JP2000248365A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロールInfo
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐アーク特性を有し、形成する薄膜の損傷を
防止しつつ、安定に成膜する薄膜形成装置および薄膜形
成方法ならびに案内ガイドロールを提供する。 【解決手段】 真空槽と、真空槽中で、プラズマを発生
させる手段と、真空槽へのガス導入手段と、真空槽中で
被処理体を巻回支持して走行させる案内ガイドロ−ル１
とを具備したプラズマＣＶＤ装置などの薄膜形成装置に
おいて、案内ガイドロール１の被処理体に摺接する外周
面が、案内ガイドロール１の幅方向の両端部に導電体２
と、中央部に絶縁体３とを有する。
防止しつつ、安定に成膜する薄膜形成装置および薄膜形
成方法ならびに案内ガイドロールを提供する。 【解決手段】 真空槽と、真空槽中で、プラズマを発生
させる手段と、真空槽へのガス導入手段と、真空槽中で
被処理体を巻回支持して走行させる案内ガイドロ−ル１
とを具備したプラズマＣＶＤ装置などの薄膜形成装置に
おいて、案内ガイドロール１の被処理体に摺接する外周
面が、案内ガイドロール１の幅方向の両端部に導電体２
と、中央部に絶縁体３とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ反応を利用
した薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイ
ドロールに関し、さらに詳しくは、案内ガイドロールを
用いて形成される薄膜の膜特性に特徴を有する薄膜形成
装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロールに関
する。
した薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイ
ドロールに関し、さらに詳しくは、案内ガイドロールを
用いて形成される薄膜の膜特性に特徴を有する薄膜形成
装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成装置および薄膜形成方法を応用
した分野のうち情報記録の領域では、特に情報記録媒体
に用いられる、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録
媒体上に形成される保護層がある。これらの保護層で
は、保護層を形成する工程の高スループット化ととも
に、これにより形成された保護層の高耐摩耗性が求めら
れている。以下、薄膜形成装置および薄膜形成方法を磁
気テープなどの磁気記録媒体に適用した例について説明
する。
した分野のうち情報記録の領域では、特に情報記録媒体
に用いられる、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録
媒体上に形成される保護層がある。これらの保護層で
は、保護層を形成する工程の高スループット化ととも
に、これにより形成された保護層の高耐摩耗性が求めら
れている。以下、薄膜形成装置および薄膜形成方法を磁
気テープなどの磁気記録媒体に適用した例について説明
する。
【０００３】従来より、磁気記録媒体としては、非磁性
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
【０００４】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタ法およびイオンプレーティング
法等）によってポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなど
のフイルム状の非磁性体上に直接被着した、いわゆる金
属薄膜型の磁気記録層を有する磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタ法およびイオンプレーティング
法等）によってポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなど
のフイルム状の非磁性体上に直接被着した、いわゆる金
属薄膜型の磁気記録層を有する磁気記録媒体が提案され
注目を集めている。
【０００５】ところで、近年金属薄膜型の磁気記録層か
らなるいわゆる蒸着テープと呼ばれる磁気テープは、デ
ジタルビデオカセットレコーダー等の用途や、ＡＩＴ
（ソニー社商品名：Advanced Intelligence Tape）等の
データストリーマー用途等への利用の広がりを見せてお
り、この中で磁気テープの保護層の膜特性の向上が切に
望まれている。
らなるいわゆる蒸着テープと呼ばれる磁気テープは、デ
ジタルビデオカセットレコーダー等の用途や、ＡＩＴ
（ソニー社商品名：Advanced Intelligence Tape）等の
データストリーマー用途等への利用の広がりを見せてお
り、この中で磁気テープの保護層の膜特性の向上が切に
望まれている。
【０００６】以下に、金属薄膜型の磁気記録層を有する
磁気記録媒体の一例について、磁気記録媒体の概略断面
図である図３を参照して説明する。磁気テープなどの磁
気記録媒体４は、ポリエステルフィルムなどの非磁性支
持体５に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属またはＦ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れか１種を含む強磁性合金などの金
属薄膜型の磁気記録層７が、真空蒸着法、スパッタ法お
よびイオンプレーティング法などの薄膜形成法で形成さ
れる。これらは、単層膜でも、多層膜であってもよい。
さらに、必要に応じて、下塗り層６、硬質カーボン系な
どの保護層８、潤滑剤層９、およびバックコート層１０
が形成される。
磁気記録媒体の一例について、磁気記録媒体の概略断面
図である図３を参照して説明する。磁気テープなどの磁
気記録媒体４は、ポリエステルフィルムなどの非磁性支
持体５に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの強磁性金属またはＦ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れか１種を含む強磁性合金などの金
属薄膜型の磁気記録層７が、真空蒸着法、スパッタ法お
よびイオンプレーティング法などの薄膜形成法で形成さ
れる。これらは、単層膜でも、多層膜であってもよい。
さらに、必要に応じて、下塗り層６、硬質カーボン系な
どの保護層８、潤滑剤層９、およびバックコート層１０
が形成される。
【０００７】この金属薄膜型の磁気記録層７を有する磁
気記録媒体４は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気
