JPS6334740A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

垂直磁気記録媒体の製造方法

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JPS6334740A
JPS6334740A JP17756686A JP17756686A JPS6334740A JP S6334740 A JPS6334740 A JP S6334740A JP 17756686 A JP17756686 A JP 17756686A JP 17756686 A JP17756686 A JP 17756686A JP S6334740 A JPS6334740 A JP S6334740A
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JP
Japan
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gas
magnetic layer
magnetic
magnetic field
recording medium
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JP17756686A
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Tetsuo Oka
哲雄 岡
Takayoshi Akamatsu
孝義 赤松
Kenji Hayashi
健二 林
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Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、真空蒸着法による垂直磁気記録媒体の製造方
法に関する。
特にフロッピーディスクに適した垂直磁気記録媒体の製
造方法に関する。
[従来の技術] 強磁性金属を基体面に垂直に入q=+するように蒸発せ
しめると同時にガスを導入して強磁性金属とその酸化物
から成る垂直磁気記録媒体を形成する種々の製法が提案
されている。例えば、基材面に垂直に入射するようにF
e、Co、N i原子を蒸発させると同時に02ガスを
導入してFe、Co。
N;とこれらの酸化物から成る垂直磁気記録媒体を形成
する製法(特開昭59.− ’I 98707 )があ
り、他の製法の一例としては本発明者らの提案した強磁
性材料を蒸発材料とし、化学的活性の小さいガスと酸素
ガスの両者のガスを同時に導入し、かつ導入時の圧力が
1 X 10−3Torr〜5X10−2Torrで真
空蒸着により@直磁気記録媒体を形成する製法(特願昭
59−214414、特願昭60−244495>など
がおる。
[発明が解決しようとする問題点] 従来よりフロッピーディスクドライブに使用されている
ヘッドは耐摩耗性に優れているなどの埋由でフェライト
製のヘッドが使用されている。
また近年、長手磁気記録媒体に使用されているリングヘ
ッドの垂直磁気記録媒体への適用が可能であることが判
り研究が進められている。
しかしながら、上記フェライト製リングヘッドから発生
する磁界強度は相対的に小さく5000ガウス程度であ
るため、垂直方向の保磁力の大きな媒体に対しては飽和
記録が困難である。
ここで飽和記録とは、磁気記録媒体の飽和磁化(MS 
)の値まで磁化できるような記録磁界を磁気記録媒体に
与えて記録する方法であり、さらに具体的には、磁気記
録媒体の再生電圧が最大値(前記飽和磁化に相当する)
になるような記録電流をヘッドに与えて記録する方法で
ある。
前記した02ガスを導入する製法においては、垂直方向
保磁力の小さい媒体を1qることはできるが、磁性層に
亀裂が入る問題点がおり、後者の化学的活性の小さいガ
スと酸素ガスの両者を導入する製法の場合、磁性層に亀
裂は入らないが、垂直方向保磁力が大ぎく、フェライト
製リングヘッドによる飽和記録ができないという問題点
があった。
本発明の目的は上記問題点を解消するものである。すな
わち、磁性層にビットエラー、エンベロープ不良の原因
となる亀裂の発生がなく、かつフェライト製リングヘッ
ドでの飽和記録が可能な垂直方向保磁力を備えた垂直磁
気記録媒体の製造方法を提供せんとするものである。
[問題点を解決するための手段] 本発明は次の構成を有する。
すなわち、本発明は、真空雰囲気中に化学的活性の小さ
いガスと酸素ガスを導入し、強磁性体を蒸発材料とし真
空蒸着により基体上に1基体面に対し垂直方向に磁気異
方性を有する磁性層を形成する製造方法において、蒸発
材料がCo、 Fe。
