JP2959586B2

JP2959586B2 - 光磁気ディスクの再生方法

Info

Publication number: JP2959586B2
Application number: JP3040987A
Authority: JP
Inventors: 敦福本; 俊樹宇田川; 俊司吉村
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1991-02-12
Filing date: 1991-02-12
Publication date: 1999-10-06
Anticipated expiration: 2014-10-06
Also published as: JPH04258831A; US5367509A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、特に高密度に情報の
記録再生ができる光磁気ディスクの再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報信号の書き替えが可能な光磁気ディ
スクは、光磁気記録膜を有し、この膜にレーザビームを
照射して加熱することにより、その部分の磁化の方向
（記録ピット）を、記録情報に応じた外部磁界に応じた
ものとして、情報記録を行う。そして、再生は、レーザ
ビームを記録ピットのトラックに照射し、その反射光の
偏光面が磁化の方向によって回転すると言うカー効果を
利用して行う。光磁気ディスクが光磁気膜のほかに反射
膜を有する２層以上の構成の場合には、ファラデー効果
も利用される。

【０００３】ところで、光磁気ディスクへの情報の線記
録密度は、再生信号のＣ／Ｎによって決められている。
従来の一般的な光磁気記録再生においては、図５に示す
ように、光磁気ディスク上のレーザビームによる光照射
領域であるビームスポット１の領域の全てを再生信号検
出領域としている。このため、再生可能な線記録密度
は、レーザビームスポット径により定まる。

【０００４】例えば、図５Ａに示すように、レーザビー
ムスポット１の径ｄが記録ピット２のピッチτよりも小
さければ、スポット１内に２個の記録ピットが入ること
はなく、再生出力波形は図５Ｂに示すようになり、再生
信号は読取り可能である。ところが、図５Ｃに示すよう
に、高密度で記録ピットが形成されており、レーザビー
ムスポット１の径ｄが記録ピット２のピッチτよりも大
きくなると、スポット１内に２個の記録ピットが同時に
入り込み、再生出力波形は図５Ｄに示すように一定とな
り、その２個の記録ピットを分離して再生することがで
きず、再生不能となる。

【０００５】スポット径ｄはレーザ光の波長λと、対物
レンズの開口数ＮＡに依存している。そこで、従来は、
波長λの短いレーザ光を使用し、あるいは対物レンズの
開口数ＮＡを大きくすることによりレーザビームのスポ
ット径ｄを小さくして、高記録密度化を図る工夫がなさ
れている。しかし、これらは、レーザ光源の問題や光学
系上の問題で限界があり、より高記録密度化するときの
障害となっている。

【０００６】また、同様に、トラック密度は、主として
隣接トラックからのクトストークによって制限されてい
るが、このクロストークの量も従来の場合には、レーザ
ビームスポット径ｄに依存し、やはり高密度記録化への
障害となっている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本願の出願人は、レー
ザビームスポット径を変更しなくても、読取り可能な線
記録密度及びトラック密度を高くできるようにした光磁
気ディスク及びその再生方法を先に提案している。

【０００８】その１つの方式は、図６Ａに示すように、
記録層３と、中間層４と、再生層５が積層された多層膜
を有する光磁気ディスクを用いる。各層は、そのキュリ
ー温度が、例えば記録層３は３００℃のもの、中間層４
は１２０℃のもの、再生層５は４００℃以上のもの、で
それぞれ構成されている。

【０００９】この光磁気ディスクの場合、再生前の室温
の状態では、記録層３、中間層４、再生層５は、図６Ａ
に示すように、静磁結合あるいは交換結合の状態で磁気
的に結合しており、記録層３の記録ピットは再生層５に
全て転写されている。図中矢印は、各層における磁化の
方向を示している。

【００１０】そして、再生時には、光磁気ディスクに
は、図６Ｂに示すように、レーザビーム６が照射される
と共に、所定の再生磁界Ｈreが与えられる。光磁気ディ
スクには、図６Ｃに示すように、このレーザビーム６の
照射により中間層４のキュリー点以上の温度になる領域
８が生じる。このとき、光磁気ディスクは高速で回転し
ているので、この高温領域８は、図６Ｃに示すように、
照射レーザビーム６の走査スポット７の位置よりも、光
磁気ディスクの移動速度（線速度）に応じた量だけ回転
方向にずれた領域になる。

