JP3538727B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体に
関し、特に磁気超解像（Magnetically Induced Super R
esolution ，ＭＳＲ）再生が可能な光磁気記録媒体に関
する。
関し、特に磁気超解像（Magnetically Induced Super R
esolution ，ＭＳＲ）再生が可能な光磁気記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクは高密度記録媒体として
知られているが、情報量の増大に伴い記録容量のさらな
る高密度化が要望されている。高密度化は記録信号（マ
ーク）の間隔を詰めることによって実現できるが、その
記録，再生は媒体上の光ビームの大きさ（スポット径）
によって制限される。スポット径以下の周期を有する小
さなマークを再生するためには、スポット径を小さく絞
れば良いが、これは光源の波長λと対物レンズの開口数
ＮＡとで制約される。このために、光学系の分解能以上
の微小な記録マークを再生することは困難であった。近
年、記録媒体を多層化し、ビームスポット内に形成され
る媒体の温度分布を利用することにより、スポット径を
絞った状態と同様の効果を生ぜしめる磁気超解像（ＭＳ
Ｒ）媒体が提案されている（特開平１−143041号公報，
特開平３−93058 号公報，特開平４−271039号公報
等）。
知られているが、情報量の増大に伴い記録容量のさらな
る高密度化が要望されている。高密度化は記録信号（マ
ーク）の間隔を詰めることによって実現できるが、その
記録，再生は媒体上の光ビームの大きさ（スポット径）
によって制限される。スポット径以下の周期を有する小
さなマークを再生するためには、スポット径を小さく絞
れば良いが、これは光源の波長λと対物レンズの開口数
ＮＡとで制約される。このために、光学系の分解能以上
の微小な記録マークを再生することは困難であった。近
年、記録媒体を多層化し、ビームスポット内に形成され
る媒体の温度分布を利用することにより、スポット径を
絞った状態と同様の効果を生ぜしめる磁気超解像（ＭＳ
Ｒ）媒体が提案されている（特開平１−143041号公報，
特開平３−93058 号公報，特開平４−271039号公報
等）。
【０００３】特開平１−143041号公報で提案されている
ＭＳＲ媒体は、初期化磁石を設けることなく、再生時に
数百Ｏｅ程度の磁場を印加することにより、スポット径
よりも小さいマークを再生することができるが、検出領
域が広いためにトラックピッチを小さくできず、ディス
ク径方向の高密度化に不利である。また、特開平３−93
058 号公報で提案されているＭＳＲ媒体は、3.4 〜４ｋ
Ｏｅ程度の初期化磁石を新たに必要とし、特開平１−14
3041号公報のものよりも検出領域は狭いが、再生ビーム
のパワーの増加と共に領域が拡がってしまうという問題
がある。数ｋＯｅの磁石を設けることにより、記録再生
装置の小型化が困難である。そして、特開平４−271039
号公報で提案されているＭＳＲ媒体は、再生ビームのパ
ワーに係わらず検出領域が狭く、ディスク径方向に高分
解能で記録されたマークを再生できる。しかしながら、
数百Ｏｅの再生磁場に加えて数ｋＯｅの初期化磁石を用
いなければならないという問題があった。
ＭＳＲ媒体は、初期化磁石を設けることなく、再生時に
数百Ｏｅ程度の磁場を印加することにより、スポット径
よりも小さいマークを再生することができるが、検出領
域が広いためにトラックピッチを小さくできず、ディス
ク径方向の高密度化に不利である。また、特開平３−93
058 号公報で提案されているＭＳＲ媒体は、3.4 〜４ｋ
Ｏｅ程度の初期化磁石を新たに必要とし、特開平１−14
3041号公報のものよりも検出領域は狭いが、再生ビーム
のパワーの増加と共に領域が拡がってしまうという問題
がある。数ｋＯｅの磁石を設けることにより、記録再生
装置の小型化が困難である。そして、特開平４−271039
号公報で提案されているＭＳＲ媒体は、再生ビームのパ
ワーに係わらず検出領域が狭く、ディスク径方向に高分
解能で記録されたマークを再生できる。しかしながら、
数百Ｏｅの再生磁場に加えて数ｋＯｅの初期化磁石を用
いなければならないという問題があった。
【０００４】これを解決すべく、本願出願人は、初期化
磁石を用いることなく数百Ｏｅ程度の低い再生磁場を印
加することによりＲＡＤダブルマスク方式でＭＳＲ再生
が可能な光磁気媒体を特開平７−244877号公報にて提案
している。図１５は本願出願人提案によるＭＳＲ媒体の
再生時の磁化状態を示す図であり、膜構成と共に示して
いる。図に示すように、光磁気ディスク３は基板（図示
せず）上に再生層３３、制御層３４及び記録層３５をこ
の順に積層して構成されている。再生層３３は遷移金属
磁化優勢膜であり、垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸
を有している。制御層３４は希土類磁化優勢膜であり、
室温（１０℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸を有
しており、室温より高い所定温度以上になると磁化容易
軸が面内方向から垂直方向に変化する。記録層３５は遷
移金属磁化優勢膜であり、垂直方向に磁化容易軸を有し
ている。
磁石を用いることなく数百Ｏｅ程度の低い再生磁場を印
加することによりＲＡＤダブルマスク方式でＭＳＲ再生
が可能な光磁気媒体を特開平７−244877号公報にて提案
している。図１５は本願出願人提案によるＭＳＲ媒体の
再生時の磁化状態を示す図であり、膜構成と共に示して
いる。図に示すように、光磁気ディスク３は基板（図示
せず）上に再生層３３、制御層３４及び記録層３５をこ
の順に積層して構成されている。再生層３３は遷移金属
磁化優勢膜であり、垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸
を有している。制御層３４は希土類磁化優勢膜であり、
室温（１０℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸を有
しており、室温より高い所定温度以上になると磁化容易
軸が面内方向から垂直方向に変化する。記録層３５は遷
移金属磁化優勢膜であり、垂直方向に磁化容易軸を有し
ている。
【０００５】このような構成の光磁気ディスク３に、下
向きを記録方向としてマークが形成されており、このマ
ークを再生する際には、再生磁場を印加しつつ再生用レ
ーザ光を照射する。光磁気ディスク３にはレーザスポッ
トＳ内にて温度分布が生じ、高温領域（フロントマス
ク）及び低温領域（リアマスク）では記録層３５の磁化
方向がマスクされ、中間温度領域（開口部）からマーク
が読み出される。図１５では、上向き、即ち、消去方向
の再生用磁場を印加した場合を示している。なお、この
ようなＭＳＲ媒体の膜構成及び再生原理については特開
平７−244877号公報及び特願平８−276672号にて詳述し
ており、ここでは省略する。
向きを記録方向としてマークが形成されており、このマ
ークを再生する際には、再生磁場を印加しつつ再生用レ
ーザ光を照射する。光磁気ディスク３にはレーザスポッ
トＳ内にて温度分布が生じ、高温領域（フロントマス
ク）及び低温領域（リアマスク）では記録層３５の磁化
方向がマスクされ、中間温度領域（開口部）からマーク
