JPS61182652A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金１
１１１を記録層に用いた光磁気記録媒体の製造方法に関
し、特にその記録・消去の繰り返し回数を高めた光磁気
記録媒体の製造方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

記録層に希土類−性金属非晶質フエリ磁性合金薄膜（以
下、ＲＥ−７Ｍ膜という）を用いた光磁気記録媒体は、
書き換え可能な光記録媒体の中で最も実用に適したもの
として注目されている。

トコロチ堆積したままの状態（ａｓ　−ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）の非晶質物質には、熱処理を施すとより安定な
非晶質構造に移行する。若しくは結晶化するといった、
特有の熱的不安定性がある。実際、ＲＥ−７Ｍ膜につい
ても熱処理によって磁気特性等の性状が変化することが
、文献■　Ｔ、　１（ａｔａｙａＩＩｌａ　、　Ｋ。

Ｈａｓｅａａｗａ　、　Ｋ、　Ｋａｗａｎｉｓｈｉ、　
Ｔ、　Ｔｓｕｓｈｉｎ＋ａ　　：Ｊ、　、Ａｐｐｌ　、
　Ｐｈｙｓ、坦（１９７８）　１７５９、文献■　片山
利−１長谷川光洋、牛窪　孝、対馬立部：電総研粟報４
２　（１９７８）　５５９．Ｈ，Ｈｏｆｍａｎｎ　、　
Ｒ，Ｗｉｎｋｌｅｒ：　Ｊ、　Ｍａａ、　＆Ｍａｏ、　
Ｍａｔｅｒ、１３（１９７９）　、８９、文献■　Ｍ、
　Ｋａｊｉｕｒａ、　Ｙ、　Ｔｏｇａｍｉ　、　Ｋ。

Ｋｏｂａｙａｓｈｔ　：　Ｊ　ｐｎ、　Ｊ　、　Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、２０　（１９８１）　。

Ｌ３８９、文献■Ｓ、　Ｙｏｓｈｉｎｏ、　Ｈ，Ｔａｋ
ａｊｉ　、　Ｓ。

Ｔｓｕｎａｓｈｉｍａ　、　ｔＶｌ、　Ｍａｓｕｄａ　
、　　Ｓ、　Ｌｌｃｈｉｙａｍａ　　：Ｊ　ｏｎ、　Ｊ
　、　Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、２３　（１９８４）　１８
８等に報告されている。

光磁気記録媒体においては、光ビームの照射により記録
層を加熱することが記録・消去動作の基本となっている
ため、ＲＥ−７Ｍ膜のこうした熱的不安定性は記録・消
去の可逆可能回数に関連してくる。すなわち、記録媒体
の同一個所について記録・消去を繰り返してゆくと、そ
の個所は熱処理をしたと同様の変化をきたし、保磁力Ｈ
Ｃ等の磁気特性が変化してくる。保磁力ＨＣが変化する
と、安定に存在するバブル磁区、すなわち書き込まれた
記録単位（ビット）の大きさや形状の変化、及びレーザ
ビームと外部磁場印加による書き込み特性の変化が起こ
る。従って、これらは同一条件で記録・再生を多数回繰
り返していった場合に、再生信号のＳ／Ｎ　（以下、キ
ャリア・ノイズ比でＣ／Ｎと記す）が低下するという問
題点を生じる。

実際、発明者らがアズデポ躾による記録媒体で、記録・
消去を繰り返し行ない、逐次再生信号を読み取ってみた
ところ、記録・消去繰り返し回数の増加に伴って再生信
号のＣ／Ｎの低下が見られた。

この現象は、熱による記録層自身の磁気特性の変化に起
因するものである。

このようにＲＥ−７Ｍ膜は、光磁気記録媒体の記録層と
して有望視されながらも、記録・消去の繰り返し回数が
多数回に及ぶと熱によって磁気特性が変化するという問
題があり、その対策が望まれていた。

〔発明の目的〕

この発明は、上記の問題点を克服するためになされたも
のであり、多数回の記録・消去の繰り返しに対しても磁
気特性が安定に保持されるＲＥ−ＴＭＩを記録層とする
光磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする
。

〔発明の概要〕

本発明による光磁気記録媒体の製造方法は、ＲＥ−ＴＭ
ＩｌＩからなる記録層を成膜後、結晶化温度未満の温度
で熱処理することにより、磁気特性が安定な状態に移行
させることを特徴とする。

