JP2003346319A - 磁気記録媒体と磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 繰り返して摺動を行なった場合においても磁
性層と保護層との間の剥がれの発生を防止できる磁気記
録媒体とその製造法を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体１上に、磁性層２と、カー
ボン保護層４とを有してなる金属薄膜型の磁気記録媒体
１０において、磁性層２の表層の金属酸化層２ａの膜厚
を５ｎｍ以下にする。磁性層の真空蒸着、金属酸化層の
イオンガンによるエッチング、ＣＶＤによるカーボン保
護膜形成を、外部空気から遮断した環境下で連続的に行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、金属薄膜型の磁性
層を有する磁気記録媒体およびその製造方法に係る。

【０００２】

【従来の技術】従来、高密度磁気記録化に対応可能な磁
気記録媒体としては、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｃｒ系
合金、Ｃｏ−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真
空薄膜形成技術によって、ポリエステルフィルムやポリ
アミド、ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に、直
接被着した、いわゆる金属薄膜型の磁気記録媒体が提案
されている。

【０００３】このような金属薄膜型の磁気記録媒体は、
抗磁力や角形比等の磁気特性に優れ、また、磁性層を極
めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変
換特性に優れ、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小
さく、更には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中
に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強
磁性金属粒子の充填密度を高めることができる等、種々
の利点を有している。このような利点を有していること
から、金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度磁気記録の主
流となっている。

【０００４】また、電磁変換特性を向上させ、より大き
な出力を得ることができるようにするために、金属磁性
材料を斜め方向から蒸着することによって磁性層を形成
する、いわゆる斜方蒸着型の磁気記録媒体が実用化され
ている。

【０００５】ところで金属薄膜型の磁気記録媒体におい
ては、高密度記録化に対応してスペーシングロスの低減
化を図るために、磁性層表面が一層平滑化される傾向に
ある。しかし、磁性層の表面の平滑化が進むと、それに
伴い磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるため、摩
擦力が増大し、磁性層に生じるせん断応力が大きくな
る。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するた
めに、磁性層上には、保護層を形成することが重要であ
る。

【０００６】上述したように、磁性層の表面を保護する
ための保護層としては、例えばカーボン膜や石英（Ｓｉ
Ｏ₂）膜、ジルコニア（ＺｒＯ₂）膜等を適用することが
できる。特にカーボン膜のうちでも特にダイヤモンド構
造を有する硬質カーボン膜（いわゆるダイヤモンドライ
クカーボン膜）が保護層として有効であり、現在広く実
用化されている。

【０００７】上記硬質カーボン膜を成膜する方法として
は、例えばスパッタリング法、あるいはプラズマＣＶＤ
法が挙げられる。このうちスパッタリング法において
は、Ａｒ等のスパッタガスを電場や磁場を利用して電離
（プラズマ化）し、加速することでターゲット表面に衝
突させる。そしてプラズマ粒子が衝突したターゲットか
らはターゲット原子がはじき出され、このはじき出され
た原子が被処理体上に堆積することでスパッタ膜が形成
される。

【０００８】しかし、上記スパッタリング法によって硬
質カーボン膜を形成した場合、膜形成速度が一般に遅
く、工業的見地からは生産性に劣るという問題を有して
いる。一方、プラズマＣＶＤ法においては、膜の原料と
なる原料ガスを、電場の発生したプラズマのエネルギー
によって分解あるいは合成等の化学反応を起こさせ、こ
の化学反応の結果生成された反応物を被処理体に堆積さ
せることによって、ＣＶＤ膜を形成する。このプラズマ
ＣＶＤ法は、上記スパッタリング法に比べて膜形成速度
が速いという利点を有している。このため、上記硬質カ
ーボン膜の成膜方法として期待されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで現在のデジタ
ル記録用の蒸着テープ等の磁気記録媒体を構成する磁性
層としては、酸素を導入しながら成膜する、いわゆる部
分酸化型の金属磁性薄膜が形成されている。このような
磁性層上に保護層として硬質カーボン膜を形成した構成
の磁気記録媒体においては、繰り返し使用によって保護
層と磁性層との間に剥がれが発生し摺動特性が劣化する
という問題を有している。すなわち磁気記録媒体を走行
させた時、いわゆるシャトル走行におけるレベルダウン
現象に伴う画質劣化やスチル特性時のクロッグ現象を生
じ、正常な動作が行われなくなるという問題を生じてい
る。上述したような各種問題を引き起こす原因である磁
性層と保護層との間の剥がれの発生は、磁性層を部分酸
化型の金属磁性薄膜として形成する際に表面に酸化度の
高い金属酸化層が形成され、これがカーボン保護層との
親和性が低いということに起因している。

