JPH10317149A - 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法Info
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- JPH10317149A JPH10317149A JP13240497A JP13240497A JPH10317149A JP H10317149 A JPH10317149 A JP H10317149A JP 13240497 A JP13240497 A JP 13240497A JP 13240497 A JP13240497 A JP 13240497A JP H10317149 A JPH10317149 A JP H10317149A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、膜質に優れ、生産性に優れた薄膜を得るための薄膜
形成装置を提供する。ならびにそれを用いた薄膜形成方
法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１０において、プラ
ズマを発生させる電極６にパルス電界を印加するパルス
電源７を配設する。かかるプラズマＣＶＤ装置により、
プラズマ密度を大としつつ、薄膜形成反応を促進する。 【効果】 上記の薄膜形成装置を、例えば磁気記録媒体
の保護層または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれ
ば、形成される薄膜の膜質の向上が図れる。
て、膜質に優れ、生産性に優れた薄膜を得るための薄膜
形成装置を提供する。ならびにそれを用いた薄膜形成方
法を提供する。 【解決手段】 プラズマＣＶＤ装置１０において、プラ
ズマを発生させる電極６にパルス電界を印加するパルス
電源７を配設する。かかるプラズマＣＶＤ装置により、
プラズマ密度を大としつつ、薄膜形成反応を促進する。 【効果】 上記の薄膜形成装置を、例えば磁気記録媒体
の保護層または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれ
ば、形成される薄膜の膜質の向上が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ反応を利用
した薄膜形成装置および薄膜形成方法に関し、さらに詳
しくは、形成される薄膜の膜質に特徴を有する薄膜形成
装置および薄膜形成方法に関する。
した薄膜形成装置および薄膜形成方法に関し、さらに詳
しくは、形成される薄膜の膜質に特徴を有する薄膜形成
装置および薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜形成装置および薄膜形成方法を応用
して薄膜を形成する分野には、磁気テープ、磁気ディス
ク等の磁気記録媒体上への保護層の形成、または磁気ヘ
ッド上への保護層の形成がある。これらの保護層を形成
する工程では、高スループット化とともに、これにより
形成された保護層の高耐摩耗性等の膜質特性の改善が求
められている。以下、薄膜形成装置および薄膜形成方法
を磁気テープに適用した例について説明する。
して薄膜を形成する分野には、磁気テープ、磁気ディス
ク等の磁気記録媒体上への保護層の形成、または磁気ヘ
ッド上への保護層の形成がある。これらの保護層を形成
する工程では、高スループット化とともに、これにより
形成された保護層の高耐摩耗性等の膜質特性の改善が求
められている。以下、薄膜形成装置および薄膜形成方法
を磁気テープに適用した例について説明する。
【０００３】従来より、磁気記録媒体としては、非磁性
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニール−酢酸ビニール系共重合体、
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾
燥することにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。
【０００４】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ合金，Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフイルムや、ポリアミ
ド、ポリイミドフイルム等の非磁性体上に直接被着し
た、いわゆる金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒
体が提案され注目を集めている。
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金，Ｃｏ−Ｃｒ合金，Ｃｏ
−Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや、真空薄膜形成手段
（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等）によってポリエステルフイルムや、ポリアミ
ド、ポリイミドフイルム等の非磁性体上に直接被着し
た、いわゆる金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記録媒
体が提案され注目を集めている。
【０００５】以下に、金属薄膜型磁気記録層を有する磁
気テープの一例について、概略構成断面図である図２を
参照して説明する。磁気テープ２０は、ポリエステルフ
ィルム等の非磁性支持体２１に、金属薄膜型磁気記録層
２３が、スパッタリング等の薄膜形成法で形成される。
さらに、必要に応じて、硬質カーボン系保護層２４、潤
滑剤層２５、下塗り層２２およびバックコート層２６か
ら形成される。
気テープの一例について、概略構成断面図である図２を
参照して説明する。磁気テープ２０は、ポリエステルフ
ィルム等の非磁性支持体２１に、金属薄膜型磁気記録層
２３が、スパッタリング等の薄膜形成法で形成される。
さらに、必要に応じて、硬質カーボン系保護層２４、潤
滑剤層２５、下塗り層２２およびバックコート層２６か
ら形成される。
【０００６】この金属薄膜型磁気記録層を有する磁気記
録媒体は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気記録層
中に非磁性材であるバインダーを混入する必要がなく、
磁性材料の充填密度を高めることができるので、抗磁力
