JPS62192047A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62192047A JPS62192047A JP61033604A JP3360486A JPS62192047A JP S62192047 A JPS62192047 A JP S62192047A JP 61033604 A JP61033604 A JP 61033604A JP 3360486 A JP3360486 A JP 3360486A JP S62192047 A JPS62192047 A JP S62192047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- heat treatment
- magneto
- polycrystalline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
- -1 rare earth metallic ion Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、光磁気ディスクの記録媒体として、ビスマス
置換磁性ガーネットの多結晶膜を作成する過程において
、光散乱が小さく媒体ノイズの少ない記録媒体を得るた
めに、基板と接する薄層のみを予め形成し、その後に上
記薄層上に残りの闇を形成することにより、表面の平滑
性を良くし、かつ結晶粒径を均一にしたものである。
置換磁性ガーネットの多結晶膜を作成する過程において
、光散乱が小さく媒体ノイズの少ない記録媒体を得るた
めに、基板と接する薄層のみを予め形成し、その後に上
記薄層上に残りの闇を形成することにより、表面の平滑
性を良くし、かつ結晶粒径を均一にしたものである。
本発明は、光磁気ディスクに用いられる光磁気記録媒体
、特にはビスマス置換磁性ガーネット膜の作成方法に関
する。
、特にはビスマス置換磁性ガーネット膜の作成方法に関
する。
上記ビスマス置換磁性ガーネット膜は、ファラデー回転
が大きく、そのため光磁気による読み出しには大きな信
号が得られるという大きな利点を持っており、そのため
に近来注目されている。しかし一方、スパッタ法および
熱処理を用いてガラス等の耐熱性基板上に作成された上
記膜は、多結晶であるため、結晶粒の界面や膜の表面の
凹凸により光散乱が生じ易く、媒体ノイズが大きくなる
という欠点がある。さらに、結晶粒径が不均一であるた
め、記録ビットも不均一になりやすく、これも媒体ノイ
ズの原因となる。
が大きく、そのため光磁気による読み出しには大きな信
号が得られるという大きな利点を持っており、そのため
に近来注目されている。しかし一方、スパッタ法および
熱処理を用いてガラス等の耐熱性基板上に作成された上
記膜は、多結晶であるため、結晶粒の界面や膜の表面の
凹凸により光散乱が生じ易く、媒体ノイズが大きくなる
という欠点がある。さらに、結晶粒径が不均一であるた
め、記録ビットも不均一になりやすく、これも媒体ノイ
ズの原因となる。
そこで現在、上記媒体ノイズを除去するために、膜表面
の平滑性および結晶粒径の一様性に優れた多結晶膜が求
められている。
の平滑性および結晶粒径の一様性に優れた多結晶膜が求
められている。
従来、上述したビスマス置換磁性ガーネットの多結晶膜
は、耐熱性の高いガラス製の基板上に所定膜厚の非晶質
膜をスパック法で形成し、その後その非晶質膜に熱処理
を施して結晶化することによって作成していた。
は、耐熱性の高いガラス製の基板上に所定膜厚の非晶質
膜をスパック法で形成し、その後その非晶質膜に熱処理
を施して結晶化することによって作成していた。
上記従来の方法では、結晶化の過程において、結晶核の
形成の頻度が小さく、膜全体として一様に結晶粒の成長
が起こらない。また、結晶化する場合には、体積変化を
伴う。従って、膜全体が結晶化した場合には、結晶粒径
が不均一になるとともに、上記体積変化に伴い膜の表面
には結晶粒単位の凹凸が生じてしまう。これらは、光散
乱の原因となり、膜が厚いほど顕著である。
形成の頻度が小さく、膜全体として一様に結晶粒の成長
が起こらない。また、結晶化する場合には、体積変化を
伴う。従って、膜全体が結晶化した場合には、結晶粒径
が不均一になるとともに、上記体積変化に伴い膜の表面
には結晶粒単位の凹凸が生じてしまう。これらは、光散
乱の原因となり、膜が厚いほど顕著である。
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、結晶粒径が一様で
、かつ表面平滑性が良く、従って光散乱の小さい光磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
、かつ表面平滑性が良く、従って光散乱の小さい光磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
c問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記目的を達成するために、上記多結晶膜を
一度に形成するのではなく、まず基板と接する薄層のみ
をスパッタ法および熱処理によって予め形成する。その
後、上記薄層の多結晶膜上に残りの層をスパッタ法およ
び熱処理によって形成するようにしたものである。
一度に形成するのではなく、まず基板と接する薄層のみ
をスパッタ法および熱処理によって予め形成する。その
後、上記薄層の多結晶膜上に残りの層をスパッタ法およ
び熱処理によって形成するようにしたものである。
