JPS59162622A - 垂直磁気記録体並にその製造法 - Google Patents

垂直磁気記録体並にその製造法

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JPS59162622A
JPS59162622A JP58036653A JP3665383A JPS59162622A JP S59162622 A JPS59162622 A JP S59162622A JP 58036653 A JP58036653 A JP 58036653A JP 3665383 A JP3665383 A JP 3665383A JP S59162622 A JPS59162622 A JP S59162622A
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JP
Japan
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roller
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vessel
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JP58036653A
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JPS6255207B2 (ja
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Kyuzo Nakamura
久三 中村
Yoshifumi Oota
太田 賀文
Hiroki Yamada
太起 山田
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Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/65Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
    • G11B5/658Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式として一
垂直磁気記録方式と光磁気記録方式が注目され、研究さ
れているが、これら方式に用いられる媒体は、垂直方向
に磁気異方性を備え且つKu、≧2πMs”或はn Q
 L > HO// l B r 4>BrNの゛条件
を満足したいわゆる垂直磁化膜を使用する必要がある。
従来、知られているように、OOはHOP構造のO軸方
向に大きな結晶磁気異方性を有して居り、この性質を利
用して垂直磁化膜を得ようとすると、■膜面に対して0
軸がほとんど垂直になるように結晶配向していること 
■稍晶磁気異方性Kuが薄膜の垂直方向の反磁界2πM
s2より大きいことの2つの条件を満足させる必要があ
る。しかしOo薄膜では、飽和磁化MsV)値が大きい
ため、前記■の条件が満たされておらず、垂直磁化膜と
はならない。
本発明は、か\る点に鑑み1新しい0o−0形式の垂直
磁化膜をもつ垂直磁気記録体を提供するもので、非磁性
基材面に、直接、又は軟磁性薄膜層を介してOO〜15
〜50at%Oの組成から成る垂直磁化膜を備えたこと
を特徴とする。
更に第2発明は、上記の新規な垂直磁気記録体の製造法
を提供するもので、非磁性基材面に、又は予めその面に
形成した軟磁性#膜層の面に1実質上垂直に入射するよ
うにOO原子を真空蒸着させると同時に0.ガスを導入
して、0o−15=soat%0の組成から成る垂直磁
化膜を形成するようにしたことを特徴とする。
次に本発明の実施例につき説明する。
第1図は、本発明を実施する真空蒸着装置を示し、真空
ポンプに1側に於て接続する容器(1)内に回転冷却キ
ャン(2)とその直下に電子ビーム蒸発源(3)を設け
、その上部両側に巻解しローラー(4)と巻取りローラ
ー(5)とを配設し、該ローラー(4)に巻きつけた非
磁性基材として、例えば、ロール状のPETテープ基材
[Lを、冷却キャン(2)0周面をそ■回動と共に回動
走行しローラー(5)に巻き取られるようにした。本発
明によれば、容器+u内に酸素を導入するための供給管
(6)を備える。図示の例では、これを走行テープ3面
の近傍で開口する長手のものとした。(7)は鳥蒸尭源
直上に対向する冷却キャン(2)の最下面を空して水平
に配置した防着板を示し、これにより、蒸発源(3)か
らの蒸発co原子がテープ基材に対して実質上垂直に入
射蒸着するようにした。
本装置を使用し、先づ、1×10  トール以下まで容
器(1)内を排気した後、蒸発材料す、即ちCOを電子
ビーム加熱により一定速度で蒸発させ、1方該供M W
 +6)より、0.ガスを導入させて一定速度で走行す
るテープ基材1面に垂直蒸着を行ないGo−0蒸着膜を
得るが、この場合、0、ガスの導入を種々の分圧になる
ようにOよガス導入量を種々変化させて各種組成割合の
C0−0蒸着膜をもつ磁気記録体を製造した。その膜厚
は、テープ基材の走行速度を変化させる等で1oooX
〜10000λの範囲に作成した。か−る種々の00−
0組成をもつ蒸着膜につき磁気特性を測定し、第zlX
JA+ B、oに示すC0−0組成と磁気特性の関係を
得た。この結果から分かるように、O成分が増加すると
共に垂直方向の保磁力HOふと残留磁束密度Br↓が上
昇し、Oが15 at%以上になると両者とも面内の保
磁力Ha、、と残留磁束密度Br、、より大きくなり、
垂直磁化膜が得られる。然し乍ら0が50 at%を越
えると、飽和磁化M8の値がcノとなり磁性を失なって
しまう。第6図は、本発明の代表的な0o−56at%
0組成から成る垂直磁化膜のヒステリシス曲線を示し、
