JPS6126938A - 垂直磁化記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、垂直磁化記録媒体、特に高密度記録に好適な
磁化記録媒体の製造方法に関する６〔発明の背景〕 従来の磁気記録方式では、基体上に形成された磁気記録
層に水平方向の磁化によって記録を行っており、この場
合、記録密度が増大するにつれて媒体内の反磁界が増し
て残留磁化の減衰と回転を生じ再生出力が著しく減少す
る。

一方、記録媒体の磁性膜面に垂直な残留磁化を用いて記
録する場合、記録密度が増大するにつれて反磁界が減少
し、残留磁化が増加する性質があるので、高密度記録領
域において優れた記録特性が得られる。

垂直磁化記録媒体の記録層としては、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜
が知られており、スパッタリング法や蒸着法により作製
されている。

Ｇ　ｏ　−Ｃｒ合金膜を垂直磁化記録層とするためには
、その結晶構造が六方最密構造（ｈｔ　ｃｔ　ｐ）であ
って且つそのＣ軸が膜面に垂直な方向に配向していなけ
ればならない。一般に用いられて・いる垂直磁化記録媒
体は、非磁性基板上に直接に、またはパーマロイ等の軟
磁性薄膜を介して前記Ｇ。

−Ｃｒ合金薄膜を形成したものである。非磁性基板とし
ては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート等の高
分子フィルムあるいはＡＱ、ガラス板等が用いられる。

これらの基板上にＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成した場合、前
記Ｃｏ−”Ｃｒ合金膜のＣ軸配向度、Ａｃ１゜は基板の
清浄度の微妙な差や下地金属基板の結晶配向によって１
５〜６度と大きくばらつくという問題がある。

非磁性基板上に付着せしめたＣｏ−Ｃｒ合金膜は、Ｃ軸
方向に典型的な柱状構造をしていることが知られており
、電子顕微鏡による詳細な断面観察によれば、大略第１
図の構造を有している。すなわち、非磁性基板１上に付
着せしめたＣｏ−Ｃｒ合金薄膜２のＣ軸配向性は、基板
との接触部より約３００人の厚さの領域では非晶質的で
配向性が悪く、Ｃｏ　−Ｃｒ合金薄膜の厚みの増大と共
に配向性は向上するや従って、高密度磁化記録において
Ｓ／Ｎ比の良い記録再生出力信号を得るためには、少な
くとも２０００Å以上のＣｏ　−Ｃｒ合金薄膜を形成す
る必要がある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜より成る垂直磁化
記録媒体において、前記Ｃｏ　−Ｃｒ合金薄膜のＣ軸配
向度の良好な領域を有効に利用し、高密度記録に好適な
垂直磁化記録媒体の製造方法を提供することにある。

〔発明の概要〕

Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を用いた垂直磁化記録媒体において
は、非磁性基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を付着する
場合と、信号強度を高める目的から非磁性基板とＣｏ−
Ｃ’ｒ合金薄膜の間にパーマロイ等の軟磁性層膜を形成
して用いる。前記したように非磁性基板上にＣｏ−Ｃｒ
合金薄膜を付着せしめた場合、初期の約３００Å以下の
領域では非晶質的でＣ軸配向性が悪く、膜厚が厚くなる
につれてＣ軸配向性は向上する。従って、本発明ではＣ
軸配向性の良い領域のＧ　ｏ　−Ｃｒ合金薄膜を利用す
るという観点から垂直磁化記録媒体の製造方法を提供す
るものである。

第２図（ａ）により本発明の詳細な説明する。寥ず、第
１の非磁性基板１′の上にＣｏ−Ｃｒ合金　　　　゛薄
膜２を付着せしめる。Ｃ軸配向性の良いＣｏ−Ｃｒ合金
薄膜を得るためには、１０００Å以上の厚みが望ましい
。次に、前記Ｃｏ　−Ｃｒ合金薄膜２の上部に第２の非
磁性層３を付着し、新たな支持基板とする。ついで、試
薬またはイオンスパッタリング法等により第１の非磁性
基板１を除去すると共に、第１の非磁性基板１′に近接
した約３００人の厚さのＣｏ−Ｃｒ合金薄膜層を除去す
る。

また、記録再生時の信号強度を高める目的からは、軟磁
性層膜とＣｏ７Ｃｒ合金薄膜から成る２層膜媒体が用い
られるが、この場合には第２図（ｂ）のごとく、Ｃｏ−
Ｃｒ合金薄膜２と第２の非磁性層３との間に軟磁性層膜
４を形成してやれば良い。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例１ 第２図（ｂ）に示した層膜垂直磁化記録媒体を第３図に
示した連続蒸着装置を用いて作製した。第１の非磁性基
板としてはアルミフィルム１１を用い、フィルム供給ド
ラム１２より供給する。まず、１０−’Ｔｏｒｒに真空
排気した蒸着装置内でアルミフィルム１１の上に２２．
３ｗｔ％ＣｒのＣｏ−Ｃｒ合金膜を形成するように調節
されたＣｏ−Ｃｒ蒸発源１′３から連続的にＣｏ−Ｃｒ
を蒸着した。

Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源１３の直上にはヒータ１４を設置し、
アルミフィルム１１を加熱した。Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜を
付着する時の基板温度は１００℃、蒸発速度は３０人／
ｓｅｃとし、またＣｏ−Ｃｒ合金薄膜の膜厚は２０００
人とした。