が読み出される。図１５では、上向き、即ち、消去方向
の再生用磁場を印加した場合を示している。なお、この
ようなＭＳＲ媒体の膜構成及び再生原理については特開
平７−244877号公報及び特願平８−276672号にて詳述し
ており、ここでは省略する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなビーム
スポットＳ内にマスクを形成するＭＳＲ媒体では、再生
時に印加する磁場の向きによって、マスクのビームスポ
ット内形成範囲が若干異なる。マスクの形成範囲が異な
ることにより、再生信号の波形（再生波形）の前後エッ
ジの傾斜が異なる。図１６は、光磁気ディスク３に消去
方向の磁場及び記録方向の磁場を印加して得られた夫々
の再生信号の波形を示す図である。
スポットＳ内にマスクを形成するＭＳＲ媒体では、再生
時に印加する磁場の向きによって、マスクのビームスポ
ット内形成範囲が若干異なる。マスクの形成範囲が異な
ることにより、再生信号の波形（再生波形）の前後エッ
ジの傾斜が異なる。図１６は、光磁気ディスク３に消去
方向の磁場及び記録方向の磁場を印加して得られた夫々
の再生信号の波形を示す図である。
【０００７】図１６（ａ）に示すように、ＭＳＲ媒体に
消去方向の磁場を印加して再生した場合は、再生波形は
前エッジの傾斜が後エッジの傾斜に比べて緩やかである
ために、同程度のノイズパワーに対するジッタは前エッ
ジの方が大きい。従って、再生信号の品質は、前エッジ
のジッタに影響を受ける。一方、図１６（ｂ）に示すよ
うに、ＭＳＲ媒体に記録方向の磁場を印加して再生した
場合は、再生波形は後エッジの傾斜が前エッジの傾斜に
比べて緩やかであるために、再生信号の品質は後エッジ
のジッタに影響を受ける。いずれの場合も再生波形が非
線形性を有しており、再生層の磁化方向が消去方向を向
いている側のエッジが急峻である。傾斜が緩やかである
エッジの側でジッタが増加するので、再生データの正確
な検出が行ないにくい。
消去方向の磁場を印加して再生した場合は、再生波形は
前エッジの傾斜が後エッジの傾斜に比べて緩やかである
ために、同程度のノイズパワーに対するジッタは前エッ
ジの方が大きい。従って、再生信号の品質は、前エッジ
のジッタに影響を受ける。一方、図１６（ｂ）に示すよ
うに、ＭＳＲ媒体に記録方向の磁場を印加して再生した
場合は、再生波形は後エッジの傾斜が前エッジの傾斜に
比べて緩やかであるために、再生信号の品質は後エッジ
のジッタに影響を受ける。いずれの場合も再生波形が非
線形性を有しており、再生層の磁化方向が消去方向を向
いている側のエッジが急峻である。傾斜が緩やかである
エッジの側でジッタが増加するので、再生データの正確
な検出が行ないにくい。
【０００８】この問題を解決するために、本願出願人は
得られた再生信号に基づいて再生波形のエッジのタイミ
ングを検出し、エッジ検出後に再生磁場を反転（変調）
する方法を提案している。この再生方法により、記録マ
ークの前エッジ及び後エッジの夫々の出力時に、エッジ
を急峻とする方向の磁場を印加することができ、再生波
形の両エッジを対称に近づけることができる。しかしな
がら、この方法によると、再生磁場の変調周波数を高く
した場合に磁場強度が不足するという問題がある。図１
７は印加磁場の周波数と磁場強度との関係を示すグラフ
であり、縦軸は磁場強度を示し、横軸は時間を示してい
る。図に示すように、再生磁場の変調周波数が高い方が
磁場強度は低い。このように磁場強度が低いと、再生信
号を正確に検出しにくいという問題があった。また、こ
の再生方法を実施する装置には、再生磁場を変調させる
ための駆動回路を新たに設ける必要がある。
得られた再生信号に基づいて再生波形のエッジのタイミ
ングを検出し、エッジ検出後に再生磁場を反転（変調）
する方法を提案している。この再生方法により、記録マ
ークの前エッジ及び後エッジの夫々の出力時に、エッジ
を急峻とする方向の磁場を印加することができ、再生波
形の両エッジを対称に近づけることができる。しかしな
がら、この方法によると、再生磁場の変調周波数を高く
した場合に磁場強度が不足するという問題がある。図１
７は印加磁場の周波数と磁場強度との関係を示すグラフ
であり、縦軸は磁場強度を示し、横軸は時間を示してい
る。図に示すように、再生磁場の変調周波数が高い方が
磁場強度は低い。このように磁場強度が低いと、再生信
号を正確に検出しにくいという問題があった。また、こ
の再生方法を実施する装置には、再生磁場を変調させる
ための駆動回路を新たに設ける必要がある。
【０００９】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、再生波形の前後エッジに応じて正逆極性の再
生磁場を夫々発生させる補助磁性層を備えることによ
り、磁場変調のための回路を新たに設けることなく、ま
た磁場強度を不足させることなく、再生波形の両エッジ
の傾斜を急峻に、且つ、対称に近づけることにより高品
質の再生信号を得ることができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。
のであり、再生波形の前後エッジに応じて正逆極性の再
生磁場を夫々発生させる補助磁性層を備えることによ
り、磁場変調のための回路を新たに設けることなく、ま
た磁場強度を不足させることなく、再生波形の両エッジ
の傾斜を急峻に、且つ、対称に近づけることにより高品
質の再生信号を得ることができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、交換結合した第１の磁性層，第２の磁性層及
び第３の磁性層を基板上にこの順に備え、前記第２の磁
性層は室温では面内方向に磁化容易軸を有しており室温
より高い所定温度以上になると磁化容易軸が面内方向か
ら垂直方向へ変化する希土類磁化優勢膜であり、前記第
１，第２及び第３の磁性層との相対移動を伴う光ビーム
の照射によって低温領域、中間温度領域及び高温領域か
らなる媒体内温度分布が生じ、該媒体内温度分布により
特定される前記中間温度領域からの情報の読出しが可能
な光磁気記録媒体において、再生時に印加される再生磁
場に対し前記高温領域では同方向を向く静磁場及び前記
低温領域では逆方向を向く静磁場を発生せしめる磁場発
生層を、前記第３の磁性層の前記基板と反対の側に第３
の磁性層に近い側から交換結合した第４、第５及び第６
の磁性層として備え、前記第１乃至第６の磁性層の保磁
力Ｈｃ１乃至Ｈｃ６並びに前記第１乃至第６の磁性層の
キュリー温度Ｔｃ１乃至Ｔｃ６は、Ｈｃ６＞Ｈｃ３＞Ｈ
ｃ５＞Ｈｃ１、Ｈｃ４＞Ｈｃ２、Ｔｃ６＞Ｔｃ４＞Ｔｃ
１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２＞Ｔｃ５の関係を満たすことを特徴
とする。
録媒体は、交換結合した第１の磁性層，第２の磁性層及
び第３の磁性層を基板上にこの順に備え、前記第２の磁
性層は室温では面内方向に磁化容易軸を有しており室温
より高い所定温度以上になると磁化容易軸が面内方向か
ら垂直方向へ変化する希土類磁化優勢膜であり、前記第
１，第２及び第３の磁性層との相対移動を伴う光ビーム
の照射によって低温領域、中間温度領域及び高温領域か
らなる媒体内温度分布が生じ、該媒体内温度分布により
特定される前記中間温度領域からの情報の読出しが可能
な光磁気記録媒体において、再生時に印加される再生磁
場に対し前記高温領域では同方向を向く静磁場及び前記
