か知られている。
示すように、駆動ロールaおよびa′と、基体支持体す
とを、図示した如く配置するとともに、駆動ロールaお
よびa′間を走行する非磁性基体すを基体支持体Cに巻
掛け、蒸発源dから発生する磁性材料の蒸発粒子を非磁
性基体す上に堆積させて、−回目の製膜操作を行なった
後、駆動ロールaおよびa′の回転方向を逆転させるこ
とにより非磁性基体すの走行方向を逆にして巻戻してか
ら、再度、−回目の製膜操作と同様にして製膜操作を行
なう方法(以下、繰返し法と言う。)か知られている。
また、第7図に示すように、非磁性基体すを送出す送出
しロールAと、非磁性基体を送出しロールAから巻取る
巻取ロールBとの間に、複数組の基体支持体Cおよび蒸
発[dを配置して、基体支持体Cおよび蒸発源dの各1
毎に製膜を行なう方法(以下、連続法と言う。)も知ら
れている。なお、第7図においてfは非磁性基体すを案
内するフリーロールである。
しロールAと、非磁性基体を送出しロールAから巻取る
巻取ロールBとの間に、複数組の基体支持体Cおよび蒸
発[dを配置して、基体支持体Cおよび蒸発源dの各1
毎に製膜を行なう方法(以下、連続法と言う。)も知ら
れている。なお、第7図においてfは非磁性基体すを案
内するフリーロールである。
しかしなから、前記繰返し法においては、使用する蒸発
源か1個であるので、たとえば磁性材料薄膜の上に非磁
性材料薄膜等の保護層を形成する場合には、磁性材料蒸
発源を非磁性材料蒸発源に換える必要かあり、操作か煩
雑であるという問題がある。また、1回の製膜操作か終
了する都度非磁性基体を巻戻さなければならないので、
重層製膜に要する時間が1回の製膜に要する時間の2倍
以上になるという問題もある。
源か1個であるので、たとえば磁性材料薄膜の上に非磁
性材料薄膜等の保護層を形成する場合には、磁性材料蒸
発源を非磁性材料蒸発源に換える必要かあり、操作か煩
雑であるという問題がある。また、1回の製膜操作か終
了する都度非磁性基体を巻戻さなければならないので、
重層製膜に要する時間が1回の製膜に要する時間の2倍
以上になるという問題もある。
一方、前記連続法においては、複数組の基体支持体およ
び蒸発源を配置しなければならないのて、装置が大型化
するという問題がある。
び蒸発源を配置しなければならないのて、装置が大型化
するという問題がある。
この発明は前記事情に基いてなされたものである。
すなわち、この発明の目的は高密度記録に好適に利用す
ることのてきる高性俺の磁気記録媒体を装置の大型化を
招かずに製造する方法、およびこの方法において好適に
使用することのできる装置を提供することにある。
ることのてきる高性俺の磁気記録媒体を装置の大型化を
招かずに製造する方法、およびこの方法において好適に
使用することのできる装置を提供することにある。
[前記課題を解決するための手段]
前記課題を解決するために、この発明者が鋭意検討を重
ねた結果、送出しロールに保持された帯状の非磁性基体
を、基体支持体を介して巻取ロールで巻き取る間に、前
記基体支持体の外周面に巻掛けた前記非磁性基体上に磁
性材料の蒸発粒子を堆積させて、前記磁性材料からなる
薄膜磁性層を前記非磁性基体上に連続的に形成する磁気
記録媒体の製造方法においては、基体支持体に対する非
磁性基体の巻掛は状態を特定のものにすると共にこの非
磁性基体に対する蒸発粒子の最小入射角を特定のものに
すると、高密度記録に好適に利用することのてきる高性
能の磁気記録媒体を装置の大型化を招かずに製造するこ
とかてき、またこの製造方法においては特定の製造装置
を好適に使用することができることを見出して、この発
明に到達した。
ねた結果、送出しロールに保持された帯状の非磁性基体
を、基体支持体を介して巻取ロールで巻き取る間に、前
記基体支持体の外周面に巻掛けた前記非磁性基体上に磁
性材料の蒸発粒子を堆積させて、前記磁性材料からなる
薄膜磁性層を前記非磁性基体上に連続的に形成する磁気
記録媒体の製造方法においては、基体支持体に対する非
磁性基体の巻掛は状態を特定のものにすると共にこの非
磁性基体に対する蒸発粒子の最小入射角を特定のものに
すると、高密度記録に好適に利用することのてきる高性
能の磁気記録媒体を装置の大型化を招かずに製造するこ
とかてき、またこの製造方法においては特定の製造装置
を好適に使用することができることを見出して、この発
明に到達した。
請求項1の発明の構成は、送出しロールに保持された帯
状の非磁性基体を、基体支持体を介して巻取りロールで
巻き取る間に、前記基体支持体の外周面に巻掛けた前記
非磁性基体上に磁性材料の蒸発粒子を堆積させて、前記
磁性材料からなる薄1摸磁性層を前記非磁性基体上に連
続的に形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
基体支持体の外周面に沿って、かつ螺旋状に前記非磁性
基体を少なくとも2回巻き回すとともに、前記非磁性基
体に対する前記蒸発粒子の最小入射角をO。
状の非磁性基体を、基体支持体を介して巻取りロールで
巻き取る間に、前記基体支持体の外周面に巻掛けた前記
非磁性基体上に磁性材料の蒸発粒子を堆積させて、前記
磁性材料からなる薄1摸磁性層を前記非磁性基体上に連