Niの混合物または合金であって、かつこれらの組成比
がCox  Fey  Nixとした時5<Vく10、
O≦Z≦15、x+y+z=’l○Oであり、かつ前記
化学的活性の小さいガスと酸素ガスの比が酸素濃度で5
体積%以上15体積%未満であることを特徴とする垂直
磁気記録媒体の製造方法でおる。
本発明において化学的活性の小さいガスとは、蒸発材料
である強磁性体に吸着されないガスまたは吸着される速
度の遅いガスであり、その内蒸発材料である強磁性体へ
の化学吸着熱が室温において1QKcal/mol以下
のガスが望ましく、具体的には、N2.Ar、 ト1e
、Ne、 Xe、 Rnから選ばれる1種または1種以
上のガスを使用することが望ましい。ざらに入手が容易
、安価であることなどから工業的規模での使用ではN2
.Arが最も適している。
本発明において化学的活性の小さいガスと酸素ガスの比
は酸素濃度で5体積%以上15体積%未満の範囲である
必要がおる。酸素濃度が5体積%未満では垂直方向の保
磁力が低下し、異方性磁界も低下する。15体積%以上
では、磁性層に微細な亀裂を生じる場合がある。
本発明で述べる真空蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘
導加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンブレーティング、
イオンビーム蒸着、レーザービーム蒸着、アーク放電蒸
着などの真空蒸着法のいずれかの方法でも実施が可能で
おるが、保磁力、異方性磁界などの磁気特性を向上する
上で、また高い製膜速度を得るために電子ビーム蒸着、
イオンブレーティングなどの方法が適しており、さらに
操作性、量産性などの工業的観点から電子ビーム蒸着が
最も適している。
本発明で用いることのできる基体としては、特に限定さ
れるものではないが、プラスチックフィルムなどの有機
重合体材料などが挙げられる。特に加工性、成形性、可
撓性が重視される場合には、有機重合体材料が適してお
り、中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリエチレンジカルボキシレート、ポリ
エブーレンα、βビス(2−クロルフェノキシ)エタン
−4,4’−ジカルボキシレ−1〜などのポリエステル
、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテンなどのポ
リオレフィン、ポリメチルメタアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホン、ポリアミド、芳香族ポリアミ
ド、ポリフェニレンスルフィド、ボリフェニレンオキサ
イド、ポリアミドイミド、ポリイミド。おるいはこれら
の混合物、共重合物などが適している。特に二軸延伸さ
れたフィルム、シート類は、平面性、寸法安定性に優れ
、最も適しており、中でもポリエステル、ポリフェニレ
ンスルフィド、芳香族ポリアミドなどが最も適している
。基体の形状としては、ディスク状、シート状、テープ
状、カード状などいずれでも良く、厚みも特に限定され
るものではない。加工性、寸法安定性の点で、厚みは2
μ〜500μ、中でも4μ〜200μの範囲か好ましい
本発明で用いられる基体は、次に述べる磁性層の形成に
先だら、易接着化、平面性改良、着色、帯電防止、耐摩
耗性付与等の目的で各種の表面処理や前処理が施されて
も良い。
本発明において、基体面に対し垂直方向に磁気異方性を
有する磁性層とは、異方性磁界(+−IK>の値が2.
0KOe程度以上の磁性層であることが望ましく、異方
性磁界が2.0Koe未満の磁性層は垂直磁気記録媒体
として実用に供することは困難でおる。
本発明の製造方法で使用ざハる蒸発材料は強磁性体であ
るCo、Fe、N iであり、これらの組成比はCOX
 [ey NiXとした時5くyく10.0≦Z≦15
、x+y+z=100でおる。
本発明の製造方法により得られる媒体はCo、Fe、N
iの合金と該合金の酸化物との混合相であるが、前記y
が5以下では得られる媒体の垂直方向保磁力(HCJ−
)の低減効果が不充分であり、yが10を越える場合は
異方性磁界(1−1k>が低下するため垂直磁化膜とし
て供し1ワなくなる。
Niの添加は耐蝕性を改善するために添加することが望
ましいが、[eとの同時添加の場合、Zが15を越える
とこれも異方性磁界トIKか低下する原因となり望まし
くない。
次に図面に基づいて本発明の製造方法の一例を説明する
。第1図は本発明の製造方法を実施する電子ビーム蒸着
装置の一例である。第1図にd3いて巻き出し軸1、ニ
ップロール2、主ドラム3、ニップロール4、巻き取り
