JPH0679389B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0679389B2 JPH0679389B2 JP30079686A JP30079686A JPH0679389B2 JP H0679389 B2 JPH0679389 B2 JP H0679389B2 JP 30079686 A JP30079686 A JP 30079686A JP 30079686 A JP30079686 A JP 30079686A JP H0679389 B2 JPH0679389 B2 JP H0679389B2
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- Japan
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- film
- magneto
- recording medium
- optical recording
- magnetic field
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光磁気メモリに用いられる記録媒体に関するも
のであり、更に詳しくは膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
のであり、更に詳しくは膜面と垂直方向に磁化容易軸を
有する磁性膜を記録層とし、レーザなどの光ビームを照
射した領域に反転磁区を作ることにより情報を記録する
ことができ、磁気光学効果を利用して読み出すことので
きる光磁気記録媒体に関するものである。
（従来の技術） 光メモリは大容量ファイルメモリの一つとして注目され
ている。中でも光磁気メモリは、記録情報の書き替えが
可能であるという利点を持っていることから、各所で盛
んに研究されている。その記録媒体としては、Tb、Gd、
Py、Hoなどの希土類金属とFe、Co、Niなどの遷移金属と
の組み合せによって作製される非晶質磁性薄膜が、記録
感度が高い、粒界ノイズがない、膜面に垂直方向の磁気
異方性を有する膜が容易に作れるなどの利点を有するた
め、最も有望視されている。
ている。中でも光磁気メモリは、記録情報の書き替えが
可能であるという利点を持っていることから、各所で盛
んに研究されている。その記録媒体としては、Tb、Gd、
Py、Hoなどの希土類金属とFe、Co、Niなどの遷移金属と
の組み合せによって作製される非晶質磁性薄膜が、記録
感度が高い、粒界ノイズがない、膜面に垂直方向の磁気
異方性を有する膜が容易に作れるなどの利点を有するた
め、最も有望視されている。
従来、この様な記録媒体に対する、情報の記録・消去は
次の様に行われる。記録は、一方向に着磁した記録媒体
にレーザ光ビームを照射して、媒体温度をキューリ温度
Tcもしくは補償温度Tcomp以上に上昇させ、外部印加磁
界と記録媒体の反磁界によって反転磁区を形成すること
により行われる。消去は、外部磁界を記録時とは逆極性
に印加し、レーザ光ビームを記録時と同等の強度で、記
録媒体に一様に照射する、いわゆる一括消去により行わ
れる。これにより、記録媒体の磁化状態は記録前の初期
状態に戻る。
次の様に行われる。記録は、一方向に着磁した記録媒体
にレーザ光ビームを照射して、媒体温度をキューリ温度
Tcもしくは補償温度Tcomp以上に上昇させ、外部印加磁
界と記録媒体の反磁界によって反転磁区を形成すること
により行われる。消去は、外部磁界を記録時とは逆極性
に印加し、レーザ光ビームを記録時と同等の強度で、記
録媒体に一様に照射する、いわゆる一括消去により行わ
れる。これにより、記録媒体の磁化状態は記録前の初期
状態に戻る。
（発明が解決しようとする問題点） この様に従来の光磁気記録媒体に対して記録を行う場合
には、レーザ光ビームを発生する光学系以外に、外部磁
界印加手段が必須であるため、光磁気記録・再生装置の
構成は複雑になる傾向があった。
には、レーザ光ビームを発生する光学系以外に、外部磁
界印加手段が必須であるため、光磁気記録・再生装置の
構成は複雑になる傾向があった。
本発明の目的は、外部磁界印加手段を必要とせずにバイ
アス磁界を印加することができる光磁気記録媒体を提供
することにある。
アス磁界を印加することができる光磁気記録媒体を提供
することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体は、基体上に、膜面に垂直方向
に、磁気異方性を有する第１の垂直磁化膜から成る環状
の凸部が一定間隔で形成され、次に、第２の垂直磁化膜
から成る記録層、誘電体から成る保護層の順に形成さ
れ、更に前記第１及び第２の垂直磁化膜が同一方向に着
磁されることを特徴とする。
に、磁気異方性を有する第１の垂直磁化膜から成る環状
の凸部が一定間隔で形成され、次に、第２の垂直磁化膜
から成る記録層、誘電体から成る保護層の順に形成さ
れ、更に前記第１及び第２の垂直磁化膜が同一方向に着
磁されることを特徴とする。
（作用） 基体上に形成された垂直磁化膜からなる凸部と、第二の
垂直磁化膜から成る記録層を、同じ垂直方向に着磁して
おくことによって、記録層は一方向に初期着磁されると
共に、前記凸部の間にある記録層部分には、突起部の磁
化によって、初期着磁とは逆方向にバイアス磁界が印加
される。
垂直磁化膜から成る記録層を、同じ垂直方向に着磁して
おくことによって、記録層は一方向に初期着磁されると
共に、前記凸部の間にある記録層部分には、突起部の磁
化によって、初期着磁とは逆方向にバイアス磁界が印加
される。