すなわち、発明者らはＲＥ−７Ｍ膜について熱処理とそ
の繰り返しによる磁気特性の変化を詳細に調べ、記録・
消去時に光ビームの照射による加熱によって記録層が達
すると思われる温度で熱処理をすると、保磁力の低下等
の磁気特性が変化すること、及び−回熱処理をすれば、
その後の熱処理の繰り返しに対して保磁力や磁化の大き
さ、カー回転角等の磁気特性の変化が無くなることを見
いだした。

本発明はこのような知見に基き、従来のようにＲＥ−Ｔ
ＭＩＩを成膜したままの状態で記録層とするのではなく
、成膜後に一旦熱処理を施して上記したような特性とす
ることによって、磁気特性の熱的安定性を飛躍的に高め
るものである。

本発明において、この熱処理の温度をＲＥ−丁Ｍｌｌの
結晶化温度未満とするのは、結晶化温度以上とすると光
磁気記録媒体としての基本的な特性が損われるためであ
る。また、この熱処理温度の最適値は記録層の材質、特
に記録時に記録層を構成するＲＥ−ＴＭＩＩをどの程度
の温度まで加熱するかによって異なる。例えばＲＥ　−
ＴＭＩＩが記録層をキューリー点近傍まで加熱する、い
わゆるキューリー点記録方式の材料である場合には、熱
処理温度をキューリー点以上とする。さらに、ＲＥ−Ｔ
ＭＩＩが記録層をその補償温度まで加熱する補償温度記
録方式の材料である場合には、熱処理温度を記録層の保
磁力が５００　［Ｏｅ］以下に低下する温度以上とする
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、光磁気記録媒体の記録層の磁気特性を
熱的に安定な状態にすることができるので、記録・消去
の繰り返しによる再生信号のＣ／Ｎの低下が抑制され、
記録・消去繰り返し可能回数が増大するという効果が得
られる。

〔発明の実施例〕

第１図に本発明の一実施例に係る光磁気記録媒体の製造
工程を示す。まず、第１図（ａ）に示すように基板１、
例えばガラス基板あるいは熱酸化膜付きの８１基板の上
に記録層２として１０００人程度０厚さのＲＥ−７Ｍ膜
（希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金１ｉ１１１）
をスパッタリングにより成膜する。次に、第１図（ｂ）
に示すように記録層２の上に酸化防止のための保護層３
として、例えば厚さ１０００人の５ｉｉＮ４膜を同様に
スパッタリングにより形成する。そして、第１図（Ｃ）
に示すように、例えばＭｒｌｔ導ヒータ４を用いて全体
を加熱し、記録！！２を熱処理する。

このようにして製造された光磁気記録媒体について、種
々の温度２時間、および繰り返し回数の熱処理を行ない
、熱処理前後の特性変化を磁気特性についてＶＳＭで、
また光磁気特性についてカー効果でそれぞれ調べた。熱
処理は上記のように無誘導ヒータ上にサンプルをセット
し、１Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒ以下の高真空中で行なった。

以下では、ＲＥ−ＴＭｐＡとしてＴｂＣｏ膜を形成した
サンプルについて実験した結果について詳細に述べる。

第２図は種々の温度で１時間熱処理した場合の、熱処理
しない成膜したままの膜に対する保磁力Ｈｃ、カー回転
角θにおよびＭ１０工／Ｍ１０．の変化の一例を示した
ものである。ここで、Ｍｌｏｍは膜面に対して垂直な方
向の、外部から１０［ｋＯｅｌの磁場を印加した場合の
磁化、またＭ　１０．は膜の面内方向の、外部から１０
［ｋＯｅｌの磁場を印加した場合の磁化であり、ＭＩＯ
上／Ｍ１０１は膜の垂直磁気異方性の目安となる量であ
る。

この図に示したように、熱処理をするとθにや垂直方向
の磁化は変化しないが、Ｈｃが低下して面内方向の磁化
が増加する。

第３図は３００℃で１時間の熱処理を繰り返し行なった
場合の、熱処理しない成膜したままの躾に対するＨｅ、
θにの変化の一例を示したものである。この図かられか
るように、１回熱処理をすれば、それ以上繰り返し熱処
理してもＨｃは変化しないことが明らかである。