低温領域では逆方向を向く静磁場を発生せしめる磁場発
生層を、前記第３の磁性層の前記基板と反対の側に第３
の磁性層に近い側から交換結合した第４、第５及び第６
の磁性層として備え、前記第１乃至第６の磁性層の保磁
力Ｈｃ１乃至Ｈｃ６並びに前記第１乃至第６の磁性層の
キュリー温度Ｔｃ１乃至Ｔｃ６は、Ｈｃ６＞Ｈｃ３＞Ｈ
ｃ５＞Ｈｃ１、Ｈｃ４＞Ｈｃ２、Ｔｃ６＞Ｔｃ４＞Ｔｃ
１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２＞Ｔｃ５の関係を満たすことを特徴
とする。
【００１１】第１発明にあっては、前記光ビームの照射
によりビームスポット内に生じる温度分布の中間温度領
域にて第３の磁性層の磁化方向が第１の磁性層に転写さ
れて読み出され、中間温度領域の前後領域である低温領
域及び高温領域に、前記磁場発生層から生じた夫々の極
性を有する磁場が与えられる。これにより、再生波形の
前後エッジの夫々に対応して逆極性の再生磁場を与える
ことができる。また、情報の記録再生のための第１、第
２及び第３の磁性層と、自ら磁場を発生させるための第
４、第５及び第６の磁性層との磁気特性を特定してい
る。これにより、情報の再生時に、光ビームを照射しつ
つ外部磁場を印加した際に、第４の磁性層の磁化方向を
決定して互いに逆極性の磁場を発生させ、且つ、媒体内
温度分布により特定される読み出し領域の前後領域に、
第３の磁性層の磁化方向を第１の磁性層に転写しないマ
スク領域を形成して、夫々のマスク領域に互いに逆極性
の磁場を与える。
によりビームスポット内に生じる温度分布の中間温度領
域にて第３の磁性層の磁化方向が第１の磁性層に転写さ
れて読み出され、中間温度領域の前後領域である低温領
域及び高温領域に、前記磁場発生層から生じた夫々の極
性を有する磁場が与えられる。これにより、再生波形の
前後エッジの夫々に対応して逆極性の再生磁場を与える
ことができる。また、情報の記録再生のための第１、第
２及び第３の磁性層と、自ら磁場を発生させるための第
４、第５及び第６の磁性層との磁気特性を特定してい
る。これにより、情報の再生時に、光ビームを照射しつ
つ外部磁場を印加した際に、第４の磁性層の磁化方向を
決定して互いに逆極性の磁場を発生させ、且つ、媒体内
温度分布により特定される読み出し領域の前後領域に、
第３の磁性層の磁化方向を第１の磁性層に転写しないマ
スク領域を形成して、夫々のマスク領域に互いに逆極性
の磁場を与える。
【００１２】
【００１３】
【００１４】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明において、前記第３の磁性層と前記第４の磁性層との
間に非磁性層を介在せしめてあることを特徴とする。
明において、前記第３の磁性層と前記第４の磁性層との
間に非磁性層を介在せしめてあることを特徴とする。
【００１５】第２発明にあっては、前記第３の磁性層と
前記第４の磁性層との間に非磁性層を介在せしめてある
ので、前記磁場発生層（第４の磁性層）と前記磁性層
（第３の磁性層）との間に交換結合力がはたらくことは
ない。これにより、前記磁性層（第３の磁性層）の磁化
方向に関係なく、前記磁場発生層（第４の磁性層）の複
数の磁性層の磁化方向を所定方向に揃えることができ
る。
前記第４の磁性層との間に非磁性層を介在せしめてある
ので、前記磁場発生層（第４の磁性層）と前記磁性層
（第３の磁性層）との間に交換結合力がはたらくことは
ない。これにより、前記磁性層（第３の磁性層）の磁化
方向に関係なく、前記磁場発生層（第４の磁性層）の複
数の磁性層の磁化方向を所定方向に揃えることができ
る。
【００１６】
【００１７】
【００１８】第３発明に係る光磁気記録媒体では、前記
第４の磁性層は、遷移金属磁化優勢の希土類−遷移金属
合金膜からなることを特徴とする。また、第４発明に係
る光磁気記録媒体では、前記第４の磁性層は、希土類金
属磁化優勢の希土類−遷移金属合金膜からなることを特
徴とする。
第４の磁性層は、遷移金属磁化優勢の希土類−遷移金属
合金膜からなることを特徴とする。また、第４発明に係
る光磁気記録媒体では、前記第４の磁性層は、希土類金
属磁化優勢の希土類−遷移金属合金膜からなることを特
徴とする。
【００１９】第３及び第４発明にあっては、第４の磁性
層が遷移金属磁化優勢である場合は、第４及び第６の磁
性層は交換結合により高温領域で同方向の磁化方向に揃
えることが可能である。また、第４の磁性層が希土類磁
化優勢である場合には、第４及び第６の磁性層は交換結
合により高温領域で異方向の磁化方向に揃えることが可
能である。第４及び第６の磁性層が再生時に印加される
外部磁場の磁化方向と同方向に揃った場合は静磁場の発
生に有利であり、外部磁場の大きさを低減することがで
きる。
層が遷移金属磁化優勢である場合は、第４及び第６の磁
性層は交換結合により高温領域で同方向の磁化方向に揃
えることが可能である。また、第４の磁性層が希土類磁
化優勢である場合には、第４及び第６の磁性層は交換結
合により高温領域で異方向の磁化方向に揃えることが可
能である。第４及び第６の磁性層が再生時に印加される
外部磁場の磁化方向と同方向に揃った場合は静磁場の発
生に有利であり、外部磁場の大きさを低減することがで
きる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は本発明の光磁気ディスクの膜構成図である。図に
示すように、光磁気ディスク１は、ポリカーボネート製
の基板１１上にＳｉＮ下地層１２、再生層１３、制御層
１４、記録層１５、ＳｉＮ中間層１６、第１補助層１
７、第２補助層１８、第３補助層１９及びＳｉＮ保護層
２０を備えて構成されている。記録層１５の基板１１と
反対の側にＳｉＮ中間層１６を隔てて設けられた第１補
助層１７、第２補助層１８及び第３補助層１９は、静磁
場を発生させるための前記磁場発生層である。光磁気デ
ィスク１を構成する夫々の層はＤＣスパッタ法により到
達真空度５×10-5Ｐａ以下の真空槽内で成膜される。各
ＳｉＮ層は、ガス圧が0.3 Ｐａ、投入電力が0.8 ｋＷで
形成され、再生層１３、制御層１４、記録層１５、第１
補助層１７、第２補助層１８及び第３補助層１９の磁性
層は、ガス圧が0.5 Ｐａ、投入電力が1.0 ｋＷで形成さ
れている。各層の膜組成、膜厚及び磁化特性については
表１に示す。
示す図面に基づき具体的に説明する。 第１の実施の形態 図１は本発明の光磁気ディスクの膜構成図である。図に
示すように、光磁気ディスク１は、ポリカーボネート製
の基板１１上にＳｉＮ下地層１２、再生層１３、制御層
１４、記録層１５、ＳｉＮ中間層１６、第１補助層１
７、第２補助層１８、第３補助層１９及びＳｉＮ保護層
２０を備えて構成されている。記録層１５の基板１１と
反対の側にＳｉＮ中間層１６を隔てて設けられた第１補
助層１７、第２補助層１８及び第３補助層１９は、静磁
場を発生させるための前記磁場発生層である。光磁気デ
ィスク１を構成する夫々の層はＤＣスパッタ法により到
達真空度５×10-5Ｐａ以下の真空槽内で成膜される。各
ＳｉＮ層は、ガス圧が0.3 Ｐａ、投入電力が0.8 ｋＷで
形成され、再生層１３、制御層１４、記録層１５、第１
補助層１７、第２補助層１８及び第３補助層１９の磁性
層は、ガス圧が0.5 Ｐａ、投入電力が1.0 ｋＷで形成さ
れている。各層の膜組成、膜厚及び磁化特性については