記録層７中に非磁性材であるバインダーを混入する必要
がなく、磁性材料の充填密度を高めることができるの
で、抗磁力や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の
厚み損失が著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れ
る等多くの利点を有している。即ち、金属薄膜型の磁気
記録層７を有する磁気記録媒体４は、磁気特性的な優位
さの故に、高密度磁気記録の主流になるものと考えられ
る。
気記録媒体４は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気
記録層７中に非磁性材であるバインダーを混入する必要
がなく、磁性材料の充填密度を高めることができるの
で、抗磁力や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の
厚み損失が著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れ
る等多くの利点を有している。即ち、金属薄膜型の磁気
記録層７を有する磁気記録媒体４は、磁気特性的な優位
さの故に、高密度磁気記録の主流になるものと考えられ
る。
【０００８】さらに、この種の磁気記録媒体４の電磁変
換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができる
ようにするために、上記の磁気記録媒体４の磁気記録層
７を形成する場合、磁気記録層７を斜めに蒸着するいわ
ゆる斜方蒸着法が実用化されている。
換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができる
ようにするために、上記の磁気記録媒体４の磁気記録層
７を形成する場合、磁気記録層７を斜めに蒸着するいわ
ゆる斜方蒸着法が実用化されている。
【０００９】一方、今後更なる高密度化の流れからスペ
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体４表面は
平滑化される傾向にある。しかしながら、これは不図示
の磁気ヘッドと磁気記録媒体４間の摩擦力の増大を招く
とともに、磁気記録媒体４に生ずるせん断応力を大とす
る。
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体４表面は
平滑化される傾向にある。しかしながら、これは不図示
の磁気ヘッドと磁気記録媒体４間の摩擦力の増大を招く
とともに、磁気記録媒体４に生ずるせん断応力を大とす
る。
【００１０】このような背景から、磁気ヘッドと磁気記
録媒体４間の摩擦係数を小さくするとともに耐摩耗特性
を大きくする目的で、磁気記録媒体４の磁気記録層７の
表面に保護層８が形成されている。
録媒体４間の摩擦係数を小さくするとともに耐摩耗特性
を大きくする目的で、磁気記録媒体４の磁気記録層７の
表面に保護層８が形成されている。
【００１１】このような保護層８としては、カーボン
膜、石英（ＳｉＯ2 ）膜およびジルコニア（ＺｒＯ2 ）
膜などが検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実
用化され生産されているものもある。特に、近年では保
護層８を形成する材料としてさらに硬度の大きいダイア
モンドライクカーボン（Diamond Like Carbon)膜（以
下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行われてお
り、今後主流になると思われる。そして、特に、摺動特
性および耐環境特性が要求される蒸着テープなどの磁気
テープについての適用が検討されている。
膜、石英（ＳｉＯ2 ）膜およびジルコニア（ＺｒＯ2 ）
膜などが検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実
用化され生産されているものもある。特に、近年では保
護層８を形成する材料としてさらに硬度の大きいダイア
モンドライクカーボン（Diamond Like Carbon)膜（以
下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行われてお
り、今後主流になると思われる。そして、特に、摺動特
性および耐環境特性が要求される蒸着テープなどの磁気
テープについての適用が検討されている。
【００１２】このような、保護層８等の薄膜形成装置と
しては、スパッタ装置またはプラズマＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition)装置が多く用いられているが、特に
成膜速度が大きくスループットを向上させたプラズマＣ
ＶＤ装置を例として、以下、その薄膜形成装置および薄
膜形成方法について説明する。
しては、スパッタ装置またはプラズマＣＶＤ（Chemical
Vapor Deposition)装置が多く用いられているが、特に
成膜速度が大きくスループットを向上させたプラズマＣ
ＶＤ装置を例として、以下、その薄膜形成装置および薄
膜形成方法について説明する。
【００１３】プラズマＣＶＤ装置では、電場や、磁場を
用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して、原
料となる気体の分解、および結合等の化学反応を起こさ
せ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプラズマ
ＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ放電や
ＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ(Electron Cyclotro
n Resonance) などを利用した方式の検討もなされてい
る。
用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用して、原
料となる気体の分解、および結合等の化学反応を起こさ
せ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプラズマ
ＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ放電や
ＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ(Electron Cyclotro
n Resonance) などを利用した方式の検討もなされてい
る。
【００１４】上記のプラズマＣＶＤ装置の一例として、
ＤＣ放電方式のプラズマＣＶＤ装置を用いて磁気テープ