や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の厚み損失が
著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れる等多くの
利点を有している。即ち、金属薄膜型磁気記録層を有す
る磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さの故に、高密度
磁気記録の主流になるものと考えられる。
録媒体は、塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁気記録層
中に非磁性材であるバインダーを混入する必要がなく、
磁性材料の充填密度を高めることができるので、抗磁力
や、角型比等に優れ、記録減磁や、再生時の厚み損失が
著しく小さく短波長での電磁変換特性に優れる等多くの
利点を有している。即ち、金属薄膜型磁気記録層を有す
る磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さの故に、高密度
磁気記録の主流になるものと考えられる。
【０００７】さらに、この種の磁気記録媒体の電磁変換
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、前記磁気記録媒体の磁気記録層を形成
する場合、磁気記録層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸
着法が実用化されている。
特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるよ
うにするために、前記磁気記録媒体の磁気記録層を形成
する場合、磁気記録層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸
着法が実用化されている。
【０００８】一方、今後更なる高密度化の流れからスペ
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体表面は平
滑化される傾向にある。しかしながら、これは磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体間の摩擦力の増大を招くとともに、磁
気記録媒体に生ずる応力を大とする。
ーシング損失を少なくする為に、磁気記録媒体表面は平
滑化される傾向にある。しかしながら、これは磁気ヘッ
ドと磁気記録媒体間の摩擦力の増大を招くとともに、磁
気記録媒体に生ずる応力を大とする。
【０００９】このような背景から、磁気ヘッドと磁気記
録媒体間の摩擦を小さくするとするとともに耐摩耗性を
大きくする目的で、磁気記録媒体の磁気記録層の表面に
保護層が形成されている。
録媒体間の摩擦を小さくするとするとともに耐摩耗性を
大きくする目的で、磁気記録媒体の磁気記録層の表面に
保護層が形成されている。
【００１０】このような保護層としては、カーボン膜、
石英（ＳｉＯ2 ）膜、ジルコニア（（ＺｒＯ2 ）膜等が
検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実用化され
生産されているものもある。特に、近年では保護層を形
成する材料としてさらに硬度の大きいダイアモンドライ
クカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜（以下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行
われており、今後主流となると思われる。
石英（ＳｉＯ2 ）膜、ジルコニア（（ＺｒＯ2 ）膜等が
検討され、磁気ディスクにおいては、すでに実用化され
生産されているものもある。特に、近年では保護層を形
成する材料としてさらに硬度の大きいダイアモンドライ
クカーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏ
ｎ）膜（以下、ＤＬＣ膜と略記する。）等の膜形成も行
われており、今後主流となると思われる。
【００１１】このような、硬質カーボン系保護層２４等
の薄膜形成装置としては、スパッタリング装置またはプ
ラズマＣＶＤ装置が多く用いられているが、以下にその
成膜装置および成膜方法について説明する。
の薄膜形成装置としては、スパッタリング装置またはプ
ラズマＣＶＤ装置が多く用いられているが、以下にその
成膜装置および成膜方法について説明する。
【００１２】スパッタリング装置では、まず、電場や磁
場を利用して、Ａｒガス等の不活性ガスの電離（プラズ
マ化）を行う。更に、電離されたＡｒイオンを加速する
ことにより、その運動エネルギーによりターゲットの原
子をはじき出す。そして、そのはじき出された原子が対
向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成する物理的
工程を有する。この工程による薄膜の形成速度は一般に
遅く工業的には生産性に問題を残すものであり、以下に
述べるプラズマＣＶＤ装置による方が優れている。
場を利用して、Ａｒガス等の不活性ガスの電離（プラズ
マ化）を行う。更に、電離されたＡｒイオンを加速する
ことにより、その運動エネルギーによりターゲットの原
子をはじき出す。そして、そのはじき出された原子が対
向する基板上に堆積し、目的とする膜を形成する物理的
工程を有する。この工程による薄膜の形成速度は一般に
遅く工業的には生産性に問題を残すものであり、以下に
述べるプラズマＣＶＤ装置による方が優れている。
【００１３】プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、電場や、磁
場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て、原料となる気体の分解、および結合等の化学反応を
起こさせ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ
放電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）等
を利用した方式の検討もなされている。これらの放電方
式はそれぞれ利点および欠点を有しており、工業的見地
から述べるとＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便
であり生産が容易である。
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置では、電場や、磁