表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】なお、制御層１４はキュリー温度まで補償
点の見られない希土類金属磁化優勢（以下、ＲＥリッチ
という）の面内磁化膜であり、その他の磁性層は遷移金
属磁化優勢（以下、ＴＭリッチという）の垂直磁化膜で
ある。また、各磁性層のキュリー温度Ｔｃ及び保磁力Ｈ
ｃの関係は以下の通りである。 Ｔｃ６＞ＴＣ４＞Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２＞Ｔｃ５ Ｈｃ６＞ＨＣ３＞Ｈｃ５＞Ｈｃ１，Ｈｃ４＞Ｈｃ２ 但し、Ｔｃ１及びＨｃ１は再生層１３のキュリー温度及
び保磁力であり、Ｔｃ，Ｈｃの後ろの数字は、基板側の
磁性層から順に２，３，４，５，６を対応させている。
点の見られない希土類金属磁化優勢（以下、ＲＥリッチ
という）の面内磁化膜であり、その他の磁性層は遷移金
属磁化優勢（以下、ＴＭリッチという）の垂直磁化膜で
ある。また、各磁性層のキュリー温度Ｔｃ及び保磁力Ｈ
ｃの関係は以下の通りである。 Ｔｃ６＞ＴＣ４＞Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２＞Ｔｃ５ Ｈｃ６＞ＨＣ３＞Ｈｃ５＞Ｈｃ１，Ｈｃ４＞Ｈｃ２ 但し、Ｔｃ１及びＨｃ１は再生層１３のキュリー温度及
び保磁力であり、Ｔｃ，Ｈｃの後ろの数字は、基板側の
磁性層から順に２，３，４，５，６を対応させている。
【００２３】このような構成の光磁気ディスク１に、外
部磁場を印加しつつレーザ光を照射した場合の、光磁気
ディスク１の消去時，記録時及び再生時の磁化状態につ
いて以下に説明する。まず、第３補助層のキュリー温度
Ｔｃ６よりも照射領域の温度が高くなる消去用パワーで
レーザ光を照射し、Ｓ方向（上向き）の外部磁場を印加
して初期消去する。図２は、このときの光磁気ディスク
１の磁化状態を示す図である。図中、遷移金属磁化のス
ピン方向を矢符で示し、正味の磁化方向を白抜き矢符で
示している。図に示すように、記録層１５の磁化方向は
上向きに揃い、第１、第２及び第３補助層１７，１８，
１９の磁化方向は全て上向きに揃っている。この初期消
去はディスクの出荷時に一度だけ行なう操作であり、出
荷後は行なう必要はない。
部磁場を印加しつつレーザ光を照射した場合の、光磁気
ディスク１の消去時，記録時及び再生時の磁化状態につ
いて以下に説明する。まず、第３補助層のキュリー温度
Ｔｃ６よりも照射領域の温度が高くなる消去用パワーで
レーザ光を照射し、Ｓ方向（上向き）の外部磁場を印加
して初期消去する。図２は、このときの光磁気ディスク
１の磁化状態を示す図である。図中、遷移金属磁化のス
ピン方向を矢符で示し、正味の磁化方向を白抜き矢符で
示している。図に示すように、記録層１５の磁化方向は
上向きに揃い、第１、第２及び第３補助層１７，１８，
１９の磁化方向は全て上向きに揃っている。この初期消
去はディスクの出荷時に一度だけ行なう操作であり、出
荷後は行なう必要はない。
【００２４】次に、照射領域の温度が、記録層１５のキ
ュリー温度Ｔｃ３よりも高く、第３補助層１９のキュリ
ー温度Ｔｃ６よりも低くなる消去用パワーでレーザ光を
照射し、Ｎ方向（下向き）の外部磁場を印加して記録層
１５を消去する。図３は、このときの光磁気ディスク１
の磁化状態を示す図である。図に示すように、再生層１
３、制御層１４及び記録層１５の磁化状態が反転してい
る。ＳｉＮ中間層１６が記録層１５と補助層１７との間
に介在しているので、記録層１５と補助層１７との間に
交換結合力が働くことはない。このＮ方向の消去は、光
磁気ディスク１のデータを書き換えるときに毎回行なう
操作である。
ュリー温度Ｔｃ３よりも高く、第３補助層１９のキュリ
ー温度Ｔｃ６よりも低くなる消去用パワーでレーザ光を
照射し、Ｎ方向（下向き）の外部磁場を印加して記録層
１５を消去する。図３は、このときの光磁気ディスク１
の磁化状態を示す図である。図に示すように、再生層１
３、制御層１４及び記録層１５の磁化状態が反転してい
る。ＳｉＮ中間層１６が記録層１５と補助層１７との間
に介在しているので、記録層１５と補助層１７との間に
交換結合力が働くことはない。このＮ方向の消去は、光
磁気ディスク１のデータを書き換えるときに毎回行なう
操作である。
【００２５】光磁気ディスク１にデータを記録する際に
は、照射領域の温度が、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ
３よりも高く、第３補助層のキュリー温度Ｔｃ６よりも
低くなる記録用パワーでレーザ光を照射し、記録層１５
の保磁力Ｈｃ３よりも大きく、第３補助層の保磁力Ｈｃ
６よりも小さな記録磁場を与えて、データを光変調記録
する。図４は、このときの光磁気ディスク１の磁化状態
を示す図である。図に示すように、記録層１５がデータ
に応じた磁化方向に揃い、第３補助層１９の磁化方向は
消去時から変化しない。これは、キュリー温度Ｔｃ６よ
りも低い記録用パワーと保磁力Ｈｃ６よりも小さな記録
磁場を用いて記録しているからである。
は、照射領域の温度が、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ
３よりも高く、第３補助層のキュリー温度Ｔｃ６よりも
低くなる記録用パワーでレーザ光を照射し、記録層１５
の保磁力Ｈｃ３よりも大きく、第３補助層の保磁力Ｈｃ
６よりも小さな記録磁場を与えて、データを光変調記録
する。図４は、このときの光磁気ディスク１の磁化状態
を示す図である。図に示すように、記録層１５がデータ
に応じた磁化方向に揃い、第３補助層１９の磁化方向は
消去時から変化しない。これは、キュリー温度Ｔｃ６よ
りも低い記録用パワーと保磁力Ｈｃ６よりも小さな記録
磁場を用いて記録しているからである。
【００２６】このように記録されたデータを再生する場
合は、低い再生用パワーでレーザ光を照射し、消去方
向、即ちＮ方向（下向き）の再生磁場Ｈｒの１００Ｏｅ
を印加する。図５は、このときの光磁気ディスク１の磁
化状態を示す図である。光磁気ディスク１には、前述し
たようにレーザスポットＳ内において温度分布が生じ、
低温領域、中間温度領域及び高温領域が形成される。低
温領域及び中間温度領域での第１補助層１７の磁化方向
は初期状態を維持している。これは、第２補助層１８を
介した第３補助層１９との交換結合力によるものであ
り、この交換結合力は再生磁場Ｈｒよりも十分大きい。
また高温領域では、第２補助層１８のキュリー温度Ｔｃ
５以上の温度となって、第１補助層１７と第３補助層１
９との間の交換結合力が遮断され、これにより第１補助
層１７の磁化方向は再生磁場Ｈｒの方向（Ｎ方向）に揃
う。
合は、低い再生用パワーでレーザ光を照射し、消去方
向、即ちＮ方向（下向き）の再生磁場Ｈｒの１００Ｏｅ
を印加する。図５は、このときの光磁気ディスク１の磁
化状態を示す図である。光磁気ディスク１には、前述し
たようにレーザスポットＳ内において温度分布が生じ、
低温領域、中間温度領域及び高温領域が形成される。低
温領域及び中間温度領域での第１補助層１７の磁化方向
は初期状態を維持している。これは、第２補助層１８を
介した第３補助層１９との交換結合力によるものであ
り、この交換結合力は再生磁場Ｈｒよりも十分大きい。
また高温領域では、第２補助層１８のキュリー温度Ｔｃ
５以上の温度となって、第１補助層１７と第３補助層１
９との間の交換結合力が遮断され、これにより第１補助