状の磁気記録媒体４の保護層８を形成する場合につい
て、プラズマＣＶＤ装置の概略構成断面図である図４を
参照して説明する。
ＤＣ放電方式のプラズマＣＶＤ装置を用いて磁気テープ
状の磁気記録媒体４の保護層８を形成する場合につい
て、プラズマＣＶＤ装置の概略構成断面図である図４を
参照して説明する。
【００１５】図４のプラズマＣＶＤ装置１１において、
磁気テープなどの磁気記録媒体の被処理体１２に保護層
として、例えばＤＬＣ膜を形成する。この被処理体１２
は、真空槽１３中で、例えば一対の案内ガイドロール１
に支持されながら、巻き出しロール１４から巻き出さ
れ、対向電極であるとともに、定速で回転可能な、冷却
機構を具備したキャンロール１５により巻回支持され、
回転駆動されつつ、走行しながら巻き取りロール１６に
収納される。真空槽１３は、真空排気装置１７により、
所定の減圧雰囲気に排気される。
磁気テープなどの磁気記録媒体の被処理体１２に保護層
として、例えばＤＬＣ膜を形成する。この被処理体１２
は、真空槽１３中で、例えば一対の案内ガイドロール１
に支持されながら、巻き出しロール１４から巻き出さ
れ、対向電極であるとともに、定速で回転可能な、冷却
機構を具備したキャンロール１５により巻回支持され、
回転駆動されつつ、走行しながら巻き取りロール１６に
収納される。真空槽１３は、真空排気装置１７により、
所定の減圧雰囲気に排気される。
【００１６】一方、反応管１８にガス導入口１９から導
入された炭化水素系の原料ガスは、反応管１８内に設置
された電極２０を介して、例えば５００Ｖ〜２０００Ｖ
のＤＣ電界によりプラズマ化し、分解、結合などの反応
をして、キャンロール１５上の被処理体１２にカーボン
膜などが成膜される。電極２０には、ＤＣ電源２１より
電力が供給される。そして、上記のプラズマＣＶＤ装置
１１を用いてカーボン膜などの保護層を形成することに
より、被処理体１２の磁気記録媒体の耐久性は著しく向
上する。
入された炭化水素系の原料ガスは、反応管１８内に設置
された電極２０を介して、例えば５００Ｖ〜２０００Ｖ
のＤＣ電界によりプラズマ化し、分解、結合などの反応
をして、キャンロール１５上の被処理体１２にカーボン
膜などが成膜される。電極２０には、ＤＣ電源２１より
電力が供給される。そして、上記のプラズマＣＶＤ装置
１１を用いてカーボン膜などの保護層を形成することに
より、被処理体１２の磁気記録媒体の耐久性は著しく向
上する。
【００１７】しかしながら、上記のプラズマＣＶＤ装置
では、その要部概略断面図である図５に示すように、装
置の構成からわかるように、高電圧印加でプラズマ分解
された成膜物質を被処理体１２上に成膜する場合は、被
処理体１２に高電流が流れる構造となっている。このよ
うに発生した高電流をたとえば、アース接地のように、
どこかにリークしなければ、被処理体１２の正常な走行
が不可能になったり、あるいはカミナリ放電現象である
アークが発生し、被処理体１２自体と他の隣接する金属
製の案内ガイドロール１と摺接する場合、微小なカミナ
リ放電現象であるアークが発生し、被処理体１２自体へ
の損傷（この場合、被処理体１２が磁気記録媒体の場合
は、多くはピンホール型の熱負けと称する磁性層および
非磁性支持体の微小変形を指す。）が起きるという技術
的問題点があった。さらに、上記の問題点は、高電圧印
加（成膜速度に比例）になるほど顕著になるという問題
も有していた。
では、その要部概略断面図である図５に示すように、装
置の構成からわかるように、高電圧印加でプラズマ分解
された成膜物質を被処理体１２上に成膜する場合は、被
処理体１２に高電流が流れる構造となっている。このよ
うに発生した高電流をたとえば、アース接地のように、
どこかにリークしなければ、被処理体１２の正常な走行
が不可能になったり、あるいはカミナリ放電現象である
アークが発生し、被処理体１２自体と他の隣接する金属
製の案内ガイドロール１と摺接する場合、微小なカミナ
リ放電現象であるアークが発生し、被処理体１２自体へ
の損傷（この場合、被処理体１２が磁気記録媒体の場合
は、多くはピンホール型の熱負けと称する磁性層および
非磁性支持体の微小変形を指す。）が起きるという技術
的問題点があった。さらに、上記の問題点は、高電圧印
加（成膜速度に比例）になるほど顕著になるという問題
も有していた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
技術的な背景のもとに提案するものであり、耐アーク特
性を有し、形成する薄膜の損傷を防止しつつ、安定に成
膜する薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガ
イドロールを提供することをその課題とする。
技術的な背景のもとに提案するものであり、耐アーク特
性を有し、形成する薄膜の損傷を防止しつつ、安定に成
膜する薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガ
イドロールを提供することをその課題とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置
は、真空槽と、真空槽中で、プラズマを発生させる手段
と、真空槽へのガス導入手段と、真空槽中で被処理体を
巻回支持して走行させる案内ガイドロ−ルとを具備した
薄膜形成装置において、案内ガイドロールの被処理体に
摺接する外周面は、案内ガイドロールの幅方向の両端部
に導電体と、中央部に絶縁体とを有することを特徴とす
る。
は、真空槽と、真空槽中で、プラズマを発生させる手段
と、真空槽へのガス導入手段と、真空槽中で被処理体を
巻回支持して走行させる案内ガイドロ−ルとを具備した
薄膜形成装置において、案内ガイドロールの被処理体に
摺接する外周面は、案内ガイドロールの幅方向の両端部
に導電体と、中央部に絶縁体とを有することを特徴とす
る。
【００２０】本発明の薄膜形成方法は、減圧雰囲気中
で、プラズマを発生させる工程と、減圧雰囲気へのガス
導入工程と、案内ガイドロールを用いて被処理体を巻回
支持して走行させる工程とを有し、被処理体に薄膜を形
成する工程を具備する薄膜形成方法において、案内ガイ
ドロールの被処理体が摺接する外周面が、案内ガイドロ
ールの幅方向の両端部に導電体と、中央部に絶縁体とを
有することを特徴とする。
で、プラズマを発生させる工程と、減圧雰囲気へのガス
導入工程と、案内ガイドロールを用いて被処理体を巻回
支持して走行させる工程とを有し、被処理体に薄膜を形
成する工程を具備する薄膜形成方法において、案内ガイ
ドロールの被処理体が摺接する外周面が、案内ガイドロ
ールの幅方向の両端部に導電体と、中央部に絶縁体とを
有することを特徴とする。
【００２１】被処理体は磁気記録媒体であり、薄膜を形
成する工程が、磁気記録媒体の磁気記録層上に保護層を
形成する工程であることが望ましい。
