JP2005129157A - 磁気記録媒体とその製造方法および製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄い磁性層上にまたは磁性層が形成されていない非磁性支持体上に直接、保護層などとして緻密なＤＬＣ膜を形成できる磁気記録媒体の製造方法、製造装置、およびこの製造方法により製造された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】長尺状の非磁性支持体１と、非磁性支持体１の一主面に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層３と、磁性層３上に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層４とを有する構成とする。あるいは、長尺状の非磁性支持体１上にスパッタリング法により形成されたＤＬＣ膜よりも緻密なＤＬＣ膜である磁性層下地層２、磁性層３、保護層４が形成され、非磁性支持体１の裏面側に磁性層下地層２と同様のバックコート下地層６、バックコート層７が形成された構成とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は磁気記録媒体とその製造方法および製造装置に関し、特に、磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）により再生する磁気記録媒体とその製造方法および製造装置に関する。

従来より、オーディオテープ、ビデオテープ等の磁気記録テープとしては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金あるいはＣｏ−Ｏ等の強磁性金属材料を、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等の真空薄膜形成方法、あるいは、メッキ等によって、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルムあるいはポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着させて磁性層を形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。

上記の磁性層が強磁性金属薄膜からなる磁気記録媒体は、抗磁力、角形比および短波長領域での電磁変換特性に優れており、さらには磁性層の厚みを極めて薄くできるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であるそのバインダー（結合剤）を混入する必要が無いため磁性材料の充填密度を高めることができること等の数々の利点を有している。

また、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案され、民生用ビデオ（８ミリＨｉ−８方式、ＤＶ方式）あるいは業務用ビデオ（ＤＶＣＡＭ）の磁気記録媒体として既に実用化されている。

図４は上記のような磁気記録媒体の従来例の断面図である。
長尺状の非磁性支持体１０１上に、磁性層１０３および保護層１０４が順次形成されてなる構成である。磁性層１０３は強磁性金属薄膜からなる。
必要に応じて、保護層１０４上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層１０５が形成されている。
また、非磁性支持体１０１の磁性層１０２が形成されている側の面と反対側の面にバックコート層１０７が形成されている。

非磁性支持体１０１の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。

磁性層１０３は、例えば真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造の強磁性金属薄膜であり、これを構成する強磁性金属材料としては、例えばＣｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金やＣｏ−Ｏなどが挙げられ、例えば真空蒸着装置を用いた斜方蒸着の手法により成膜される。

保護層１０４は、磁性層１０３を磁気ヘッドとの摺動から保護するための層であり、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜からなる。
磁気記録媒体においては、高密度化に対応してスペーシングロスを抑えるために表面は平滑化されてきているが、磁性層１０３の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるために摩擦力が増大し、磁性層１０３に生ずるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層１０３を保護するために保護層１０４は重要である。

潤滑剤層１０５は、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動を滑らかにし、耐久性、走行性を左右する重要な役割をはたし、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して形成される。

バックコート層１０７は、非磁性支持体１０１の表面の電気抵抗を下げて帯電による走行不良を防止し、非磁性支持体１０１の耐久性を上げ、使用中における傷つき等の発生を防ぎ、また、テープ間の摩擦を小さくする等の目的から設けられるものであり、テープの走行性、耐久性を向上させるには、このバックコート層１０７の形成が必須となる。
バックコート層１０７は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を塗布して形成される。あるいは、カーボンをターゲットとしたスパッタリング法によりＤＬＣ膜がバックコート層として用いられる。

上記の保護層１０４は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法あるいはスパッタリング法により形成される。この形成方法と装置について、以下に説明する。

図５は、上記の保護層１０４を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の模式図である。
このプラズマＣＶＤ装置は、真空排気系５１、真空チャンバ５２、送りロール５３、巻取りロール５４、対向電極用キャン５６、ガイドロール５７，５８、反応管５９、電極６０、および、ＤＣ電源６１を有する。

頭部に設けられた真空排気系５１によって内部が高真空状態となされた真空チャンバ５２内に、図面上、反時計回り方向に定速回転する送りロール５３と、同様に反時計回り方向に定速回転する巻取りロール５４が設けられ、これら送りロール５３から巻取りロール５４に、非磁性支持体５５が順次走行するようになされている。

これら送りロール５３から巻取りロール５４側に上記非磁性支持体５５が走行する中途部には、上記各送りロール５３および巻取りロール５４の径よりも大径となされた対向電極用キャン５６が設けられている。
この対向電極用キャン５６は、上記非磁性支持体５５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール５３、巻取りロール５４および対向電極用キャン５６は、それぞれ非磁性支持体５５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。

従って、非磁性支持体５５は、送りロール５３から順次送り出され、さらに対向電極用キャン５６の周面を通過し、巻取りロール５４に巻き取られていくようになされている。なお、送りロール５３と対向電極用キャン５６との間および該対向電極用キャン５６と巻取りロール５４との間にはそれぞれガイドロール（５７，５８）が配設され、送りロール５３から対向電極用キャン５６および対向電極用キャン５６から巻取りロール５４にわたって走行する非磁性支持体５５に所定のテンションをかけ、非磁性支持体５５が円滑に走行するようになされている。