続的に形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記
基体支持体の外周面に沿って、かつ螺旋状に前記非磁性
基体を少なくとも2回巻き回すとともに、前記非磁性基
体に対する前記蒸発粒子の最小入射角をO。
より大きくすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法てあり、 請求項2の発明の構成は、帯状の非磁性基体を保持する
送出しロールと、前記送出しロールに保持された前記非
磁性基体な巻取る巻取りロールと、前記送出しロールか
ら巻取ロールへ向かつて走行する前記非磁性基体を保持
すると共に前記非磁性基体の走行方向に沿って回転可能
である基体支持体と、前記基体支持体に保持された前記
非磁性基体に向けて磁性材料の蒸発粒子を発生ずる蒸発
源とを有する磁気記録媒体の製造装置において、前記基
体支持体は前記非磁性基体を螺旋状に保持するものであ
り、前記蒸発源は前記基体支持体の鉛直方向中心面の延
長面に交わらない位置に設置すると共に、前記基体支持
体に対する前記蒸発粒子の最小入射角を調節する仕切り
板を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置で
ある。
法てあり、 請求項2の発明の構成は、帯状の非磁性基体を保持する
送出しロールと、前記送出しロールに保持された前記非
磁性基体な巻取る巻取りロールと、前記送出しロールか
ら巻取ロールへ向かつて走行する前記非磁性基体を保持
すると共に前記非磁性基体の走行方向に沿って回転可能
である基体支持体と、前記基体支持体に保持された前記
非磁性基体に向けて磁性材料の蒸発粒子を発生ずる蒸発
源とを有する磁気記録媒体の製造装置において、前記基
体支持体は前記非磁性基体を螺旋状に保持するものであ
り、前記蒸発源は前記基体支持体の鉛直方向中心面の延
長面に交わらない位置に設置すると共に、前記基体支持
体に対する前記蒸発粒子の最小入射角を調節する仕切り
板を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置で
ある。
次に、請求項1の製造方法および請求項2の製造装置の
それぞれについて詳述する。
それぞれについて詳述する。
(製造方法)
請求項1の発明の製造方法において重要な点の一つは、
非磁性基体を基体支持体に螺旋状に少なくとも2回巻回
すとともに、非磁性基体に対する蒸発粒子の最小入射角
を0°より大きくすることにある。
非磁性基体を基体支持体に螺旋状に少なくとも2回巻回
すとともに、非磁性基体に対する蒸発粒子の最小入射角
を0°より大きくすることにある。
ここて、前記非磁性基体を前記基体支持体に巻回す回数
とは、前記基体支持体に巻回した状態の前記非磁性基体
が前記蒸発源に対向する位置を通る回数を言う。したか
って、この回数が1であると、短時間のうちに効率良く
重層製膜を行なうことかてきない。
とは、前記基体支持体に巻回した状態の前記非磁性基体
が前記蒸発源に対向する位置を通る回数を言う。したか
って、この回数が1であると、短時間のうちに効率良く
重層製膜を行なうことかてきない。
また、前記螺旋状とは、たとえば第1図に示した角α(
基体支持体lの回転軸に直交する鉛直面Hと非磁性基体
2における進入側中心線L inまたは進出側中心線り
。u+ とのなす角度。ここで、進入側中心線とは、送
出しロール3から基体支持体1へ向かう非磁性基体2の
長手方向の中心線をいい、進出側中心線とは基体支持体
lから巻取ロール4へ向かう非磁性基体2の長手方向の
中心線をいう。)と、基体支持体1の半径rと、非磁性
基体2の幅文との間に、次式: %式% て表わされる関係か成り立つ状態を言う。
基体支持体lの回転軸に直交する鉛直面Hと非磁性基体
2における進入側中心線L inまたは進出側中心線り
。u+ とのなす角度。ここで、進入側中心線とは、送
出しロール3から基体支持体1へ向かう非磁性基体2の
長手方向の中心線をいい、進出側中心線とは基体支持体
lから巻取ロール4へ向かう非磁性基体2の長手方向の
中心線をいう。)と、基体支持体1の半径rと、非磁性
基体2の幅文との間に、次式: %式% て表わされる関係か成り立つ状態を言う。
前記角αは、基体支持体lと送出しロール3と巻取ロー
ル4と基体支持体とを所定の位置に配置することにより
実現する。
ル4と基体支持体とを所定の位置に配置することにより
実現する。
前記非磁性基体を基体支持体に螺旋状に巻回す回数か2
回以上であると、たとえば第1図に示すように、基体支
持体lに保持された非磁性基体2上に向けて磁性材料の
蒸発粒子を発生ずる蒸発源5を、複数使用することかて
きる。すなわち、この場合には、装置の大型化を招くこ
となく重層製膜を行なうことかてきる。
回以上であると、たとえば第1図に示すように、基体支
持体lに保持された非磁性基体2上に向けて磁性材料の
蒸発粒子を発生ずる蒸発源5を、複数使用することかて
きる。すなわち、この場合には、装置の大型化を招くこ
となく重層製膜を行なうことかてきる。
請求項1の製造方法においては、前記非磁性支持体に対
する前記蒸発粒子の最小入射角が0°よりも大きい。
する前記蒸発粒子の最小入射角が0°よりも大きい。