層１７の磁化方向は再生磁場Ｈｒの方向（Ｎ方向）に揃
う。
【００２７】このように、第１補助層１７の磁化方向
は、低温領域及び中間温度領域でＳ方向を向き、高温領
域でＮ方向を向いている。これにより、低温領域には静
磁場Ｈｓ１が発生し、Ｈｓ１＞Ｈｒを満足させる。ま
た、低温領域で制御層１４と記録層１５との間にはたら
く交換結合力をＨｅｘ（23）とすると、 Ｈｓ１＞Ｈｅｘ（23）＋Ｈｃ(12) ・・・（１） の関係を満たす。ここで、Ｈｃ(12)は再生層１３及び制
御層１４に関する保磁力である。従って低温領域では、
Ｓ方向の静磁場Ｈｓ１により制御層１４の磁化がＳ方向
に揃えられるので、制御層１４と交換結合している再生
層１３の磁化は、常にＮ方向を向いている。
は、低温領域及び中間温度領域でＳ方向を向き、高温領
域でＮ方向を向いている。これにより、低温領域には静
磁場Ｈｓ１が発生し、Ｈｓ１＞Ｈｒを満足させる。ま
た、低温領域で制御層１４と記録層１５との間にはたら
く交換結合力をＨｅｘ（23）とすると、 Ｈｓ１＞Ｈｅｘ（23）＋Ｈｃ(12) ・・・（１） の関係を満たす。ここで、Ｈｃ(12)は再生層１３及び制
御層１４に関する保磁力である。従って低温領域では、
Ｓ方向の静磁場Ｈｓ１により制御層１４の磁化がＳ方向
に揃えられるので、制御層１４と交換結合している再生
層１３の磁化は、常にＮ方向を向いている。
【００２８】また、中間温度領域でもＳ方向の静磁場が
発生しており、Ｈｓ１＞Ｈｒを満足させるが、式（１）
の大小関係は低温領域とは逆転しており、 Ｈｓ１＜Ｈｅｘ（23）＋Ｈｃ(12) となって交換結合力の方が強くなるため、記録層１５の
磁化方向は再生層１３に転写される。
発生しており、Ｈｓ１＞Ｈｒを満足させるが、式（１）
の大小関係は低温領域とは逆転しており、 Ｈｓ１＜Ｈｅｘ（23）＋Ｈｃ(12) となって交換結合力の方が強くなるため、記録層１５の
磁化方向は再生層１３に転写される。
【００２９】一方、高温領域では、第１補助層１７の磁
化方向がＮ方向に向いており、Ｎ方向の静磁場Ｈｓ２が
発生する。静磁場Ｈｓ２は、低温領域よりも磁化の値が
減少しているので、 Ｈｓ１＞Ｈｓ２ を満足させる。また、 Ｈｒ＝Ｈｓ２、又はＨｒ＞Ｈｓ２ となるが、Ｈｓ２は再生磁場Ｈｒと同方向であるため
に、Ｎ方向の（Ｈｒ＋Ｈｓ２）の磁場が高温領域に与え
られ、再生層１３の磁化は常にＮ方向を向いている。
化方向がＮ方向に向いており、Ｎ方向の静磁場Ｈｓ２が
発生する。静磁場Ｈｓ２は、低温領域よりも磁化の値が
減少しているので、 Ｈｓ１＞Ｈｓ２ を満足させる。また、 Ｈｒ＝Ｈｓ２、又はＨｒ＞Ｈｓ２ となるが、Ｈｓ２は再生磁場Ｈｒと同方向であるため
に、Ｎ方向の（Ｈｒ＋Ｈｓ２）の磁場が高温領域に与え
られ、再生層１３の磁化は常にＮ方向を向いている。
【００３０】このように、光磁気ディスク１のデータを
再生する際に、Ｎ方向の再生磁場を印加した場合、低温
領域にＳ方向の静磁場Ｈｓ１が生じ、高温領域にＮ方向
の静磁場Ｈｓ２が生じるので、前エッジ及び後エッジに
対応する再生層１３の磁化方向が両エッジ共にＮ方向、
即ち消去方向に向き、両エッジにジッタの小さくなる方
向の磁場が与えられる。これにより再生信号の品質が向
上する。
再生する際に、Ｎ方向の再生磁場を印加した場合、低温
領域にＳ方向の静磁場Ｈｓ１が生じ、高温領域にＮ方向
の静磁場Ｈｓ２が生じるので、前エッジ及び後エッジに
対応する再生層１３の磁化方向が両エッジ共にＮ方向、
即ち消去方向に向き、両エッジにジッタの小さくなる方
向の磁場が与えられる。これにより再生信号の品質が向
上する。
【００３１】なお、補助磁性層のうち、第１補助層１７
は再生磁場を生ぜしめる主な磁性層であるために、高温
でもその磁化が消失しないように高いキュリー温度を有
する磁性膜を用いている。
は再生磁場を生ぜしめる主な磁性層であるために、高温
でもその磁化が消失しないように高いキュリー温度を有
する磁性膜を用いている。
【００３２】次に、低温領域において補助磁性層が発生
する静磁場の大きさについて以下に説明する。静磁場の
大きさを見積もるために、光磁気ディスク１に、１ｍＷ
以下の再生用パワーでレーザ光を照射しつつＮ方向の再
生磁場を与え、低温領域と同条件にして再生信号のレベ
ルの変化を調べた。図６は第３補助層１９をＮ方向に初
期消去したときの光磁気ディスク１の磁化状態を示す図
であり、図７は第３補助層１９をＳ方向に初期消去した
ときの光磁気ディスク１の磁化状態を示す図である。い
ずれの場合も記録層１５はＮ方向に消去している。Ｎ方
向に初期消去した場合（図６参照）はＮ方向の静磁場が
生じており、全体として（Ｈｒ＋Ｈｓ）の磁場が印加さ
れている。Ｓ方向に初期消去した場合（図７参照）はＳ
方向の静磁場が生じており、全体として（Ｈｒ−Ｈｓ）
の磁場が印加されている。なお、Ｈｒは再生磁場の大き
さであり、Ｈｓは第１補助層１７が発生する静磁場の大
きさである。
する静磁場の大きさについて以下に説明する。静磁場の
大きさを見積もるために、光磁気ディスク１に、１ｍＷ
以下の再生用パワーでレーザ光を照射しつつＮ方向の再
生磁場を与え、低温領域と同条件にして再生信号のレベ
ルの変化を調べた。図６は第３補助層１９をＮ方向に初
期消去したときの光磁気ディスク１の磁化状態を示す図
であり、図７は第３補助層１９をＳ方向に初期消去した
ときの光磁気ディスク１の磁化状態を示す図である。い
ずれの場合も記録層１５はＮ方向に消去している。Ｎ方
向に初期消去した場合（図６参照）はＮ方向の静磁場が
生じており、全体として（Ｈｒ＋Ｈｓ）の磁場が印加さ
れている。Ｓ方向に初期消去した場合（図７参照）はＳ
方向の静磁場が生じており、全体として（Ｈｒ−Ｈｓ）
の磁場が印加されている。なお、Ｈｒは再生磁場の大き
さであり、Ｈｓは第１補助層１７が発生する静磁場の大
きさである。
【００３３】図８は、両者の場合の再生信号のレベルの
変化を示したグラフであり、縦軸は再生信号レベルを示
し、横軸はＮ方向の磁場強度を示している。Ｓ方向に初
期消去した場合は略８００Ｏｅで再生信号レベルが反転
しており、Ｎ方向に初期消去した場合は略２００Ｏｅで
反転している。従って、静磁場Ｈｓの大きさは、（Ｈｒ
＋Ｈｓ）と（Ｈｒ−Ｈｓ）との差の２分の１に相当し、
図８の場合は略３００Ｏｅの静磁場Ｈｓが発生している
ことが判る。
変化を示したグラフであり、縦軸は再生信号レベルを示
し、横軸はＮ方向の磁場強度を示している。Ｓ方向に初
期消去した場合は略８００Ｏｅで再生信号レベルが反転
しており、Ｎ方向に初期消去した場合は略２００Ｏｅで
反転している。従って、静磁場Ｈｓの大きさは、（Ｈｒ
＋Ｈｓ）と（Ｈｒ−Ｈｓ）との差の２分の１に相当し、
図８の場合は略３００Ｏｅの静磁場Ｈｓが発生している
ことが判る。
【００３４】また、高温領域において低温領域とは逆方
向の磁場が生じていることを確認するために、第３補助
層１９をＳ方向に初期消去した状態で１００Ｏｅの磁場
をＳ方向に印加しつつ再生用パワーを増大させ、そのと
きの再生信号のレベルを測定した。図９は再生信号のレ
ベルの変化を示すグラフであり、縦軸は再生信号レベル
を示し、横軸は再生用パワーを示している。グラフから
判るように、再生用パワーが３ｍＷまでは再生信号レベ
ルが減少し、３ｍＷを境に増加している。これは再生層
１３の磁化方向が、再生用パワーが３ｍＷの時点でＮ方
向からＳ方向に反転したことを表している。従来のＭＳ
Ｒ媒体では１００Ｏｅの磁場を印加した際に３ｍＷのレ
ーザ光の照射でこのような変化は認められない。これに