また、真空チャンバ５２内には、対向電極用キャン５６の下方に耐熱ガラス、石英ガラスあるいはセラミックス等よりなる反応管５９が設けられている。この反応管５９は、一方の端部が真空チャンバ５２の底部を貫通しており、この端部から成膜ガスが反応管５９内に導入されるようになっている。また、この反応管５９内の中途部には、金属メッシュ等よりなる電極６０が取り付けられている。この電極６０は、外部に配設されたＤＣ電源６１と接続されており、５００〜２０００Ｖの電圧が印加されるようになっている。

このプラズマＣＶＤ装置により保護層を形成するには、対向電極用キャン５６の外周面上を走行する非磁性支持体５５に予め形成された強磁性金属薄膜である磁性層を電極とし、磁性層と電極６０間に所定の電圧を印加してグロー放電を発生させ、このグロー放電により反応管内に導入され炭化水素系の成膜ガスを分解し、磁性層上に被着させて形成する。

図６は、上記の保護層１０４を形成するためのマグネトロンスパッタリング装置の模式図である。
このスパッタリング装置は、真空チャンバ７１、真空排気系７２、バルブ７３、ガス導入管７４、冷却キャン７５、ターゲット７６、バッキングプレート７７、マグネット７８、送りロール７９、および、巻取りロール８０を有する。

真空チャンバ７１内が真空排気系７２により、例えば約１０〜４Ｐａ程度にまで減圧された後、真空排気系７２側へ排気するバルブ７３の角度を絞ることにより排気速度を落とすとともに、ガス導入管７４からＡｒガスを導入して、真空度が例えば約０．８Ｐａとされる。

また、真空チャンバ７１内に、例えば、−２０℃に冷却され図中矢印方向に回転する冷却キャン７５と、この冷却キャン７５と対向配置されるターゲット７６とがそれぞれ設けられている。ターゲット７６は保護層の材料となるものであり、例えばカーボンが用いられる。また、ターゲット７６はカソード電極を構成するバッキングプレート７７に支持されており、バッキングプレート７７の裏側には磁場を形成するマグネット７８が配設されている。

また、このマグネトロンスパッタ装置は、回転自在とされた送りロール７９と、図示しない駆動源により回転駆動される巻取りロール８０が設けられ、これら送りロール７９から巻取りロール８０に、非磁性支持体８１が順次走行するようになされている。
これら送りロール７９から巻取りロール８０側に非磁性支持体８１が走行する中途部に上述の冷却キャン７５が配設されており、非磁性支持体８１は送りロール７９から順次送り出され、さらに冷却キャン７５の周面を通過し、巻取りロール８０へと図中矢印方向に連続走行させる。

このマグネトロンスパッタ装置により保護膜を形成する際は、先ず、ガス導入管７４からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン７５をアノード、バッキングプレート７７をカソードとして約３０００Ｖの電圧を印加し、約１．４Ａの電流が流れる状態を保つようにする。
そして、この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズマ化し、電離されたイオンがターゲット７６に衝突することにより、ターゲット７６の原子がはじき出される。このとき、バッキングプレート７７の裏側に配置されたマグネット７８によりターゲット７６の近傍に磁場が形成されるので、電離されたイオンはターゲット７６の近傍に集中されることになる。
そして、このターゲット７６からはじき出された原子は、送りロール７９から図中矢印方向に繰り出されて冷却キャン７５の外周面に沿って走行する非磁性支持体８１の磁性層上に付着して、保護膜が形成される。
保護膜が形成された非磁性支持体は、巻取りロール８０へと巻き取られる。

例えば特許文献１に、上記のような磁気記録媒体の製造方法の例が開示されている。
特許第３１３００６７４号公報

しかしながら、上記のプラズマＣＶＤ法による製造方法では、強磁性金属薄膜からなる磁性層を電極として用いているため、磁性層の厚みが薄くなると抵抗値の上昇を伴うため、磁性層とＣＶＤ反応管内のメッシュ状の電極との間に所定の電圧を印加することが困難となる。特に磁性層の厚みが１００ｎｍ以下になると顕著である。

また、上記のプラズマＣＶＤ法においては上述のように磁性層を電極として用いているため、絶縁体である非磁性支持体上に直接ＤＬＣ膜を形成することはできない。
スパッタリング法により非磁性支持体上に直接ＤＬＣ膜を形成することは可能であるが、プラズマＣＶＤ法により形成された膜よりも膜質が疎であるため、水分の透過を防止できるような緻密なＤＬＣ膜を非磁性支持体上に直接形成できる技術が望まれている。

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、従って本発明は、磁性層の膜厚が薄くなっても、あるいは磁性層が形成されていない非磁性支持体上に直接、保護層などとして、プラズマＣＶＤ法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜と同程度に緻密な膜を形成することができる磁気記録媒体の製造方法、これを形成するための製造装置、並びにこの製造方法により製造された磁気記録媒体を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、前記磁性層上に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体は、磁性層上に、炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層が原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法によって形成されている。

上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層と、前記磁性層下地層上に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と磁性層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層が形成されている。

上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層と、前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、前記バックコート下地層上に形成されたバックコート層とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層が形成された裏面側において、非磁性支持体とバックコート層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層が形成されている。

上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層と、前記磁性層下地層上に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層と、前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、前記バックコート下地層上に形成されたバックコート層とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と磁性層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層が形成されており、また、非磁性支持体の磁性層が形成された裏面側において、非磁性支持体とバックコート層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層が形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、前記磁性層上に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層を形成する工程とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体の一主面に磁性層を形成し、その上層に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層を形成する。