【００１１】この高温領域（マスク領域）８では、中間
層４の温度がキュリー点Ｔｃ以上であるので、図６Ｂに
示すように、この中間層４の磁性が失われ、この領域８
の部分における記録層３と再生層５の磁気的結合が消滅
し、再生層５の磁化は再生磁界Ｈreの方向となる。つま
り、この高温領域８における再生層５の記録ピットは消
去される。そして、走査スポット７の領域のうち、この
高温領域８との重なり領域を除く領域９が実質上の再生
領域となる。すなわち、レーザビームの走査スポット７
は高温領域８により一部がマスクされ、マスクされない
小さい領域が再生領域９となる。

【００１２】こうして、レーザビームの走査スポット７
がマスク領域８によりマスクされない小さい再生領域９
からの反射光のカー回転角を検出することによりピット
の再生が行なわれるので、レーザ光スポット７のスポッ
ト径ｄを小さくしたことに等しくなり、線記録密度及び
トラック密度を上げることができる。

【００１３】以上の再生方法を、以下、消去タイプの再
生方法と称する。

【００１４】また、本願の出願人は、別の方式も提案し
ている。これは、特願平１−２２９３９５号に記載され
ている。

【００１５】この方式の光磁気ディスクの光磁気膜は、
原理的には、記録層と再生層との積層膜からなる。この
場合、記録層と再生層とは静磁結合あるいは磁気的交換
結合している。そして、再生層のキュリー点は記録層よ
り低い。室温では、再生層には記録層の磁化が転写され
る。

【００１６】この方式では、原理的には、再生前に初期
化磁界を光磁気ディスクにかけ、再生層の磁化の方向を
初期化磁界の方向に揃え、再生層の記録ピットを消去す
る。初期化磁界Ｈinの大きさは、再生層の磁化を反転さ
せる磁界Ｈcpより大きく（Ｈin＞Ｈcp）、また、記録層
の磁化を反転させる磁界Ｈcrより十分小さく（Ｈin<<Ｈ
cr）選定されている。

【００１７】再生は、以上のようにして初期化した状態
で、光磁気ディスクにレーザビームを照射する。する
と、前述と同様にして光磁気ディスクの回転移動速度
（線速度）に応じて回転方向に走査スポット位置よりず
れた領域（図６の領域８に対応）のディスク温度が所定
温度Ｔｓより高くなる。すると、再生層のその領域の保
磁力が小さくなるため、その所定温度Ｔｓより高温の領
域だけに記録層の記録ピットが転写されて記録ピットが
再生層に浮き出る。そして、その浮き出し領域のうちの
レーザビームスポットとの重なり領域からの反射光の偏
光面のカー回転角を検出することにより再生を行う。

【００１８】この方式の場合には、レーザビームの走査
スポットの領域のうち所定温度Ｔｓより高温の浮き出し
領域以外の領域は、記録ピットが現れない領域いわばマ
スク領域である。そして、浮き出し領域とビームスポッ
トの領域との重なり部分が再生領域となり、この領域
は、スポット径より小さいので、前述の方式と同様に線
記録密度及びトラック密度を高くすることができる。

【００１９】なお、実際上は、再生層の初期化状態を安
定に保持し、また、再生時には記録層から記録ピットの
転写を良好に行うため、図７に示すような４層の光磁気
膜がディスクに形成される。

【００２０】すなわち、光磁気ディスクは、記録層１
１、中間層１２、再生補助層１３、再生層１４の４層の
積層膜を有する。各層のキュリー温度は、例えば、記録
層１１は２５０℃、中間層１２は２５０℃、再生補助層
１３は１２０℃、再生層１４は３００℃以上、にそれぞ
れ選定されている。