成する工程が、磁気記録媒体の磁気記録層上に保護層を
形成する工程であることが望ましい。
【００２２】保護層はカーボンおよびダイアモンドライ
クカーボンのうちのいずれか１種を含むことが望まし
い。
クカーボンのうちのいずれか１種を含むことが望まし
い。
【００２３】本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方法
において、案内ガイドロールの導電体と被処理体の摺接
部の電流密度は、２０．５×１０-3Ａ／ｍｍ2 以下であ
ることが望ましい。
において、案内ガイドロールの導電体と被処理体の摺接
部の電流密度は、２０．５×１０-3Ａ／ｍｍ2 以下であ
ることが望ましい。
【００２４】絶縁体の電気抵抗は１００００Ω以上であ
ることが望ましい。絶縁体はセラミックスであり、導電
体はステンレスであることが望ましい。
ることが望ましい。絶縁体はセラミックスであり、導電
体はステンレスであることが望ましい。
【００２５】薄膜形成装置／薄膜形成方法はプラズマＣ
ＶＤ装置／プラズマＣＶＤ法を用いることが望ましい。
ＶＤ装置／プラズマＣＶＤ法を用いることが望ましい。
【００２６】本発明の案内ガイドロールは請求項１に記
載の薄膜形成装置に用いられることを特徴とする。
載の薄膜形成装置に用いられることを特徴とする。
【００２７】絶縁体の電気抵抗は１００００Ω以上であ
ることが望ましい。絶縁体はセラミックスであり、導電
体はステンレスであることが望ましい。
ることが望ましい。絶縁体はセラミックスであり、導電
体はステンレスであることが望ましい。
【００２８】上述した手段による作用を以下に説明す
る。本発明の外周面に導電体にはさまれた絶縁体を形成
した案内ガイドロールを具備した、プラズマＣＶＤ装置
などの薄膜形成装置および薄膜形成方法によれば、案内
ガイドロールの導電体と磁気記録媒体などの被処理体と
の摺接部分にアークを集中させ、逆に案内ガイドロール
の絶縁体と被処理体との摺接部分をアークによる損傷を
抑制するとともに、欠陥の少ない均一で膜特性に優れた
磁気記録媒体の保護層などの薄膜を安定して形成でき
る。
る。本発明の外周面に導電体にはさまれた絶縁体を形成
した案内ガイドロールを具備した、プラズマＣＶＤ装置
などの薄膜形成装置および薄膜形成方法によれば、案内
ガイドロールの導電体と磁気記録媒体などの被処理体と
の摺接部分にアークを集中させ、逆に案内ガイドロール
の絶縁体と被処理体との摺接部分をアークによる損傷を
抑制するとともに、欠陥の少ない均一で膜特性に優れた
磁気記録媒体の保護層などの薄膜を安定して形成でき
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態例につ
き詳細な説明を加える。本発明の実施の形態に関わる薄
膜形成装置について、薄膜形成装置に設けられた案内ガ
イドロールの概略斜視図である図１、および案内ガイド
ロールと被処理体との関係を示す概略斜視図である図
２、ならびに従来例の磁気記録媒体の概略断面図である
図３およびプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である図４
を参照しながら説明する。
き詳細な説明を加える。本発明の実施の形態に関わる薄
膜形成装置について、薄膜形成装置に設けられた案内ガ
イドロールの概略斜視図である図１、および案内ガイド
ロールと被処理体との関係を示す概略斜視図である図
２、ならびに従来例の磁気記録媒体の概略断面図である
図３およびプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である図４
を参照しながら説明する。
【００３０】薄膜形成装置の一例であるプラズマＣＶＤ
装置の構成は、本発明の案内ガイドロール１をのぞき、
図４のような従来例のプラズマＣＶＤ装置１１と同様な
構成であるので説明を省略する。そして、薄膜形成装置
は、ＤＣ放電式のプラズマＣＶＤ装置１１を磁気テープ
などの磁気記録媒体の薄膜形成に適用した例であり、被
処理体１２として、図３のような磁気テープなどの磁気
記録媒体４を採用し、保護層８として、例えばＤＬＣ膜
を形成するために用いた例である。尚、従来例と同じ構
成要素は、同じ符号を付すものとする。
装置の構成は、本発明の案内ガイドロール１をのぞき、
図４のような従来例のプラズマＣＶＤ装置１１と同様な
構成であるので説明を省略する。そして、薄膜形成装置
は、ＤＣ放電式のプラズマＣＶＤ装置１１を磁気テープ
などの磁気記録媒体の薄膜形成に適用した例であり、被
処理体１２として、図３のような磁気テープなどの磁気
記録媒体４を採用し、保護層８として、例えばＤＬＣ膜
を形成するために用いた例である。尚、従来例と同じ構
成要素は、同じ符号を付すものとする。
【００３１】図１において、案内ガイドロール１は、例
えばガイド径Фとガイド幅ａとを有し、外周面がクロー
ム処理されたステンレス鋼製の円柱形状の軸であり、円
柱形の外周面の両端部が幅ｂを有する導電体２であり、
中央部に、幅ｃの絶縁体３として例えばアルマイトなど
が溶射法により、あるいはアルミナなどのセラミックス
がスパッタ法または電子ビーム蒸着法などの真空成膜法
により、例えば２０μｍ以上形成されている。したがっ
て、案内ガイドロール１の外周面が、ガイド幅ａ方向
に、両端部が幅ｂの導電体２を有し、中央部が幅ｃの絶
縁体３を有する構造となっている。
えばガイド径Фとガイド幅ａとを有し、外周面がクロー
ム処理されたステンレス鋼製の円柱形状の軸であり、円
柱形の外周面の両端部が幅ｂを有する導電体２であり、
中央部に、幅ｃの絶縁体３として例えばアルマイトなど
が溶射法により、あるいはアルミナなどのセラミックス
がスパッタ法または電子ビーム蒸着法などの真空成膜法
により、例えば２０μｍ以上形成されている。したがっ
て、案内ガイドロール１の外周面が、ガイド幅ａ方向
に、両端部が幅ｂの導電体２を有し、中央部が幅ｃの絶
縁体３を有する構造となっている。
【００３２】図４のようなプラズマＣＶＤ装置１１にお
いて、案内ガイドロール１は、例えば被処理体１２であ
る磁気記録媒体と以下のような関係で摺接して駆動され
る。ここで、図２のように、案内ガイドロール１の外周
面は、被処理体である例えば磁気記録媒体４に、両端部
の導電体２が非磁性支持体５と成膜された磁気記録層７
あるいはこの装置で成膜された保護層８に摺接し、中央
部の絶縁体３が磁気記録層７あるいはこの装置で成膜さ
れた保護層８に摺接しながら、磁気記録媒体４の走行を
支持するように構成される。したがって、上記のプラズ
マＣＶＤ装置１１において、磁気記録媒体などの被処理
体１２は、このような案内ガイドロール１を介して、キ
ャンロール１５に巻回支持されながら走行しつつ、被処
理体１２の薄膜形成側には、例えばＤＬＣ膜などの保護
層が形成される。