また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程と、前記磁性層下地層上に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、前記磁性層上に保護層を形成する工程とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成し、その上層に磁性層と保護層を形成する。

また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、前記磁性層上に保護層を形成する工程と、前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、前記バックコート下地層上にバックコート層を形成する工程とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体に磁性層と保護層を形成し、磁性層形成面の反対側の面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成し、その上層にバックコート層を形成する。

また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程と、前記磁性層下地層上に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、前記磁性層上に保護層を形成する工程と、前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、前記バックコート下地層上にバックコート層を形成する工程とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成し、その上層に磁性層と保護層を形成する。また、磁性層形成面の反対側の面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成し、その上層にバックコート層を形成する。

また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造装置は、非磁性支持体上に少なくとも磁性層と保護層を順次積層してなる磁気記録媒体を製造するための製造装置であって、真空チャンバと、前記真空チャンバ外に設けられた光源と、前記真空チャンバ内に設けられた非磁性支持体の走行系と、前記真空チャンバ内に原料ガスを導入する原料ガス導入管と、前記真空チャンバに設けられ、前記原料ガスを分解するように前記光源からの光を前記真空チャンバ内に入射させる光透過窓と、前記真空チャンバ内側における前記光透過窓の表面近傍に窓部付着防止用のガスを流す窓部付着防止ガス導入管とを有する。

上記の本発明の磁気記録媒体の製造装置は、真空チャンバの外部に光源が設けられ、内部に非磁性支持体の走行系が設けられている。原料ガス導入管により真空チャンバ内に原料ガスを導入し、光透過窓から光源からの光を真空チャンバ内に入射させると、原料ガスが分解され、光アシスト化学気相成長により成膜がなされる。
ここで、真空チャンバ内側における光透過窓の表面近傍に窓部付着防止用のガスを流すために窓部付着防止ガス導入管が設けられている構成となっている。

本発明の磁気記録媒体は、磁性層の膜厚が薄くなっても、あるいは磁性層が形成されていない非磁性支持体上に直接、保護層などとして、プラズマＣＶＤ法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜（ＤＬＣ膜）と同程度に緻密なＤＬＣ膜が形成された磁気記録媒体である。

本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、磁気記録媒体を製造するときに、磁性層の膜厚が薄くなっても、あるいは磁性層が形成されていない非磁性支持体上に直接、保護層などとして、プラズマＣＶＤ法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜と同程度に緻密な膜を形成することができる。

本発明の磁気記録媒体の製造装置によれば、Ａｒガスなどの窓部付着防止ガスを真空チャンバー内側の光透過窓の表面近傍にフローすることで炭素膜が成膜されることを防止する構成とすることにより、長時間、安定に、炭素膜および水素含有炭素膜を形成することができる。

以下に、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。

第１実施形態
図１は本実施形態に係る磁気記録媒体（磁気テープ）の断面図である。
長尺状の非磁性支持体１上に、磁性層下地層２、磁性層３および保護層４が順次形成されてなる構成である。磁性層３は強磁性金属薄膜からなる。
保護層４上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層５が形成されている。
また、非磁性支持体１の磁性層２が形成されている側の面と反対側の面にバックコート下地層６およびバックコート層７が形成されている。

非磁性支持体１としては、従来の磁気テープにおいて用いられている公知の材料をいずれも適用できる。例えば、ポリエステル系が主に用いられているが、ポリエステルとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリ−１，４−シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタリンジカルボキシレート、ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエートなどが挙げられる。特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）が好ましい。また、これらのポリエステルはホモポリエステルであってもコポリエステルであってもよい。
非磁性支持体１の厚みは例えば４〜１５μｍ程度であり、特定のマット面とフィラー面を有する。

磁性層３は、真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造の単層の強磁性金属薄膜である。
例えば真空蒸着装置を用いた斜方蒸着の手法により、真空下で強磁性金属材料を加熱蒸発させ、得られた金属材料の蒸気を走行させた長尺状の非磁性支持体１の一主面側に対して斜めに角度をもって入射させ、磁性体微粒子を堆積させて強磁性金属薄膜を成膜する。このような斜方蒸着の製法は、成膜性が良好で、生産性が高く、操作も容易であるという利点を有している。
磁性層２を形成する真空蒸着装置としては、従来より知られている装置を好ましく用いることができる。

磁性層３を構成する強磁性金属材料としては、この種の磁気記録媒体の作製に通常用いられる従来公知の金属材料や磁性合金をいずれも適用可能である。
例えば、Ｃｏ、ＣｏＮｉとその酸化物、ＣｏＣｒＴａ／Ｃｒの積層体、ＣｏＣｒＰｔ／Ｃｒの積層体、ＣｏＣｒＰｔＴａ／Ｃｒの積層体、ＣｏＰｔＳｉＯ₂ ／Ｃｒの積層体、ＣｏＰｔＢ−Ｏ／Ｃｒの積層体、ＣｏＮｉＰｔＣｒ／Ｃｒの積層体、ＣｏＦｅＯ／Ｃｒの積層体、ＣｏＣｒＴａ層、ＣｏＣｒＰｔ層、ＣｏＣｒＰｔＴａ層、ＣｏＰｔＳｉＯ₂ 層、ＣｏＰｔＢ−Ｏ層、ＣｏＮｉＰｔＣｒ層、ＣｏＦｅＯ層などを用いることができる。