ここて、前記最小入射角とは、第2図に示すように、基
体支持体1に保持される非磁性基体2の磁性層形成面に
立てた法線りと前記非磁性基体2の磁性層形成面に入射
する蒸発粒子の入射方向に沿った直線mとのなず角β、
ずなわち入射角の最小値をいう。
体支持体1に保持される非磁性基体2の磁性層形成面に
立てた法線りと前記非磁性基体2の磁性層形成面に入射
する蒸発粒子の入射方向に沿った直線mとのなず角β、
ずなわち入射角の最小値をいう。
前記最小入射角がOoよりも大きくて90°に近い値で
あるほど、この発明の方法により得られる磁気記録媒体
において磁性層を形成する磁性薄膜の結晶成長方向を、
磁気記録媒体の走行方向に近ずけることがてきるのて、
電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を得ることかてきる
。すなわち、前記最小入射角かOoであると、得られる
磁気記録媒体の電磁変換特性か低下する。
あるほど、この発明の方法により得られる磁気記録媒体
において磁性層を形成する磁性薄膜の結晶成長方向を、
磁気記録媒体の走行方向に近ずけることがてきるのて、
電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を得ることかてきる
。すなわち、前記最小入射角かOoであると、得られる
磁気記録媒体の電磁変換特性か低下する。
したがって、この発明の方法においては、前記最小入射
角をなるべく大きくすることか望ましいのであるが、前
記最小入射角を大きくし過ぎると、前記蒸発粒子の蒸着
効率か低下することかある。
角をなるべく大きくすることか望ましいのであるが、前
記最小入射角を大きくし過ぎると、前記蒸発粒子の蒸着
効率か低下することかある。
この発明の方法における前記最小入射角は0゜よりも大
きく、好ましくは0°を超えて406程度である。
きく、好ましくは0°を超えて406程度である。
この発明の方法においては、前記の条件下に、前記基体
支持体に保持された前記非磁性基体上に、少なくとも、
磁性材料からなる薄膜磁性層を製膜して磁気記録媒体を
製造する。
支持体に保持された前記非磁性基体上に、少なくとも、
磁性材料からなる薄膜磁性層を製膜して磁気記録媒体を
製造する。
この発明の方法において使用に供される非磁性基体の形
成材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステ
ル類:ポリプロピレン等のポリオレフィン類;セルロー
ストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセル
ロース誘導体;ポリカーボネート等のプラスチックなど
を挙げることかてきる。さらにCu、 An、Znな
どの金属、ガラス、いわゆるニューセラミックス(例え
ば窒化ホウ素、炭化ケイ素等)等の各種セラミックスな
どを使用することもできる。
成材料としては、たとえばポリエチレンテレフタレート
、ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエステ
ル類:ポリプロピレン等のポリオレフィン類;セルロー
ストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセル
ロース誘導体;ポリカーボネート等のプラスチックなど
を挙げることかてきる。さらにCu、 An、Znな
どの金属、ガラス、いわゆるニューセラミックス(例え
ば窒化ホウ素、炭化ケイ素等)等の各種セラミックスな
どを使用することもできる。
最終的な磁気記録媒体としての前記非磁性基体の形態に
は特に制限がなく、ディスク状、カード状、テープ状、
シート状、ドラム状等のいずれてあっても良く、使用す
るレコーダーに対応させた形態にすることがてきる。
は特に制限がなく、ディスク状、カード状、テープ状、
シート状、ドラム状等のいずれてあっても良く、使用す
るレコーダーに対応させた形態にすることがてきる。
前記非磁性基体の厚みは、ディスク状あるいはカード状
の場合には、通常、20〜80gmの範囲内である。ま
た、テープ状あるいはシート状の場合には、通常、3〜
1100pの範囲内、好ましくは5〜30川mの範囲内
である。
の場合には、通常、20〜80gmの範囲内である。ま
た、テープ状あるいはシート状の場合には、通常、3〜
1100pの範囲内、好ましくは5〜30川mの範囲内
である。
前記薄膜磁性層は、たとえば、真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタリング法等の物理的蒸着法(P
VD法):プラズマCVD法、レーザー光化学蒸着法等
の物理化学的方法(ハイブリッド法);化学蒸着法(C
VD法)などの方法によって、前記基体支持体に保持さ
れた前記非磁性基体上に、前記磁性材料の蒸発粒子を堆
積させることにより形成することがてきる。
ーティング法、スパッタリング法等の物理的蒸着法(P
VD法):プラズマCVD法、レーザー光化学蒸着法等
の物理化学的方法(ハイブリッド法);化学蒸着法(C
VD法)などの方法によって、前記基体支持体に保持さ
れた前記非磁性基体上に、前記磁性材料の蒸発粒子を堆