上記スバ・7タ法によって形成されたビスマス置換磁性
ガーネットの薄い非晶質膜を熱処理して結晶化させると
、体積変化に伴う表面の凹凸の非常に小さな多結晶膜が
形成される。その後、この多結晶膜の薄層を下地層とし
て、その上に残りの厚さの非晶質膜を形成し、これを同
様にして結晶化していくと、凹凸の非常に小さな上記薄
層との界面から一様に結晶核が形成されていき、そのた
め、成長する結晶粒の大きさく粒径)も一様になる。
ガーネットの薄い非晶質膜を熱処理して結晶化させると
、体積変化に伴う表面の凹凸の非常に小さな多結晶膜が
形成される。その後、この多結晶膜の薄層を下地層とし
て、その上に残りの厚さの非晶質膜を形成し、これを同
様にして結晶化していくと、凹凸の非常に小さな上記薄
層との界面から一様に結晶核が形成されていき、そのた
め、成長する結晶粒の大きさく粒径)も一様になる。
従って、このようにして形成された多結晶膜は、表面の
平滑性が良く、かつ全体的に結晶粒径の一様なものにな
る。
平滑性が良く、かつ全体的に結晶粒径の一様なものにな
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図(a1〜(d)ば、本発明の一実施例を段階的に
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
本実施例では、まず例えば高周波2極マグネトロンスパ
ツタ装置(不図示)等を用い、ビスマス置換磁性ガーネ
ット(例えばB i:LY G a F e40 +z
)をターゲットとして、スパック法により同図(alに
示すように、高耐熱性のガラス製の基板1上に上記ガー
ネットの薄い非晶質膜2aを形成する。この非晶W、膜
2aの厚さは、最終的に例えば膜厚5000人の多結晶
膜を作成する場合、その膜厚の10%程度の薄さである
約500人にする。なお、スパッタ条件としては、例え
ば基板温度を450’C。
ツタ装置(不図示)等を用い、ビスマス置換磁性ガーネ
ット(例えばB i:LY G a F e40 +z
)をターゲットとして、スパック法により同図(alに
示すように、高耐熱性のガラス製の基板1上に上記ガー
ネットの薄い非晶質膜2aを形成する。この非晶W、膜
2aの厚さは、最終的に例えば膜厚5000人の多結晶
膜を作成する場合、その膜厚の10%程度の薄さである
約500人にする。なお、スパッタ条件としては、例え
ば基板温度を450’C。
スパッタガス(Ar−02(10%))圧を1.5P
a、堆積速度を150人/minとする。
a、堆積速度を150人/minとする。
次に、同図(b)に示すように、上記非晶質IQ2aを
大気中において例えば630℃で熱処理して結晶化させ
、多結晶膜2a′を形成する。このとき、多結晶膜2a
′の膜厚は上述したように約500人と薄いので、上記
結晶化の過程における体積変化に伴って生じる表面の凹
凸は、非常に小さくなる。
大気中において例えば630℃で熱処理して結晶化させ
、多結晶膜2a′を形成する。このとき、多結晶膜2a
′の膜厚は上述したように約500人と薄いので、上記
結晶化の過程における体積変化に伴って生じる表面の凹
凸は、非常に小さくなる。
そこで次に、同図fc)に示すように、上記多結晶膜2
a′を下地層として、その上に上記と同様なスパッタ条
件で、厚さ約4500人の非晶質膜2bを形成する。
a′を下地層として、その上に上記と同様なスパッタ条
件で、厚さ約4500人の非晶質膜2bを形成する。
最後に、上記非晶質膜2bを上記と同様な熱処理条件で
結晶化させ、同図(dlに示すように多結晶膜2b’を
形成することにより、最終的に5000人の膜厚を持つ
上記ガーネットの多結晶膜2が作成される。ここで、非
晶質膜2bの上記結晶化においては、上述したような凹
凸の非常に小さな多結晶膜2a′との界面から一様に結
晶核の形成が起こっていくため、成長する結晶粒のサイ
ズも一様になる。従って、最終的に形成された多結晶膜
2は、表面の平滑性に優れているとともに、結晶粒径の
一様なものが得られる。
結晶化させ、同図(dlに示すように多結晶膜2b’を
形成することにより、最終的に5000人の膜厚を持つ
上記ガーネットの多結晶膜2が作成される。ここで、非
晶質膜2bの上記結晶化においては、上述したような凹
凸の非常に小さな多結晶膜2a′との界面から一様に結
晶核の形成が起こっていくため、成長する結晶粒のサイ
ズも一様になる。従って、最終的に形成された多結晶膜
2は、表面の平滑性に優れているとともに、結晶粒径の
一様なものが得られる。
上記多結晶膜2を記録媒体とする光磁気ディスクは、多
結晶膜2上にさらにCrやA1等の反射膜を設け、基板
1を介して多結晶膜2にレーザ光を照射し、その熱で所
定部分の磁化状態を変化させてピッ1−を形成すること
により、記録が行われる。このとき、多結晶膜2の結晶
粒径は上述したように非常に均一なので、上記ビットの
形状にも乱れがなく、均一なものになる。さらに、多結
晶膜2の表面ば上述したように平滑性が良いので、その
表面で生じる上記レーザ光の散乱は非常に小さい。従っ
て、従来から媒体ノイズの原因とされていた諸問題が除
去されたことになり、記録・再生感度(C/N比)が非
常に高くなる。
結晶膜2上にさらにCrやA1等の反射膜を設け、基板
1を介して多結晶膜2にレーザ光を照射し、その熱で所
定部分の磁化状態を変化させてピッ1−を形成すること
により、記録が行われる。このとき、多結晶膜2の結晶
粒径は上述したように非常に均一なので、上記ビットの
形状にも乱れがなく、均一なものになる。さらに、多結
晶膜2の表面ば上述したように平滑性が良いので、その
