JPH10172189A

JPH10172189A - 情報記録媒体とその再生方法

Info

Publication number: JPH10172189A
Application number: JP32731196A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yamaguchi; 山口　　淳; Satoshi Washimi; 聡鷲見; Kenji Tanase; 健司棚瀬; Yoshihisa Suzuki; 誉久鈴木
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1996-12-06
Filing date: 1996-12-06
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】外部から交番磁界を印加せずに記録層から再
生層に磁区を転写して磁区拡大により信号を再生する。【解決手段】透光性の基板上に磁区を拡大して信号を
再生する再生層、信号を記録する記録層、および漏洩磁
界を発生する漏洩磁界発生層を形成した光磁気記録媒体
に所定の周期でパルス化されたレーザ光を、レーザ光の
強度を所定周期で変化させながら照射するとともに、漏
洩磁界発生層から漏洩した漏洩磁界から交番磁界を生成
するための外部磁界を印加し、レーザ光の強弱のタイミ
ングで再生信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、媒体の高品質化及
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した光
磁気記録媒体及びその再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。

【０００３】高密度記録再生技術は、媒体側の技術と装
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、信号が記録された磁区
を再生層に転写して外部磁界により磁区を拡大して再生
する磁区拡大による再生方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁区拡
大による再生方法においては、記録層から再生層へ転写
された磁区を拡大するために外部から交番磁界を印加す
る必要があり、信号再生にレーザ光と交番磁界の両方を
必要としていた。この結果、再生時における再生装置の
制御回路が複雑になるという問題があった。また、再生
層に転写された磁区が拡大するタイミングで再生信号を
検出する必要があり、再生信号を検出するタイミングを
交番磁界のいずれか一方に同期させる必要があった。

【０００５】本発明は、かかる問題点を解決し、再生層
に転写された磁区を拡大するための磁界発生機能を有す
る情報記録媒体と、その再生方法を提供するものであ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、基板
上に設けられた第１の磁性層と、第１の磁性層上に設け
られ、信号を記録する第２の磁性層と、第２の磁性層上
に設けられ、第１の磁性層、および第２の磁性層に向け
て漏洩磁界を発し、漏洩磁界が温度に応じて変化する第
３の磁性層とを含み、第２の磁性層から第１の磁性層へ
磁化が転写されて信号が再生されることを特徴とする。

【０００７】また、本発明は、基板と、基板上に設けら
れた第１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられた非磁
性層と、非磁性層上に設けられ、信号を記録する第２の
磁性層と、第２の磁性層上に設けられ、第１の磁性層、
および第２の磁性層に向けて漏洩磁界を発し、漏洩磁界
が温度に応じて変化する第３の磁性層とを含み、第２の
磁性層から第１の磁性層へ磁化が転写されて信号が再生
されることを特徴とする。

【０００８】また、本発明は、好ましくは、第３の磁性
層が垂直磁化膜であることを特徴とする。また、本発明
は、好ましくは、第３の磁性層がＰｔ、Ｐｄ、Ｈｏ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙの中から選択された元素と、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉの中から選択された元素から成る単層若しくは
多層の磁性膜であることを特徴とする。

【０００９】また、本発明は、好ましくは、漏洩磁界の
大きさが５０〜６００Ｏｅの範囲であることを特徴とす
る。また、本発明は、好ましくは、第３の磁性層の膜厚
が１０００〜４０００Åの範囲であることを特徴とす
る。また、本発明は、第１の磁性層、第２の磁性層、お
よび第３の磁性層とを含む情報記録媒体の再生方法にお
いて、第２の磁性層に記録された信号のうち、再生しよ
うとする信号が記録された磁区を所定温度以上に昇温す
るとともに、第３の磁性層の温度を所定範囲で変化させ
るため、所定周期に変調されたレーザ光を情報記録媒体
に照射する第１のステップと、第１のステップにおいて
照射された所定周期のレーザ光により生成された前記第
３の磁性層からの所定周期の漏洩磁界からＤＣ成分を除
去し、所定周期の交番磁界を生成する外部磁界を情報記
録媒体に印加する第２のステップと、第１のステップに
おいて所定温度以上に昇温された磁区が第１の磁性層へ
転写され、転写された磁区が第２の工程において生成さ
れた交番磁界により拡大され、拡大された磁区からの反
射光を検出する第３のステップと、第３のステップが終
了した後、拡大された磁区を消滅させる第４のステップ
とを含むことを特徴とする。