【００２１】記録層１１は、初期化磁界、再生磁界、ま
た再生温度等に影響されずに記録ピットを保持している
層であって、室温、再生温度Ｔｓにおいて十分な保磁力
がある。

【００２２】中間層１２の垂直異方性は再生補助層１
３、記録層１１に比べ小さい。このため、再生層１４
と、記録層１１との間に磁壁を作る際、磁壁が安定にこ
の中間層１２に存在する。そのため、再生層１４、再生
補助層１３は、安定に消去状態（初期化状態）を維持す
る。

【００２３】再生補助層１３は、室温での再生層１４の
保磁力を大きくする働きをしており、このため、初期化
磁界によって揃えられた再生層１４、再生保持層１３の
磁化は磁壁が存在しても安定に存在する。また、再生補
助層１３は、再生時には、再生温度Ｔｓ近辺で保磁力が
急激に小さくなり、このため、中間層１２に閉じこめら
れていた磁壁が再生補助層１３にまで拡がって最終的に
再生層１４を反転させ、磁壁を消滅させる。この過程に
より、再生層１４にピットが生じる。

【００２４】再生層１４は室温でも磁化反転磁界Ｈcpが
小さく、その磁化は容易に反転する。このため、再生層
１４は、初期化磁界Ｈinにより、その全面の磁化が同方
向に揃う。揃った磁化は、再生補助層１３に支えられて
記録層１１との間に磁壁がある場合でも安定な状態が保
たれる。そして、前記のように、再生時には、記録層１
１との間の磁壁が消滅することにより、記録ピットが生
じる。

【００２５】実際の再生に当たっては、再生に先立ち、
図８Ａに示すように、初期化磁界Ｈinにより再生層１４
及び再生補助層１３の初期化を行う。このとき、中間層
１２に磁壁（図８において、横向きの矢印で示す）が安
定に存在し、再生層１４、再生補助層１３は、安定に初
期化状態を維持する。

【００２６】次に、図８Ｂ，Ｃに示すように、レーザビ
ーム１５を記録ピットのトラックに照射すると共に、再
生磁界Ｈreをかける。この再生磁界Ｈreとしては、レー
ザ光照射による昇温後の再生温度Ｔｓにおいて、再生層
１４、再生補助層１３を反転させ、中間層１２の磁壁を
消滅させる磁界以上の磁界が必要である。また、再生層
１４、再生補助層１３が、その磁界方向を反転してしま
わない程度の大きさとされる。

【００２７】レーザビーム１５の照射による温度上昇に
より光磁気ディスクには前述と同様に、ビーム走査スポ
ット１６に対し、ディスクの回転方向にずれた部分に再
生温度Ｔｓ以上の高温領域である浮き出し領域１７が生
じる。すると、その浮き出し領域１７における再生補助
層１３の部分（図８Ｃで斜線を付して示す部分）の保磁
力が下がる。再生磁界Ｈreは、記録層１１〜再生層１４
間の交換結合力より小さいので、その部分では中間層１
２の磁壁がなくなり、記録層１１の記録ピットが再生層
に転写され、ピットが再生層１４に生じる。そして、走
査スポット１６の領域のうち、この浮き出し領域１７と
の重なり領域１８が実質上の再生領域となる。すなわ
ち、レーザビームの走査スポット１６の領域のうち浮き
出し領域１７との重なり領域１８以外はマスクされ、こ
の重なり領域１８が再生領域となる。

【００２８】こうして、レーザビームの走査スポット１
６と浮き出し領域１７とが重なる小さい再生領域１８か
らの反射光のカー回転角を検出することによりピットの
再生が行なわれるので、レーザ光スポット１６のスポッ
ト径ｄを小さくしたことに等しくなり、線記録密度及び
トラック密度を上げることができる。

【００２９】以上の再生方法を、以下、浮き出しタイプ
の再生方法と称する。

【００３０】以上のようにして、レーザビーム走査スポ
ットの径を小さくすることなく、線記録密度及びトラッ
ク密度を高密度化することが可能になる。ところが、前
記各再生方法における再生領域９及び１８の大きさは、
外部再生磁界が一定で、レーザ光パワーが一定であって
も、光磁気ディスクの温度変化あるいは線速度変化に応
じて変化してしまう。