軸5によって有機高分子より成る長尺フィルム6の走行
系が構成されている。巻き出し軸1にロール状に巻かれ
た有機高分子フィルム6を配設する。フィルム6はニッ
プロール2、主ドラム3、ニップロール4を経て巻き取
り軸5に配設された巻き取りコアに巻き取られる。主ド
ラム3は有機高分子フィルム6の裏面を50’C以下に
保つように、例えば通水などによる冷却機能(図示省略
)を有している。14は隔壁であり、該隔壁14によっ
て真空槽10は上槽15と下槽16とに分けられ、各々
排気口11゜12により各々排気されるようになってい
る。7は蒸発蒸気流の入射角度を制限するための遮蔽板
である。入射角とは第2図において、基体面Cに入射す
る蒸発蒸気流Aと基体面Cに立てた法線Bとのなす角θ
である。第1図における遮蔽板7は入射角が45度以下
の選ばれた角度を越える蒸発蒸気流が基体面に入射しな
いように開口部17を有している。8は凹部を有した電
子ビーム蒸着器でおる。
上記の装置を使用して、本発明のl!!造方法により垂
直磁気記録媒体を形成するのであるが、上記した装置の
みに限定されるものではない。
第1図に示した蒸発装置の長尺フィルム走行系に有機重
合体材料より成る長尺フィルム、例えばポリエチレンテ
レフタレートフィルムを配設し、電子ビーム蒸着器8の
凹部に所定の合金を配した状態にて真空1’W10を排
気口11.12より各々排気する。上槽15は圧力が5
 X 10 ’Torr以下になるまで、下槽基体近傍
圧力は5 X 10−5Torr以下になるまで各々排
気する。
次いでバリアプルリークバルブ13より、化学的活性の
小さいガスと酸素ガスを導入管18を経て基体近傍に導
入する。かかる状態とした後、基体である前記ポリエチ
レンテレフタシー1〜フイルムを走行させ、該フィルム
上に電子ビーム蒸着により所定の合金を溶融蒸発せしめ
連続的に垂直方向に磁気異方性を有する磁性層を形成す
るのである。
導入するガスの内、酸素カスの損は成膜速度/酸素カス
の比で0.15〜8.5x 10’ (cm−2)の範
囲が望ましく、8.5X10−8 (Cm−2>を越え
ると得られる磁性層に亀裂を生じる場合があり、0.1
5x 10−8(0−8(>未満テハ異方性1界(1−
IK )(7)値が2.0KOe未満となり、垂直磁気
記録媒体としては供し得なくなる。
なお本発明の製造方法により得られる磁性層の厚さは、
特に限定するものではないが実用的には0.03μmの
範囲であり、可撓性、磁気ヘッドとの接触、および該磁
性層の製膜速度を考慮した場合、0.05μm〜2.0
μmの範囲が望ましい。
また磁性層の垂直方向保磁力は飽和記録が可能でおるた
めに、10000e以下でおることが好ましく、出力を
低下させないために4000e以上でおることが望まし
い。
[発明の作用コ 真空中に酸素ガスと化学的に活性の小さいガスとを導入
し、Coのみを溶融蒸発せしめて磁性層を形成する場合
は、酸素ガス100%を導入した場合とは異なり、蒸着
雰囲気の圧力が高くなり、磁性層を形成する粒子が大き
くなると共に、柱状構造が明瞭に表われ、また柱状構造
間に空隙を生じてくるため、垂直方向の保磁力が大きく
なってくるものと推定される。一方、CoへのFeの添
加は、Coの結晶磁気異方性を阻害するか、おるいはC
oの結晶構造を変態せしめることにより、垂直方向への
保磁力を低下せしめることが可能になるものと推定され
る。
磁性層に発生する亀裂については、十分解明できていな
いが、酸素)門度が5体積%以上15体積%未満の範囲
の化学的活性の小さいガスと酸素ガスとの両者を導入し
て形成した磁性層の断面写真によれば柱状構造自身の微
細化が進んでおり、このために磁性層内部応力が緩和さ
れ、亀裂発生が抑制されたものと推定される。
[特性の測定方法・評価基準] ■ 保磁力、飽和磁化、異方性磁界の測定方法磁性層の
磁気特性は、JIS  C−256’lで示されている
撮動試料型磁力計法や、磁気磁束計法によって測定でき
る。磁気特性の測定方法について撮動試料型磁力計(理
研電子(株)t!j、BHV−30>によって測定する
方法を第3図により説明する。第3図においてOは原点
、たて軸は磁化された磁性層の磁化ffi (M)を示
し、にこ軸は磁性層に印加する外部磁界(1」)を示す
磁化されていない測定試料の磁性層に外部磁界(H)を
一方向に絶えず増加しっつ印加すると、外部磁界(H>
の増加に従って破線矢印の如く磁化ffl(M)は増大
していく。外部磁界()−1)がある値以上になると、
それ以上外部磁界(+−1>を増しても磁化ffi (
M)は飽和して、それ以上増大しなくなる。第3図にお
けるD点がこの点である。
D点における磁化量(M)を飽和磁化(Ms )と呼ぶ