【００１０】また、本発明は、第１の磁性層と、前記第
１の磁性層上に設けられた非磁性層と、非磁性層上に設
けられた第２の磁性層と、第２の磁性層上に設けられた
第３の磁性層とを含む情報記録媒体の再生方法におい
て、第２の磁性層に記録された信号のうち、再生しよう
とする信号が記録された磁区を所定温度以上に昇温する
とともに、第３の磁性層の温度を所定範囲で変化させる
ため、所定周期に変調されたレーザ光を情報記録媒体に
照射する第１のステップと、第１のステップにおいて照
射された所定周期のレーザ光により生成された第３の磁
性層からの所定周期の漏洩磁界からＤＣ成分を除去し、
所定周期の交番磁界を生成する外部磁界を前記情報記録
媒体に印加する第２のステップと、第１のステップにお
いて所定温度以上に昇温された磁区が非磁性層を介して
第１の磁性層へ転写され、転写された磁区が第２のステ
ップにおいて生成された交番磁界により拡大され、拡大
された磁区からの反射光を検出する第３のステップと、
第３のステップが終了した後、拡大された磁区を消滅さ
せる第４のステップとを含むことを特徴とする。

【００１１】また、本発明は、好ましくは、第３の磁性
層において変化する温度範囲が８０〜１８０℃の範囲で
あることを特徴とする。また、本発明は、好ましくは、
変調されたレーザ光の所定周期が５０〜１０００ｎｓｅ
ｃの範囲であることを特徴とする。また、本発明は、好
ましくは、交番磁界の大きさが５０〜３００Ｏｅの範囲
であることを特徴とする。

【００１２】また、本発明は、好ましくは、外部磁界の
大きさが１００〜３００Ｏｅの範囲であることを特徴と
する。

【００１３】

【発明の実施の形態】図を参照しつつ、本発明の実施の
形態を説明する。図１を参照して、光磁気記録媒体の断
面構造を説明する。光磁気記録媒体１０は、ガラス、ポ
リカーボネート等の透光性基板１上にＧｄＦｅＣｏから
成る再生層２、ＴｂＦｅＣｏから成る記録層４、Ｐｔ／
Ｃｏから成る漏洩磁界発生層５を順次積層した構造から
成る。前記再生層２、前記記録層４、および前記漏洩磁
界発生層５はマグネトロンスパッタ法により形成され、
各層の膜厚は、前記再生層２が５０〜１０００Å、前記
記録層４が５００〜３０００Å、前記漏洩磁界発生層５
が１０００〜４０００Åである。

【００１４】また、前記光磁気記録媒体１０において
は、前記再生層２はＧｄＦｅＣｏに限らず、ＧｄＦｅ若
しくはＧｄＣｏ若しくはＴｂＣｏ若しくはＨｏ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉの中から選択された１元素とから成る磁性膜であって
もよい。また、前記記録層４はＴｂＦｅＣｏに限らず、
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄの中から選択した元素とＦｅ，Ｃｏ，
Ｎｉとから成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であ
ってもよい。また、Ｐｔ，Ｐｄの内の１元素とＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉの中から選択した元素とから成る単層の磁性膜
若しくは多層の磁性膜であってもよい。