【００１０】そこで本発明者らは上記問題点に鑑みて鋭
意研究を重ねた結果、安定した正常な走行再生を行うこ
とが可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供する
こととした。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、非磁性支持体上に、磁性層とカーボン保護層とを有
してなる金属薄膜型の磁気記録媒体であり、特に磁性層
の表層に形成される金属酸化層の膜厚を５ｎｍ以下にし
たものとする。

【００１２】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁
性支持体上に、真空薄膜形成技術によって磁性層を形成
する第１の工程と、磁性層の表層の金属酸化層を除去す
る第２の工程と、磁性層上に、カーボン保護層を形成す
る第３の工程とを有し、上記第１〜第３の工程を、外部
空気から遮断した環境下で連続的に行うものとする。

【００１３】本発明の磁気記録媒体および磁気記録媒体
の製造方法によれば、磁性層とカーボン保護層との密着
性が保たれ、繰り返して摺動を行った場合においてもカ
ーボン保護層と磁性層との間に剥がれの発生を防止で
き、シャトル走行におけるレベルダウン現象に伴う画質
劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の発生を効果的に
回避でき、安定した正常な走行再生を行うことが可能な
磁気記録媒体が得られる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体の構
造および製造工程について具体的な例を挙げて説明する
が、本発明は、以下に示す例に限定されるものではな
い。

【００１５】図１に本発明の磁気記録媒体の一例の概略
断面図を示す。磁気記録媒体１０は、非磁性支持体１上
に、金属磁性薄膜よりなる磁性層２、およびカーボン保
護層４が形成された構成を有している。磁性層２の表層
には、成膜の際に形成された金属酸化層２ａを有してお
り、本発明においては、金属酸化層２ａの膜厚（図１中
ｘ）を特に５ｎｍ以下に規定した。カーボン保護層４上
には潤滑剤層５が形成されてなり、磁性層２形成面側と
は反対側に、バックコート層６が形成されている。

【００１６】以下、本発明の磁気記録媒体１０を構成す
る各層について詳細に説明する。非磁性支持体１には、
通常、磁気テープの基体として用いられている公知の材
料をいずれも適用できる。例えば、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリエチレン２，６−ナフタリンジカルボキシレ
ート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等
のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、
ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等を
挙げることができる。

【００１７】非磁性支持体１の磁性層形成面側には、バ
インダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤等を含有する
塗料によりコーティング層を形成し、これにより表面に
微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりする
ことができる。バインダー樹脂には、例えば水性ポリエ
ステル樹脂、水性アクリル樹脂、水性ポリウレタン樹脂
等が挙げられる。フィラーの種類としては、耐熱性ポリ
マーからなる粒子、二酸化ケイ素、炭酸カルシウム等が
挙げられる。

【００１８】磁性層２は強磁性金属材料の部分酸化型の
金属磁性膜として形成されており、単層膜であっても多
層膜であってもよい。この磁性層２を形成する強磁性金
属材料としては、従来公知の金属の単体、あるいは複合
体をいずれも使用することができ、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ
等の強磁性金属、ＣｏＮｉ，ＦｅＣｏ，ＦｅＣｏＮｉ，
ＣｏＣｒ，ＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔ，Ｃｏ
ＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ等の材料、またはこれらの
材料に１種類あるいは２種類以上のその他の元素を含有
させたものが挙げられる。

【００１９】非磁性支持体１と磁性層２との間、および
磁性層２を多層膜とする場合においては各層間には、付
着力の向上、並びに抗磁力の制御、磁性層２の防食性向
上等の目的で各種下地層や中間層等の機能層を形成して
もよい。

【００２０】磁性層２は、真空下で強磁性材料を加熱蒸
発させ、非磁性支持体１上に付着させる真空蒸着法や、
強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティ
ング法や、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術に
よって形成することができる。