いて、案内ガイドロール１は、例えば被処理体１２であ
る磁気記録媒体と以下のような関係で摺接して駆動され
る。ここで、図２のように、案内ガイドロール１の外周
面は、被処理体である例えば磁気記録媒体４に、両端部
の導電体２が非磁性支持体５と成膜された磁気記録層７
あるいはこの装置で成膜された保護層８に摺接し、中央
部の絶縁体３が磁気記録層７あるいはこの装置で成膜さ
れた保護層８に摺接しながら、磁気記録媒体４の走行を
支持するように構成される。したがって、上記のプラズ
マＣＶＤ装置１１において、磁気記録媒体などの被処理
体１２は、このような案内ガイドロール１を介して、キ
ャンロール１５に巻回支持されながら走行しつつ、被処
理体１２の薄膜形成側には、例えばＤＬＣ膜などの保護
層が形成される。
【００３３】次に、上記のプラズマＣＶＤ装置を用い
て、本発明を適用した具体的な実施例およびこれに対比
する比較例について、図３のような磁気記録媒体４とし
て磁気テープを例にとり、この磁気テープの磁気記録層
７上に例えばＤＬＣ膜の保護層８を形成する場合につい
て以下に説明する。この磁気テープの構造は、一般的な
金属薄膜型の磁気記録媒体４の構成に準じる。
て、本発明を適用した具体的な実施例およびこれに対比
する比較例について、図３のような磁気記録媒体４とし
て磁気テープを例にとり、この磁気テープの磁気記録層
７上に例えばＤＬＣ膜の保護層８を形成する場合につい
て以下に説明する。この磁気テープの構造は、一般的な
金属薄膜型の磁気記録媒体４の構成に準じる。
【００３４】磁気記録媒体４の一例として、厚さ６μ
ｍ、幅１２７ｍｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）フィルムからなる非磁性支持体５の一方の主面に、
アクリル酸エステルを主成分とする水溶性ラテックスを
分散させたエマルジョン溶液を塗布し、粒子密度１００
０個／ｍｍ2 の表面突起を形成した側の表面に、リール
ツーリール方式の連続巻き取り蒸着装置を用いて、磁気
記録層７を形成した。
ｍ、幅１２７ｍｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）フィルムからなる非磁性支持体５の一方の主面に、
アクリル酸エステルを主成分とする水溶性ラテックスを
分散させたエマルジョン溶液を塗布し、粒子密度１００
０個／ｍｍ2 の表面突起を形成した側の表面に、リール
ツーリール方式の連続巻き取り蒸着装置を用いて、磁気
記録層７を形成した。
【００３５】磁気記録層７の成膜は、例えば、電子ビー
ムによるＣｏ合金の斜方蒸着法により、酸素ガスを導入
しながらＰＥＴフィルムの非磁性支持体上に成膜し、部
分酸化強磁性金属薄膜を形成する。その成膜条件は以下
のとおりである。 磁気記録層組成 Ｃｏ１００単層 磁気記録層厚 ２００ｎｍ 磁気記録層蒸着幅 １００ｍｍ 入射角 ３５〜６０度 導入ガス 酸素ガス 蒸着時真空度 ２×１０-2Ｐａ
ムによるＣｏ合金の斜方蒸着法により、酸素ガスを導入
しながらＰＥＴフィルムの非磁性支持体上に成膜し、部
分酸化強磁性金属薄膜を形成する。その成膜条件は以下
のとおりである。 磁気記録層組成 Ｃｏ１００単層 磁気記録層厚 ２００ｎｍ 磁気記録層蒸着幅 １００ｍｍ 入射角 ３５〜６０度 導入ガス 酸素ガス 蒸着時真空度 ２×１０-2Ｐａ
【００３６】上記の磁気記録層７上にＤＬＣ膜の保護膜
８を形成したときのプラズマＣＶＤ条件は、例えば以下
に示した条件を採用した。 導入ガス エチレン＋アルゴン ガス比 Ｃ2Ｈ4／Ａｒ＝４／１ トータル流量 １５０ ｓｃｃｍ 反応圧力 ３０ Ｐａ 印加電圧 ＤＣ１．２ｋＶ ＤＬＣ膜厚 ９ｎｍ
８を形成したときのプラズマＣＶＤ条件は、例えば以下
に示した条件を採用した。 導入ガス エチレン＋アルゴン ガス比 Ｃ2Ｈ4／Ａｒ＝４／１ トータル流量 １５０ ｓｃｃｍ 反応圧力 ３０ Ｐａ 印加電圧 ＤＣ１．２ｋＶ ＤＬＣ膜厚 ９ｎｍ
【００３７】上記の作製条件で、磁気記録層７と摺接す
る案内ガイドロール１の構造、本数、ガイド径Ф、絶縁
体３の幅および磁気記録媒体４と案内ガイドロール１と
の抱角などの構成条件を変化させて、１０種類の磁気テ
ープの原反サンプルを作製した。実施例１〜８および比
較例１〜２の作製条件を表１に示す。
る案内ガイドロール１の構造、本数、ガイド径Ф、絶縁
体３の幅および磁気記録媒体４と案内ガイドロール１と
の抱角などの構成条件を変化させて、１０種類の磁気テ
ープの原反サンプルを作製した。実施例１〜８および比
較例１〜２の作製条件を表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記の、実施例および比較例の磁気テープ
の原反サンプルに保護層８を形成後、ＰＥＴフィルムの
他方の主面（裏面）に、塗布型のバックコート層１０を
形成した。塗布型のバックコート層１０の塗料は、一例
として以下の組成によった。 この組成物をボールミルで混合し、塗布直前に硬化剤
（コロネートL) を５重量部添加した。この塗料をグラビアコ
ータにより、乾燥塗布厚が０．５μｍとなるように塗布
した。
の原反サンプルに保護層８を形成後、ＰＥＴフィルムの
他方の主面（裏面）に、塗布型のバックコート層１０を
形成した。塗布型のバックコート層１０の塗料は、一例
として以下の組成によった。 この組成物をボールミルで混合し、塗布直前に硬化剤
（コロネートL) を５重量部添加した。この塗料をグラビアコ
ータにより、乾燥塗布厚が０．５μｍとなるように塗布
した。
【００４０】次に、潤滑剤層９としてフルオロカーボン
を主骨格とし、これがジメチルデシルアミン構造となる
ように変成したもののトルエン溶液を塗布するように形
成した。この後、６．３５ｍｍ幅に裁断してカセットに
収納することにより実施例および比較例の磁気テープの
サンプルを作製した。
を主骨格とし、これがジメチルデシルアミン構造となる
ように変成したもののトルエン溶液を塗布するように形
成した。この後、６．３５ｍｍ幅に裁断してカセットに
収納することにより実施例および比較例の磁気テープの
サンプルを作製した。
【００４１】上記の磁気テープのサンプルについて、ド
ロップアウト（以下ＤＯと略す）の測定を行い、評価を
行った。この評価法は、常温常湿環境下でサンプルテー
プを、ＶＴＲにかけて、ＤＯを求める試験方法であり、
ＤＯサイズは、−６ｄＢ１０μｓのゲートで評価を行っ
た。この不図示のＤＯ測定系としては、磁気テープサン
プルをビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）により、記録
と再生を行い、再生時にオシロスコープの信号によりＤ
Ｏカウンターを用いてＤＯ数を測定するように構成され
ている。ＤＯ評価に用いたＶＴＲは、DCR-VX1000（SONY
製）であり、ＤＯカウンターにはシバソク製のVH06AZを