【００１５】また、前記漏洩磁界発生層５はＰｔ／Ｃｏ
から成る強磁性膜に限らず、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣ
ｏ等の希土類−遷移金属系のフェリ磁性膜であってもよ
い。また、更に、光磁気記録媒体の構造は、前記光磁気
記録媒体１０に限らず、図２に示す光磁気記録媒体１１
であってもよい。即ち、前記光磁気記録媒体１０の前記
再生層２と前記記録層４との間に非磁性層３を挿入した
構造であってもよい。この場合、前記非磁性層３に用い
られる材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＳｉＯ
₂、Ａｌ₂O₃、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＺｎＯ、ＳｉＡｌＯＮ、Ｉ
ＴＯ、ＳｎＯ₂が適しており、その膜厚の範囲は、３０
〜３００Åである。

【００１６】本発明においては、前記記録層４に記録さ
れた信号の磁区を前記再生層２に転写し、転写した磁区
を前記漏洩磁界発生層５からの漏洩磁界により拡大して
再生することを１つの特徴としている。図３を参照し
て、前記光磁気記録媒体１０の再生機構について説明す
る。前記光磁気記録媒体１０に前記基板１側から所定の
周期に変調されたレーザ光６が照射されると、前記記録
層４中の磁区４０の領域のみが所定温度以上に昇温さ
れ、磁化４０ａは交換結合力により前記再生層２中の磁
区８に転写される。転写された磁区８は、前記漏洩磁界
発生層５から発生する漏洩磁界９により磁区８８に拡大
される。拡大された磁区８８は前記レーザ光６の反射光
により再生される。これにより前記記録層４に記録され
た信号の磁区４０は前記再生層２に転写され、磁区８８
に拡大されて再生されることになる。前記漏洩磁界９は
予め一定の方向（上記図３においては、前記漏洩磁界発
生層５から前記再生層２に向かう方向）に磁化された磁
区５０、５０・・・に起因して生成される。ここで、前
記漏洩磁界９は前記レーザ光６と外部磁界７とにより交
番磁界となるが、この交番磁界が生成される機構を図４
も参照しつつ説明する。本発明において照射する前記レ
ーザ光６は強度Ｐｒが周期的に変化するレーザ光であ
る。従って、強度が周期的に変化するレーザ光６により
前記漏洩磁界発生層５の温度が変化し、この温度変化に
応じて前記漏洩磁界発生層５の磁化Ｍｓの大きさも周期
的に変化する。即ち、前記レーザ光６の強度が強くなる
と、前記漏洩磁界発生層５の温度が上昇し、前記漏洩磁
界発生層５中の磁化が弱くなる。その結果、前記漏洩磁
界発生層５から生成される漏洩磁界も弱くなる。従っ
て、磁化Ｍｓの大きさは、前記レーザ光６の強度Ｐｒの
変化と逆の位相で変化する。この磁化Ｍｓにより前記再
生層２には漏洩磁界Ｈが及ぶ。しかし、漏洩磁界ＨはＤ
Ｃ成分Ｈｄｃを含むので磁化の方向が交互に変化する交
番磁界となっていない。従って、本発明においては、前
記ＤＣ成分Ｈｄｃを除去するため、前記磁界Ｈとは逆方
向、即ち、前記再生層２から前記記録層４に向かう方向
であって、大きさが前記ＤＣ成分Ｈｄｃである前記外部
磁界７を印加する。その結果、前記再生層２に及ぶ前記
磁界Ｈは交番磁界Ｈａｃとなる。

【００１７】次に、図５、６を参照して、前記漏洩磁界
発生層５からの磁化Ｍｓと前記漏洩磁界発生層５の温度
との関係について説明する。前記漏洩磁界発生層５に用
いる磁性膜がＰｔ／Ｃｏ等の強磁性膜の場合には、磁化
Ｍｓと磁性膜の温度との関係は図５に示す関係となる。
図５に示す関係においては、磁性膜の温度の上昇に伴い
磁化Ｍｓは小さくなる関係となる。前記漏洩磁界発生層
５に用いる磁性膜としては、磁性膜の温度変化に伴い磁
化Ｍｓが変化する領域であれば、どの温度領域を用いて
も良いのであるが、室温との温度識別を明確にできる１
００℃近辺の領域４１を、本発明においては用いること
とする。前記領域４１の範囲で温度が変化するようにす
るための前記レーザ光６のパワーの中心値は、１.５〜
２.０ｍＷの範囲である。