【００２１】図２に磁性層２を成膜する蒸着装置１００
の一例の概略図を示す。この蒸着装置１０においては、
排気口２１、２２から排気されて真空状態となされた真
空室１１内に、送りロール１３と巻き取りロール１４と
が設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次
走行するようになされている。

【００２２】これら送りロール１３と巻き取りロール１
４との間において、非磁性支持体１が走行する途中に
は、冷却キャン１５が設けられている。この冷却キャン
１５には、冷却装置（図示せず）が設けられ、周面を走
行する非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制
している。

【００２３】非磁性支持体１は、送りロール１３から順
次送り出され、さらに冷却キャン１５周面を通過して巻
き取りロール１４に巻き取られていくようになされてい
る。なお、ガイドロール１６および１７により非磁性支
持体１には、所定のテンションがかけられ、円滑に走行
するようになされている。

【００２４】真空室１１内には、冷却キャン１５の下方
にルツボ１８が設けられており、ルツボ１８内には、金
属磁性材料よりなる成膜材料１９が充填されている。一
方、真空室１１の側壁部には、ルツボ１８内に充填され
た成膜材料１９を加熱蒸発させるための電子銃２０が設
けられている。この電子銃２０は、これより放出される
電子線Ｂが、ルツボ内１８内の成膜材料１９に照射され
るような位置に配置されている。そして、この電子線Ｂ
の照射によって蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１
の表面に被着して、磁性層２の形成がなされる。

【００２５】また、冷却キャン１５とルツボ１８との間
であって、冷却キャン１５の近傍には、シャッター２３
が、冷却キャン１５の周面を走行する非磁性支持体１の
所定領域を覆う形で配置されており、このシャッター２
３により、蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１に対
して所定の入射角度範囲で斜めに蒸着するようになされ
ている。

【００２６】さらに、磁性層２の蒸着に際し、真空室１
１の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管２
４により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給され
るようになされ、磁性層２の磁気特性、耐久性、および
耐候性の向上が図られている。

【００２７】上述したように、磁性層２形成工程におい
ては酸素ガスを供給するので、磁性層２の表層には酸化
度の高い金属酸化層２ａが形成される。本例において
は、この金属酸化層２ａの構成原子のうち、酸素の原子
比率（Ｏ／Ｃｏ）は０．５以上、すなわち酸素原子の含
有率が５０％以上であるものとした。この金属酸化層２
ａは、後工程において磁性層２上に形成するカーボン保
護層４との親和性が低く、最終的に得られる磁気記録媒
体の磁性層２とカーボン保護層４との間の剥離発生の原
因となる。このため、磁性層２の成膜工程後には表面を
エッチングして削除することとし、特に本発明において
は、この金属酸化層２ａの膜厚を５ｎｍ以下に低減化さ
せた。

【００２８】図３にエッチング装置２００の概略構成図
を示す。このエッチング装置２００は、磁性層２が形成
された非磁性支持体１（以下、被処理体３１とする）を
連続走行させながら、磁性層２表面に形成された金属酸
化層２ａを除去するものである。このエッチング装置２
００においては、排気手段３３によって内部排気がなさ
れた真空チャンバー３２内において、被処理体３１が、
定速回転する巻き出しロール３４から巻き取りロール３
５に向かって順次走行するようになされている。被処理
体３１が巻き出しロール３４から巻き取りロール３５に
向かって走行する中途部には、回転支持体３７が図３中
矢印Ａ方向に定速回転するように設けられている。ま
た、巻き出しロール３４と回転支持体３７との間、およ
び回転支持体３７と巻き取りロール３５との間には、そ
れぞれガイドロール３６が配設されており、走行する被
処理体３１に適当なテンションを与え、走行を円滑化し
ている。

【００２９】また、回転支持体３７に対向してイオンガ
ン３８が配置されている。なお本例においてはイオンガ
ン３８を単数配置した場合について示すが、生産性等種
々の工業的見地から複数個配置することもできる。イオ
ンガン３８はガス導入管３９に連結されてなり、このガ
ス導入管３９からエッチングガスが導入するようになさ
れている。またイオンガン３８は電源３０に接続されて
なり、この電源３０により供給される電力によってプラ
ズマ化したエッチング粒子ｐが、被処理体３１上に衝突
することによって磁性層２表面の金属酸化層２ａを除去
する。この金属酸化層２ａは可能な限り除去することが
望ましいが、生産性その他の工業的な問題から完全に除
去することが困難な場合があるので、本発明においては
特に金属酸化層２ａが５ｎｍ以下になるように除去し
た。