磁性層３は、厚みが２０〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。１００ｎｍ以下にまで薄膜化すると、従来方法では保護層の膜質が低下して保護層としての機能が劣化してしまうが、本実施形態では後述のように高い膜質の保護層を形成することができる。また、２０ｎｍより薄膜となると、磁性層自体が耐久性が劣化しやすく、保護層で保護しきれなくなってくる。
磁性層３の保磁力は、例えば１００〜２５０ｋＡ／ｍの範囲であり、ＭＲヘッドを用いた磁気記録システムに対応した磁性層となっていることが好ましい。

保護層４は、磁性層３を磁気ヘッドとの摺動から保護するための層であり、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜からなる。
本実施形態においては、保護層４を構成するＤＬＣ膜は、原料ガスの分解に光を用いる光アシストＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）装置を用いたＣＶＤ法によって形成される。

保護層４の厚みは、好ましくは４〜２５ｎｍ程度である。
４ｎｍ未満では、保護層としての機能が低下して実質的に磁性層を保護できなくなってくる。２５ｎｍより厚くしても保護能力が向上するわけではないので、スペーシングのロスとなるだけである。

潤滑剤層５は、走行性を良好にするために設けられ、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤からなる。

非磁性支持体１の磁性層３が形成されている側の面と反対側の面に形成されているバックコート層７は、走行性の向上や帯電防止等を目的として形成された層である。
バックコート層７の厚みは好ましくは０．２〜０．７μｍ程度である。バックコート層７は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練してバックコート層用塗料を調製し、塗布して形成される。あるいは、カーボンをターゲットとしたスパッタリング法により形成されたＤＬＣ膜がバックコート層として用いられる。

本実施形態の磁気記録媒体においては、非磁性支持体１と磁性層３の間に磁性層下地層２が形成され、また、非磁性支持体１とバックコート層７の間にバックコート下地層６が形成されている。磁性層下地層２およびバックコート下地層６はともにＤＬＣ膜により構成されており、磁気記録媒体への水分の透過を防止して錆の発生などを防止する目的、あるいはその他の目的で設けられている。
上記の磁性層下地層２およびバックコート下地層６を構成するＤＬＣ膜は、保護層４と同様、原料ガスの分解に光を用いる光アシストＣＶＤ装置を用いたＣＶＤ法によって形成される。
磁性層下地層２およびバックコート下地層６は、本実施形態においては必ずしも必要ではなく、必要に応じて形成することができる。

磁性層下地層２およびバックコート下地層６の厚みは、それぞれ、好ましくは４〜５０ｎｍである。
４ｎｍ未満では、水分の透過などを防止する機能が低下してしまう。５０ｎｍより厚くしても水分透過防止能力が向上するわけではないので、スペーシングのロスとなるだけである。

上述の本実施形態の磁気記録媒体は信号を高密度に記録することが可能であり、再生用の磁気ヘッドとしてＡＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドを用いた磁気記録テープシステム用の磁気記録媒体として好適である。

本実施形態に係る磁気記録媒体においては、光アシストＣＶＤ法により形成された保護層を有している。光アシストＣＶＤ法では、従来のプラズマＣＶＤ法のように磁性層を電極として用いていないため、磁性層の膜厚が例えば２０〜１００ｎｍ程度にまで薄くなっても緻密で膜質の高いＤＬＣ膜（炭素膜あるいは水素含有炭素膜）を成膜することができ、これを保護層として用いることによりスチル耐久性やシャトル耐久性などの耐久性を向上させることができる。

また、本実施形態に係る磁気記録媒体においては、光アシストＣＶＤ法により形成された磁性層下地層やバックコート下地層を有している。上記の理由により光アシストＣＶＤ法では絶縁体である非磁性支持体上に直接、スパッタリング法により形成されたＤＬＣ膜よりも緻密なＤＬＣ膜を形成することができ、これを磁性層やバックコート層の下地層として用いることにより磁気記録媒体への水分の透過を防止して錆の発生などを抑制することができる。

上記の保護層４は、光アシストＣＶＤ法により形成される。この形成方法と装置について、以下に説明する。
図２は、上記の保護層４を形成するための光アシストＣＶＤ装置の模式図である。
この光アシストＣＶＤ装置は、真空排気系１１、真空チャンバ１２、送りロール１３、巻取りロール１４、冷却キャン１６、ガイドロール１７，１８、フード１９、フランジ２０、ビューポート２１、エキシマランプ２２、交流電源２３、原料ガス導入管２４、および窓部付着防止ガス導入管２５を有する。

この光アシストＣＶＤ装置は、側面部に設けられた真空排気系１１によって内部が高真空状態となされた真空チャンバ１２内に、反時計回りの方向に定速度で回転する送りロール１３と巻取りロール１４とが設けられ、これら送りロール１３から巻取りロール１４に、非磁性支持体１５が順次走行するようになされている。

これら送りロール１３から巻取りロール１４側に非磁性支持体１５が走行する途中部には、送りロール１３および巻取りロール１４の径よりも大径の冷却キャン１６が設けられている。この冷却キャン１６は、非磁性支持体１５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速度で回転する構成とされている。尚、上記送りロール１３、巻き取りロール１４、および冷却キャン１６は、それぞれ非磁性支持体１５の幅と同じ長さからなる円筒状をなすものである。また、冷却キャン１６には、内部に図示しない冷却機構が設けられ、外部の図示しない冷却装置により冷却キャン１６は冷却されており、非磁性支持媒体１５の温度上昇による変形等を抑制し得るようになされている。