【００１８】また、前記漏洩磁界発生層５に用いる磁性
膜が希土類−遷移金属系であるＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏの場合には、磁化Ｍｓと磁性膜の温度との関係は図
６に示す関係となる。図６に示す関係においては、温度
上昇と共に磁化Ｍｓが大きくなる領域と小さくなる領域
とが存在する。従って、本発明においては、磁化Ｍｓの
変化量の大きい、領域５１と、領域５２と、を用いるこ
ととする。また、前記領域５１の温度範囲を制御する前
記レーザ光６のパワーの中心値は１.５〜２.０ｍＷの範
囲であり、前記領域５２の温度範囲を制御する前記レー
ザ光６のパワーの中心値は２.０〜２.５ｍＷの範囲であ
る。

【００１９】また、本発明においては、前記レーザ光６
の波長は６３５（許容誤差±１５）ｎｍであり、変調の
周期は５０〜１０００ｎｓｅｃの範囲である。また、前
記漏洩磁界発生層５からの漏洩磁界の大きさは５０〜６
００Ｏｅの範囲であり、前記外部磁界７の大きさは１０
０〜３００Ｏｅの範囲である。この結果、生成される交
番磁界の大きさは５０〜３００Ｏｅの範囲である。

【００２０】前記記録層４から前記再生層２へ転写され
た磁区を拡大して信号を再生するが、再生信号を検出す
るタイミングは転写された磁区が拡大された時点である
ことを必要とする。上記図４で説明した交番磁界Ｈａｃ
は、前記レーザ光６の強度Ｐｒと反対の位相になり、周
期Ａにおける磁界は前記漏洩磁界発生層５からの磁化Ｍ
ｓが大きくなる周期に対応して生成されるものであるた
め、磁界の向きは前記記録層４から前記再生層２への方
向となる。また、周期Ｂにおける磁界は前記漏洩磁界発
生層５からの磁化Ｍｓが小さくなる周期に対応して生成
されるものであるため、磁界の向きは前記再生層２から
前記記録層４への方向となる。従って、図３において、
前記記録層４中の磁区４０が転写されて再生される場合
には、前記交番磁界Ｈａｃのうち、前記周期Ａにおける
磁界により前記再生層２へ転写された磁区が拡大される
ため、前記レーザ光６の強度が小さくなった周期に合わ
せて再生信号を検出する。また、前記記録層４中の磁区
４０の磁化４０ａと反対方向の磁化で記録された磁区が
再生される場合には、前記周期Ｂにおける磁界により前
記再生層２へ転写された磁区が拡大されるため、前記レ
ーザ光６の強度が大きくなった周期に合わせて再生信号
を検出する。