【００３０】上述のようにして金属酸化層２ａを除去し
た後、磁性層２上に、良好な耐蝕性および走行耐久性を
確保するためにカーボン保護層４を形成する。このカー
ボン保護層４は硬質カーボン膜であり、ダイヤモンド構
造を有するカーボン膜、いわゆるダイヤモンドライクカ
ーボン膜であるものとする。すなわちカーボンには、グ
ラファイト構造を有するもの、ダイヤモンド構造を有す
るもの等が知られているが、ラマン分光スペクトル分析
によって構造を解析することができる。ここで言うダイ
ヤモンドライクカーボン膜とは、少なくとも一部がダイ
ヤモンド構造を有するものであり、ラマン分光スペクト
ルにおいてダイヤモンド構造に由来するピークが観測さ
れるものである。通常はグラファイト構造に由来するピ
ークとともに、ダイヤモンド構造に由来するピークの観
測がなされる。

【００３１】カーボン保護層４は、例えば図４に示すプ
ラズマＣＶＤ連続膜形成装置５０を用いてＣＶＤ法によ
って形成することができる。炭素化合物をプラズマ中で
分解して成膜するＣＶＤ法は、耐磨耗性、耐蝕性、表面
被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率をもつ
ダイヤモンドライクカーボン膜を、極めて薄層に安定し
て成膜することができる。原料ガスとしては、エチレ
ン、プロパン等の気体、トルエン、キシレン等の液体を
気化させた炭化水素ガスを適用することができる。これ
らの炭化水素ガスは単体、または複合状態で用いられ、
また、プラズマ生成時には、炭素化合物の分解を促進す
るためのガスとして、Ａｒ，Ｎ₂ 等の非炭化水素ガスが
導入されていてもよい。

【００３２】図４に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置
３００は、排気系４３から排気されて真空状態となされ
た真空室４２内に、巻き出しロール４４と、巻き取りロ
ール４５とが設けられ、これら巻き出しロール４４と巻
き取りロール４５との間に、非磁性支持体１上に磁性層
２が形成され金属酸化層２ａが除去された被処理体４１
が順次走行するようになされている。これら巻き出しロ
ール４４から巻き取りロール４５に向かって被処理体４
１が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用
キャン４７が設けられている。

【００３３】被処理体４１は、巻き出しロール４４から
順次送り出され、対向電極用キャン４７の周面を通過
し、巻き取りロール４５に巻き取られていくようになさ
れている。なお、巻き出しロール４４と対向電極用キャ
ン４７との間、および対向電極用キャン４７と巻き取り
ロール４５との間には、それぞれガイドロール４６が配
置され、被処理体４１に所定のテンションをかけ、被処
理体４１が円滑に走行するようになされている。

【００３４】また、対向電極用キャン４７に対向して、
例えばパイレックスガラス(登録商標）、プラスチック
等よりなる反応管４８が設けられている。この反応管４
８においては、ガス導入口４９から成膜用ガスが内部に
導入されるようになされている。また、反応管４８内に
は、平板状の放電電極５０が組み込まれている。この放
電電極５０には、外部に配設された直流電源５１によ
り、例えば５００〜２０００Ｖの電位が印加されるよう
になされている。

【００３５】上述した構成のプラズマＣＶＤ連続膜形成
装置３００においては、放電電極５０に電圧が印加され
ることで、放電電極５０と対向電極用キャン４７との間
にプラズマが発生する。そして、反応管４８内に導入さ
れた成膜用ガスは、生じたプラズマのエネルギーによっ
て分解および化学的結合がなされ、被処理体４１上に被
着する。

【００３６】放電電極５０は、ガスが透過しやすく、且
つ電界を均一にかけることができ、柔軟性を有するもの
が望ましく、例えばメッシュ状となされているものが好
適である。放電電極５０の材料としては、例えば銅が挙
げられるが、その他導電性を有する金属を適宜用いるこ
とができ、ステンレスや真鍮、金等も適用可能である。