第４図は熱処理時間を変化させた場合の、熱処理しない
成膜したままの膜に対するＨｃ、θにの変化の一例を示
したものである。この図かられかるように、Ｈｃ、θに
の変化量は熱処理時間に依存せず、１５分の熱処理をす
ればそれ以降は熱的に安定であることが明らかである。

これら熱処理による特性変化が何に起因するかを調べる
ために、発明者らはオージェ電子分光法により熱処理前
後の膜厚方向の組成分布を調べた。

第６図はその結果の一例を示したもので、横軸にスパッ
タリング時間を、縦軸にオージェビーク強度をとってい
る。第５図で（ａ）が熱処理しない膜の膜厚方向組成分
布、（ｂ）が３００℃の、１時間の熱処理をした膜の膜
厚方向組成分布を示している。試料は第１図に示す構造
で、基板１は熱酸化膜付Ｓｉ基板を用いた。この第５図
から明らかなように、熱処理前後で膜自身の組成に有意
差は見られない。従って、熱処理による特性変化は記録
層としてのＲＥ−７Ｍ膜と、基板あるいは保護層との反
応や、ＲＥ−７Ｍ膜の酸化等によるものではないことが
明らかである。

この他に、発明者らは成膜したままの状態のＲＥ−ＴＭ
ＭＩの熱的不安定性をさらに詳しく調べるために、電気
抵抗の温度変化測定を試みた。電気抵抗の温度変化を測
定することは、例えば文献■　Ｍ、　１（ａｊｉｕｒａ
、　Ｙ、　７Ｏｇａｍｉ　、　Ｋ。

Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、　Ｔ、　Ｔｅｒａｎｉｓｈｉ　：
　Ｊ　ｐｎ、　Ｊ　、　Ａｐｌ）Ｉ。

Ｐ　ｈｙｓ、２０　（１９８１）　１３８９に報告され
ているように、非晶質膜の構造緩和等の変化を調べるの
に有効な手段である。

この場合、試料としては前記と同様に第１図の構造のも
のを用い、測定は１ＫＨ２の交流四端子法によりＡｒ気
流中でサンプルを１０　［’Ｃ／１ｎ　］の速度で昇温
しながら測定した。Ｍ６図にその測定結果の一例を示す
。図において線ＡはＲＥ−７Ｍ膜の成膜したままの状態
（ａｓ−ｄｅｐｏ、　）から２４０℃までの昇温時の電
気抵抗の温度変化であり、曲線Ｂはその後に２４０℃か
ら室温までの冷却・昇温を繰り返した場合の電気抵抗の
温度変化である。この図に示すように成膜したままの状
態から昇温時にのみ、はぼ１９０℃でビークＰを生ずる
という特異な振る舞いをし、２４０℃からの１回目の冷
却以降は、昇温・冷却サイクルを繰り返してもＰのよう
なピークは生ぜず、直線的な同じ経路をたどる。従って
、ＲＥ−７Ｍ膜は成膜したままの状態から加熱したとき
にのみ、電気抵抗に変化を与えるようなミクロな非可逆
的変化が生じることが明らかとなった。

これらの熱処理による非可逆変化がどのようなものであ
るかを調べるため、さらに発明者らは熱処理前後の非晶
質構造をＸ線回折と電子線回折で調べた。第７図は第１
図に示した構造の試料で、基板１にガラスを用いた場合
のＸ線回折の結果の一例であり、（ａ＞は熱処理前の成
膜したままの状態での結果、（ｂ）は３００℃、１時間
の熱処理を行なった後での結果である。図に示されるよ
うに、熱処理前後で有意差はない。

この他に第１図に示した構造の試料において基板１にＮ
ａＣλ基板を用い、試料作成後、基板を除去し、透過型
電子顕微鏡内で２００ｋＶの電子線による回折パターン
と透過電子顕微鏡像を撮影したが、やはり熱処理前後で
有意差はなかった。

以上より、熱処理によって生じる非可逆変化は、Ｘ線や
電子線の回折現象が大きく変化する程の顕著な構造変化
ではないことがわかった。

以上、ＲＥ−ＴＭ躾の熱処理による非可逆変化の様子を
、ＴｂＣｏ膜を具体的に取り上げて詳細に述べてきたが
、他のＲＥ−ＴＭｇ！でも同様の現象が見られる。例え
ばＴｂＦｅ膜について第２図と同様に種々の温度で１時
間熱処理した場合の。