積させることにより形成することがてきる。
使用に供される前記磁性材料としては、たとえばFe、
Co、Ni、 Gdその他の磁性金属; Fe −B
a。
Co、Ni、 Gdその他の磁性金属; Fe −B
a。
Fe−Co、 Fe −An、 Go−Ni、 Fe−
3i、 Fe−Rh、Fe−V 、、Fe−(:u、
Fe−Au、 Go−Cr、 Go−P、 Go −
V 、Go−3i、 Go−Y、 Go −La、 C
o−Pr、 Go−8ta、Go−1i、 Go−P
L、 Ni−Cu、 Go−Ni−Fe、 Fe
−八1−Ni、 Go−Ni−Ag、 Go−Ni
−Cr、 Go−Ni−Zn、 Co −Si −A
n、Fe −Si −AM 、 Mn −Bi、 Mn
−Sb、Mn−An等の合金系磁性金属などが挙げら
れる。
3i、 Fe−Rh、Fe−V 、、Fe−(:u、
Fe−Au、 Go−Cr、 Go−P、 Go −
V 、Go−3i、 Go−Y、 Go −La、 C
o−Pr、 Go−8ta、Go−1i、 Go−P
L、 Ni−Cu、 Go−Ni−Fe、 Fe
−八1−Ni、 Go−Ni−Ag、 Go−Ni
−Cr、 Go−Ni−Zn、 Co −Si −A
n、Fe −Si −AM 、 Mn −Bi、 Mn
−Sb、Mn−An等の合金系磁性金属などが挙げら
れる。
前記蒸発粒子は、たとえば前記磁性材料をるつぼに入れ
、電子ビーム加熱装置等の適宜の加熱手段を使用して前
記磁性材料を加熱することにより発生させることがてき
る。
、電子ビーム加熱装置等の適宜の加熱手段を使用して前
記磁性材料を加熱することにより発生させることがてき
る。
前記蒸発粒子を発生させるに際しての、温度および圧力
等の条件は蒸発粒子発生手段に応じて適宜に決定すれば
良い。
等の条件は蒸発粒子発生手段に応じて適宜に決定すれば
良い。
この発明の方法において、1回の製膜操作により形成さ
れる薄膜磁性層の層厚は、非磁性基体の走行速度等の条
件により異なるので一概に決定することはてきないか、
通常、0.03〜0.3JLmの範囲内である。
れる薄膜磁性層の層厚は、非磁性基体の走行速度等の条
件により異なるので一概に決定することはてきないか、
通常、0.03〜0.3JLmの範囲内である。
一方、この発明の方法により得られる磁気記録媒体に要
求される磁性層の層厚は、磁気記録媒体の用途、前記磁
性材料の種類等により異なるのて一概に決定することは
てきないが、通常、0.03〜0.6pmの範囲内であ
る。
求される磁性層の層厚は、磁気記録媒体の用途、前記磁
性材料の種類等により異なるのて一概に決定することは
てきないが、通常、0.03〜0.6pmの範囲内であ
る。
したがって、この発明の方法においては、前述の通り、
前記基体支持体への非磁性基体の巻回し回数を2以上に
するとともに、2以上の蒸発源を使用して前記非磁性基
体上への前記蒸発粒子の堆積操作を2回以上行なう所謂
重層製膜を行なって、前記範囲内にある層厚を有する薄
膜磁性層を形成することが好ましい。
前記基体支持体への非磁性基体の巻回し回数を2以上に
するとともに、2以上の蒸発源を使用して前記非磁性基
体上への前記蒸発粒子の堆積操作を2回以上行なう所謂
重層製膜を行なって、前記範囲内にある層厚を有する薄
膜磁性層を形成することが好ましい。
この発明の方法においては、前記重層製膜を行なって、
前記薄膜磁性層上に保護層を形成することもできる。
前記薄膜磁性層上に保護層を形成することもできる。
前記保護層の代表的具体例としては、薄膜非磁性層、潤
滑剤層などが挙げられる。
滑剤層などが挙げられる。
前記薄膜非磁性層を設けることにより、前記薄膜磁性層
の硬度を保障して耐摩耗性を改善するとともに、前記薄
膜磁性層を被覆して耐腐食性の向上を図ることがてきる
。
の硬度を保障して耐摩耗性を改善するとともに、前記薄
膜磁性層を被覆して耐腐食性の向上を図ることがてきる
。
前記薄膜非磁性層は、たとえば非磁性金属の薄膜、金属
化合物の非磁性薄膜などにより形成することかてきる。
化合物の非磁性薄膜などにより形成することかてきる。
前記薄膜非磁性層の形成には、前記薄膜磁性層の形成に
採用することのてきる方法と同様の方法を採用すること
かてきる。
採用することのてきる方法と同様の方法を採用すること
かてきる。
前記非磁性金属の薄膜としては、たとえばT1薄膜、Z
n薄膜、Cu薄膜、 A文薄膜、S1薄膜、Cr薄膜、
Sn薄膜、Ta薄膜等の前記非磁性金属からなる薄膜;
Ti−3i薄膜、Ti −人文薄膜、Ta−5i薄膜、
4文−Cu薄膜、TiTi−3i−薄膜等の前記非磁性
金属の合金からなる薄膜などが挙げられる。
n薄膜、Cu薄膜、 A文薄膜、S1薄膜、Cr薄膜、
Sn薄膜、Ta薄膜等の前記非磁性金属からなる薄膜;
Ti−3i薄膜、Ti −人文薄膜、Ta−5i薄膜、
4文−Cu薄膜、TiTi−3i−薄膜等の前記非磁性
金属の合金からなる薄膜などが挙げられる。
前記金属化合物の非磁性薄膜としては、たとえばAJ1
zOi薄膜、SiO2薄膜、Ta2O,薄膜、Tie□
薄膜1n02薄膜、Bi2O:+薄膜等の金属酸化物の
薄膜。
zOi薄膜、SiO2薄膜、Ta2O,薄膜、Tie□
薄膜1n02薄膜、Bi2O:+薄膜等の金属酸化物の
薄膜。