場を用いて発生させたプラズマのエネルギーを利用し
て、原料となる気体の分解、および結合等の化学反応を
起こさせ、薄膜を形成する工程を有する。また、このプ
ラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ発生源として、ＤＣ
放電やＲＦ放電が一般的であるが、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）等
を利用した方式の検討もなされている。これらの放電方
式はそれぞれ利点および欠点を有しており、工業的見地
から述べるとＤＣ放電を用いるものが、生産装置も簡便
であり生産が容易である。
【００１４】しかし、このＤＣ放電は他方式に比べてプ
ラズマ密度が低いこともあり、得られる膜質特性も不充
分である。このようなプラズマＣＶＤ装置による薄膜形
成は広く行われているが、膜質のさらなる向上が切に望
まれている。
ラズマ密度が低いこともあり、得られる膜質特性も不充
分である。このようなプラズマＣＶＤ装置による薄膜形
成は広く行われているが、膜質のさらなる向上が切に望
まれている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
技術的な背景のもとに提案するものであり、膜質等の実
用特性に優れる薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形
成方法を提供することをその課題とする。
技術的な背景のもとに提案するものであり、膜質等の実
用特性に優れる薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形
成方法を提供することをその課題とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成装置お
よび薄膜形成方法は、上述の課題を解決するために提案
するものである。
よび薄膜形成方法は、上述の課題を解決するために提案
するものである。
【００１７】本発明の薄膜形成装置は、少なくとも真空
槽中でプラズマを発生させる電極と、電極用の電源を備
え、その電源はパルス電源であることを特徴とする。
槽中でプラズマを発生させる電極と、電極用の電源を備
え、その電源はパルス電源であることを特徴とする。
【００１８】本発明の薄膜形成方法は、少なくとも真空
槽中でプラズマを発生させる電極と、電極用の電源を備
えた薄膜形成装置を用い、被処理体に薄膜を形成する工
程を有する薄膜形成方法において、電源がパルス電源で
あり、薄膜を形成する工程がパルス電源を用いてパルス
電界を印加し、プラズマを発生させる工程を有すること
を特徴とする。
槽中でプラズマを発生させる電極と、電極用の電源を備
えた薄膜形成装置を用い、被処理体に薄膜を形成する工
程を有する薄膜形成方法において、電源がパルス電源で
あり、薄膜を形成する工程がパルス電源を用いてパルス
電界を印加し、プラズマを発生させる工程を有すること
を特徴とする。
【００１９】またパルス電界の印加条件として、パルス
電源により発生するパルス電界のＯＮ時間をＴonとし、
パルス電界のＯＦＦ時間をＴoff としたとき、Ｔonが１
０μｓ以上、Ｔoff ×５μｓ以下であるとともに、Ｔ
off が１０μｓ以上、５０μｓ以下であることが望まし
い。
電源により発生するパルス電界のＯＮ時間をＴonとし、
パルス電界のＯＦＦ時間をＴoff としたとき、Ｔonが１
０μｓ以上、Ｔoff ×５μｓ以下であるとともに、Ｔ
off が１０μｓ以上、５０μｓ以下であることが望まし
い。
【００２０】本発明の薄膜形成方法は、プラズマ反応を
利用したプラズマＣＶＤ法に適用すると有効である。
利用したプラズマＣＶＤ法に適用すると有効である。
【００２１】また、本発明の薄膜形成方法を、被処理体
が磁気記録媒体または磁気ヘッドであり、非処理体上へ
の保護層薄膜を形成する工程に適用すると有効である。
が磁気記録媒体または磁気ヘッドであり、非処理体上へ
の保護層薄膜を形成する工程に適用すると有効である。
【００２２】これらの保護層としては、カーボン、ＤＬ
Ｃ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＢＣおよび
ＢＮのうちの少なくとも１種を形成することが望まし
い。
Ｃ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ
Ｃ、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＢＣおよび
ＢＮのうちの少なくとも１種を形成することが望まし
い。
【００２３】上述した手段による作用を以下に説明す
る。プラズマ反応を利用した薄膜形成装置に、電極と電
極用に電源としてパルス電源を備えることにより、プラ
ズマ密度が大となり、薄膜形成反応を促進させることが
できる。この薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法によれ
ば、形成される薄膜の膜質の向上が図れる。
る。プラズマ反応を利用した薄膜形成装置に、電極と電
極用に電源としてパルス電源を備えることにより、プラ
ズマ密度が大となり、薄膜形成反応を促進させることが
できる。この薄膜形成装置を用いた薄膜形成方法によれ
ば、形成される薄膜の膜質の向上が図れる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例につ
いて、図面を参照して説明する。図１は本発明の薄膜形
成装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置を磁気テープ
の製造装置に適用した例であり、磁気テープの被処理体
ウェブ１に保護層としてＤＬＣ膜を形成するために用い
たプラズマＣＶＤ装置の概略構成断面図である。この被
処理体ウェブ１は、真空槽１２中で、回転支持体２に支
えられながら、巻きだしロール３、キャン状の対向電極
９および巻き取りロール４の順に走行する。この場合、
ＤＬＣ膜は対向電極９上で形成される。
いて、図面を参照して説明する。図１は本発明の薄膜形
成装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置を磁気テープ
の製造装置に適用した例であり、磁気テープの被処理体
ウェブ１に保護層としてＤＬＣ膜を形成するために用い
たプラズマＣＶＤ装置の概略構成断面図である。この被