熱処理をしない堆積したままの膜に対する保磁力ＨＣ，
カー回転角θにおよび垂直方向と面内方向の磁化の比Ｍ
１０．Ｌ／Ｍ１０．の変化を第８図に示す。

ＴｂＦｅ膜もＴｂＣｏ膜と同様に熱処理によってＨＣが
低下し、面内方向の磁化が増加することが明らかである
。この他の種々のＲＥ−ＴＭ躾については、後述する。

このようなＲＥ−７Ｍ膜の熱による非可逆変化は通常、
光ビームで記録・消去する場合に記録媒体が上昇する温
度（１５０〜３５０℃）においても起こる。従って、記
録・消去を繰り返す場合、この熱による非可逆変化が生
じ、記録・消去特性が変化する。書き込まれたビットの
大きざ・形状が変化するといった大きな問題となる。し
かしながら、発明者らは第３図、第４図に示したように
ＲＥ−ＴＭＩＩＩに対して所定の温度で例えば１５分間
程度の熱処理を施したものを最終的に光磁気記録媒体と
して使用すれば、その後に記録、消去時等に与えられる
熱に対して記録媒体として全く問題とならない程度の変
化しかせず、磁気特性が熱的に非常に安定となることを
発見したのである。

なお、第２図に示したように、熱処理をすると熱処理し
ないＲＥ−７Ｍ膜と比較して保磁力Ｈｃが低下するが、
膜形成条件により熱処理前の膜の保磁力を調整すること
で、熱処理後の保磁力を光磁気記録媒体として十分な値
にすることができる。

また、前記したように熱処理によりＭｌｏ−’／Ｍ１０
〃が低下、すなわち垂直磁気異方性が低下するのである
が、第２図に示したようにカー回転角θには変化してお
らず、Ｍ　１０Ｊ−／Ｍ　１０．が１以上であれば、光
磁気記録媒体としての機能は何ら損なわれず、本発明に
基く熱処理を行なうことによる弊害はない。

ところで、第７図に示したように３００℃以下の熱処理
ではＸ線や電子線回折現象に大きな変化は生じない。し
かしながら、ＲＥ−ＴＭＦＩは組成によって異なるが、
およそ３５０〜５００℃の熱処理で結晶化する。結晶化
するとＲＥ−７Ｍ膜としての特徴が失われ、光磁気記録
媒体としては不適当となるので、熱処理温度は結晶化温
度以下であることが必要である。また、本発明における
Ｒ　Ｅ　−ＴＭＩ！に対する熱処理温度の上限はこのよ
うに結晶化温度未満であるが、下限についてはＲＥ−７
Ｍ膜の材料によって異なる。

この熱処理の下限温度を確認するために、本発明者らは
次の実験を行なった。すなわち、各ＲＥ−ＴＭ膜材料に
ついて２種類の熱処理温度で３０分間熱処理した後に、
記録時の同−Ｕｌｌ！ＩＦ（以下、記録温度という）で
１時間熱処理を行ない、この記録温度下における熱処理
前後のサンプルの保磁力変化を測定した。その結果をま
とめたのが表１゜表２である。表１は記録層であるＲＥ
−ＴＭ膜がキューリー点記録方式の材料の場合、表２は
補償温度記録方式の材料の場合である。そこで、記録温
度としてはキューリー点記録方式の材料についてはその
キューリー点とし、補償温度記録方式の材料については
膜保磁力が５００　［０１以下に低下する温度とした。

なお、試料Ａの熱処理温度は記録温度より低く設定し、
試料Ｂの熱処理温度は記録温度より高く設定した。表１
．２においてＴａは常温（２０”０〜３０℃）を表わす
。また表１において、＞Ｔｃは補償温度がキューリー点
より高い（即ち現われない）ことを表わす。さらに表２
においては、補償温度記録方式のＲＥ−ＴＭ膜材料はキ
ューリー点が結晶化温度より＾いので示していない。

表１より明らかなように、試料Ｂのごとく成膜後に記録
温度以上の温度で熱処理を行なった光磁気記録媒体では
、その後の記録温度における熱処理で保磁力は変化しな
いのに対して、試料Ａのごとくより低温で熱処理を行な
った光磁気記録媒体では、その後の記録温度における熱
処理で保磁力が低下してしまう。