AJljN薄膜、TiN薄膜、ZrN薄膜等の金属窒化
物の薄膜; SiC薄膜、TiC薄膜、TaC薄膜、
ZrC薄膜等の金属炭化物の薄膜; MO2B薄膜、C
rJ薄膜、Ta、B、薄膜、LaB4、LaB5、MO
82等の前記金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物
以外の金属化合物の薄膜などが挙げられる。
物の薄膜; SiC薄膜、TiC薄膜、TaC薄膜、
ZrC薄膜等の金属炭化物の薄膜; MO2B薄膜、C
rJ薄膜、Ta、B、薄膜、LaB4、LaB5、MO
82等の前記金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物
以外の金属化合物の薄膜などが挙げられる。
この発明の方法においては、面記非磁性金属の薄膜およ
び前記金属化合物の非磁性薄膜のいずれか一方を単独て
形成して薄膜非磁性層としても良いし、これらの双方を
形成してその両者を薄膜非磁性層としても良い。
び前記金属化合物の非磁性薄膜のいずれか一方を単独て
形成して薄膜非磁性層としても良いし、これらの双方を
形成してその両者を薄膜非磁性層としても良い。
前記薄膜非磁性層を形成する場合に、前記薄膜非磁性層
の層厚は、通常、o、oos〜0.5uLmの範囲内に
あり、好ましくは0.01〜0.1 ルmの範囲内にあ
る。
の層厚は、通常、o、oos〜0.5uLmの範囲内に
あり、好ましくは0.01〜0.1 ルmの範囲内にあ
る。
前記潤滑剤層を設けることにより、この発明の方法によ
り得られる磁気記録媒体の走行性を向上させることがで
きるとともに、前記磁性材料薄膜磁性層の耐摩耗性およ
び耐候性を改善することかてきる。
り得られる磁気記録媒体の走行性を向上させることがで
きるとともに、前記磁性材料薄膜磁性層の耐摩耗性およ
び耐候性を改善することかてきる。
潤滑剤層の形成に用いる潤滑剤としては、たとえば脂肪
酸、脂肪酸エステル、炭化水素、脂肪族アミン、シリコ
ーンオイル、変性シリコーン化合物などが挙げられる。
酸、脂肪酸エステル、炭化水素、脂肪族アミン、シリコ
ーンオイル、変性シリコーン化合物などが挙げられる。
これらは1種単独て使用しても良いし、2種以上を組合
わせて使用しても良い。
わせて使用しても良い。
前記潤滑剤層を設ける場合に、前記潤滑剤層の層厚は、
通常、0.001〜0.0iルmの範囲内てあり、好ま
しくは0.001〜0.007 #Lmの範囲内である
。この層厚を前記範囲内にすることにより、この発明の
方法を行なって得られる磁気記録媒体において電磁変換
特性の低下を伴わずに走行性の向上を図ることがてきる
とともに前記磁性材料薄膜磁性層の耐摩耗性および耐腐
食性を改善する効果が充分に奏される。
通常、0.001〜0.0iルmの範囲内てあり、好ま
しくは0.001〜0.007 #Lmの範囲内である
。この層厚を前記範囲内にすることにより、この発明の
方法を行なって得られる磁気記録媒体において電磁変換
特性の低下を伴わずに走行性の向上を図ることがてきる
とともに前記磁性材料薄膜磁性層の耐摩耗性および耐腐
食性を改善する効果が充分に奏される。
前記潤滑剤層は、たとえば、適当な溶媒を用いて、ある
いは溶媒を用いることなく、前記の潤滑剤を前記磁性材
料薄膜磁性層上に塗布する方法により形成することかて
きる。
いは溶媒を用いることなく、前記の潤滑剤を前記磁性材
料薄膜磁性層上に塗布する方法により形成することかて
きる。
前記潤滑剤の塗布にあたっては、たとえばリバースロー
ルコーティング、クラビアロールコーティング、ワイヤ
ーバーコーティング、ドクターブレードコーチインク、
デイツプコーティング、エアーナイフコーチインク、カ
レンダーコーティング、スキーズコーティング、キスコ
ーティングおよびファンティンコーティングなどの塗布
方法を採用することができる。
ルコーティング、クラビアロールコーティング、ワイヤ
ーバーコーティング、ドクターブレードコーチインク、
デイツプコーティング、エアーナイフコーチインク、カ
レンダーコーティング、スキーズコーティング、キスコ
ーティングおよびファンティンコーティングなどの塗布
方法を採用することができる。
さらに、この発明の方法においては、前記非磁性基体の
前記薄膜磁性層を設けない面(裏面)にバックコート層
を形成しても良い。
前記薄膜磁性層を設けない面(裏面)にバックコート層
を形成しても良い。
この発明の方法により得られる磁気記録媒体は、たとえ
ば長尺状に裁断することにより、ビデオテープ、オーデ
ィオテープ等の磁気テープとして、あるいは円盤状に裁
断することにより、フロラビーティスフとして使用する
ことかてきる。
ば長尺状に裁断することにより、ビデオテープ、オーデ
ィオテープ等の磁気テープとして、あるいは円盤状に裁
断することにより、フロラビーティスフとして使用する
ことかてきる。
さらに、通常の磁気記録媒体と同様に、カート状、円筒
状などの形態ても使用することかてきる。
状などの形態ても使用することかてきる。
この発明の方法においては、次に詳述する製造装置を好
適に使用することがてきる。
適に使用することがてきる。
(製造装置)
第1図に示すように、この発明の製造装置は、少なくと
も基体支持体lと送出しロール3と巻取ロール4と蒸発