【００３７】なお、上述したように本発明の磁気記録媒
体１０は、非磁性支持体１上に、真空薄膜形成技術によ
って磁性層２を形成する工程（第１の工程）と、磁性層
２の表層の金属酸化層２ａを除去する工程（第２の工
程）と、その後磁性層２上に、カーボン保護層３を形成
する工程（第３の工程）とを経て作製することができる
が、磁性層２の表層に再度金属酸化層２ａが形成される
ことを回避するため、上記第１〜第３の工程を外部空気
から遮断した環境下、例えば同一チャンバー内や、外部
から遮断された搬送路によって次工程へと送り込まれる
ような環境下で連続的に行うものとする。

【００３８】本発明の磁気記録媒体１０においては、必
要に応じて磁性層２の形成面側とは反対側にバックコー
ト層６を形成したり、カーボン保護層４上に潤滑剤層５
を形成したりしてもよい。この場合、バックコート層６
や潤滑剤層５形成用材料としては、非磁性顔料、樹脂結
合剤等、従来公知の材料を適宜用いることができる。

【００３９】

【実施例】次に、本発明の磁気記録媒体１０について、
具体的な例を挙げて説明するが、本発明の磁気記録媒体
は、以下の例に限定されるものではない。なお、以下に
示す磁気記録媒体１０を作製する際には、磁性層２の表
面の金属酸化層２ａの除去工程と、カーボン保護層４の
形成工程とを、同一のチャンバー内で連続的に行った。

【００４０】図１に示した磁気記録媒体１０の非磁性支
持体１として、厚さ６μｍのポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）フィルムを用意し、この非磁性支持体１上
に、磁性層２を図２に示した蒸着装置１００を用いて以
下の条件で形成した。 （蒸着条件） 成膜材料 ：Ｃｏ１００ｗｔ％ 入射角 ：４５°〜９０° 導入ガス ：酸素ガス 酸素導入量 ：２．０×１０^-2Ｐａ 磁性層の膜厚：２００ｎｍ

【００４１】磁性層２形成後、表層面には厚さ１０ｎｍ
程度の表面酸化層２ａが形成されていることが確認され
た。

【００４２】次に、以下の条件により図３に示したエッ
チング装置２００を用いて表面酸化層２ａの除去を行
い、表面酸化層２ａの膜厚の低減化を図った。この工程
により、表面酸化層２ａの膜厚が５ｎｍ（実施例１）、
３ｎｍ（実施例２）、０ｎｍ（実施例３）、１０ｎｍ
（比較例１）、７ｎｍ（比較例２）のそれぞれのサンプ
ルを作製した。 （エッチング条件） 導入ガス ：ＣＨＦ₃ エッチング時真空度：５Ｐａ

【００４３】次に、以下の条件により図４に示したプラ
ズマＣＶＤ連続膜形成装置３００を用いてカーボン保護
層４を形成した。 （ＣＶＤ条件） 導入ガス：エチレン／アルゴン混合ガス １５０ｓｃｃ
ｍ（アルゴン混合率：２０ｖｏｌ％） 反応圧力：３０Ｐａ 投入電力：＋１．２ｋＶ カーボン保護層の膜厚：５ｎｍ

【００４４】次に、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤
を用いて潤滑剤層５を形成し、カーボン系のバックコー
ト層６を形成し、目的とする磁気記録媒体１０を得た。

【００４５】上述のようにして作製した実施例１〜３、
比較例１、２のサンプル磁気記録媒体の特性評価を行っ
た。特性評価は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、
摩擦試験のそれぞれについて下記に示す方法により行っ
た。なお、シャトル走行試験、スチル耐久試験において
は、ＤＶＣカムコーダーＤＣＲ ＶＸ−７００（ソニー
社製）を使用した。

【００４６】（シャトル走行試験）４０℃、３０％ＲＨ
環境下で１０分間１回記録した後、９９回再生させ、１
００ｐａｓｓ目の初期出力に対する出力をｄＢ表示し
た。 （スチル耐久試験）−５℃の環境下でスチル状態のまま
保持し、初期出力に対して−３ｄＢになる時間を表示し
た。 （摩擦試験）４０℃、８０％ＲＨの環境下で摺動摩擦試
験を用いて行い、摩擦係数を表示した。上記各特性評価
の結果を下記〔表１〕に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】上記〔表１〕に示すように、磁性層２の表
面に形成された金属酸化層２ａの膜厚を５ｎｍ以下に低
減化させた実施例１〜実施例３の磁気記録媒体において
は、シャトル走行試験、スチル耐久試験、および摩擦試
験のいずれにおいても実用上良好な結果が得られた。一
方において金属酸化層２ａの膜厚が５ｎｍよりも厚いも
のとした比較例１、２の磁気記録媒体においては、シャ
トル走行試験においては−３ｄＢ以上の低下が確認され
実用上望ましくないものであることがわかった。またス
チル試験に関しては短時間で出力低下が確認され、摩擦
試験に関しては、厳しい使用条件下で摩擦が高く実用上
望ましくないものであることがわかった。