従って、非磁性支持体１５は、送りロール１３から順次送り出され、さらに冷却キャン１６の周面を通過し、巻取りロール１４に巻取られていくようになされている。尚、送りロール１３と冷却キャン１６との間および冷却キャン１６と巻取りロール１４との問には、それぞれガイドロール１７，１８が配設され、送りロール１３から冷却キャン１６および冷却キャン１６から巻取りロール１４にわたって走行する非磁性支持体１５に所定のテンションをかけ、非磁性支持体１５が円滑に走行するようになされている。

また、上記真空チャンバ１２内には、ステンレスよりなるフード１９が設けられ、図示しない上下機構を有したフランジ２０には石英ガラスのビューポート２１が設けられ、ビューポート２１の大気側にエキシマランプ２２が取り付けられている。エキシマランプには、交流電源２３がつながれている。原料ガス導入管２４は真空チャンバ１２の底部およびフード１９の側面を貫通して設けられ、外部より原料ガスが供給できるようになっている。

また、フランジ２０に貫通してＡｒガスなどの窓部付着防止ガスを導入する窓部付着防止ガス導入管２５が設けられ、真空チャンバ１２内においてビューポート２１の石英ガラス表面に向かってＡｒガスをフローする構造となっている。このことにより、石英ガラス上に炭素膜が成膜されることを防止する。
このようにＡｒガスをフローすることで石英ガラス上に炭素膜が成膜されることを防止する構成とすることより、長時間、安定に、炭素膜および水素含有炭素膜を形成することができる。

この光アシストＣＶＤ装置では、エキシマランプにより中心波長１７２ｎｍのエキシマ光を発光させ、石英ガラスを通してフォトンエネルギーを真空チャンバ１２に送り込む。フード１９内に導入された原料ガスはフォトンネエネルギーによって分解され、非磁性支持体１５上に被着されることになる。

上記の磁性層３は、斜方蒸着法により形成される。この形成方法と装置について、以下に説明する。
図３は、上記の磁性層３を形成するための斜方蒸着装置の模式図である。
この斜方蒸着装置は、真空排気系３１、真空チャンバ３２、送りロール３３、巻取りロール３４、冷却キャン３６、ガイドロール３７，３８、ルツボ３９、金属磁性材料４０、電子銃４１、シャッタ４２、および酸素ガス導入管４３を有する。

頭部と低部にそれぞれ設けられた真空排気系３１から排気されて内部が真空状態となされた真空チャンバ３２内に、図中の反時計回り方向に定速回転する送りロール３３と、図中の時計回り方向に定速回転する巻取りロール３４とが設けられ、これら送りロール３３から巻取りロール３４にテープ状の非磁性支持体３５が順次走行するようになされている。

これら送りロール３３から巻取りロール３４側に非磁性支持体３５が走行する中途部には、各送りロール３３および巻取りロール３４の径よりも大径となされた冷却キャン３６が設けられている。この冷却キャン３６は、非磁性支持体３５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。尚、上記送りロール３３、巻取りロール３４、及び、冷却キャン３６は、それぞれ非磁性支持体３５の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、また、冷却キャン３６には、内部に図示しない冷却装置が設けられ、非磁性支持体３５の温度上昇による変形等を抑制し得るようになされている。

従って、非磁性支持体３５は、送りロール３３から順次送り出され、さらに上記冷却キャン３６の周面を通過し、巻取りロール３４に巻取られていくようになされている。尚、送りロール３３と記冷却キャン３６との間および冷却キャン３６と巻取りロール３４との問にはそれぞれガイドロール３７，３８が配設され、送りロール３３から冷却キャン３６および冷却キャン３６から巻取りロール３４にわたって走行する非磁性支持体３５に所定のテンションをかけ、非磁性支持体３５が円滑に走行するようになされている。

また、真空チャンバ３２内には、冷却キャン３６の下方にルツボ３９が設けられ、このルツボ３９内に金属磁性材料４０が充填されている。このルツボ３９は、冷却キャン３６の長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。

一方、真空チャンバ３２の側壁部には、ルツボ３９内に充填された金属磁性材料４０を加熱蒸発させるための電子銃４１が取り付けられる。この電子銃４１は、電子銃４１より放出される電子線Ｘが上記ルツボ３９内の金属磁性材料４０に照射されるような位置に配設される。そして、この電子銃４１によって蒸発した金属磁性材料４０が冷却キャン３６の周面を定速走行する非磁性支持体３５上に磁性層として被着形成されるようになっている。

また、冷却キャン３６とルツボ３９との間であって冷却キャン３６の近傍には、シャッタ４２が配設されている。このシャッタ４２は、冷却キャン３６の周面を定速走行する非磁性支持体３５の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ４２により、蒸発せしめられた金属磁性材料４０が非磁性支持体３５に対して所定の角度範囲（例えば１０〜４５°）で斜めに蒸着されるようになっている。さらに、このような蒸着に際し、上記真空チャンバ３２の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入管４３を介して非磁性支持体３５の表面に酸素ガスが供給され、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られている。