【００２１】図７を参照して、前記光磁気記録媒体１０
を再生する再生装置について説明する。図７に示す再生
装置は再生信号中に同期信号を含んでいる場合、即ち、
前記光磁気記録媒体１０が内部同期をを含んでいる場合
の再生装置である。光学ヘッド３６により光再生された
再生信号とエラー信号は、それぞれ、再生信号増幅回路
４２へ送られる。再生信号は前記再生信号増幅回路４２
で増幅され、サーボ回路３９とローパス回路４３とへ送
られる。該ローパス回路４３へ送られた再生信号は、ロ
ーパス回路４３で積分され復号器４４とクロック発生回
路４５に送られる。該クロック発生回路４５で発生した
クロックは前記サーボ回路３９、同期制御信号発生回路
４６及び復号器４４に送られる。前記サーボ回路３９は
送られてきたエラー信号とクロックとによりスピンドル
モータ３８を所定の回転数で回転させると共に、前記光
学ヘッド３６中の対物レンズを制御し、トラッキングサ
ーボ、フォーカスサーボを行う。前記復号器４４は送ら
れてきたクロックに同期して記録時に変調された信号を
復調し、復調された再生信号を再生データとして出力す
る。前記同期制御信号発生回路４５は、送られてきたク
ロックに基づいてパルス化したレーザ光を照射する同期
信号、およびレーザ光の強度を所定の周期で変化させる
制御信号を発生させ、該同期信号と該制御信号とをレー
ザ駆動回路３５に送る。該レーザ駆動回路３５は送られ
てきた同期信号と制御信号に基づいて前記光学ヘッド３
６中の半導体レーザ３６ａを制御し、再生レーザビーム
をパルス化するとともに強度を所定の周期で変化させ
る。また、前記同期制御信号発生回路４６は、前記同期
信号と制御信号とを前記再生信号増幅回路４２にも送
り、再生信号増幅回路４２は送られてきた同期信号と制
御信号とに基づいてレーザ光の強弱のタイミングで再生
信号を検出する。即ち、上記で説明したように前記記録
層４に記録された信号の磁化が記録層４から再生層２へ
向かう方向である場合にはレーザ光の強度が小さくなる
タイミングで再生信号を検出し、記録層４に記録された
信号の磁区が再生層２から記録層４に向かう方向である
場合にはレーザ光の強度が大きくなるタイミングで再生
信号を検出する。また、磁気ヘッド駆動回路３４は前記
漏洩磁界発生層５からの漏洩磁界から交番磁界を生成す
るための外部磁界７を前記光磁気記録媒体１０に照射す
るため磁気ヘッド３７を駆動する。

【００２２】また、光磁気記録媒体１０を内部同期では
なく、外部同期で再生する場合には図８に示す再生装置
で再生する。光学ヘッド３６により光再生された再生信
号とエラー信号は、それぞれ、再生信号増幅回路４２へ
送られる。再生信号は前記再生信号増幅回路４２で増幅
され、サーボ回路３９、復号器４４及びクロック発生回
路４５へ送られる。その他の説明は図７と同じであるの
で省略する。

【００２３】上記説明では、前記記録層４から前記再生
層２へ交換結合力により磁区が転写される光磁気記録媒
体１０について説明したが、当該転写が静磁結合により
行われる前記光磁気記録媒体１１についても同様であ
る。

【００２４】

【発明の効果】本発明によれば、外部から交番磁界を印
加しなくても記録層から再生層に転写された磁区を拡大
して信号を再生できる。また、本発明によれば、記録層
から再生層に転写された磁区を拡大する磁界を生成する
磁性層を有した光磁気記録媒体を提供できる。

【００２５】また、本発明によれば、レーザ光の強弱の
タイミングで再生信号を検出することにより磁区拡大に
よる信号再生をすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光磁気記録媒体の断面構造図である。