使用した。なお、ＤＯ測定の測定手順は、実施例および
比較例の磁気テープに、単一周波数（波長１μｍ）を記
録し、この再生出力をオシロスコープおよびＤＯカウン
ターに入力し、ＤＯ数を計測した。この評価結果を表２
に示す。ＤＯ（−６ｄＢ１０μｓ）の数は、５０個／分
以下であれば画質音質的に問題のないレベルである。
ロップアウト（以下ＤＯと略す）の測定を行い、評価を
行った。この評価法は、常温常湿環境下でサンプルテー
プを、ＶＴＲにかけて、ＤＯを求める試験方法であり、
ＤＯサイズは、−６ｄＢ１０μｓのゲートで評価を行っ
た。この不図示のＤＯ測定系としては、磁気テープサン
プルをビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）により、記録
と再生を行い、再生時にオシロスコープの信号によりＤ
Ｏカウンターを用いてＤＯ数を測定するように構成され
ている。ＤＯ評価に用いたＶＴＲは、DCR-VX1000（SONY
製）であり、ＤＯカウンターにはシバソク製のVH06AZを
使用した。なお、ＤＯ測定の測定手順は、実施例および
比較例の磁気テープに、単一周波数（波長１μｍ）を記
録し、この再生出力をオシロスコープおよびＤＯカウン
ターに入力し、ＤＯ数を計測した。この評価結果を表２
に示す。ＤＯ（−６ｄＢ１０μｓ）の数は、５０個／分
以下であれば画質音質的に問題のないレベルである。
【００４２】
【表２】
【００４３】表２の結果から、比較例１では、案内ガイ
ドロール１の外周面の表面構造をステンレスだけにする
と、アークの多発が観測され、ＤＯ数も非常に多い結果
となっている。
ドロール１の外周面の表面構造をステンレスだけにする
と、アークの多発が観測され、ＤＯ数も非常に多い結果
となっている。
【００４４】比較例２では、案内ガイドロール１の外周
面の表面構造をセラミックス（電気抵抗が１００００
Ω）だけにすると、アークの多発が観測され、この影響
でついには被処理体が切断されてしまい、安定した成膜
が行えない。
面の表面構造をセラミックス（電気抵抗が１００００
Ω）だけにすると、アークの多発が観測され、この影響
でついには被処理体が切断されてしまい、安定した成膜
が行えない。
【００４５】実施例１〜６の結果から、案内ガイドロー
ル１の外周面の表面構造を導電体２／絶縁体３／導電体
２としてステンレス／セラミックス／ステンレスの構造
にすると、案内ガイドロール１の導電体２と被処理体１
２（磁気記録媒体４）との摺接部分は除いて、案内ガイ
ドロール１の絶縁体３と、被処理体１２との摺接部分に
はアークによる熱負けが発生せず、ＤＯ値が小さく、良
好な値となっている。このことは、図２に示すように、
案内ガイドロール１の両端部の導電体２部と被処理体１
２の摺接部に集中させ熱負け異常部の幅ｄを偏在させる
とともに、中央部の被処理体１２との摺接部に正常部の
幅ｅを確保することができるためである。
ル１の外周面の表面構造を導電体２／絶縁体３／導電体
２としてステンレス／セラミックス／ステンレスの構造
にすると、案内ガイドロール１の導電体２と被処理体１
２（磁気記録媒体４）との摺接部分は除いて、案内ガイ
ドロール１の絶縁体３と、被処理体１２との摺接部分に
はアークによる熱負けが発生せず、ＤＯ値が小さく、良
好な値となっている。このことは、図２に示すように、
案内ガイドロール１の両端部の導電体２部と被処理体１
２の摺接部に集中させ熱負け異常部の幅ｄを偏在させる
とともに、中央部の被処理体１２との摺接部に正常部の
幅ｅを確保することができるためである。
【００４６】さらに、導電体２と摺接する被処理体１２
にかかる電流密度が大きくなると、実施例８のように、
導電体２部でなくてもアークが派生し、ＤＯが増加する
が、本検討では、電流密度が２０．５×１０-3（Ａ／ｍ
ｍ2 ）以下であれば安定した成膜が可能であることがわ
かる。
にかかる電流密度が大きくなると、実施例８のように、
導電体２部でなくてもアークが派生し、ＤＯが増加する
が、本検討では、電流密度が２０．５×１０-3（Ａ／ｍ
ｍ2 ）以下であれば安定した成膜が可能であることがわ
かる。
【００４７】実施例７から、案内ガイドロール１の絶縁
体３の電気抵抗が５０００Ωでは、絶縁体３と被処理体
１２との摺接部分でさえアークが発生してＤＯ値が大き
くなり、導電体２／絶縁体３／導電体２構造にする効果
がないことがわかる。
体３の電気抵抗が５０００Ωでは、絶縁体３と被処理体
１２との摺接部分でさえアークが発生してＤＯ値が大き
くなり、導電体２／絶縁体３／導電体２構造にする効果
がないことがわかる。
【００４８】
【発明の効果】本発明の薄膜形成装置および薄膜形成方
法によれば、外周面の両端部に導電体と、中央部に絶縁
体を形成した案内ガイドロールを具備するプラズマＣＶ
Ｄ装置などの薄膜形成装置を用いれば、得られる薄膜の
熱損傷などを抑制しつつ、膜特性を安定させて成膜を行
うことができる。また、この薄膜形成方法により磁気テ
ープなどの磁気記録媒体の保護層として、ダイアモンド
ライクカーボン膜などを形成した場合、得られる薄膜の
膜特性の向上が図れる。
法によれば、外周面の両端部に導電体と、中央部に絶縁
体を形成した案内ガイドロールを具備するプラズマＣＶ
Ｄ装置などの薄膜形成装置を用いれば、得られる薄膜の
熱損傷などを抑制しつつ、膜特性を安定させて成膜を行
うことができる。また、この薄膜形成方法により磁気テ
ープなどの磁気記録媒体の保護層として、ダイアモンド
ライクカーボン膜などを形成した場合、得られる薄膜の
膜特性の向上が図れる。
【図１】 本発明に係わる案内ガイドロールの概略斜視
図である。
図である。
【図２】 本発明に係わる案内ガイドロールと被処理体
との関係を示す概略斜視図である。
との関係を示す概略斜視図である。
【図３】 従来例の磁気記録媒体の概略断面図である。
【図４】 従来例のプラズマＣＶＤ装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図５】 従来例のプラズマＣＶＤ装置の要部概略断面
図である。
図である。
１…案内ガイドロール、２…導電体、３…絶縁体、４…
磁気記録媒体、５…非磁性支持体、６…下塗り層、７…
磁気記録層、８…保護層、９…潤滑剤層、１０…バック
コート層、１１…プラズマＣＶＤ装置、１２…被処理
体、１３…真空槽、１４…巻き出しロール、１５…キャ
ンロール、１６…巻き取りロール、１７…真空排気装
置、１８…反応管、１９…ガス導入口、２０…電極、２
１…ＤＣ電源、Ф…ガイド径、ａ…ガイド幅、ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ…幅
磁気記録媒体、５…非磁性支持体、６…下塗り層、７…
磁気記録層、８…保護層、９…潤滑剤層、１０…バック
コート層、１１…プラズマＣＶＤ装置、１２…被処理
体、１３…真空槽、１４…巻き出しロール、１５…キャ