本実施形態の磁気記録媒体の製造方法について説明する。本実施形態の磁気記録媒体は、図２の光アシストＣＶＤ装置および図３の斜方蒸着装置を用いて製造される。
例えば、まず、ポリエチレンナフタレートからなる１５０ｍｍ幅の非磁性支持体１上に、図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法により磁性層下地層２を形成し、その上層に図３に示す斜方蒸着装置を用いて磁性層３を形成する。
次に、磁性層３の上層に、再び図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法により保護層４を形成する。
次に、非磁性支持体１の磁性層３が形成された裏面側の表面に、図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法によりバックコート下地層６を形成し、さらにカーボンをターゲットとしたスパッタリング法によりＤＬＣ膜を成膜してバックコート層７とする。
次に、所望の幅（例えば６．３５ｍｍ幅）裁断し、保護層の表面にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して潤滑剤層５を形成する。
以上で、図１に示す磁気記録媒体を形成することができる。
なお、磁性層下地層２やバックコート下地層６を形成しない場合には、これらの工程を省略し、非磁性支持体１上に直接磁性層３やバックコート層７を形成することで対応できる。

上記の本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法によれば、光アシストＣＶＤ法により保護層を形成しており、光アシストＣＶＤ法では、磁性層の膜厚が例えば２０〜１００ｎｍ程度にまで薄くなっても緻密で膜質の高いＤＬＣ膜（炭素膜あるいは水素含有炭素膜）を成膜することができ、スチル耐久性やシャトル耐久性などの耐久性を向上させることができる。

また、本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法によれば、光アシストＣＶＤ法により磁性層下地層やバックコート下地層を形成しており、磁気記録媒体への水分の透過を防止して錆の発生などを抑制することができる。

第２実施形態
本実施形態に係る磁気記録媒体は第１実施形態と同様の構成であり、図１を参照して説明する。
長尺状の非磁性支持体１上に、磁性層下地層２、磁性層３および保護層４が順次形成されてなる構成である。磁性層３は強磁性金属薄膜からなる。
保護層４上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層５が形成されている。
また、非磁性支持体１の磁性層２が形成されている側の面と反対側の面にバックコート下地層６およびバックコート層７が形成されている。

ここで、非磁性支持体１上に、磁性層下地層２、磁性層３、バックコート下地層６およびバックコート層７の構成は第１実施形態と同様であるが、保護層４については第１実施形態と異なり、図５に示すプラズマＣＶＤ装置あるいは図６に示すスパッタリング装置によりＤＬＣ膜を成膜して保護層４とする。

本実施形態に係る磁気記録媒体においては、光アシストＣＶＤ法により形成された磁性層下地層やバックコート下地層を有している。光アシストＣＶＤ法では絶縁体である非磁性支持体上に直接、スパッタリング法により形成されたＤＬＣ膜よりも緻密なＤＬＣ膜を形成することができ、これを磁性層やバックコート層の下地層として用いることにより磁気記録媒体への水分の透過を防止して錆の発生などを抑制することができる。

本実施形態の磁気記録媒体は以下のように製造される。
例えば、まず、ポリエチレンナフタレートからなる１５０ｍｍ幅の非磁性支持体１上に、図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法により磁性層下地層２を形成し、その上層に図３に示す斜方蒸着装置を用いて磁性層３を形成する。
次に、磁性層３の上層に、図５に示すプラズマＣＶＤ装置あるいは図６に示すスパッタリング装置によりＤＬＣ膜を成膜して保護層４とする。
次に、非磁性支持体１の磁性層３が形成された裏面側の表面に、図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法によりバックコート下地層６を形成し、さらにカーボンをターゲットとしたスパッタリング法によりＤＬＣ膜を成膜してバックコート層７とする。
次に、所望の幅（例えば６．３５ｍｍ幅）裁断し、保護層の表面にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して潤滑剤層５を形成する。
以上で、図１に示す磁気記録媒体を形成することができる。
なお、磁性層下地層２とバックコート下地層６のうちのいずれか一方を図２に示す光アシストＣＶＤ装置を用いた光アシストＣＶＤ法により形成すればよく、いずれか他方を他の手法により形成することも可能である。あるいは、いずれか他方を省略してもよい。

上記の本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法によれば、光アシストＣＶＤ法により磁性層下地層やバックコート下地層を形成しており、磁気記録媒体への水分の透過を防止して錆の発生などを抑制することができる。

（第１実施例）
上記の第１実施形態に示す構成の磁気記録媒体において、表１に示す構成および条件により、磁気テープ試料（実施例１〜実施例３）を作成した。
即ち、ポリエチレンナフタレートからなる１５０ｍｍ幅の非磁性支持体上に、インゴット：Ｃｏ １００重量％、入射角：４５〜１０°、導入ガス：酸素ガス、酸素導入量：３．３×１０^-6ｍ³ ／秒、蒸着時真空度：２×１０^-2Ｐａ、という条件で磁性層を形成した。
次に、成膜条件Ａとして、光アシストＣＶＤ法により、Ｃ₂ Ｈ₄ を原料ガスとして１００ｓｃｃｍの流量とし、圧力０．０６Ｐａとして、ＤＬＣ膜を成膜し、保護層を形成した。
次に、非磁性支持体の磁性層が形成された裏面側の表面にカーボンをターゲットとしたスパッタリング法によりＤＬＣ膜を形成し、バックコート層とした。
次に、所望の幅（例えば６．３５ｍｍ幅）裁断し、保護層の表面にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を塗布して潤滑剤層を形成した。