（実施例） 次に本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明す
る。第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の実施例の断
面構成図を示す。ガラス基板１上に、CoCr合金膜（組
成:Co0.85Co0.15）等の垂直磁化膜から成り、高さ約300
0Åで幅約4000Åの台形状凸部２が、約１μｍピッチで
形成され、これらの上に第二の垂直磁化膜から成る記録
層３として、厚さ3000ÅのTbFeCo合金膜（組成:Tb0.22
（Fe0.9Co0.1）0.78）、さらに、保護層４として屈折率
2.0、厚さ800ÅのSi3N4膜の順に形成されている。
る。第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の実施例の断
面構成図を示す。ガラス基板１上に、CoCr合金膜（組
成:Co0.85Co0.15）等の垂直磁化膜から成り、高さ約300
0Åで幅約4000Åの台形状凸部２が、約１μｍピッチで
形成され、これらの上に第二の垂直磁化膜から成る記録
層３として、厚さ3000ÅのTbFeCo合金膜（組成:Tb0.22
（Fe0.9Co0.1）0.78）、さらに、保護層４として屈折率
2.0、厚さ800ÅのSi3N4膜の順に形成されている。
各層はマグネトロンスパッタにより成膜される。まずCo
Cr合金膜から成る台形状凸部２は次の様にして形成され
る。ガラス基板上に、CoCr合金ターゲットを用いて、Ar
ガス雰囲気で、パワー密度4w/cm2、スパッタガス圧3.5
×10-1Paで、CoCr膜を3000Åの厚さにスパッタした後、
第２図（ａ）に示す様に、厚さ2000Å幅5000Åのレジス
トパターン５を１μｍピッチで形成し、Arを用いてガス
圧2.6×10-2Paで12分間イオンミリングする。さらに酸
素プラズマによりレジストをはく離することによって、
第２図（ｂ）に示す様に、高さ3000Å、幅4000ÅのCoCr
膜から成るらせん状または同心円状の台形状凸部が約１
μｍピッチで形成される。
Cr合金膜から成る台形状凸部２は次の様にして形成され
る。ガラス基板上に、CoCr合金ターゲットを用いて、Ar
ガス雰囲気で、パワー密度4w/cm2、スパッタガス圧3.5
×10-1Paで、CoCr膜を3000Åの厚さにスパッタした後、
第２図（ａ）に示す様に、厚さ2000Å幅5000Åのレジス
トパターン５を１μｍピッチで形成し、Arを用いてガス
圧2.6×10-2Paで12分間イオンミリングする。さらに酸
素プラズマによりレジストをはく離することによって、
第２図（ｂ）に示す様に、高さ3000Å、幅4000ÅのCoCr
膜から成るらせん状または同心円状の台形状凸部が約１
μｍピッチで形成される。
記録層3TbFeCo合金膜は、FeCoターゲット上にTb片を配
した複合ターゲットを用い、Arガス雰囲気で、パワー密
度4w/cm2、スパッタガス圧3.5×10-1Paで作製される。
した複合ターゲットを用い、Arガス雰囲気で、パワー密
度4w/cm2、スパッタガス圧3.5×10-1Paで作製される。
保護層4 Si3N4膜は、Siターゲットを用い、ArとN2の混
合ガス（45.5％N2）を、スパッタガスとした反応性スパ
ッタにより、パワー密度8w/cm2、スパッタガス圧2.5×1
0-1Paで、作製される。
合ガス（45.5％N2）を、スパッタガスとした反応性スパ
ッタにより、パワー密度8w/cm2、スパッタガス圧2.5×1
0-1Paで、作製される。
次に、本発明による光磁気記録媒体を用いた記録動作
を、第３図を用いて説明する。本媒体の垂直磁化膜（Co
Cr合金膜）から成る凸部２と第二の垂直磁化膜（TbFeCo
合金膜）から成る記録層３を同じ垂直方向（＋ｙ方向）
に、あらかじめ着磁しておくことによって、第３図
（ａ）に示す様に記録層３は一方向に初期着磁８され
る。またこれらの突起の間にある記録層には、凸部を成
すCoCr合金膜の磁化によって、それらの磁化とは逆方向
（−ｙ方向）にバイアス磁界７を印加することができ
る。従って、第３図（ｂ）に示す様に、初期着磁と逆方
向（−ｙ方向）に着磁するタイミングに同期してレーザ
ビーム10を、前記凸部の間にある記録層部分に照射して
記録層の温度をキュリ温度以上（220℃）に上昇するだ
けで、冷却過程で所望の反転磁区９を形成することがで
きる。
を、第３図を用いて説明する。本媒体の垂直磁化膜（Co
Cr合金膜）から成る凸部２と第二の垂直磁化膜（TbFeCo
合金膜）から成る記録層３を同じ垂直方向（＋ｙ方向）
に、あらかじめ着磁しておくことによって、第３図
（ａ）に示す様に記録層３は一方向に初期着磁８され
る。またこれらの突起の間にある記録層には、凸部を成
すCoCr合金膜の磁化によって、それらの磁化とは逆方向
（−ｙ方向）にバイアス磁界７を印加することができ
る。従って、第３図（ｂ）に示す様に、初期着磁と逆方
向（−ｙ方向）に着磁するタイミングに同期してレーザ
ビーム10を、前記凸部の間にある記録層部分に照射して
記録層の温度をキュリ温度以上（220℃）に上昇するだ
けで、冷却過程で所望の反転磁区９を形成することがで
きる。
ここで凸部を成す垂直磁化膜の高さ及びピッチ等の形状
及び膜組成は、上述のものに限定されるものではなく、
所望の記録媒体の記録密度及びバイアス磁界の大きさに
応じて、適宜選定される。凸部の高さとしては、数千オ
ングストローム、ピッチとしては１μｍ前後が好まし
い。凸部の膜組成はCoCr合金膜以外に、バリウムフェラ
イトの様な垂直磁化膜でも良い。また、記録層の組成
も、上述のものに限定されるものではなく、抗磁力Hc
が、上記突起からのバイアス磁界より大きくできる範囲