ンロール、１６…巻き取りロール、１７…真空排気装
置、１８…反応管、１９…ガス導入口、２０…電極、２
１…ＤＣ電源、Ф…ガイド径、ａ…ガイド幅、ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ…幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 淳博 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 小鹿 行広 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3F104 AA04 JA03 JC01 JC02 JC08 JC09 4K030 AA09 AA16 BA27 BA28 CA07 CA17 FA03 GA14 HA04 KA47 LA20
Claims (18)
- 【請求項１】 真空槽と、 前記真空槽中で、プラズマを発生させる手段と、 前記真空槽へのガス導入手段と、 前記真空槽中で被処理体を巻回支持して走行させる案内
ガイドロ−ルとを具備した薄膜形成装置において、 前記案内ガイドロールの前記被処理体に摺接する外周面
は、前記案内ガイドロールの幅方向の両端部に導電体
と、中央部に絶縁体とを有することを特徴とする薄膜形
成装置。 - 【請求項２】 前記案内ガイドロールの前記導電体と前
記被処理体との摺接部の電流密度は、２０．５×１０-3
Ａ／ｍｍ2 以下であることを特徴とする請求項１に記載
の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 前記絶縁体の電気抵抗は１００００Ω以
上であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項４】 前記絶縁体はセラミックスであることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項５】 前記導電体はステンレスであることを特
徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項６】 前記薄膜形成装置はプラズマＣＶＤ装置
であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装
置。 - 【請求項７】 減圧雰囲気中で、プラズマを発生させる
工程と、 前記減圧雰囲気へのガス導入工程と、 案内ガイドロールを用いて被処理体を巻回支持して走行
させる工程とを有し、前記被処理体に薄膜を形成する工
程を具備する薄膜形成方法において、 前記案内ガイドロールに前記被処理体が摺接する外周面
が、前記案内ガイドロールの幅方向の両端部に導電体
と、中央部に絶縁体とを有することを特徴とする薄膜形
成方法。 - 【請求項８】 前記案内ガイドロールの前記導電体と前
記被処理体との摺接部の電流密度は、２０．５×１０-3
Ａ／ｍｍ2 以下であることを特徴とする請求項７に記載
の薄膜形成方法。 - 【請求項９】 前記絶縁体の電気抵抗は１００００Ω以
上であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜形成方
法。 - 【請求項１０】 前記絶縁体はセラミックスであること
を特徴とする請求項７に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１１】 前記導電体はステンレスであることを
特徴とする請求項７に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１２】 前記薄膜を形成する工程はプラズマＣ
ＶＤ法を用いることを特徴とする請求項７に記載の薄膜
形成方法。 - 【請求項１３】 前記被処理体は磁気記録媒体であり、
前記薄膜を形成する工程は、前記磁気記録媒体の磁気記
録層上に保護層を形成する工程であることを特徴とする
請求項７に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１４】 前記保護層はカーボンおよびダイアモ
ンドライクカーボンのうちのいずれか１種を含むことを
特徴とする請求項１３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項１５】 請求項１に記載の薄膜形成装置に用い
られることを特徴とする案内ガイドロール。 - 【請求項１６】 前記絶縁体の電気抵抗は１００００Ω
以上であることを特徴とする請求項１５に記載の案内ガ
イドロール。 - 【請求項１７】 前記絶縁体はセラミックスであること
を特徴とする請求項１５に記載の案内ガイドロール。 - 【請求項１８】 前記導電体はステンレスであることを
特徴とする請求項１５に記載の案内ガイドロール。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP05106999A JP4193268B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール |
| US09/505,185 US6319325B1 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-16 | Apparatus for producing thin film, process for producing thin film and guide roller |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05106999A JP4193268B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000248365A true JP2000248365A (ja) | 2000-09-12 |
| JP4193268B2 JP4193268B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=12876528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05106999A Expired - Fee Related JP4193268B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法ならびに案内ガイドロール |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4193268B2 (ja) |