より、第１、第２及び第３補助層１７，１８，１９によ
り高温領域に静磁場が発生していることが判る。
向の磁場が生じていることを確認するために、第３補助
層１９をＳ方向に初期消去した状態で１００Ｏｅの磁場
をＳ方向に印加しつつ再生用パワーを増大させ、そのと
きの再生信号のレベルを測定した。図９は再生信号のレ
ベルの変化を示すグラフであり、縦軸は再生信号レベル
を示し、横軸は再生用パワーを示している。グラフから
判るように、再生用パワーが３ｍＷまでは再生信号レベ
ルが減少し、３ｍＷを境に増加している。これは再生層
１３の磁化方向が、再生用パワーが３ｍＷの時点でＮ方
向からＳ方向に反転したことを表している。従来のＭＳ
Ｒ媒体では１００Ｏｅの磁場を印加した際に３ｍＷのレ
ーザ光の照射でこのような変化は認められない。これに
より、第１、第２及び第３補助層１７，１８，１９によ
り高温領域に静磁場が発生していることが判る。
【００３５】以上の如き構成の光磁気ディスク１に1.44
μｍのマークを記録し、再生磁場を消去方向（Ｎ方向）
に１００Ｏｅで印加した。線速６ｍ／ｓで再生信号を
得、再生波形を確認したところ、前エッジ及び後エッジ
共に急峻な立ち上がりが見られた。図１０はその再生波
形図である。このように、本実施の形態の光磁気ディス
クは、再生波形の両エッジの傾斜が対称に近づいてお
り、高品質の再生信号を得ることができる。また、再生
のための磁場が発生するので、外部から印加する磁場の
大きさを低減することができる。
μｍのマークを記録し、再生磁場を消去方向（Ｎ方向）
に１００Ｏｅで印加した。線速６ｍ／ｓで再生信号を
得、再生波形を確認したところ、前エッジ及び後エッジ
共に急峻な立ち上がりが見られた。図１０はその再生波
形図である。このように、本実施の形態の光磁気ディス
クは、再生波形の両エッジの傾斜が対称に近づいてお
り、高品質の再生信号を得ることができる。また、再生
のための磁場が発生するので、外部から印加する磁場の
大きさを低減することができる。
【００３６】第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態として、第１補助層２７にＲ
Ｅリッチの希土類遷移金属合金膜（ＧｄＦｅＣｏ膜）を
用いた光磁気ディスク２の場合を示す。第１補助層２７
のキュリー温度Ｔｃ４は略３４０℃であり、補償温度は
２００℃である。その他の膜構成及び成膜工程は第１の
実施の形態と同様であり、その説明を省略する。
Ｅリッチの希土類遷移金属合金膜（ＧｄＦｅＣｏ膜）を
用いた光磁気ディスク２の場合を示す。第１補助層２７
のキュリー温度Ｔｃ４は略３４０℃であり、補償温度は
２００℃である。その他の膜構成及び成膜工程は第１の
実施の形態と同様であり、その説明を省略する。
【００３７】このような構成の光磁気ディスク２に、外
部磁場を印加しつつレーザ光を照射した場合の、光磁気
ディスク２の消去時，記録時及び再生時の磁化状態につ
いて以下に説明する。まず、照射領域の温度が第３補助
層のキュリー温度Ｔｃ６よりも高くなる消去用パワーで
レーザ光を照射し、Ｎ方向（下向き）の外部磁場を印加
して初期消去する。図１１は、このときの光磁気ディス
ク２の磁化状態を示す図である。図に示すように、記録
層１５の磁化方向は下向きに揃い、第１補助層１７の磁
化方向は上向き、第２及び第３補助層１８，１９の磁化
方向は下向きに揃っている。この初期消去は、ディスク
の出荷時に一度だけ行なう操作である。
部磁場を印加しつつレーザ光を照射した場合の、光磁気
ディスク２の消去時，記録時及び再生時の磁化状態につ
いて以下に説明する。まず、照射領域の温度が第３補助
層のキュリー温度Ｔｃ６よりも高くなる消去用パワーで
レーザ光を照射し、Ｎ方向（下向き）の外部磁場を印加
して初期消去する。図１１は、このときの光磁気ディス
ク２の磁化状態を示す図である。図に示すように、記録
層１５の磁化方向は下向きに揃い、第１補助層１７の磁
化方向は上向き、第２及び第３補助層１８，１９の磁化
方向は下向きに揃っている。この初期消去は、ディスク
の出荷時に一度だけ行なう操作である。
【００３８】次に、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ３よ
りも高く、第３補助層１９のキュリー温度Ｔｃ６よりも
低くなる消去用パワーでレーザ光を照射し、Ｎ方向（下
向き）の外部磁場を印加して記録層１５を消去する。こ
れは、光磁気ディスク２に記録データを書き換えるとき
に毎回行なう操作である。
りも高く、第３補助層１９のキュリー温度Ｔｃ６よりも
低くなる消去用パワーでレーザ光を照射し、Ｎ方向（下
向き）の外部磁場を印加して記録層１５を消去する。こ
れは、光磁気ディスク２に記録データを書き換えるとき
に毎回行なう操作である。
【００３９】光磁気ディスク２にデータを記録する際に
は、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ３よりも高く、第３
補助層１９のキュリー温度Ｔｃ６よりも低くなる記録用
パワーでレーザ光を照射し、記録層１５の保磁力Ｈｃ３
よりも大きく、第３補助層１９の保磁力Ｈｃ６よりも小
さな記録磁場を与えて、データを光変調記録する。図１
２は、このときの光磁気ディスク２の磁化状態を示す図
である。図に示すように、記録層１５がデータに応じた
磁化方向に揃い、第３補助層１９の磁化方向は消去時か
ら変化しない。これは、キュリー温度Ｔｃ６よりも低い
記録用パワーと保磁力Ｈｃ３よりも小さな記録磁場を用
いて記録しているからである。
は、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ３よりも高く、第３
補助層１９のキュリー温度Ｔｃ６よりも低くなる記録用
パワーでレーザ光を照射し、記録層１５の保磁力Ｈｃ３
よりも大きく、第３補助層１９の保磁力Ｈｃ６よりも小
さな記録磁場を与えて、データを光変調記録する。図１
２は、このときの光磁気ディスク２の磁化状態を示す図
である。図に示すように、記録層１５がデータに応じた
磁化方向に揃い、第３補助層１９の磁化方向は消去時か
ら変化しない。これは、キュリー温度Ｔｃ６よりも低い
記録用パワーと保磁力Ｈｃ３よりも小さな記録磁場を用
いて記録しているからである。
【００４０】記録されたデータを再生する場合は、低い
再生用パワーでレーザ光を照射し、消去方向、即ちＮ方
向（下向き）の再生磁場Ｈｒの１００Ｏｅを印加する。
図１３は、このときの光磁気ディスク１の磁化状態を示
す図である。光磁気ディスク２には、前述したようにレ
ーザスポットＳ内において温度分布が生じ、低温領域、
中間温度領域及び高温領域が形成される。低温領域及び
中間温度領域での第１補助層２７の磁化方向は初期状態
を維持している。これは、第２補助層１８を介した第３
補助層１９との交換結合力によるものであり、この交換
結合力は再生磁場Ｈｒよりも十分大きい。また高温領域
では、第２補助層１８のキュリー温度Ｔｃ５以上の温度
となって、第１補助層２７と第３補助層１９との間の交
換結合力が遮断され、これにより第１補助層２７の磁化
方向は再生磁場Ｈｒの方向（Ｎ方向）に揃う。なお、補
助磁性層のうち、第１補助層２７は再生磁場を生ぜしめ
る主な磁性層であるために、高温でもその磁化が消失し
ないように高いキュリー温度を有する磁性膜を用いてい
る。
再生用パワーでレーザ光を照射し、消去方向、即ちＮ方
向（下向き）の再生磁場Ｈｒの１００Ｏｅを印加する。