表面で生じる上記レーザ光の散乱は非常に小さい。従っ
て、従来から媒体ノイズの原因とされていた諸問題が除
去されたことになり、記録・再生感度(C/N比)が非
常に高くなる。
なお、本発明で使用されるビスマス置換磁性ガーネット
は、上述したBizYGaFc◆O+zに限らず、一般
式BixR3−xAy Fe5−yo+z(0<x<3
゜0<y<2)を有するものであれば、どのようなもの
でもよい。なお、上記一般式中のRは希土類全屈イオン
やイソl−リウム(Y)イオンを表わし、Aはガリウム
(Ca)やアルミニウム(Aり等の非磁性イオンを表わ
している。
は、上述したBizYGaFc◆O+zに限らず、一般
式BixR3−xAy Fe5−yo+z(0<x<3
゜0<y<2)を有するものであれば、どのようなもの
でもよい。なお、上記一般式中のRは希土類全屈イオン
やイソl−リウム(Y)イオンを表わし、Aはガリウム
(Ca)やアルミニウム(Aり等の非磁性イオンを表わ
している。
また、基板上に予め形成される薄層の多結晶膜(第1図
中の多結晶膜2a′)の膜厚は、結晶化の時に体積変化
に伴う表面の凹凸が小さくなる範囲内であれば、前述し
た膜厚に限られることはない。
中の多結晶膜2a′)の膜厚は、結晶化の時に体積変化
に伴う表面の凹凸が小さくなる範囲内であれば、前述し
た膜厚に限られることはない。
さらに、多結、!1iIItiffを作るのに、上記実
施例では基板上の薄層およびその残りの層の2層に分け
て順に成膜したが、上記薄層を含むもっと多(の層に分
けてそれぞれ順次成膜してもよい。
施例では基板上の薄層およびその残りの層の2層に分け
て順に成膜したが、上記薄層を含むもっと多(の層に分
けてそれぞれ順次成膜してもよい。
以上説明したように本発明によれば、表面平滑性が良く
、かつ結晶粒径の均一なビスマス置換磁性ガーネットの
多結晶膜が得られる。従って、本発明によって作成され
た多結晶膜を記録媒体として用いれば、媒体ノイズが極
めて小さく、記録・再生感度の非常に高い光磁気ディス
クが得られる。
、かつ結晶粒径の均一なビスマス置換磁性ガーネットの
多結晶膜が得られる。従って、本発明によって作成され
た多結晶膜を記録媒体として用いれば、媒体ノイズが極
めて小さく、記録・再生感度の非常に高い光磁気ディス
クが得られる。
第1図(a1〜(dlは本発明の一実施例を段階的に示
す概略断面図である。 1・・・基板、 2a、2b・・・ビスマス置換磁性ガーネットの非晶質
膜、 2.2a’、2b’ ・・・ビスマス置換m 性ガーネ
ットの多結晶膜。
す概略断面図である。 1・・・基板、 2a、2b・・・ビスマス置換磁性ガーネットの非晶質
膜、 2.2a’、2b’ ・・・ビスマス置換m 性ガーネ
ットの多結晶膜。
Claims (3)
- (1)耐熱性を有する基板上に一般式Bi_xR_3_
−_xA_yFe_5_−_yO_1_2(0<x<3
、0<y<2)を有するビスマス置換磁性ガーネットの
非晶質膜をスパッタ法によって形成し、その後前記非晶
質膜に熱処理を施して結晶化させることにより、前記基
板上に光磁気記録媒体を作成する光磁気記録媒体の製造
方法において、 前記光磁気記録媒体のうち前記基板と接する薄層のみを
前記スパッタ法および前記熱処理によって予め形成し、
その後前記薄層上に残りの層を前記スパッタ法および前
記熱処理によって形成することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。 - (2)前記薄層の厚さは前記光磁気記録媒体の全体の厚
さの約10%であることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - (3)前記ビスマス置換磁性ガーネットはBi_2YG
aFe_4O_1_2であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項または第2項記載の光磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033604A JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61033604A JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62192047A true JPS62192047A (ja) | 1987-08-22 |
JPH081710B2 JPH081710B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=12391079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61033604A Expired - Lifetime JPH081710B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH081710B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0485951A2 (en) * | 1990-11-14 | 1992-05-20 | Nippon Steel Corporation | Garnet polycrystalline film for magneto-optical recording medium |
WO2004079724A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Fujitsu Limited | 多層構造膜およびその製造方法 |