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| JP2011149050A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| KR101286174B1 (ko) | 2013-04-26 | 2013-07-15 | 주식회사동서산업롤 | 물품 이송용 롤 및 그 제조방법 |
| JP2016037655A (ja) * | 2014-08-11 | 2016-03-22 | 住友金属鉱山株式会社 | キャンロール、およびスパッタリング装置 |
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| US6796867B2 (en) | 2000-10-27 | 2004-09-28 | Science Applications International Corporation | Use of printing and other technology for micro-component placement |
| US7288014B1 (en) | 2000-10-27 | 2007-10-30 | Science Applications International Corporation | Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel |
| US6764367B2 (en) | 2000-10-27 | 2004-07-20 | Science Applications International Corporation | Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication |
| US6545422B1 (en) | 2000-10-27 | 2003-04-08 | Science Applications International Corporation | Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel |
| US6822626B2 (en) | 2000-10-27 | 2004-11-23 | Science Applications International Corporation | Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel |
| US6801001B2 (en) | 2000-10-27 | 2004-10-05 | Science Applications International Corporation | Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel |
| US7128804B2 (en) * | 2000-12-29 | 2006-10-31 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof |
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| US7327534B2 (en) * | 2004-09-01 | 2008-02-05 | Sony Corporation | Ultra fast backup (UFB) tape cartridge and method for loading same |
| US6992847B1 (en) | 2004-09-01 | 2006-01-31 | Sony Corporation | Linear sliding tape scanner and method for using same |
| US7684148B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-03-23 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with a conductive underlayer above substrate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4154432A (en) * | 1976-09-26 | 1979-05-15 | Valjim Corporation | Direct-current electrical heat-treatment of continuous metal sheets in a protective atmosphere |
| FR2679571B1 (fr) * | 1991-07-26 | 1994-07-01 | Vesuvius France Sa | Procede de depot de metal ou d'alliages metalliques sur une bande metallique et pieces de guidage pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
| KR100257901B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2000-06-01 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 웨이퍼 정렬장치 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP05106999A patent/JP4193268B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-16 US US09/505,185 patent/US6319325B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2010209378A (ja) * | 2009-03-09 | 2010-09-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JP2011149050A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜製造装置 |
| KR101286174B1 (ko) | 2013-04-26 | 2013-07-15 | 주식회사동서산업롤 | 물품 이송용 롤 및 그 제조방법 |
| JP2016037655A (ja) * | 2014-08-11 | 2016-03-22 | 住友金属鉱山株式会社 | キャンロール、およびスパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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