図１３は、このときの光磁気ディスク１の磁化状態を示
す図である。光磁気ディスク２には、前述したようにレ
ーザスポットＳ内において温度分布が生じ、低温領域、
中間温度領域及び高温領域が形成される。低温領域及び
中間温度領域での第１補助層２７の磁化方向は初期状態
を維持している。これは、第２補助層１８を介した第３
補助層１９との交換結合力によるものであり、この交換
結合力は再生磁場Ｈｒよりも十分大きい。また高温領域
では、第２補助層１８のキュリー温度Ｔｃ５以上の温度
となって、第１補助層２７と第３補助層１９との間の交
換結合力が遮断され、これにより第１補助層２７の磁化
方向は再生磁場Ｈｒの方向（Ｎ方向）に揃う。なお、補
助磁性層のうち、第１補助層２７は再生磁場を生ぜしめ
る主な磁性層であるために、高温でもその磁化が消失し
ないように高いキュリー温度を有する磁性膜を用いてい
る。
【００４１】このような第１補助層２７の磁化により、
上述した第１の実施の形態と同様に、低温領域ではＳ方
向の静磁場Ｈｓ１が発生し、高温領域ではＮ方向の静磁
場Ｈｓ２が発生するので、前エッジ及び後エッジに対応
する再生層１３の磁化方向が両エッジ共にＮ方向、即ち
消去方向に向き、両エッジにジッタの小さくなる方向の
磁場が与えられる。以上の如き構成の光磁気ディスク２
に1.44μｍのマークを記録し、再生磁場を消去方向（Ｎ
方向）に１００Ｏｅで印加した。線速６ｍ／ｓで再生信
号を得、再生波形を確認したところ、前エッジ及び後エ
ッジ共に急峻な立ち上がりが見られた。図１４はその再
生波形図である。このように、本実施の形態の光磁気デ
ィスクは再生波形の両エッジの傾斜が急峻で、且つ、対
称に近づいているので、高品質の再生信号を得ることが
できる。
上述した第１の実施の形態と同様に、低温領域ではＳ方
向の静磁場Ｈｓ１が発生し、高温領域ではＮ方向の静磁
場Ｈｓ２が発生するので、前エッジ及び後エッジに対応
する再生層１３の磁化方向が両エッジ共にＮ方向、即ち
消去方向に向き、両エッジにジッタの小さくなる方向の
磁場が与えられる。以上の如き構成の光磁気ディスク２
に1.44μｍのマークを記録し、再生磁場を消去方向（Ｎ
方向）に１００Ｏｅで印加した。線速６ｍ／ｓで再生信
号を得、再生波形を確認したところ、前エッジ及び後エ
ッジ共に急峻な立ち上がりが見られた。図１４はその再
生波形図である。このように、本実施の形態の光磁気デ
ィスクは再生波形の両エッジの傾斜が急峻で、且つ、対
称に近づいているので、高品質の再生信号を得ることが
できる。
【００４２】また、光磁気ディスク２では、高温領域に
おいて第１補助層２７の磁化方向は第３補助層１９と同
方向であり、逆方向を示す第１の実施の形態と比較して
第３補助層１９からの静磁場の影響が少ないので静磁場
Ｈｓ２の発生に有利である。従って、第１の実施の形態
よりも、さらに外部磁場の大きさを低減することができ
る。
おいて第１補助層２７の磁化方向は第３補助層１９と同
方向であり、逆方向を示す第１の実施の形態と比較して
第３補助層１９からの静磁場の影響が少ないので静磁場
Ｈｓ２の発生に有利である。従って、第１の実施の形態
よりも、さらに外部磁場の大きさを低減することができ
る。
【００４３】なお、上述した実施の形態では、記録層１
５と第１補助層１７との間にＳｉＮ中間層１６を介在せ
しめてあるが、中間層はＳｉＮに限るものではなく、例
えばＳｉＮ，ＡｌＮ，ＴｉＮのような窒化膜、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 のような酸化膜、及びＡｌ，
Ｃｕのような非磁性膜であっても良い。
５と第１補助層１７との間にＳｉＮ中間層１６を介在せ
しめてあるが、中間層はＳｉＮに限るものではなく、例
えばＳｉＮ，ＡｌＮ，ＴｉＮのような窒化膜、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｙ2 Ｏ3 のような酸化膜、及びＡｌ，
Ｃｕのような非磁性膜であっても良い。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、互い
に逆極性の磁場を発生する磁場発生層を設け、記録され
たマークの転写領域の前後領域に夫々の磁場を与えるよ
うに構成してあるので、再生波形の前後エッジの夫々に
有利な極性の磁場を与えることができ、前後エッジの傾
斜が急峻になり、且つ、対称形に近づくので、再生信号
の品質が向上する等、本発明は優れた効果を奏する。
に逆極性の磁場を発生する磁場発生層を設け、記録され
たマークの転写領域の前後領域に夫々の磁場を与えるよ
うに構成してあるので、再生波形の前後エッジの夫々に
有利な極性の磁場を与えることができ、前後エッジの傾
斜が急峻になり、且つ、対称形に近づくので、再生信号
の品質が向上する等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明の光磁気ディスクの膜構成図である。
【図２】第１の実施の形態の光磁気ディスクの初期消去
時の磁化状態を示す図である。
時の磁化状態を示す図である。
【図３】第１の実施の形態の光磁気ディスクの消去時の
磁化状態を示す図である。
磁化状態を示す図である。
【図４】第１の実施の形態の光磁気ディスクの記録時の
磁化状態を示す図である。
磁化状態を示す図である。
【図５】第１の実施の形態の光磁気ディスクの再生時の
磁化状態を示す図である。
磁化状態を示す図である。
【図６】第３補助層をＮ方向に初期消去したときの光磁
気ディスクの磁化状態を示す図である。
気ディスクの磁化状態を示す図である。
【図７】第３補助層をＳ方向に初期消去したときの光磁
気ディスクの磁化状態を示す図である。
気ディスクの磁化状態を示す図である。
【図８】図６及び図７の磁化状態での再生磁場に対する
再生信号のレベルの変化を示したグラフである。
再生信号のレベルの変化を示したグラフである。
【図９】図７の磁化状態での再生用パワーに対する再生
信号のレベルの変化を示したグラフである。
信号のレベルの変化を示したグラフである。
【図１０】第１の実施の形態の光磁気ディスクの再生波
形図である。
形図である。
【図１１】第２の実施の形態の光磁気ディスクの初期消
去時の磁化状態を示す図である。
去時の磁化状態を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態の光磁気ディスクの記録時
の磁化状態を示す図である。
の磁化状態を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態の光磁気ディスクの再生時
の磁化状態を示す図である。
の磁化状態を示す図である。
【図１４】第２の実施の形態の光磁気ディスクの再生波
形図である。
形図である。
【図１５】本願出願人の提案によるＭＳＲ媒体の再生時
の磁化状態を説明する図である。
の磁化状態を説明する図である。
【図１６】図１５のＭＳＲ媒体の再生波形を示す図であ
る。
る。
【図１７】ＭＳＲ媒体に与える印加磁場の周波数と磁場
強度との関係を示すグラフである。
強度との関係を示すグラフである。
１１ 基板
１３ 再生層
１４ 制御層
１５ 記録層
１６ ＳｉＮ中間層
１７，２７ 第１補助層（磁場発生層）
１８ 第２補助層（磁場発生層）
１９ 第３補助層（磁場発生層）
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (4)