。ざらにD点より出発して、逆に外部磁界(H)を実線
矢印の如く減少させていくと、磁化量(M)も減少をは
じめる。外部磁界(ト1)をOの状態にしても磁化fI
l (M)はOとなりず、残留磁化(Mr)の値を残す
。さらに外部磁界(+−1)をOを越えて負方向に増大
すると磁化fm (M)はある値で飽和する。この値が
負の飽和磁化(第3図E点)である。
ざらにE点より出発して再び外部磁界(ト1)を正方向
に印加をはじめると、磁化m (M)は再び正方向に実
線矢印の如く増大しはじめ、負方向の残留磁化点(−M
 r )を経て、磁化m (M)はOとなり、再び最初
の正の飽和磁化点(第3図り点)に戻る。
以上のようして得られる曲線は、ヒステリシスループと
呼ばれており、このヒステリシスループにより保磁力(
Hc )および飽和磁化(MS ’)を得る。撮動試料
型磁力計を使用し、外部磁界を基体面の垂直方向に加え
た場合のヒステリシスループを記録し、垂直方向保磁力
を得る。
次に異方性磁界の測定方法について説明する。
垂直磁気記録媒体垂直方向への磁気異方性をあられす指
標として異方性磁界(H+<)がある。異方性磁界(1
−IK)の測定方法について第4図により説明する。第
4図においてOは原点、たて軸は磁化された磁性層の磁
化?(M)を示し、よこ軸は磁性層に印加する外部磁界
(H)を示す。第4図は、試料とする磁性層表面に平行
方向に外部磁界を加えた場合のヒステリシスループであ
る。原点Oよりヒステリシスループに引いた接線と、正
の飽和磁化点りを通り、外部磁界軸(l」)と平行に引
いた直線との交点Fの外部磁界(ト1)の値が異方性磁
界(+−IK)である。
■ 飽和記録の判定方法 得られた磁気記録媒体に潤滑剤を塗布し、市販の5.2
5インチサイズのフロッピーディスク形状に打ら恢き試
験試料とする。
飽和記録の判定をする装置として市販のフロッピーディ
スクドライブ(キレノン電子(株)製、’MDD516
A” )を使用し、上記試験材料に記録・再生を行ない
、飽和記録の判定をした。
使用したヘッドは上記フロッピーディスクドライブに付
属したヘッドであり、ギャップ長0.35μm片面型形
状、フェライト製リングヘッドである。
記録周波数500 Ktlzにて、ヘッドに5mA、1
0mA、 20mA、 40mA、 80mA、 10
0mA、 15QmA、200mAの各記録電流を流し
て媒体を記録し、各記録電流に対し再生電圧値を読みと
る。jqられた再生電圧値が記録電流に対し極大値をも
つ場合(いわゆる最適記録電流が存在する場合)、飽和
記録が可能でめったと判定した。
■ 磁性層の亀裂発生確認方法 磁性層の亀裂の有無の確認は走査型電子顕微鏡((株)
明石製作所、l5I−DS130、走査型電子顕微鏡)
により磁性層表面写真を暗影(拡大倍率1000倍〜1
0000倍)し、亀裂の有無を確認した。
■ 導入ガス流量の制御および流量測定真空槽内に導入
するガスの流量は質量流■計とガス流星コントロールバ
ルブの組合せににり行なった。具体的にはエステツク(
株)装″マスフローコントローラ”(SECシリーズ)
を使用した。
[実施例] 以下実施例に基づいて本発明の製造方法の一実施態様を
説明する。
実施例1〜3 第1図に示した電子ビーム蒸着装置の上槽圧力、下槽基
体近傍圧力を各々5 X 10 ’Torr以下、IX
 10’Torr以下になるまで排気し、次いて窒素と
酸素の混合ガスをバリアプルリークバルブを経て下槽内
に導入し、厚さ50μの二軸延伸されたポリエチレンテ
レフタレートフィルムを所定の走行速度で走行させ、電
子ビーム蒸着により蒸発材料を溶融蒸発せしめ、前記フ
ィルム上に連続的に磁性層を形成する。なお該電子ビー
ム蒸着装置内部には蒸発蒸気流の入射角26°以下とな
るようにな開口部首する遮蔽板を配設し、また前記ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの裏面は50’C以下
になるよう主ドラムにより冷却した。電子ビーム蒸着器
としては日本真空技術(株)製EGL−110型を使用
し、該電子ビーム蒸着器用電源として日本真空技術(株
)製、HP−1610Fを使用した。該電子ビーム蒸着
器凹部には純度99.9%以上の蒸発材料を使用した。
上述した製造方法により、導入ガスとして酸素濃度が1
0体積%の酸素/窒素混合ガスを使用し、蒸発材料のC
o、 Fe、N rの組成比よおびガス導入量を変えて
磁性層を形成した実施例を実施例1〜3とする。なa3
実施例1〜3の基体近傍圧力は1X 1Q ’−Tor
r ”−5X’10−2rorr範囲内テcThす、電
子ビーム蒸着器への投入電力は4KW一定で実施した。