従って、成膜後において磁気特性を熱的に安定な状態に
するためには、以下のような温度以上で熱処理すること
が望ましい。すなわち、キューリー点記録方式の材料で
はキューリー点以上が望ましい。補償温度記録方式の材
料では表２に見られるように補償温度＋１００［”０１
以上が望ましいが、さらにに実用的な光磁気ディスクシ
ステムを考えると、膜保磁力が５００　［Ｏｅｌ以下に
低下する温度以上が望ましい。

以上の検討結果を踏まえ、光磁気ディスクとしての記録
・消去の繰り返しによる特性変化を調べた実験結果を以
下に示す。第９図は実験に供した光磁気ディスクの構成
を示す断面図である。基板１１は例えば２００履φ、１
．５履厚のプリグループ付ガラス基板であり、この上に
第１の保ｌ１１１２としてスパッタリングにより成膜し
た厚さ１０００人のＳｉ３Ｎ＋膜が形成されている。こ
の第１の保護層１２の上に記録層１３を構成するＲＥ−
７Ｍ膜として、スパッタリングにより成膜した厚さ１０
００人のＴｂＣｏ膜が形成され、この記録層１３の上に
第１の保護層１２と同様の第２の保護層１４が形成され
ている。

この第９図に示されるような構造の光磁気ディスクを２
種類用意した。第１の光磁気ディスクは、基板１１上に
保ｆｉｌｌ１２．．１４および記録層１３をスパッタリ
ング成膜したままの状態であり、第２の光磁気ディスク
はスパッタリング成膜後、基板１１ごと２００℃、１３
分間の熱処理をした本発明に基くものである。熱処理は
磁界の発生しない電気炉で行ない、もちろん酸化の影響
が無いよう配慮した。

こうして作製された第１および第２の光磁気ディスクは
、いずれも初期状態として回転数６００［ｒ、ｐ、ｍ、
］　、外部印加磁場３００　［Ｏｅ］　、盤面でのレー
ザービームパワー３ｍＷで良好な記録・消去特性が得ら
れた。そして、２種類の光磁気ディスクシステムを用意
して上記２種の光磁気ディスクを装填し、上記の条件で
特定の１トラツクについての１回転毎の記録・消去サイ
クルを、２種類同時に開始し繰り返した。１０００サイ
クルの記録・消去サイクル毎に、記録された信号をパワ
ー０゜７ｍＷのレーザビームを用いて再生したところ、
スパッタリング成膜したままの状態の第１の光磁気ディ
スクでは、徐々にＣ／Ｎの低下が見られるのに対して、
熱処理後の第２の光磁気ディスクではＣ／Ｎの低下が見
られなかった。

以上に述べたように、本発明に基いて記録層の成膜後に
熱処理を行なった光磁気ディスクは、従来に比べて記録
・消去の繰り返しによる再生信号のＣ／Ｎの低下が抑制
され、記録・消去の繰り返し可能回数が増大することが
確認された。

〔発明の他の実施例〕

以上の説明では、ガラス基板を用いた光ディスクの場合
について記述したが、さらに実用的にはコスト面および
トラッキング用のプリグループの形成のし易さ等の観点
から、アクリル、エポキシ。

ポリカーボネイト等の有機樹脂基板を用いることが望ま
しい。しかし、有機樹脂基板は電気炉中で２００℃に加
熱すると変形をきたす。このような場合、以下に述べる
ように光ビームを用いて基板を昇温させずにＲＥ−７Ｍ
膜からなる記録層のみを昇温させ、熱処理する方法が有
効である。

第１０図はＲＥ−７Ｍ膜からなる記録層を光ビームを用
いて熱処理する装置の構成図である。２）は第９図に示
したような光磁気ディスク、２２は回転軸、２３はＨｅ
−Ｎｅレーザ、ＡｒＬ／−ｆあるいは半導体レーザから
なるレーザ光源、２４は反射鏡、２５は対物レンズ、２
７は磁場発生装置である。２８は光磁気ディスク２）を
装填した空間を密閉する容器、２９は排気口またはガス
導入口である。対物レンズ２５の調整により、記録・消
去・再生時よりも太いビーム径、例えばディスク２）の
盤面上で約３μｍφのレーザービーム２６が光磁気ディ
スク２）上に照射されるようになっている。