で、他の光磁気記録材料を選定しても良い。誘電体から
成る保護層としては、Si3N4の他にAlN,SiO2,SiO等を、
数百Å〜数千Åの厚さに形成したものが用いられる。
及び膜組成は、上述のものに限定されるものではなく、
所望の記録媒体の記録密度及びバイアス磁界の大きさに
応じて、適宜選定される。凸部の高さとしては、数千オ
ングストローム、ピッチとしては１μｍ前後が好まし
い。凸部の膜組成はCoCr合金膜以外に、バリウムフェラ
イトの様な垂直磁化膜でも良い。また、記録層の組成
も、上述のものに限定されるものではなく、抗磁力Hc
が、上記突起からのバイアス磁界より大きくできる範囲
で、他の光磁気記録材料を選定しても良い。誘電体から
成る保護層としては、Si3N4の他にAlN,SiO2,SiO等を、
数百Å〜数千Åの厚さに形成したものが用いられる。
（発明の効果） 以上述べた様に、本発明によれば、一方向のバイアス磁
界印加手段を内蔵した光磁気記録媒体を提供できる。従
って、記録層をあらかじめ第１の垂直磁化膜と同一方向
に初期着磁しておけば、外部磁界印加手段を必要とせず
に、レーザビームの照射による昇温だけで、反転磁区の
形成ができる。また、本媒体とバイアス磁界と逆方向に
だけ磁界をスイッチングできる外部磁界印加手段を用い
て、一定レーザビームを照射しながら、前記バイアス磁
界と外部磁界印加手段からの磁界を組み合わせた、磁界
変調による記録も容易になる。
界印加手段を内蔵した光磁気記録媒体を提供できる。従
って、記録層をあらかじめ第１の垂直磁化膜と同一方向
に初期着磁しておけば、外部磁界印加手段を必要とせず
に、レーザビームの照射による昇温だけで、反転磁区の
形成ができる。また、本媒体とバイアス磁界と逆方向に
だけ磁界をスイッチングできる外部磁界印加手段を用い
て、一定レーザビームを照射しながら、前記バイアス磁
界と外部磁界印加手段からの磁界を組み合わせた、磁界
変調による記録も容易になる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は本発明の作
製法を示す図、第３図は本発明の動作を説明する図であ
る。 図において、１……基板、２……垂直磁化膜から成る凸
部、３……記録層、４……保護層、５……レジストパタ
ーン、６……凸部内の磁化、７……突起内磁化からのバ
イアス磁界、８……初期着磁磁化、９……反転磁化、10
……レーザビーム、である。
製法を示す図、第３図は本発明の動作を説明する図であ
る。 図において、１……基板、２……垂直磁化膜から成る凸
部、３……記録層、４……保護層、５……レジストパタ
ーン、６……凸部内の磁化、７……突起内磁化からのバ
イアス磁界、８……初期着磁磁化、９……反転磁化、10
……レーザビーム、である。
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に、膜面に垂直方向に、磁気異方性
を有する第１の垂直磁化膜から成る環状の凸部が一定間
隔で形成され、次に、第２の垂直磁化膜から成る記録
層、誘電体から成る保護層の順に形成され、更に前記第
１及び第２の垂直磁化膜が同一方向に着磁されることを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記第二の垂直磁化膜から成る記録層が、
非晶質磁性合金薄膜である、特許請求の範囲第１項に記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30079686A JPH0679389B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30079686A JPH0679389B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152045A JPS63152045A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0679389B2 true JPH0679389B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=17889202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30079686A Expired - Lifetime JPH0679389B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679389B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3038735B2 (ja) * | 1989-11-01 | 2000-05-08 | 株式会社ニコン | オーバライト可能な光磁気記録媒体及び前処理方法 |
| JP4998894B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2012-08-15 | シャープ株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気情報記録方法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP30079686A patent/JPH0679389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63152045A (ja) | 1988-06-24 |
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