【００３１】例えば、消去タイプの再生方法において、
光磁気ディスクの温度が高い場合には、温度分布状態
は、図９Ｂの曲線２１で示すように温度の高い方にシフ
トしたようになり、このため、キュリー温度Ｔｃを越え
る高温マスク領域が図９Ａに示す領域２２のようになる
ので、実質的な再生領域９は小さくなる。

【００３２】また、光磁気ディスクの温度が低い場合に
は、温度分布状態は、図９Ｂの曲線２３で示すように温
度の低い方にシフトした状態になり、キュリー温度Ｔｃ
を越える高温マスク領域が図９Ａの領域２４のようにな
るので、実質的な再生領域９は大きくなる。

【００３３】一方、浮き出しタイプの場合には、その原
理から明らかなように、光磁気ディスクの温度が高い場
合には、再生領域が大きくなり、光磁気ディスク温度が
低い場合には再生領域が小さくなる。

【００３４】また、例えば、消去タイプの再生方法にお
いて、線速度が低い場合には、単位移動距離当たりの走
査スポット７の通過時間が長くなるために、図１０Ｂの
曲線２５で示すように、レーザビーム照射による温度分
布状態は、キュリー温度Ｔｃを越える高温マスク領域が
図１０Ａの領域２６で示すように広くなるので、実質的
な再生領域９は小さくなる。

【００３５】また、線速度が高い場合には、単位移動距
離当たりの走査スポット７の通過時間が短くなるため
に、図１０Ｂの曲線２７で示すように、レーザビーム照
射による温度分布状態は、キュリー温度Ｔｃを越える高
温マスク領域が図１０Ａの領域２８で示すように狭くな
るので、実質的な再生領域９は大きくなる。

【００３６】一方、浮き出しタイプの場合には、その原
理から明らかなように、光磁気ディスクの線速度が低い
場合には、再生領域が大きくなり、光磁気ディスクの線
速度が高い場合には再生領域が小さくなる。

【００３７】以上のことから、周囲の環境温度の変化な
どにより光磁気ディスクの温度が変化したり、再生位置
により光磁気ディスクの線速度が異なると、再生時の実
質的な再生領域９又は１８の大きさが異なることにな
り、Ｃ／Ｎの良い安定な再生をすることができない。

【００３８】また、光磁気ディスクの線記録密度が異な
る場合には、最適な再生領域の大きさは、その線記録密
度に応じて変化させた方がＣ／Ｎの良好な再生を行うた
めに有益である。

【００３９】すなわち、消去タイプ又は浮き出しタイプ
の再生方法において、線記録密度が低い場合には、記録
ピットのピッチ間隔が長く、このためＣ／Ｎの良い再生
を行うには再生領域９又は１８は大きいほうが良い。一
方、線記録密度が高い場合には、記録ピット間隔が短く
なり、このためＣ／Ｎの良い再生を行うには再生領域９
又は１８は狭いほうが良い。したがって、光磁気ディス
クに一定の線記録密度で情報が記録されていても、光磁
気ディスクの種類によって、線記録密度が異なる場合に
は、その線記録密度に応じて再生領域９及び１８の大き
さを最適な値にコントロールすることが有益である。

【００４０】この発明は、この点にかんがみ、光磁気デ
ィスクに温度変化があったり、光磁気ディスクの種類に
よって線記録密度や線速度が異なったり、また、光磁気
ディスク上の再生位置に応じた線速度変化があっても、
上記の実質的な再生領域の大きさを一定に保ち、安定な
情報読み出しができるようにすると共に、前記再生領域
の大きさを光磁気ディスクの記録密度に応じた最適のも
のとすることができるようにした再生方法を提供するこ
とを目的とする。

【００４１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明においては、消去タイプの再生方法の光
磁気ディスクからの再生を行う方法においては、前記光
磁気ディスクに基準情報を記録しておき、再生に先立
ち、前記光磁気ディスクから前記基準情報を読み出し、
その再生信号のレベルを検出し、その検出レベルに基づ
いて再生時の前記磁気的結合消滅領域の大きさを制御す
る。