処理体ウェブ１は、真空槽１２中で、回転支持体２に支
えられながら、巻きだしロール３、キャン状の対向電極
９および巻き取りロール４の順に走行する。この場合、
ＤＬＣ膜は対向電極９上で形成される。
【００２５】符号５に示すのは、ＤＣ放電を主とした反
応管である。この反応管５の内部には、プラズマを発生
させる電極６が組み込まれている。この電極６はパルス
電源７により例えば＋５００Ｖ〜２０００Ｖのパルス電
界が加えられる。電極６としては、ガスを通しやすく、
かつ電界を均一にかけられ、柔軟性に富んだ金網のよう
な金属メッシュがよい。この金属はＣｕが代表的だが、
導電性の良好なＡｕ等でも良い。
応管である。この反応管５の内部には、プラズマを発生
させる電極６が組み込まれている。この電極６はパルス
電源７により例えば＋５００Ｖ〜２０００Ｖのパルス電
界が加えられる。電極６としては、ガスを通しやすく、
かつ電界を均一にかけられ、柔軟性に富んだ金網のよう
な金属メッシュがよい。この金属はＣｕが代表的だが、
導電性の良好なＡｕ等でも良い。
【００２６】また、真空槽１２には真空排気系１１が具
備され、さらにガス導入口８から反応管５に原料ガスと
して炭化水素系の例えばエチレンガスが導入される。
備され、さらにガス導入口８から反応管５に原料ガスと
して炭化水素系の例えばエチレンガスが導入される。
【００２７】以下、上述のプラズマＣＶＤ装置を用い
て、本発明を適用した具体的な実施例およびこれに対比
する比較例として、一般的な金属薄膜型磁気記録層を有
する磁気テープの磁気記録層上に保護層を形成する工程
について説明する。なお、実施例および比較例に使用し
た磁気テープは、１０μｍ厚、１５０ｍｍ幅のＰＥＴフ
ィルムに、一例として以下に示した条件で、下塗り層、
磁性層およびバックコート層を形成したものを用いた。 磁性層 ［蒸着条件］ インゴット Ｃｏ１００ｗｔ％ 入射角 ４５〜９０度 厚さ ０．２μｍ 酸素導入量 ３．３×１０-6〜４．０×１０-6 ｍ3 ／
ｓｅｃ 蒸着時真空度 ７×１０-4Ｐａ バックコート層 カーボン及びウレタンバインダーを混
合したものを０．６μｍ厚塗布
て、本発明を適用した具体的な実施例およびこれに対比
する比較例として、一般的な金属薄膜型磁気記録層を有
する磁気テープの磁気記録層上に保護層を形成する工程
について説明する。なお、実施例および比較例に使用し
た磁気テープは、１０μｍ厚、１５０ｍｍ幅のＰＥＴフ
ィルムに、一例として以下に示した条件で、下塗り層、
磁性層およびバックコート層を形成したものを用いた。 磁性層 ［蒸着条件］ インゴット Ｃｏ１００ｗｔ％ 入射角 ４５〜９０度 厚さ ０．２μｍ 酸素導入量 ３．３×１０-6〜４．０×１０-6 ｍ3 ／
ｓｅｃ 蒸着時真空度 ７×１０-4Ｐａ バックコート層 カーボン及びウレタンバインダーを混
合したものを０．６μｍ厚塗布
【００２８】実施例１ プラズマＣＶＤ工程では、例えば以下に示した条件で磁
気テープの磁性層上にＤＬＣ膜を形成した。 導入ガス エチレンガス 反応圧力 １０Ｐａ パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ２０μｓ ＤＬＣ膜厚 ８ｎｍ
気テープの磁性層上にＤＬＣ膜を形成した。 導入ガス エチレンガス 反応圧力 １０Ｐａ パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ２０μｓ ＤＬＣ膜厚 ８ｎｍ
【００２９】次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバッ
クコート層上に、パーフルオロポリエーテルをトルエン
に溶解させた潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成
させた。
クコート層上に、パーフルオロポリエーテルをトルエン
に溶解させた潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成
させた。
【００３０】実施例２ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３０μｓ 周期Ｔw ４０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３０μｓ 周期Ｔw ４０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３１】実施例３ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw ６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw ６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３２】実施例４ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ４０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ４０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３３】実施例５ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw ８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw ８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３４】実施例６ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １３０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １３０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３５】実施例７ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １５０μｓ 周期Ｔw １８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １５０μｓ 周期Ｔw １８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３６】実施例８ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３７】実施例９ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw １００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw １００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３８】実施例１０ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００３９】実施例１１ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １５０μｓ 周期Ｔw ２００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon １５０μｓ 周期Ｔw ２００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４０】実施例１２ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２００μｓ 周期Ｔw ２５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２００μｓ 周期Ｔw ２５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４１】実施例１３ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２５０μｓ 周期Ｔw ３００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２５０μｓ 周期Ｔw ３００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４２】比較例１ 本比較例は、磁気テープの磁気記録層上にＤＬＣ膜を形
成する際のプラズマＣＶＤ工程は、実施例１と電界条件
以外は同様であり、電界条件は以下のとおりである。 電界条件 電圧 １．５ｋＶ 印加条件 ＤＣ 次に、磁気テープの実施例１と同様の工程で、磁気テー
プのＤＬＣ膜上およびバックコート層上に潤滑剤を塗布
し、後にこれを巻き取り完成させた。
成する際のプラズマＣＶＤ工程は、実施例１と電界条件
以外は同様であり、電界条件は以下のとおりである。 電界条件 電圧 １．５ｋＶ 印加条件 ＤＣ 次に、磁気テープの実施例１と同様の工程で、磁気テー
プのＤＬＣ膜上およびバックコート層上に潤滑剤を塗布
し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４３】比較例２ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw １０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw １０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４４】比較例３ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw １５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw １５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４５】比較例４ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw １５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw １５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４６】比較例５ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ７０μｓ 周期Ｔw ８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff １０μｓ ＯＮ時間Ｔon ７０μｓ 周期Ｔw ８０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４７】比較例６ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ３５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ３５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４８】比較例７ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １７０μｓ 周期Ｔw ２００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ３０μｓ ＯＮ時間Ｔon １７０μｓ 周期Ｔw ２００μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００４９】比較例８ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ５５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ５５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５０】比較例９ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３００μｓ 周期Ｔw ３５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ５０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３００μｓ 周期Ｔw ３５０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５１】比較例１０ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ６５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５μｓ 