完全な垂直磁化膜になっていることが分る。
上記の製法に於て、Ooの蒸発速度を変化させて本発明
の0o−15〜50at%0組成の膜を得るには、0.
ガス導入蓋も適当に変化させるようにする。この関係は
、基材への両原子の入射頻度にほぼ比例しているので1
00蒸発量が増加すると07分圧を増加させる必要があ
る。第2図0から明らかなように、本発明のoo−15
〜50 at%0組成から成る垂直磁化膜は、垂直方向
の保磁力Ha↓の値は400〜1000De程度で、垂
直磁気記録体としては最も良好な値である。
従来の0o−Or組成から成る垂直磁化膜をもつ磁気記
録体は1蒸着法によるときは、200〜500℃に基板
を加熱した条件下でこの加熱基板にOoとOrの原子を
蒸着せしめることが必須である。これに対し、本発明に
よれば、基材を加熱する必要なく、水冷キャンで基材を
積極的に冷却し一才未加熱の常温の場合でも垂直磁化膜
が得られ、従来のように、基材材質が耐熱性のものに限
定されポリイミドフィルム等の高価なプラスチックフィ
ルムしか使用できない不利を解消し、基材の材料は限定
されず、耐熱性のない材料、安価なPETフィルム等で
も使用でき有利である。本発明は、基材を冷却しな・し
νで常温でも又、加熱した状態でも良好な垂直磁化膜が
得られる。
又、従来0o−Or垂直磁化膜では、蒸着法で作成しよ
うとすると、Or組成の制御が困難で長時間に亘り均一
な垂直磁化膜を得ることが困難で、又カーリングが非常
r激しく生ずるに対し、本発明によれば、COの蒸着速
度と0.ガス導入量を一定に保てば良いので、極めて容
易に長時間に亘って均一な垂直磁化膜基材上に形成でき
、又カーリングをほとんど生じないので、フロッピーデ
ィスク、磁気テープへの応用には極めて有利である。
本発明のC0−0薄膜が垂直磁化特性を発生する原因は
充分明らかでないが次のように考えられる。
即ち、基材面に対して垂直に00原子を入射させて蒸着
すると、垂直方向にHOP構造の0軸を配向した柱状粒
子構造の薄膜が作成される。
この際、真空容器内に0.ガスを導入すると、蒸着co
原子の1部が酸化され、004:10或はこれに近い酸
化物全同時に析出し、00粒子の周囲をその非強磁性酸
化物で覆った膜構造になるものと考えられる。従って、
この00柱状粒子は、結晶異方性の他に形状磁気異方性
も加わって居り、垂直磁気異方性を向上させている。以
上のような1部酸化の膜構造になると、膜全体の平均の
飽和磁化の値は低下するので、Ku工逼2πMs2と云
う条件が満足され、垂直磁化特性が得られていると考え
られる。又、00柱状粒子の粒径は、数百久〜数千λ程
度と考えられ1金属機粒状になっているので、高い保磁
力も得られる。
本発明の上記C0−0垂直磁化膜には、他の元素を微量
に混入することは差支えない。又OOr固溶する元素で
HOP構造に害を与えない元素、例えばOr、 V、 
Mo、 W、 Rh、 Ti、 Re等の微量の混入も
差支えない。
又、垂直磁気記録方式においては、垂直磁化膜と非磁性
基材面との間にパーマロイ、Fe、Oo。
0o−Zr非晶質膜等の比較的軟質磁性を示し、飽和磁
化の大きい磁性体の薄膜を介在させると、記録電流を小
さくでき又再生出力を増大できるので、本発明によれば
、予め、非磁性基材面に軟磁性薄膜層を形成した後、そ
のN膜層の上面に、例えば、上記の実施例に従い、所定
のO。
−0組成の垂直磁化膜を形成することにより、該軟磁性
薄膜層の介入した本発明垂直磁気記録体を製造すること
ができる。
又1本発明は、フロッピーディスクに応用する場合、そ
の基材の片面又は両面に、直接又は該軟磁性薄膜層の介
在した前記所定のGo−0組成の垂直磁化膜を形成した
本発明の垂直磁気記録体を製造するようにしてもよい。
このように本発明によるときは、ao−15〜50 a
t%0組成から成る00−o組成の薄膜により良好な垂
直磁化膜をもつ垂直磁気記録体が得られ、その製造法は
、非磁性基材面に、直接又は軟磁性薄膜層を介して、O
oを蒸着する際、0、ガスを導入して上記所定の0O−
0組成の垂直磁化膜を形成するようにしたので、従来の
0o−Or垂直磁化膜の製造と異なり、均一な垂直磁化
膜を長時間に亘り作成でき、能率良く大量生産でき、又
基材を加熱する必要がなく、常温で安価な基材を使用し
ても良好な垂直磁化膜が得られる等の効果を有する。−
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の製造法を実施する装置の1例の裁断
側面線図、第2図A、B、Oは各種00−0組成と磁気
特性との関係を示す図、第6図は、本発明垂直磁化膜の
1例のヒステリシス曲線図を示す。 (1)・・・容 器 a・・・テープ基材 (3)・・
・蒸発源b・・・蒸発材料Oo  ’(41(51・・
・ローラー (6)・・・酸素ガス供給管 (7)・・
・防着板 特許出願人 日本真空技術株式会社 外1石

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 非磁性基材面に、直接、又は軟磁性薄膜層を介し
    て0o−15〜50 at%0の組成から成る垂直磁化
    膜を備えたことを特徴とする垂直磁気記録体。 λ 非磁性基材面に、又は予めその面に形成した軟磁性
    薄膜層の面に、実質上垂直に入射するようにOo原子を
    真空蒸着させると同時に0艷ガスを導入して、0o−1
    5〜50at%0の組成から成る垂直磁化膜を形成する
    ようにしたことを特徴とする垂直磁気記録体の製造法。
JP58036653A 1983-03-08 1983-03-08 垂直磁気記録体並にその製造法 Granted JPS59162622A (ja)

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