【００４９】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、磁性層
２の表面の金属酸化層２ａの膜厚を５ｎｍ以下に低減化
させたものとしたことにより、磁性層２とカーボン保護
層４との密着性が向上し、繰り返して摺動を行った場合
においてもカーボン保護層４と磁性層２との間に剥がれ
の発生を防止でき、シャトル走行におけるレベルダウン
現象に伴う画質劣化や、スチル特性時のクロッグ現象の
発生を効果的に回避でき、安定した正常な走行再生を行
うことが可能となった。

【００５０】本発明の磁気記録媒体の製造方法によれ
ば、磁性層２の形成工程後、磁性層２の表面に形成され
た金属酸化層２ａを除去する工程を行い、この膜厚を５
ｎｍ以下に低減化させることとしたことにより、磁性層
２とカーボン保護層４との密着性の向上が図られ、繰り
返して摺動を行った場合においてもカーボン保護層４と
磁性層２との間に剥がれの発生を防止でき、シャトル走
行におけるレベルダウン現象に伴う画質劣化や、スチル
特性時のクロッグ現象の発生を効果的に回避でき、安定
した正常な走行再生を行うことが可能な磁気記録媒体が
得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の概略構成図を示す。

【図２】磁性層形成用の蒸着装置の概略構成図を示す。

【図３】金属酸化層除去用のエッチング装置の概略構成
図を示す。

【図４】カーボン保護層形成用のプラズマＣＶＤ連続膜
形成装置の概略図を示す。

【符号の説明】

１……非磁性支持体、２……磁性層、２ａ……金属酸化
層、４……カーボン保護層、５……潤滑剤層、６……バ
ックコート層、１０……磁気記録媒体、１１……真空
室、１３……送りロール、１４……巻き取りロール、１
５……冷却キャン、１６，１７……ガイドロール、１８
……ルツボ、１９……成膜材料、２０……電子銃、２
１，２２……排気口、２３……シャッター、２４……酸
素ガス導入管、３０……電源、３１……被処理体、３２
……真空チャンバー、３３……排気手段、３４……巻き
出しロール、３５……巻き取りロール、３６……ガイド
ロール、３７……回転支持体、３８……イオンガン、３
９……ガス導入管、４１……被処理体、４２……真空
室、４３……排気系、４４……巻き出しロール、４５…
…巻き取りロール、４６……ガイドロール、４７……対
向電極用キャン、４８……反応管、４９……ガス導入
口、５０……放電電極、５１……電源、１００……蒸着
装置、２００……エッチング装置、３００……プラズマ
ＣＶＤ連続膜形成装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 5/72 Ｇ１１Ｂ 5/72 5/84 5/84 Ｂ Ｚ (72)発明者 尾崎 知恵 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA06 BA12 BA24 BA25 BA26 BA43 BB02 BC06 BD11 CA01 CA02 EA01 4K030 BA27 BA28 CA07 CA12 FA01 HA04 LA20 5D006 BB01 BB06 BB07 EA03 FA05 FA09 5D112 AA05 AA07 AA22 BB05 BC05 FA02 FA09 GA20

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に、磁性層とカーボン保
   護層とを有してなる金属薄膜型の磁気記録媒体であっ
   て、 上記磁性層の表層に形成された金属酸化層の膜厚が、５
   ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 上記金属酸化層を構成する酸素の原子比
   率は、５０％以上であることを特徴とする請求項１に記
   載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性支持体上に、真空薄膜形成技術に
   よって磁性層を形成する第１の工程と、 上記磁性層の表層の金属酸化層を除去する第２の工程
   と、 上記磁性層上に、カーボン保護層を形成する第３の工程
   とを有し、 上記第１〜第３の工程を、外部空気から遮断した環境下
   で連続的に行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。