このような構成で光磁気ディスク２）を回転軸２２を中
心に回転させ、レーザービーム２６を連続照射して、１
トラツク毎にディスク２）の盤面全域にわたって熱処理
をする。ディスク２）の回転数は２００　［ｒ、ｐ、ｍ
、　］］程度、照射ｔルＬ／−サーピーム２のパワーは
盤面上で１２ｍＷ程度が適当である。また、熱処理を確
実にするためには、１トラツクにつき数十回転連続して
レーザビーム２６を照射することが望ましい。例えばＲ
Ｅ−ＴＭ躾からなる記録層単層で保護層が無いディスり
等の場合は、熱処理中の酸化が問題となるので、容器２
８を密閉し排気口２９より排気して真空とする。あるい
は孔２９より窒素ガスやアルゴンなどの不活性ガスを流
した状態で熱処理をすることにより、ＲＥ−７Ｍ膜の酸
化を防ぐことができる。

また、光磁気ディスク２）は記録前に磁化を一方向に向
ける着磁の手順が必要であるが、磁場発生装置２７を用
いて、例えば矢印の方向に磁界をかけながら熱処理をす
れば、着磁の手間を省くことができる。光磁気記録およ
びその消去の原理かられかるように、通常、光磁気記録
媒体の記録層として用いるＲＥ−７Ｍ膜は熱処理の温度
域で保磁力が下がる。従って熱処理中の着磁は、常温で
着磁するよりも小さな磁界で可能であることが長所であ
る。

このように、レーザビームの照射によりＲＥ−ＴＭＩＩ
Ｉからなる記録層を熱処理すれば、基板が樹脂等の熱に
弱い材質であっても基板を加熱・損傷させることなく、
磁気特性が熱的に非常に安定な光磁気記録媒体を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る光磁気ディスクの製造
工程の要部を示す図、第２図は記録層であるＲＥ−７Ｍ
膜の熱処理温度に対する光磁気特性の変化をＴｂＣｏ膜
について実験した結果の一例を示す図、第３図はＲＥ−
７Ｍ膜の熱処理の繰り返し回数による光磁気特性の変化
を実験した結果の一例を示す図、第４図はＲＥ−７Ｍ膜
の光磁気特性の熱処理時間依存性を実験した結果の一例
を示す図、第５図（ａ）（ｂ）は光磁気記録媒体の熱処
理前および熱処理後の膜厚方向における組成分布をオー
ジェ電子分光法により調べた一例を示す図、第６図はＲ
Ｅ−７Ｍ膜の電気抵抗の温度変化を示した図、第７図（
ａ＞（ｂ）は光磁気記録媒体の熱処理前および熱処理後
のＸ線回折パターンを示す図、第８図はＲＥ−７Ｍ膜の
熱処理温度による光磁気特性の変化をＴｂＦｅ膜につい
て実験した結果の一例を示す図、第９図は本発明の他の
実施例を説明するための光磁気ディスクの断面図、第１
０図はＲＥ−７Ｍ膜を光ビームにより熱処理する装置の
構成を示す図である。 １．１１・・・基板、２，１３・・・希土類−遷移金属
非晶質フェリ磁性合金膜からなる記録層、３，１２．１
４・・・保護層、４・・・無誘導ヒータ、２）・・・光
磁気ディスク、２３・・・レーザ光源、２５・・・対物
レンズ、２６・・・レーザビーム、２７・・・磁場発生
装置。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 第５図 ０　　　８．８　　　１７６　　　２６．４　　３５２
　　４４０　　６２５スパづリンク”時間（介） （ｂ） ０　　　　８．８　　　１７６　　　２６４　　３！Ｌ
；！　　　４４０　　６２６ヌｌらタリ／γｙ１間　（
介） 第６図 温９度　じＣ〕 第７図 ２ｅ　　（ｄｅｇ） 第９図 １ム 第１０図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−
   遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜を記録層として具備
   する光磁気記録媒体の製造方法において、前記記録層を
   成膜後、結晶化温度未満の温度で熱処理することにより
   、磁気特性が熱的に安定な状態に移行させることを特徴
   とする光磁気記録媒体の製造方法。
2. （２）前記希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜
   がキューリー点記録方式の記録層材料である場合、前記
   記録層の熱処理温度をキューリー点以上とすることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の
   製造方法。
3. （３）前記希土類−遷移金属非晶質フェリ磁性合金薄膜
   が補償温度記録方式の記録層材料である場合、前記記録
   層の熱処理温度を保磁力が５００［Ｏｅ］以下に低下す
   る温度以上とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光磁気記録媒体の製造方法。