【００４２】また、浮き出しタイプの再生方法の光磁気
ディスクからの再生を行う方法においては、前記光磁気
ディスクに基準情報を記録しておき、再生に先立ち、前
記光磁気ディスクから前記基準情報を読み出し、その再
生信号のレベルを検出し、その検出レベルに基づいて再
生時の前記浮き出し領域の大きさを制御する。

【００４３】

【作用】上記の構成のこの発明においては、光磁気ディ
スクには、基準情報として、例えば一定のパターンの記
録マークが記録されている。したがって、消去タイプ又
は浮き出しタイプの再生方法における再生領域の大きさ
が一定であれば、基準情報の再生信号レベルは、前記再
生領域の大きさに応じた所定の再生信号レベルとなる。
しかし、前述したように、消去タイプ又は浮き出しタイ
プの再生方法における再生領域の大きさは、種々の要因
により変化する。したがって、光磁気ディスクに記録さ
れた基準情報の記録マークを再生すると、そのときの基
準情報の再生信号レベルは、そのときの消去タイプ又は
浮き出しタイプの再生方法における再生領域の大きさに
応じた信号レベルとなる。したがって、この再生信号レ
ベルに基づき、例えばこの再生信号のレベルが、予め定
めた所定のものとなるようにして再生領域の大きさをコ
ントロールすることにより、前記再生領域の大きさを、
再生に最適の所定のものにすることができる。これによ
り、安定にＣ／Ｎの良い再生を行なうことができる。

【００４４】

【実施例】図１は、この発明による再生方法が適用され
た光磁気ディスクの再生装置の要部の一実施例を示すも
のである。

【００４５】図１において、３１は光磁気ディスクで、
前述した消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法
が適用されるものである。この例の場合、光磁気ディス
ク３１は、回転数一定（ＣＡＶ）あるいは線速度一定
（ＣＬＶ）の回転駆動が行われる。

【００４６】消去タイプの再生方法が適用される光磁気
ディスクとしては、例えば記録層はＴｂＦｅＣｏで構成
され、キュリー温度が３００℃、中間層はＴｂＦｅＣｏ
Ａｌで構成され、キュリー温度が１２０℃、再生層はＧ
ｂＦｅＣｏで構成され、キュリー温度が４００℃以上の
ものが用いられるものが使用される。また、浮き出しタ
イプの再生方法が適用される光磁気ディスクとしては、
例えば記録層はＴｂＦｅＣｏで構成され、キュリー温度
が２５０℃、中間層はＧｂＦｅＣｏ、キュリー温度が２
５０℃、再生補助層はＴｂＦｅＣｏＡｌで構成され、キ
ュリー温度が１２０℃、再生層がＧｂＦｅＣｏで構成さ
れ、キュリー温度が３００℃以上のものが用いられるも
のが使用される。

【００４７】この場合、光磁気ディスク３１の例えば最
内周の管理情報等を記録する部分の一部、あるいは最内
周又は最外周のデータ記録領域以外の部分には、例えば
一定の繰り返しパターンからなる基準情報が記録されて
いる。この基準情報としては、その光磁気ディスクの再
生に最適となる前記再生領域９又は１８を設定するため
の情報パターンが用いられる。例えばその光磁気ディス
クにおいて、最高記録密度となる繰り返しのパターン例
えば「１１１１…」や「１０１０１０…」等を用いるこ
とができる。どのようなパターンを用いるかは、デジタ
ルデータの記録変調方式による。

【００４８】図１において、３２はレーザ光源で、この
レーザ光源３２からのレーザビームが光磁気ディスク３
１の再生層に入射する。

【００４９】そして、この例の場合、再生磁界Ｈreが、
磁界発生コイル５１にドライバ５２から駆動電流が供給
されることにより発生する。磁界発生コイル５１は、光
磁気ディスク３１のレーザビームを照射する面とは反対
側の面側において、レーザ光源３２と対向する位置に設
けられる。ドライバ５２には基準値発生回路５３からの
基準値Ｍref が供給され、磁界発生コイル５１から発生
する再生磁界Ｈreの大きさがこの基準値に応じた所定の
一定値になるようにされている。