源5と蒸発源5から発生する蒸発粒子の最小入射角を調
製する仕切り板6とを有する。また、この発明の製造装
置において、2以上の蒸発源を使用する場合には、隣接
する蒸発源の間に、一方の蒸発源から発生した蒸発粒子
か他方の蒸発源の方向に飛翔するのを防ぐための整流板
7を設けることは好ましい。
も基体支持体lと送出しロール3と巻取ロール4と蒸発
源5と蒸発源5から発生する蒸発粒子の最小入射角を調
製する仕切り板6とを有する。また、この発明の製造装
置において、2以上の蒸発源を使用する場合には、隣接
する蒸発源の間に、一方の蒸発源から発生した蒸発粒子
か他方の蒸発源の方向に飛翔するのを防ぐための整流板
7を設けることは好ましい。
この発明の製造装置において重要な点の一つは、前記基
体支持体lが前記非磁性基体2を螺旋状に保持するもの
であるとともに、前記仕切り板6を有することにある。
体支持体lが前記非磁性基体2を螺旋状に保持するもの
であるとともに、前記仕切り板6を有することにある。
すなわち、前記基体支持体1は、たとえば第1図に示す
ように、前記非磁性基体2を螺旋状に保持するのに充分
な保持面幅Wを有するものである。
ように、前記非磁性基体2を螺旋状に保持するのに充分
な保持面幅Wを有するものである。
前記蒸発源には、前記磁性材料を使用する。
具体的には、前記磁性材料を例えばるつぼ等の容器に収
納して使用する。
納して使用する。
そして、前記蒸発源は、前記基体支持体の鉛直方向中心
面の延長面(第2図中、Sて示す。)に交わらない位置
に設置することか重要である。
面の延長面(第2図中、Sて示す。)に交わらない位置
に設置することか重要である。
前記蒸発源を前記基体支持体の鉛直方向中心面の延長面
に交わらない位置に設置するとともに前記仕切り板を設
けることにより、第2図に示すように、蒸発源から発生
する蒸発粒子の前記最小入射角を容易に08よりも大き
くすることができる。
に交わらない位置に設置するとともに前記仕切り板を設
けることにより、第2図に示すように、蒸発源から発生
する蒸発粒子の前記最小入射角を容易に08よりも大き
くすることができる。
前記仕切り板は、前記蒸発粒子を、その入射角度か0°
よりも大きくなるように前記基体支持体に誘導する作用
乃至機能を有する。
よりも大きくなるように前記基体支持体に誘導する作用
乃至機能を有する。
したかって、前記仕切り板の数は前記蒸発源の数に等し
いことか望ましい。
いことか望ましい。
前記仕切り板は、たとえばステンレスを使用して形成す
ることができる。
ることができる。
また、前記仕切り板に酸素吹出し口を設けて、前記仕切
り板に酸素導入口としての機能を併有させることもでき
る。
り板に酸素導入口としての機能を併有させることもでき
る。
この発明の製造装置においては、基体支持体が非磁性基
体を螺旋状に保持するものであるので、一つの基体支持
体に対して、複数の蒸発源を使用でることができる。
体を螺旋状に保持するものであるので、一つの基体支持
体に対して、複数の蒸発源を使用でることができる。
したかって、この発明の製造装置を使用して、前記重層
製膜を行なう場合には、使用に供する前記蒸発源および
前記仕切り板の数を増やすたけて良い。
製膜を行なう場合には、使用に供する前記蒸発源および
前記仕切り板の数を増やすたけて良い。
また、いずれも磁性材料からなる複数の蒸発源を使用し
て薄膜磁性層の重層製膜を行なうことにより、各薄膜磁
性層における結晶成長方向を必要に応じて種々の方向に
設定することができる。
て薄膜磁性層の重層製膜を行なうことにより、各薄膜磁
性層における結晶成長方向を必要に応じて種々の方向に
設定することができる。
薄膜磁性層10における結晶成長方向の組合わせパター
ンの具体例を、第3図〜第5図に示す。なお、第3図〜
第5図において、矢印は結晶成長方向を示す。ただし、
結晶成長方向の組合わせパターンは、これらに限定され
るものではなく、この発明の製造装置を使用して製造さ
れる磁気記録i体の用途に応じて決定することができる
。
ンの具体例を、第3図〜第5図に示す。なお、第3図〜
第5図において、矢印は結晶成長方向を示す。ただし、
結晶成長方向の組合わせパターンは、これらに限定され
るものではなく、この発明の製造装置を使用して製造さ
れる磁気記録i体の用途に応じて決定することができる
。
この発明の製造装置において、前記蒸発源を加熱するた
めの手段には、たとえば電子ビーム加熱装置などの適宜
の加熱装置を使用することができる。
めの手段には、たとえば電子ビーム加熱装置などの適宜
の加熱装置を使用することができる。
この発明の製造装置は、複数の蒸発源を使用して重層製
膜を行なう場合においても、大型化することかなく、優
れた電磁変換特性を有する高性能の磁気記録媒体を効率
良く製造することができるものである。
膜を行なう場合においても、大型化することかなく、優
れた電磁変換特性を有する高性能の磁気記録媒体を効率
良く製造することができるものである。
[実施例]
次に、この発明の実施例および比較例を示し、この発明
についてさらに具体的に説明する。
についてさらに具体的に説明する。
(実施例1)
2個の蒸発源を有する製造装置を使用して、厚み12.