周期Ｔw ６５μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５２】比較例１１ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ７０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon １０μｓ 周期Ｔw ７０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５３】比較例１２ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw １１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ５０μｓ 周期Ｔw １１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５４】比較例１３ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon １００μｓ 周期Ｔw １６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５５】比較例１４ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２００μｓ 周期Ｔw ２６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２００μｓ 周期Ｔw ２６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５６】比較例１５ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２５０μｓ 周期Ｔw ３１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ２５０μｓ 周期Ｔw ３１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５７】比較例１６ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３００μｓ 周期Ｔw ３６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３００μｓ 周期Ｔw ３６０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５８】比較例１７ プラズマＣＶＤ工程は、パルス電界以外は実施例１と同
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３５０μｓ 周期Ｔw ４１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
様であり、パルス電界条件は以下に示すとおりである。 パルス電界 電圧 １．５ｋＶ ［印加条件］ ＯＦＦ時間Ｔoff ６０μｓ ＯＮ時間Ｔon ３５０μｓ 周期Ｔw ４１０μｓ 次に、磁気テープのＤＬＣ膜上およびバックコート層上
に、パーフルオロポリエーテルをトルエンに溶解させた
潤滑剤を塗布し、後にこれを巻き取り完成させた。
【００５９】以上の実施例１〜１３および比較例１〜１
７の磁気テープについて、市販のデジタルビデオカムコ
ーダー（ソニー社製ＶＸ−７００）等を用いて特性を測
定した。評価項目は、シャトル耐久性、スチル耐久性お
よび摩擦係数である。
７の磁気テープについて、市販のデジタルビデオカムコ
ーダー（ソニー社製ＶＸ−７００）等を用いて特性を測
定した。評価項目は、シャトル耐久性、スチル耐久性お
よび摩擦係数である。
【００６０】シャトル耐久性 再生時間１０分間の磁気テープに１回記録した後、４０
℃３０％ＲＨの環境下で、全長に渡って９９回繰り返し
再生させた１００ｐａｓｓ後の再生出力を、初期出力に
対する劣化の割合をｄＢで表示し評価する。
℃３０％ＲＨの環境下で、全長に渡って９９回繰り返し
再生させた１００ｐａｓｓ後の再生出力を、初期出力に
対する劣化の割合をｄＢで表示し評価する。
【００６１】スチル耐久性 磁気テープに記録された信号の再生出力が、−５℃の環
境下で、スチル再生状態のまま保持した状態で、初期出
力に対して、−３ｄＢになる時間で表示し評価する。
境下で、スチル再生状態のまま保持した状態で、初期出
力に対して、−３ｄＢになる時間で表示し評価する。
【００６２】摩擦係数 摩擦係数の測定は、図３に概略を示した測定装置により
行う。ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のガイドピン（表
面粗度０．１Ｓ以下）Ｄを水平に配置し、この外周面に
角度θにわたって磁気テープＰの保護層側を案内させ
る。磁気テープＰの一端に、おもりＷを係合し、この重
りＷによりテンションＴ1 をかける。磁気テープＰの他
端は、一定速度Ｖで移動する力測定装置Ｍの検出端に係
合し、ガイドピンＤと磁気テープＰとの摺動時のテンシ
ョンＴ2 の測定を行う。このとき下式の関係が成り立
つ。 Ｔ2 ／Ｔ1 ＝ｅｘｐ（μ・θ） この式により、摩擦係数μは次の式により求められる。 μ＝（１／θ）Ｉｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 実際の測定は、恒温恒湿度中で、４０℃８０％ＲＨの雰
囲気で行った。また、Ｗ＝１０ｇｆ、θ＝９０度、Ｖ＝
２０ｍｍ／ｓｅｃの条件を用いた。測定は、１００ｐａ
ｓ走行させて行い、１回目と１００回目の摩擦係数を測
定する。
行う。ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のガイドピン（表
面粗度０．１Ｓ以下）Ｄを水平に配置し、この外周面に
角度θにわたって磁気テープＰの保護層側を案内させ
る。磁気テープＰの一端に、おもりＷを係合し、この重
りＷによりテンションＴ1 をかける。磁気テープＰの他
端は、一定速度Ｖで移動する力測定装置Ｍの検出端に係
合し、ガイドピンＤと磁気テープＰとの摺動時のテンシ
ョンＴ2 の測定を行う。このとき下式の関係が成り立
つ。 Ｔ2 ／Ｔ1 ＝ｅｘｐ（μ・θ） この式により、摩擦係数μは次の式により求められる。 μ＝（１／θ）Ｉｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 実際の測定は、恒温恒湿度中で、４０℃８０％ＲＨの雰