【００５０】そして、前述した消去タイプ又は浮き出し
タイプの再生方法により、レーザビーム走査スポットの
うちの前記再生領域９又は１８からの反射光が図示しな
い光学系を介して再生用フォトディテクタ３３に入射し
て光電変換される。

【００５１】このフォトディテクタ３３の出力信号は、
ヘッドアンプ３４を介して信号処理回路３５に供給され
てＲＦ信号が得られ、これがデータ再生系３６に供給さ
れて復調される。

【００５２】また、レーザ光源３２のレーザ光の一部
は、レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ４１に入
射する。このフォトディテクタ４１の光電変換出力は、
オートパワーコントロール回路４２に供給される。オー
トパワーコントロール回路４２では、フォトディテクタ
４１の出力と、後述するラッチ付きゲート回路４４から
の再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦとが比較され、そ
の比較誤差出力がレーザドライブ回路４３に供給され、
レーザ光源３２の出力パワーが制御される。すなわち、
以上の閉ループの制御により、レーザ光源３２の出力パ
ワーが、再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦに応じた値
になるように制御される。

【００５３】この例の場合、再生レーザパワー設定基準
値ＲＥＦは、後述するように、レーザ光源３２の出力レ
ーザパワーが、基準情報の再生出力レベルが最適レベル
と一致する値になるような値に設定される。すなわち、
レーザ出力パワーが基準情報の再生出力レベルに応じて
制御されて、再生領域９又は１８の大きさが所定のもの
となるように制御される。

【００５４】前述したように、レーザビーム照射による
光磁気ディスク上の温度分布状態は、ディスク温度や線
速度に応じてシフトしてしまうが、レーザ出力パワーが
変化すれば、光磁気ディスク３１の温度が一定でも、図
２に示すように、所定のしきい値温度Ｔθを越える領域
の大きさがＳ１、Ｓ２のように変化する。この領域は前
述したマスク領域８あるいは浮き出し領域１７であるの
で、以上のようにレーザパワーをコントロールすること
により、光磁気ディスク３１の温度や線速度、線密度が
変わっても、前記再生領域９及び１８の大きさを所定の
ものとすることができるものである。

【００５５】基準情報の再生出力レベルに応じた再生レ
ーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定は、以下に説明する
ように行われる。

【００５６】すなわち、実際のデータ再生に先立ち、光
磁気ディスク３１の前記基準情報の読み出しがなされ
る。このときフォトディテクタ３３から得られる基準情
報の再生信号は、ヘッドアンプ３４、信号処理回路３５
を介してＲＦレベル検出回路３７に供給される。そし
て、検出されたＲＦレベルがレベル比較回路３８に供給
されて、最適レベル発生回路３９からの最適ＲＦレベル
と比較される。この比較回路３８の比較誤差信号は、再
生レーザパワー設定基準値発生回路４５に供給される。
再生レーザパワー設定基準値発生回路４５は、再生レー
ザパワー設定基準値ＲＥＦとして、比較誤差がゼロのと
きには予め定められた所定値を出力し、その他のときは
比較誤差の正負及びその絶対値に応じてその所定値を中
心として変化する値を出力する。

【００５７】この再生レーザパワー設定基準値発生回路
４５からの再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦは、ラッ
チ付きゲート回路４４を介してオートパワーコントロー
ル回路４２に供給される。ゲート回路４４は、この再生
レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定モードにおいて
は、ゲート開の状態となっている。したがって、この再
生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定モードにおいて
は、フォトディテクタ３３からレーザ光源３２に至る閉
ループが形成され、レーザ光源３２の出力レーザパワー
は、基準情報の再生出力レベルが最適レベルと一致する
値になるように制御される。