WO2005006311A1 (ja) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Fujitsu Limited | 多層構造膜およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61033604A patent/JPH081710B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0485951A2 (en) * | 1990-11-14 | 1992-05-20 | Nippon Steel Corporation | Garnet polycrystalline film for magneto-optical recording medium |
US5501913A (en) * | 1990-11-14 | 1996-03-26 | Nippon Steel Corporation | Garnet polycrystalline film for magneto-optical recording medium |
WO2004079724A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Fujitsu Limited | 多層構造膜およびその製造方法 |
JPWO2004079724A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2006-06-08 | 富士通株式会社 | 多層構造膜およびその製造方法 |
CN1317694C (zh) * | 2003-03-05 | 2007-05-23 | 富士通株式会社 | 多层结构磁性膜及其制作方法 |
WO2005006311A1 (ja) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Fujitsu Limited | 多層構造膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH081710B2 (ja) | 1996-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4670356A (en) | Magneto-optical recording medium and method of making same | |
JPS62192047A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS58189823A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPS60185237A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
US5599605A (en) | Magneto-optical recording medium and method for producing the same | |
JPS6126938A (ja) | 垂直磁化記録媒体の製造方法 | |
JPS58164018A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS62204505A (ja) | 酸化物磁性薄膜 | |
JPS60258747A (ja) | 光磁気記録素子 | |
JPH05274728A (ja) | ガーネット型酸化物光磁気媒体の製造方法 | |
JPH05101385A (ja) | 円周方向に揃つた磁化容易軸を有する磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS61182652A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH04241222A (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
KR930006585B1 (ko) | 자기헤드용 금속박막 및 제조방법 | |
JPH02430B2 (ja) | ||
JPS60231936A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPS62267946A (ja) | 光磁気デイスク用記録媒体の製造法 | |
JPS63177330A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01256049A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01256050A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0261844A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH10283625A (ja) | 磁気ディスクおよび磁気記録装置 | |
JPS61208648A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
JPS60125933A (ja) | 磁性媒体の製法 | |
JPH05303736A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造法 |