囲気で行った。また、Ｗ＝１０ｇｆ、θ＝９０度、Ｖ＝
２０ｍｍ／ｓｅｃの条件を用いた。測定は、１００ｐａ
ｓ走行させて行い、１回目と１００回目の摩擦係数を測
定する。
【００６３】以上の測定方法により測定した実施例１〜
１３の磁気テープの測定結果を［表１］に、および比較
例１〜１７の磁気テープの測定結果を［表２］に示す。
表１および表２において、Ｔoffはパルス電界のＯＦＦ
時間、Ｔonはパルス電界のＯＮ時間およびＴwはパルス
電界の周期を示す。摩擦係数はそれぞれ１回目の測定値
μ1と１００回目の測定値μ2を示す。スチル耐久性は再
生出力が初期出力に対して−３ｄＢになる時間（ｍｉ
ｎ）で、またシャトル耐久性は１００ｐａｓｓ後の再生
出力を初期出力に対する劣化の割合（（ｄＢ）で示す。
１３の磁気テープの測定結果を［表１］に、および比較
例１〜１７の磁気テープの測定結果を［表２］に示す。
表１および表２において、Ｔoffはパルス電界のＯＦＦ
時間、Ｔonはパルス電界のＯＮ時間およびＴwはパルス
電界の周期を示す。摩擦係数はそれぞれ１回目の測定値
μ1と１００回目の測定値μ2を示す。スチル耐久性は再
生出力が初期出力に対して−３ｄＢになる時間（ｍｉ
ｎ）で、またシャトル耐久性は１００ｐａｓｓ後の再生
出力を初期出力に対する劣化の割合（（ｄＢ）で示す。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】表１および表２から明らかなように、パル
ス電界のＯＮ時間をＴonとし、パルス電界のＯＦＦ時間
をＴoff としたとき、Ｔonが１０μｓ以上、Ｔoff ×５
μｓ以下であるとともに、Ｔoff が１０μｓ以上、５０
μｓ以下である範囲において、比較例に対して実用特性
が向上する。本発明の薄膜形成装置により作成された、
実施例１〜１３の磁気テープは、シャトル耐久性、スチ
ル耐久性、摩擦係数のいずれの評価項目においても優れ
た特性を示した。これらに対して、プラズマＣＶＤ工程
で、パルス電界のＯＮ時間が１０μｓより短い場合の比
較例２、３、４、６、８、１０は、プラズマ放電が安定
せず、反対にパルス電界のＯＮ時間がパルス電界のＯＦ
Ｆ時間の５倍を超えた比較例５、７、９は、連続放電と
特性が変わらずパルス電界による効果が見られなかっ
た。また、パルス電界のＯＦＦ時間が５０μｓを超えた
事例の比較例１０〜１７は、プラズマが消滅してしまう
ため特性が劣る。この評価結果により、本発明の薄膜形
成装置およびこれを用いた薄膜形成方法によれば、得ら
れる薄膜の膜質の改善が図れることが明らかとなった。
ス電界のＯＮ時間をＴonとし、パルス電界のＯＦＦ時間
をＴoff としたとき、Ｔonが１０μｓ以上、Ｔoff ×５
μｓ以下であるとともに、Ｔoff が１０μｓ以上、５０
μｓ以下である範囲において、比較例に対して実用特性
が向上する。本発明の薄膜形成装置により作成された、
実施例１〜１３の磁気テープは、シャトル耐久性、スチ
ル耐久性、摩擦係数のいずれの評価項目においても優れ
た特性を示した。これらに対して、プラズマＣＶＤ工程
で、パルス電界のＯＮ時間が１０μｓより短い場合の比
較例２、３、４、６、８、１０は、プラズマ放電が安定
せず、反対にパルス電界のＯＮ時間がパルス電界のＯＦ
Ｆ時間の５倍を超えた比較例５、７、９は、連続放電と
特性が変わらずパルス電界による効果が見られなかっ
た。また、パルス電界のＯＦＦ時間が５０μｓを超えた
事例の比較例１０〜１７は、プラズマが消滅してしまう
ため特性が劣る。この評価結果により、本発明の薄膜形
成装置およびこれを用いた薄膜形成方法によれば、得ら
れる薄膜の膜質の改善が図れることが明らかとなった。
【００６７】以上に本発明の実施の形態例につき詳細な
説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例に何ら限
定されるものではなく、磁気記録媒体としては磁気ディ
スクの磁気記録層への保護層、さらには磁気ヘッドの磁
気記録媒体に対向する摺動面への保護層形成にも適用す
ることができる。
説明を加えたが、本発明はこれら実施の形態例に何ら限
定されるものではなく、磁気記録媒体としては磁気ディ
スクの磁気記録層への保護層、さらには磁気ヘッドの磁
気記録媒体に対向する摺動面への保護層形成にも適用す
ることができる。
【００６８】
【発明の効果】本発明の薄膜形成装置によれば、パルス
電界を用いたプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、プラズマ密度を大としつつ、薄膜形成反応を促進で
きる。また、本発明の薄膜形成方法によれば、形成され
る薄膜の膜質を改善できる。また、磁気記録媒体または
磁気ヘッドの保護層として、ダイアモンドライクカーボ
ン等を形成した場合、得られる薄膜の耐摩耗性等の膜質
の向上が図れる。これにより例えば高信頼性の磁気記録
媒体または磁気ヘッドを提供することが可能となる。
電界を用いたプラズマＣＶＤ法等の薄膜形成装置におい
て、プラズマ密度を大としつつ、薄膜形成反応を促進で
きる。また、本発明の薄膜形成方法によれば、形成され
る薄膜の膜質を改善できる。また、磁気記録媒体または
磁気ヘッドの保護層として、ダイアモンドライクカーボ
ン等を形成した場合、得られる薄膜の耐摩耗性等の膜質
の向上が図れる。これにより例えば高信頼性の磁気記録
媒体または磁気ヘッドを提供することが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態例を示し、プラズマＣＶ
Ｄ法による成膜装置の概略構成断面図である。
Ｄ法による成膜装置の概略構成断面図である。
【図２】 金属薄膜型磁気記録層を有する磁気テープの
構造を示す概略構成断面図である。
構造を示す概略構成断面図である。
【図３】 摩擦係数の測定装置の概略構成図である。
１…被処理体ウェブ、２…回転支持体、３…巻きだしロ
ール、４…巻きとりロール、５…反応管、６…電極、７
…パルス電源、８…ガス導入口、９…対向電極、１１…
排気系、１２…真空槽 、１０…プラズマＣＶＤ装置、
２０…磁気テープ、２１…非磁性支持体、２２…下塗り
層、２３…金属薄膜型磁気記録層、２４…硬質カーボン
系保護層、２５…潤滑剤層、２６…バックコート層、３
０…摩擦係数測定装置、Ｐ…磁気テープ、Ｄ…ガイドピ
ン、Ｗ…おもり、Ｔ1 …テンション、Ｔ2 …テンショ
ン、Ｍ…力測定装置、Ｖ…速度、θ…角度
ール、４…巻きとりロール、５…反応管、６…電極、７