57zmのポリエチレンテレフタレートからなる非磁性
基体を、基体支持体に、螺旋状に2回巻き回した状態て
速度50m/分の条件下に走行させた。
57zmのポリエチレンテレフタレートからなる非磁性
基体を、基体支持体に、螺旋状に2回巻き回した状態て
速度50m/分の条件下に走行させた。
基体支持体に保持された非磁性基体上に、まず一番目の
蒸発源から発生させたGo−Ni合金(Ni含有率20
重量%)蒸発粒子を仕切り板で誘導して最小入射角45
°の条件下に、かつ酸素を導入しつつ堆積させて、非磁
性基体上に膜厚0.l5gmのGo −Ni合金薄膜を
形成した。
蒸発源から発生させたGo−Ni合金(Ni含有率20
重量%)蒸発粒子を仕切り板で誘導して最小入射角45
°の条件下に、かつ酸素を導入しつつ堆積させて、非磁
性基体上に膜厚0.l5gmのGo −Ni合金薄膜を
形成した。
次いで、前記Go−Ni合金薄膜上に二番目の蒸発源か
ら発生させたGo−Ni合金(Ni含有率20重量%)
蒸発粒子を仕切り板で誘導して最小入射角45°の条件
下に、かつ酸素を導入しつつ堆積させて、非磁性基体上
に層厚0.15 p、 mのCo−Ni合金薄膜磁性層
を形成した。
ら発生させたGo−Ni合金(Ni含有率20重量%)
蒸発粒子を仕切り板で誘導して最小入射角45°の条件
下に、かつ酸素を導入しつつ堆積させて、非磁性基体上
に層厚0.15 p、 mのCo−Ni合金薄膜磁性層
を形成した。
なお、各蒸発源の加熱には、いずれも電子ビーム加熱装
置を使用した。
置を使用した。
次いて、非磁性基体の裏面(Go−Ni合金薄膜磁性層
を有しない面)にバックコート塗布液を塗布して層厚1
1.5pmのバックコート層を形成した後、Go−Ni
合金薄膜磁性層−Lに、オーバーコート塗布液を塗布し
て層厚0.005 g mのオーバーコート層を形成し
て磁気記録媒体の原反を製造した。
を有しない面)にバックコート塗布液を塗布して層厚1
1.5pmのバックコート層を形成した後、Go−Ni
合金薄膜磁性層−Lに、オーバーコート塗布液を塗布し
て層厚0.005 g mのオーバーコート層を形成し
て磁気記録媒体の原反を製造した。
得られた磁気記録媒体の原反を8 m m巾のテープに
裁断して8mm型ビデオテープを得た。
裁断して8mm型ビデオテープを得た。
この8 m m型ビデオテープにつき、録画・再生を行
なって、再生信号における輝度信号(白ピーク5.4M
H7,)および色信号(変調周波数743kHz)を測
定した。
なって、再生信号における輝度信号(白ピーク5.4M
H7,)および色信号(変調周波数743kHz)を測
定した。
結果を第1表に示す。
なお、輝度信号および色信号はそれぞれ次のようにして
測定した。
測定した。
輝度信号;信号発生器[シバツク社製rTG −7/1
」を使用して100%ホワイト信号を発生させ、8腸■
型ビデオデツキ[ソ ニー■製、rEV−A300. ]によりデープに記録
した。記録したテープを再生 し、再生信号電圧値を基準テープ[ソ ニー■製、’P6−90MPJ ]との比較において求
めた。
」を使用して100%ホワイト信号を発生させ、8腸■
型ビデオデツキ[ソ ニー■製、rEV−A300. ]によりデープに記録
した。記録したテープを再生 し、再生信号電圧値を基準テープ[ソ ニー■製、’P6−90MPJ ]との比較において求
めた。
色信号;信号発生器[シバツク社製rTG −7/1」
を使用して100%クロマ信号を発生させ、8■型ビデ
オデツキ[ソニー ■製、rEV−A300. ]によりテチーに記録した
。記録したテープを再生し、再 生信号電圧値を基準テープ[ソニー■ 製、rP6−90MP、 ]との比較において求めた。
を使用して100%クロマ信号を発生させ、8■型ビデ
オデツキ[ソニー ■製、rEV−A300. ]によりテチーに記録した
。記録したテープを再生し、再 生信号電圧値を基準テープ[ソニー■ 製、rP6−90MP、 ]との比較において求めた。
(実施例2)
前記実施例1において、1番目および2番目の蒸発源か
ら発生ずる蒸発粒子の最小入射角をいずれも45″から
106に変えたほかは、前記実施例1と同様にして実施
した。
ら発生ずる蒸発粒子の最小入射角をいずれも45″から
106に変えたほかは、前記実施例1と同様にして実施
した。
結果を第1表に示す。
(比較例1)
前記実施例1において、前記実施例1における製造装置
に代えて、蒸発源を基体支持体の鉛直方向中心面の延長
面に交わる位置に設置するとともに仕切り板を有さない
製造装置を使用して、基体支持体に保持された非磁性基
体に対する蒸発粒子の最小入射角をOoに設定したほか
は、前記実施例1と同様にして8 m m型ビデオテー
プを作製し、得られた8 m m型ビデオテープにつき
、再生信号における輝度信号および色信号を測定した。
に代えて、蒸発源を基体支持体の鉛直方向中心面の延長
面に交わる位置に設置するとともに仕切り板を有さない
製造装置を使用して、基体支持体に保持された非磁性基
体に対する蒸発粒子の最小入射角をOoに設定したほか
は、前記実施例1と同様にして8 m m型ビデオテー
プを作製し、得られた8 m m型ビデオテープにつき
、再生信号における輝度信号および色信号を測定した。
結果を第1表に示す。
第 1 表
(来貢、以下余白。)
(評価)
請求項1の方法により得られた磁気記録媒体は比較例の
磁気記録媒体に比較して電磁変換特性か向上しているこ
とを確認した。
磁気記録媒体に比較して電磁変換特性か向上しているこ
とを確認した。
そして、請求項2の製造装置を使用することによって、
製造装置の大型化を招くことなく、請求項1の方法を容
易に行なうことかてきた。
製造装置の大型化を招くことなく、請求項1の方法を容
易に行なうことかてきた。
[発明の効果]
この発明によると、
(1)非磁性基体を基体支持体に螺旋状に少なくとも2
回巻き回すので、複数の蒸発源を使用して重層製膜を行
なう場合にも、装置の大型化を招くことかなく、 (2)シかも、基体支持体に保持された非磁性基体に対
する蒸発粒子の最小入射角な0°にして薄膜磁性層にお
ける結晶成長方向を磁気記録媒体の走行方向に近ず番プ
ることかてきるのて、電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることかてきるとともに、 (3) 請求項1の方法において好適に使用すること
のてきる磁気記録媒体の製造装置を提供することかでき
る。
回巻き回すので、複数の蒸発源を使用して重層製膜を行
なう場合にも、装置の大型化を招くことかなく、 (2)シかも、基体支持体に保持された非磁性基体に対
する蒸発粒子の最小入射角な0°にして薄膜磁性層にお
ける結晶成長方向を磁気記録媒体の走行方向に近ず番プ