また磁性層の膜厚は2000〜3000人になるように
基体でおるポリエチレンテレフタレートフィルムの走行
速度を変えて調整した。 実施例1〜3の蒸発材料組成
、ガス導入量と得られた磁性層の垂直方向保磁力・異方
性磁界と磁性層表面の亀裂の有無について第1表に示す
第1表に示すように、実施例1〜3は異方性磁界の値が
いずれも2.0KOe以上であり、垂直°磁気記録媒体
が得られた。また実施例1〜3について飽和記録の判定
を行なったが、いずれも再生電圧値に極大値が存在し、
飽和記録が可能でめった。
また実施例1〜3は第1表に示すように、いずれも磁性
層表面に亀裂の発生もなく、フェライト製リングヘッド
に適した垂直磁気記録媒体が1qられた。
比較例1〜8 実施例1〜3に使用した電子ビーム蒸着装置を用い、導
入ガス組成およびまたは蒸発材料組成を本発明の範囲外
として、その他の条件は実施例1〜3と同様の条件で実
施した例を比較例1〜8とする。比較例1〜8の蒸発材
料組成、導入ガス組成、ガス導入母を第2表に示す。
また比較例1〜8によって得られた磁性層の垂直方向保
磁力、異方性vIi界、磁性層表面の亀裂の有無につい
ても第2表に示す。
第2表で明らかなように、比較例1.2は異方性磁界の
値が大きく、また磁性層表面に亀裂の発生もなく優れた
垂直磁気記録媒体であった。しかし、飽和記録の判定を
行なったところ、両者とも記録電流に対し、再生電圧の
極大値が存在せず飽和記録が不可能でめった。これは垂
直方向保磁力が大き過ぎるためと考えられる。
比較例3および6は異方性磁界の値が2.0KOe未満
でおり、垂直磁気記録媒体としては実用に供し難いもの
であり、また比較例4.5.7.8は飽和記録は可能で
あったが、磁性層表面に亀裂または微細亀裂の発生があ
り、いずれも高記録密度を目的とする垂直磁気記録媒体
としては供し難いものであった。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明の製造方法により得られた垂
直磁気記録媒体は磁性層表面に亀裂の発生がなく、また
垂直方向保磁力が適当に小さく、フェライト製リングヘ
ッドで飽和記録が可能な優れた垂直磁気記録媒体であっ
た。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法を実施するための電子ビーム
蒸着装置の一例を示す概略図、第2図は蒸発蒸気流の入
射角の説明図である。第3図は磁性層の保磁力、飽和磁
化を説明するためのヒステリシスループの測定例の図、
第4図は磁性層の異方性磁界を説明するためのヒステリ
シスループの測定例の図である。 1:巻き出し軸  3:主ドラム 5:巻き取り軸  6:有機高分子フィルム7:遮蔽板
    8:電子ビーム蒸着器9:蒸発材料  10:
真空槽 11:排気口   12:排気口 13:バリアプルリークバルブ 17:開口部     A:蒸発蒸気流B:基体面に立
てた法線 C:基体面     θ:入射角 M:la化ω     H:外部磁界 MS:飽和磁化  トIC:保滋カ ドIK:異方性磁界

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空雰囲気中に化学的活性の小さいガスと酸素ガ
    スを導入し、強磁性体を蒸発材料とし真空蒸着により基
    体上に1基体面に対し垂直方向に磁気異方性を有する磁
    性層を形成する製造方法において、蒸発材料がCo、F
    e、Niの混合物または合金であって、かつこれらの組
    成比がCo_xFe_yNi_xとした時5<y<10
    、0≦Z≦15、x+y+z=100であり、かつ前記
    化学的活性の小さいガスと酸素ガスの比が酸素濃度で5
    体積%以上15体積%未満であることを特徴とする垂直
    磁気記録媒体の製造方法。
JP17756686A 1986-07-30 1986-07-30 垂直磁気記録媒体の製造方法 Pending JPS6334740A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394993B1 (ko) * 2001-02-20 2003-08-19 한국과학기술연구원 FeCoNiN계 연자성 박막합금 조성물

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100394993B1 (ko) * 2001-02-20 2003-08-19 한국과학기술연구원 FeCoNiN계 연자성 박막합금 조성물

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