【図２】光磁気記録媒体の他の断面構造図である。

【図３】本発明に係る光磁気記録媒体の再生機構を説明
する図である。

【図４】本発明に係る光磁気記録媒体から交番磁界を生
成する機構を説明する図である

【図５】本発明に係る光磁気記録媒体中の漏洩磁界発生
層に用いる磁性膜の特性図である。

【図６】本発明に係る光磁気記録媒体中の漏洩磁界発生
層に用いる他の磁性膜の特性図である。

【図７】本発明に係る光磁気記録媒体の再生装置のブロ
ック図である。

【図８】本発明に係る光磁気記録媒体の再生装置の他の
ブロック図である。

【符号の説明】１・・・基板２・・・再生層３・・・非磁性層４・・・記録層５・・・漏洩磁界発生層６・・・レーザ光７・・・外部磁界８、８８、４０・・・磁区９・・・漏洩磁界１０、１１・・・光磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木誉久大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に設けられ、信号を記録する第２の
磁性層と、前記第２の磁性層上に設けられ、前記第１の磁性層、お
よび前記第２の磁性層に向けて漏洩磁界を発し、前記漏
洩磁界が温度に応じて変化する第３の磁性層とを含み、
前記第２の磁性層から前記第１の磁性層へ磁化が転写さ
れて信号が再生される情報記録媒体。
【請求項２】基板と、前記基板上に設けられた第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層上に設けられ、信号を記録する第２の磁性
層と、前記第２の磁性層上に設けられ、前記第１の磁性層、お
よび前記第２の磁性層に向けて漏洩磁界を発し、前記漏
洩磁界が温度に応じて変化する第３の磁性層とを含み、
前記第２の磁性層から前記第１の磁性層へ磁化が転写さ
れて信号が再生される情報記録媒体。
【請求項３】請求項１または２において、前記第３の磁性層は、垂直磁化膜である情報記録媒体。
【請求項４】請求項３において、前記第３の磁性層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｈｏ、Ｇｄ、Ｔｂ、
Ｄｙの中から選択された元素と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの中
から選択された元素から成る単層若しくは多層の磁性膜
である情報記録媒体。
【請求項５】請求項３において、前記漏洩磁界の大きさは、５０〜６００Ｏｅの範囲であ
る情報記録媒体。
【請求項６】請求項３において、前記第３の磁性層の膜厚は、１０００〜４０００Åの範
囲である情報記録媒体。
【請求項７】第１の磁性層、第２の磁性層、および第
３の磁性層とを含む情報記録媒体の再生方法において、前記第２の磁性層に記録された信号のうち、再生しよう
とする信号が記録された磁区を所定温度以上に昇温する
とともに、前記第３の磁性層の温度を所定範囲で変化さ
せるため、所定周期に変調されたレーザ光を前記情報記
録媒体に照射する第１のステップと、前記第１のステップにおいて照射された所定周期のレー
ザ光により生成された前記第３の磁性層からの所定周期
の漏洩磁界からＤＣ成分を除去し、所定周期の交番磁界
を生成する外部磁界を前記情報記録媒体に印加する第２
のステップと、前記第１のステップにおいて所定温度以上に昇温された
前記磁区が前記第１の磁性層へ転写され、前記転写され
た磁区が前記第２のステップにおいて生成された前記交
番磁界により拡大され、前記拡大された磁区からの反射
光を検出する第３のステップと、前記第３のステップが終了した後、前記拡大された磁区
を消滅させる第４のステップとを含む情報記録媒体の再
生方法。
【請求項８】第１の磁性層と、前記第１の磁性層上に
設けられた非磁性層と、前記非磁性層上に設けられた第
２の磁性層と、前記第２の磁性層上に設けられた第３の
磁性層とを含む情報記録媒体の再生方法において、前記第２の磁性層に記録された信号のうち、再生しよう
とする信号が記録された磁区を所定温度以上に昇温する
とともに、前記第３の磁性層の温度を所定範囲で変化さ
せるため、所定周期に変調されたレーザ光を前記情報記
録媒体に照射する第１のステップと、前記第１のステップにおいて照射された所定周期のレー
ザ光により生成された前記第３の磁性層からの所定周期
の漏洩磁界からＤＣ成分を除去し、所定周期の交番磁界
を生成する外部磁界を前記情報記録媒体に印加する第２
のステップと、前記第１のステップにおいて所定温度以上に昇温された
前記磁区が前記非磁性層を介して前記第１の磁性層へ転
写され、前記転写された磁区が前記第２のステップにお
いて生成された前記交番磁界により拡大され、前記拡大
された磁区からの反射光を検出する第３のステップと、前記第３のステップが終了した後、前記拡大された磁区
を消滅させる第４のステップとを含む情報記録媒体の再
生方法。
【請求項９】請求項７または８において、前記第３の磁性層において変化する温度範囲は、８０〜
１８０℃の範囲である情報記録媒体の再生方法。
【請求項１０】請求項９において、前記変調されたレーザ光の所定周期は、５０〜１０００
ｎｓｅｃの範囲である情報記録媒体の再生方法。
【請求項１１】請求項９において、前記交番磁界の大きさは、５０〜３００Ｏｅの範囲であ
る情報記録媒体の再生方法。
【請求項１２】請求項１０または１１において、前記外部磁界の大きさは、１００〜３００Ｏｅの範囲で
ある情報記録媒体の再生方法。