同じ蒸着装置内でガイドローラ１５によりフィルム１１
を右方向に送り、軟磁性体蒸発源１６を用いて前記Ｇ　
ｏ　−Ｃｒ合金薄膜の上にパーマロイから成る軟磁性層
膜を形成した。軟磁性体蒸発源１６の直上にはヒータ１
４を設けた。パーマロイ蒸着時の基板温度は１５０℃、
蒸発速度は１５人／ｓｅｃとし、またパーマロイの膜厚
は１０００人とした。

欣に方向変換ドラム１７によりフィルムを下方に送り、
前艷パーマロイから成る軟磁性層膜面に第２の非磁性層
を接着する。第２の非磁性層としてはポリイミドフィル
ム１８を用い、ポリイミド供給ドラム１９より供給した
。ポリイミドフィルム１８は５００℃に加熱された圧着
ドラム２０により軟磁性層膜面に圧着した。その後、差
動排気システムにより、フィルムは大気中に導入する。

第１の非磁性層であるアルミフィルム１１は。

下方から希塩酸スプレー２２により溶融、除去し、さら
に水蒸気スプレー２２にて洗浄し、チッ素ガススプレー
２３を行って乾燥する。次に、再び差動排気システムを
経由して真空中にフィルムを導入する。最後にＡｒイオ
ンガン２４より放出したＡｒイオンにより、Ｃ軸配向性
の悪い初期のＣ０−Ｃｒ合金膜厚の成長層を除去した。

本発明で作製したＣｏ−Ｃｒ合金薄膜は、膜厚２０００
Å以下において、Ｃ軸配向度Ａθ、。が４〜５度の薄膜
を極めて安定して供給できた。

実施例２ Ｃｏ　−Ｃｒ合金薄膜の単層から成る垂直磁化記録媒体
の作製方法を第４図により説明する。

第１の非磁性基板としてはポリイミドフィルム３１を用
いた。まず、１０”’Ｔｏｒｒに真空排気した蒸着装置
内において、Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源３２よリポクイミドフィ
ルム３１上に蒸着しＣｏ−Ｃｒ合金薄膜３３を形成した
。Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜のＣｒ組成は２２．３ｗｔ％とし
た。Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源３２の直上にはヒータ３４を設け
、蒸着時に基板加熱をした。蒸着時の基板温度は１００
℃、蒸着速度は３０人／ｓｅｅ　、　Ｃｏ−Ｃｒ合金薄
膜の膜厚は２０００人とした。

第２の非磁性基板として表面が平滑なガラス基板３５を
用いた。前記作製したＣ　ｏ　−Ｃ’ｒ合金薄膜の表面
をガラス基板に密着させ、接着剤により付着した。次に
、約４０℃のヒドラジン液によってポリイミドフィルム
３１を溶解、除去した。最後にＡｒイオンスパッタリン
グにより、ポリイミドフィルムに接していたＣ軸配向性
の悪い初期のＧ　ｏ　−Ｃｒ合金薄膜の成長層を除去し
た１本発明の実施例によれば、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜のＣ
軸配向度Ａθ５ｏが４〜５度の単層の垂直磁化記録媒体
を安定して作製できた。

〔発明の効果〕

以上、本発明によれば、高密度磁化記録で要求される膜
厚２０００Å以下においてもＣ軸配向性の優れた垂直磁
化記録媒体を極めて安定性良く供給できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜の断面構造、第２図は、
本発明の垂直磁化記録媒体の作製法の説明図、第３図は
、実施例１による連続蒸着法による２層膜垂直磁化記録
媒体の作製法の説明図、第４図は、実施例２による単層
膜垂直磁化記録媒体の作製法の説明図である。 １・・・非磁性基板、１′・・・第１の非磁性基板、２
・・・Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜、３・・・第２の非磁性層、
４・・・軟磁性層膜、１１・・・アルミフィルム、１２
・・・フィルム供給ドラム、１３・・・Ｃｏ−Ｃｒ蒸発
源、１４・・・ヒータ、１５・・・ガイドローラ、１６
・・・軟磁性体蒸発源、１７・・・方向変換ドラム、１
８・・・ポリイミドフィルム、１９・・・ポリイミド供
給ドラム、２０・・・圧着ドラム、２１・・・希塩酸ス
プレー、２２・・・水蒸気スプレー、２３・・・チッ素
ガススプレー、２４・・・Ａｒイオンガン、３１・・・
ポリイミドフィルム、３２・・・Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源、３
３−Ｃｏ−Ｃｒ合金薄膜、３４・・・ヒータ、３５・・
・ガラス基板。 ゛、−２ ％Ｚ　　図 第　３　図 、う４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ｃｏ−Ｃｒ合金より成る垂直磁化記録媒体の製造方
   法において、第１の非磁性基板上にＣｏ−Ｃｒ合金膜、
   を成長せしめる工程と、上記第１の非磁性基板を除去す
   る工程と、さらに第１の非磁性基板に接したＣｏ−Ｃｒ
   合金膜の一部を除去する工程とを含むことを特徴とした
   垂直磁化記録媒体の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、Ｃｏ−
   Ｃｒ合金膜上にさらに軟磁性層膜を形成せしめる工程を
   含むことを特徴とする垂直磁化記録媒体の製造方法。