また、表１に示す構成および条件により、磁気テープ試料（比較例１〜比較例４）を作成した。
上記と同様であるが、保護層を形成する条件が、成膜条件Ｂとして、プラズマＣＶＤ法により、Ｃ₂ Ｈ₄ を原料ガスとして１００ｓｃｃｍの流量とし、圧力１０Ｐａ、ＤＣ電圧１．５ｋＶとして、ＤＬＣ膜を成膜した。
磁性層下地層およびバックコート下地層を形成する場合には、それぞれ上記成膜条件Ａにより形成した。

上記のようにして得られた磁気テープ試料（実施例１〜実施例３および比較例１〜比較例４）について、スチル耐久性および繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）の試験を行った。
スチル耐久性およびシャトル耐久性の測定には、デッキに市販のソニー社製デジタルビデオ（ＶＸ−１０００）を改造し、ＭＲヘッドを搭載したものを用いた。

スチル耐久性では、デジタルビデオカセットに１０分長の磁気テープを組み込み、１分間記録した後、巻き戻しを行い、３０秒再生した時点で一時停止を行い、出力をモニタリングし、一時停止した初期の出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）になる時間を測定した。スチル耐久性の評価のランク付けは、◎が６０分以上、○が３０分以上６０分未満、△が１５分以上３０分未満、×が１５分未満、とした。スチル耐久性評価における測定環境は、０℃０％ＲＨである。

また、シャトル耐久性では、デジタルビデオカセットに６０分長の磁気テープを組み込み、１分間記録した後、巻き戻しを行い、１分間再生し、その時の出力を初期出力とした。その後、１回だけ全長記録を行い、繰り返し再生を行い、出力をモニタリングしながら走行させ、上記の初期出力に対し、出力が半分（−６ｄＢ）になる走行繰り返し回数（パス回数）を測定した。シャトル耐久性の評価のランク付けは、◎が１００パス以上、○が８０パス以上１００パス未満、△が５０パス以上８０パス未満、×が５０パス未満、とした。シャトル耐久性評価における測定環境は、４０℃８０％ＲＨである。

表１に示すように、保護層を成膜条件Ｂにより形成する場合は磁性層の膜厚が１００ｎｍから薄くなるとスチル耐久性やシャトル耐久性などの耐久性の劣化が激しいが、成膜条件Ａに変更することで耐久性が向上し、特に磁性層の膜厚が１００ｎｍ未満の領域においても高い耐久性を実現できる。
但し、成膜条件Ａに変更しても保護層の膜厚が３ｎｍの場合では、保護層としての機能が十分ではなく、耐久性を確保することはできない。

（第２実施例）
上記第１実施例と同様に、表２に示す構成および条件により、磁気テープ試料（実施例２、実施例４〜実施例１９）を作成した。
磁性層下地層およびバックコート下地層を形成する場合には、それぞれ上記成膜条件Ａにより形成した。

上記のようにして得られた磁気テープ試料（実施例２、実施例４〜実施例１９）について、スチル耐久性および繰り返し走行耐久性（シャトル耐久性）の試験、ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験（磁化劣化率試験）、高温高湿環境下の錆試験（磁化劣化率試験）の測定を行なった。
スチル耐久性およびシャトル耐久性の実験条件は第１実施例と同様である。

ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験は、磁気テープをＳＯ₂ ガス１ｐｐｍ、５０℃８０％ＲＨ中に１０時間保存し、その前後での磁化量の劣化率で評価した。
磁化量の劣化率は、〔（保存前の磁化量）−（保存後の磁化量）／（保存前の磁化量）〕×１００（％）で示す。
ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験（磁化劣化率試験）の評価のランク付けは、◎が５％以下、○が１０％以下５％より大きい、△が１５%以下１０％より大きい、×が１５％より大きい、とした。

高温高湿環境下の錆試験は、磁気テープを６５℃９０％ＲＨ中に６日間保存し、その前後での磁化量の劣化率で評価した。
高温高湿環境下の錆試験（磁化劣化率試験）の評価のランク付けは、◎が５％以下、○が１０％以下５％より大きい、△が１５%以下１０％より大きい、×が１５％より大きい、とした。

表２に示すように、成膜条件Ａによる磁性層下地層およびバックコート下地層が形成されていない実施例２の試料では、ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験（磁化劣化率試験）、高温高湿環境下の錆試験（磁化劣化率試験）に関して高い性能は得られていない。
これに対して、磁性層下地層およびバックコート下地層のうちの少なくともいずれか一方を好ましくは４ｎｍ以上の膜厚で形成することで、ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験（磁化劣化率試験）と高温高湿環境下の錆試験（磁化劣化率試験）の結果を非常に向上させることが可能となる。
また、磁性層下地層およびバックコート下地層をそれぞれ２０ｎｍずつ設けている場合、磁性層の膜厚が２０〜１００ｎｍの範囲において、また、保護層の膜厚が４〜２５ｎｍの範囲において、スチル耐久性、シャトル耐久性、ＳＯ₂ ガス雰囲気の錆試験、および、高温高湿環境下の錆試験の全てに関して高い品質が得られるという結果が得られた。

本発明は上記の実施の形態に限定されない。
磁性層は、斜法蒸着による強磁性金属薄膜の単層からなる構成や複数層からなる構成とすることができる。また、斜法蒸着以外の手法による強磁性金属薄膜や、その他の構成の磁性層とすることも可能である。
また、再生用の磁気ヘッドは、ＡＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドの他、その他の種類の磁気ヘッドを用いることも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