ることかてきるのて、電磁変換特性に優れた磁気記録媒
体を得ることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供す
ることかてきるとともに、 (3) 請求項1の方法において好適に使用すること
のてきる磁気記録媒体の製造装置を提供することかでき
る。
第1図は請求項2の製造装置を示す概念図であり、第2
図は同装置における基体支持体と蒸発源から発生する蒸
発粒子との関係を示す説明図てあり、第3図乃至第5図
は請求項1の製造方法において重層製膜を行なって得ら
れる磁気記録媒体における薄膜磁性層の結晶成長方向の
パターンを示す断面説明図であり、第67葛よび第7図
はそれぞれ従来の製造方法において使用される製造装置
の一例を示す説明図である。 1・・・基体支持体、2・・・非磁性基体、3・・・送
出しロール、4・・・巻取りロール、5・・・蒸発源、
6・・・仕切り板、β・・・最小入射角。
図は同装置における基体支持体と蒸発源から発生する蒸
発粒子との関係を示す説明図てあり、第3図乃至第5図
は請求項1の製造方法において重層製膜を行なって得ら
れる磁気記録媒体における薄膜磁性層の結晶成長方向の
パターンを示す断面説明図であり、第67葛よび第7図
はそれぞれ従来の製造方法において使用される製造装置
の一例を示す説明図である。 1・・・基体支持体、2・・・非磁性基体、3・・・送
出しロール、4・・・巻取りロール、5・・・蒸発源、
6・・・仕切り板、β・・・最小入射角。
Claims (2)
- (1)送出しロールに保持された帯状の非磁性基体を、
基体支持体を介して巻取りロールで巻き取る間に、前記
基体支持体の外周面に巻掛けた前記非磁性基体上に磁性
材料の蒸発粒子を堆積させて、前記磁性材料からなる薄
膜磁性層を前記非磁性基体上に連続的に形成する磁気記
録媒体の製造方法において、前記基体支持体の外周面に
沿って、かつ螺旋状に前記非磁性基体を少なくとも2回
巻き回すとともに、前記非磁性基体に対する前記蒸発粒
子の最小入射角を0゜より大きくすることを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - (2)帯状の非磁性基体を保持する送出しロールと、前
記送出しロールに保持された前記非磁性基体を巻取る巻
取りロールと、前記送出しロールから巻取ロールへ向か
って走行する前記非磁性基体を保持すると共に前記非磁
性基体の走行方向に沿って回転可能である基体支持体と
、前記基体支持体に保持された前記非磁性基体に向けて
磁性材料の蒸発粒子を発生する蒸発源とを有する磁気記
録媒体の製造装置において、前記基体支持体は前記非磁
性基体を螺旋状に保持するものであり、前記蒸発源は前
記基体支持体の鉛直方向中心面の延長面に交わらない位
置に設置すると共に、前記基体支持体に対する前記蒸発
粒子の最小入射角を調節する仕切り板を備えることを特
徴とする磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9324288A JPH01264632A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9324288A JPH01264632A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01264632A true JPH01264632A (ja) | 1989-10-20 |
Family
ID=14077048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9324288A Pending JPH01264632A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 磁気記録媒体の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01264632A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5298282A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production of magnetic recording medium |
DE102005058869A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Bändern |
JP2013161570A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Nitto Denko Corp | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
EP2646594A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-10-09 | Applied Materials, Inc. | Evaporation unit and vacuum coating apparatus |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9324288A patent/JPH01264632A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5298282A (en) * | 1992-07-24 | 1994-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production of magnetic recording medium |
DE102005058869A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Cis Solartechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Bändern |
EP2646594A1 (en) * | 2010-12-01 | 2013-10-09 | Applied Materials, Inc. | Evaporation unit and vacuum coating apparatus |
JP2013161570A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Nitto Denko Corp | 有機elデバイスの製造方法及び製造装置 |
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