…パルス電源、８…ガス導入口、９…対向電極、１１…
排気系、１２…真空槽 、１０…プラズマＣＶＤ装置、
２０…磁気テープ、２１…非磁性支持体、２２…下塗り
層、２３…金属薄膜型磁気記録層、２４…硬質カーボン
系保護層、２５…潤滑剤層、２６…バックコート層、３
０…摩擦係数測定装置、Ｐ…磁気テープ、Ｄ…ガイドピ
ン、Ｗ…おもり、Ｔ1 …テンション、Ｔ2 …テンショ
ン、Ｍ…力測定装置、Ｖ…速度、θ…角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 16/54 Ｃ２３Ｃ 16/54 Ｇ１１Ｂ 5/187 Ｇ１１Ｂ 5/187 Ｔ 5/84 5/84 Ｂ
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも真空槽と、 前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、 前記電極用の電源とを備えた薄膜形成装置において、 前記電源がパルス電源であることを特徴とする薄膜形成
装置。 - 【請求項２】 前記パルス電源により発生するパルス電
界のＯＮ時間をＴonとし、前記パルス電界のＯＦＦ時間
をＴoff としたとき、 前記Ｔonが１０μｓ以上、Ｔoff ×５μｓ以下であると
ともに、 前記Ｔoff が１０μｓ以上、５０μｓ以下であることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 少なくとも、真空槽と、 前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、 前記電極用の電源とを具備した薄膜形成装置を用いて、 被処理体に薄膜を形成する工程を有する薄膜形成方法に
おいて、 前記電源がパルス電源であり、前記薄膜を形成する工程
が、前記パルス電源を用いてプラズマを発生させる工程
を有すること、 を特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項４】 前記薄膜を形成する工程において、 前記パルス電源により発生するパルス電界のＯＮ時間を
Ｔonとし、前記パルス電界のＯＦＦ時間をＴoff とした
とき、 前記Ｔonが１０μｓ以上、Ｔoff ×５μｓ以下であると
ともに、 前記Ｔoff が１０μｓ以上、５０μｓ以下であることを
特徴とする請求項３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項５】 前記薄膜を形成する工程は、プラズマＣ
ＶＤ法によることを特徴とする請求項３に記載の薄膜形
成方法。 - 【請求項６】 前記被処理体が磁気記録媒体であり、 前記薄膜を形成する工程が、前記磁気記録媒体の磁気記
録層上に保護層を形成する工程であることを特徴とする
請求項３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項７】 前記被処理体が磁気ヘッドであり、 前記薄膜を形成する工程が、前記磁気ヘッドの磁気記録
媒体に対向する摺動面に保護層を形成する工程であるこ
とを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成方法。 - 【請求項８】 前記保護層が、カーボン、ダイアモンド
ライクカーボン、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ａ
ｌＮ、ＡｌＣ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴｉＣ、ＴｉＮ、
ＢＣおよびＢＮのうちの少なくとも１種であることを特
徴とする請求項６または請求項７に記載の薄膜形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13240497A JPH10317149A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13240497A JPH10317149A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317149A true JPH10317149A (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=15080610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13240497A Pending JPH10317149A (ja) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | 薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10317149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271483A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Sony Corporation | Metallic thin film type magnetic recording medium and method of manufacturing thereof |
-
1997
- 1997-05-22 JP JP13240497A patent/JPH10317149A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271483A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Sony Corporation | Metallic thin film type magnetic recording medium and method of manufacturing thereof |
| US7070871B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-07-04 | Sony Corporation | Metallic thin film type magnetic recording medium and method of manufacturing thereof |
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