本発明の磁気記録媒体とその製造方法および製造装置は、オーディオ用磁気テープ、ビデオ用磁気テープなどの磁気テープに適用できる。

図１は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。 図２は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造装置（光アシストＣＶＤ装置）の模式図である。 図３は本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造装置（斜方蒸着装置）の模式図である。 図４は従来例に係る磁気記録媒体の断面図である。 図５は従来例に係る磁気記録媒体の製造装置（プラズマＣＶＤ装置）の模式図である。 図６は従来例に係る磁気記録媒体の製造装置（スパッタリング装置）の模式図である。

符号の説明

１，１０１…非磁性支持体、２…磁性層下地層、３，１０３…磁性層、４，１０４…保護層、５，１０５…潤滑剤層、６…バックコート下地層、７，１０７…バックコート層、１１，３１，５１，７２…真空排気系、１２，３２，５２，７１…真空チャンバ、１３，３３，５３，７９…送りロール、１４，３４，５４，８０…巻取りロール、１５，３５，５５，８１…非磁性支持体、１６，３６，７５…冷却キャン、１７，１８，３７，３８，５７，５８…ガイドロール、１９…フード、２０…フランジ、２１…ビューポート、２２…エキシマランプ、２３…交流電源、２４…原料ガス導入管、２５…窓部付着防止ガス導入管、３９…ルツボ、４０…金属磁性材料、４１…電子銃、４２…シャッタ、４３…酸素ガス導入管、５６…対向電極用キャン、５９…反応管、６０…電極、６１…ＤＣ電源、７３…バルブ、７４…ガス導入管、７６…ターゲット、７７…バッキングプレート、７８…マグネット。

Claims (15)

1. 長尺状の非磁性支持体と、
   前記非磁性支持体の一主面に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、
   前記磁性層上に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層と
   を有する磁気記録媒体。
2. 前記非磁性支持体と磁性層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層をさらに有する
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、前記バックコート層上に形成されたバックコート層をさらに有する
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 前記非磁性支持体と磁性層の間に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層をさらに有し、
   前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、前記バックコート層上に形成されたバックコート層をさらに有する
   請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 長尺状の非磁性支持体と、
   前記非磁性支持体の一主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層と、
   前記磁性層下地層上に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、
   前記磁性層上に形成された保護層と
   を有する磁気記録媒体。
6. 長尺状の非磁性支持体と、
   前記非磁性支持体の一主面に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、
   前記磁性層上に形成された保護層と、
   前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、
   前記バックコート下地層上に形成されたバックコート層と
   を有する磁気記録媒体。
7. 長尺状の非磁性支持体と、
   前記非磁性支持体の一主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層と、
   前記磁性層下地層上に形成された強磁性金属薄膜を有する磁性層と、
   前記磁性層上に形成された保護層と、
   前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に形成され、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により形成された炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層と、
   前記バックコート下地層上に形成されたバックコート層と
   を有する磁気記録媒体。
8. 長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、
   前記磁性層上に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である保護層を形成する工程と
   を有する磁気記録媒体の製造方法。
9. 前記磁性層を形成する工程の前に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程をさらに有し、
   前記磁性層を形成する工程においては、前記磁性層下地層上に前記磁性層を形成する
   請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
10. 前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、
    前記バックコート層上にバックコート層を形成する工程とをさらに有する
    請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
11. 前記磁性層を形成する工程の前に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程をさらに有し、
    前記磁性層を形成する工程においては、前記磁性層下地層上に前記磁性層を形成し、
    前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、
    前記バックコート層上にバックコート層を形成する工程とをさらに有する
    請求項８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
12. 長尺状の非磁性支持体の一主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程と、
    前記磁性層下地層上に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、
    前記磁性層上に保護層を形成する工程と
    を有する磁気記録媒体の製造方法。
13. 長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、
    前記磁性層上に保護層を形成する工程と、
    前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、
    前記バックコート下地層上にバックコート層を形成する工程と
    を有する磁気記録媒体の製造方法。
14. 長尺状の非磁性支持体の一主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜である磁性層下地層を形成する工程と、
    前記磁性層下地層上に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、
    前記磁性層上に保護層を形成する工程と、
    前記非磁性支持体の前記磁性層が形成された主面の反対側の主面に、原料ガスの分解に光を用いる光アシスト化学気相成長法により炭素膜あるいは水素含有炭素膜であるバックコート下地層を形成する工程と、
    前記バックコート下地層上にバックコート層を形成する工程と
    を有する磁気記録媒体の製造方法。
15. 非磁性支持体上に少なくとも磁性層と保護層を順次積層してなる磁気記録媒体を製造するための製造装置であって、
    真空チャンバと、
    前記真空チャンバ外に設けられた光源と、
    前記真空チャンバ内に設けられた非磁性支持体の走行系と、
    前記真空チャンバ内に原料ガスを導入する原料ガス導入管と、
    前記真空チャンバに設けられ、前記原料ガスを分解するように前記光源からの光を前記真空チャンバ内に入射させる光透過窓と、
    前記真空チャンバ内側における前記光透過窓の表面近傍に窓部付着防止用のガスを流す窓部付着防止ガス導入管と
    を有する磁気記録媒体の製造装置。
    

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