【００５８】この再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの
設定モードが解除されると、その解除直前の時点でラッ
チ信号発生回路４６からラッチ信号が発生し、このラッ
チ信号によりゲート回路４４に、基準情報の再生出力レ
ベルが最適レベルとなる再生レーザパワー設定基準値Ｒ
ＥＦがラッチされる。したがって、その後、行われる実
際のデータの再生時には、そのラッチされた再生レーザ
パワー設定基準値ＲＥＦが用いられて、レーザ光源３２
の出力パワーの制御がなされる。

【００５９】再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定
モードは、マニュアルでモード設定するようにしても良
いが、例えば再生開始時点に実際のデータ再生に先立
ち、必ず、この設定モードに自動的になるようにしても
良い。また、再生中、温度変化が生じると考えられるな
ど、再生レーザパワー設定基準値ＲＥＦの設定の変更が
必要と考えられる所定時間間隔毎、例えば１０分毎に、
一時的に、この設定モードに自動的に移行させるように
しても良い。

【００６０】以上の例では、レーザパワーをコントロー
ルして再生領域９及び１８の大きさを最適な一定の大き
さにするようにしたが、外部磁界（再生磁界Ｈre）を制
御するようにしても、同様の効果が得られる。

【００６１】すなわち、例えば消去タイプの再生方法を
考えた場合、前述の図６において、マスク領域８ができ
始める温度は、正確には中間層４のキュリー温度Ｔc2で
はなく、再生磁界Ｈreも関与し、再生層５の保磁力をＨ
c1、再生層５と記録層３との間の交換結合力をＨｗとし
たとき、Ｈc1＋Ｈｗ＜Ｈre ……（１）となる温度である。再生層５と記録層３間の交換結合力
Ｈｗは、温度が上がるにしたがい小さくなり、中間層４
のキュリー温度Ｔc2で零になる。

【００６２】Ｈc1＋Ｈｗの温度特性を図示すると、図３
に示すようになる。この図でＴc1は再生層５のキュリー
温度であり、中間層４のキュリー温度Ｔc2以上の温度で
は、再生層５が１層の場合の保磁力と同様になる。

【００６３】この光磁気ディスクの再生層５の磁化を一
方向に揃えるには、前記（１）式に示したように、Ｈc1
＋Ｈｗより大きい磁界をかければ良い。したがって、同
じ温度分布状態でも、図３で再生磁界ＨreとしてＨr0を
かけた場合には、キュリー温度Ｔc2以上の範囲がマスク
領域８となるが、再生磁界Ｈreの大きさがＨr1の場合に
は、キュリー温度Ｔc2より低い温度Ｔａまでの範囲がマ
スク領域８となり、再生磁界Ｈreの大きさに応じてマス
ク領域の大きさが変わり、この結果、再生領域９の大き
さが変わる。

【００６４】したがって、光磁気ディスク３１の温度に
応じて外部磁界例えば再生磁界Ｈreを変えるコントロー
ルをすることにより、常に再生領域を一定の大きさにす
ることができる。

【００６５】浮き出しタイプの再生方法の場合にも、同
様にして再生磁界をコントロールすることにより、再生
領域１８の大きさを一定にすることができる。

【００６６】また、レーザパワーや外部磁界をそれぞれ
単独に制御しても良いが、レーザパワーと外部磁界を同
時に制御するようにすることもできる。

【００６７】図４は、再生磁界とレーザ光源３２の出力
レーザパワーとを基準情報の再生信号レベルに応じてコ
ントロールする場合の再生装置の要部の一例である。

【００６８】この例の場合、基準値発生回路５３からの
基準値Ｍref は加算回路５４に供給され、後述するラッ
チ付きゲート回路５５からの補正値と加算される。そし
て、その加算値の駆動信号がドライバ５２に供給され
る。したがって、再生磁界Ｈreの大きさは、補正値が零
の場合には、基準値Ｍref に応じた所定値となり、補正
値に応じてその所定値を中心として変化するものとな
る。