- 【請求項１】 交換結合した第１の磁性層，第２の磁性
層及び第３の磁性層を基板上にこの順に備え、前記第２
の磁性層は室温では面内方向に磁化容易軸を有しており
室温より高い所定温度以上になると磁化容易軸が面内方
向から垂直方向へ変化する希土類磁化優勢膜であり、前
記第１，第２及び第３の磁性層との相対移動を伴う光ビ
ームの照射によって低温領域、中間温度領域及び高温領
域からなる媒体内温度分布が生じ、該媒体内温度分布に
より特定される前記中間温度領域からの情報の読出しが
可能な光磁気記録媒体において、 再生時に印加される再生磁場に対し前記高温領域では同
方向を向く静磁場及び前記低温領域では逆方向を向く静
磁場を発生せしめる磁場発生層を、前記第３の磁性層の
前記基板と反対の側に第３の磁性層に近い側から交換結
合した第４、第５及び第６の磁性層として備え、 前記第１乃至第６の磁性層の保磁力Ｈｃ１乃至Ｈｃ６並
びに前記第１乃至第６の磁性層のキュリー温度Ｔｃ１乃
至Ｔｃ６は、 Ｈｃ６＞Ｈｃ３＞Ｈｃ５＞Ｈｃ１、Ｈｃ４＞Ｈｃ２、Ｔ
ｃ６＞Ｔｃ４＞Ｔｃ１＞Ｔｃ３＞Ｔｃ２＞Ｔｃ５の関係
を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第３の磁性層と前記第４の磁性層と
の間に非磁性層を介在せしめてあることを特徴とする請
求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記第４の磁性層は、遷移金属磁化優勢
の希土類−遷移金属合金膜からなる請求項１又は２記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記第４の磁性層は、希土類金属磁化優
勢の希土類−遷移金属合金膜からなる請求項１又は２記
載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26826597A JP3538727B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 光磁気記録媒体 |
| US09/042,916 US6180268B1 (en) | 1997-10-01 | 1998-03-17 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26826597A JP3538727B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11110839A JPH11110839A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3538727B2 true JP3538727B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=17456176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26826597A Expired - Fee Related JP3538727B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6180268B1 (ja) |
| JP (1) | JP3538727B2 (ja) |
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| JP2001126328A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2002170291A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| WO2002065465A1 (fr) * | 2001-02-14 | 2002-08-22 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magneto-optique |
| JP2002304786A (ja) | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び記憶装置 |
| JP2005108292A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| DE602004031029D1 (de) * | 2003-10-03 | 2011-02-24 | Fiat Ricerche | Magnet-transduktions-sensorbauelement, herstellung |
| US7498092B2 (en) * | 2005-01-26 | 2009-03-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording medium with magnetic torque layer coupled to the perpendicular recording layer |
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| JP2805746B2 (ja) | 1987-11-30 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
| JP2910084B2 (ja) | 1989-09-06 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| JP2969963B2 (ja) | 1990-12-28 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| JPH06223427A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-12 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体およびその再生方法 |
| JP3192281B2 (ja) * | 1993-06-21 | 2001-07-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の記録方法 |
| JP3088619B2 (ja) | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JPH08276672A (ja) | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Toppan Printing Co Ltd | 感熱転写記録画像保護媒体 |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP26826597A patent/JP3538727B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-17 US US09/042,916 patent/US6180268B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US6180268B1 (en) | 2001-01-30 |
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