【００６９】そして、この例の場合、再生磁界の大きさ
を補正する補正値を発生する補正値発生回路５６が設け
られ、比較回路３８の比較誤差信号が、この補正値発生
回路５６にも供給される。この補正値発生回路５６から
の補正値はラッチ付きゲート回路５５に供給され、基準
情報を読み出すモードのときには、このゲート回路５５
が開とされて、閉ループが形成される。これにより、レ
ーザパワーの制御との組み合わせによって、基準情報の
再生ＲＦ信号のレベルが最適レベルとなるような再生磁
界Ｈreの大きさの制御のための補正値が、この補正値発
生回路５６より出力されるように制御される。

【００７０】そして、その補正値がラッチ信号発生回路
４６からのラッチ信号によりゲート回路５５にラッチさ
れる。したがって、その後、行われる実際のデータの再
生時には、ゲート回路４４にラッチされた再生レーザパ
ワー設定基準値ＲＥＦと、ゲート回路５５にラッチされ
た補正値とが用いられて、レーザ光源３２の出力パワー
の制御及び再生磁界Ｈreの制御がなされ、再生領域９及
び１８の大きさが常に最適の大きさになるようにされ
る。

【００７１】以上のようにして、この発明によれば、消
去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法を実施する際
に、常に再生領域９又は１８の大きさが、その光磁気デ
ィスクの再生に最適の所定の大きさとなるようにされ
る。すなわち、光磁気ディスクの温度が周囲環境温度な
どにより変動しても、そのディスク温度に関係なく、常
に、安定に消去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法を
遂行することができる。光磁気ディスクの温度について
のこの発明の効果は、光磁気ディスクの回転駆動方式が
ＣＡＶでも、ＣＬＶでも得ることができるものである。

【００７２】そして、光磁気ディスクの回転駆動方式が
ＣＬＶの場合には、ディスクの半径方向に再生位置が変
わっても、線速度及び線記録密度は変化しないが、光磁
気ディスクの種類により、設定される線速度及び線密度
が異なる場合がある。この発明によれば、光磁気ディス
クの種類によって線速度、線密度の違いがあっても、そ
のディスクに記録された基準情報に基づいて、最適の再
生領域９及び１８の大きさに自動的にコントロールされ
るので、その光磁気ディスクの線速度及び線密度に応じ
た最適の最適状態で、再生を行うことができる。

【００７３】一方、光磁気ディスクをＣＡＶ駆動した場
合には、光磁気ディスクの半径方向の再生位置により線
速度が異なるようになり、上述の実施例のままではディ
スクの半径方向の再生位置の違いによる線速度、及び線
記録密度の変化の影響を除去できない。

【００７４】しかし、ＣＡＶの回転駆動方式を採用した
場合でも、各トラックに、あるいは必要な複数本おきの
トラックに、前記と同様な基準情報を記録しておき、そ
のトラックあるいはそのトラックの近傍のトラックを再
生するとき、その再生に先立って、前述と同様にレーザ
パワー設定基準値ＲＥＦ及び再生磁界の補正値の設定を
行い、ラッチした後、実際のデータ再生に移るようにす
ることにより、再生領域９及び１８の大きさを常にその
再生位置における線速度にも対応したに最適の大きさに
なるようにすることができる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、消去タイプの再生方法及び浮き出しタイプの再生方
法において、基準情報の再生信号レベルを最適なレベル
とするようにして、消去タイプ及び浮き出しタイプの再
生方法における再生領域の大きさを所定の最適な大きさ
とするようにしたので、光磁気ディスクによって温度の
変化があったり、線速度及び線記録密度が異なる場合に
も、常に、安定に再生を行うことができる。したがっ
て、Ｃ／Ｎが良好で、品質の良い再生信号を常に得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による再生方法が適用されたディスク
再生装置の一実施例のブロック図である。

【図２】レーザパワーを変えることによりマスク領域が
変わることを説明するための図である。

【図３】外部磁界を変えることによりマスク領域が変わ
ることを説明するための図である。

【図４】この発明による再生方法が適用されたディスク
再生装置の他の実施例のブロック図である。

【図５】レーザビームスポット径と、再生可能な記録ピ
ットの記録密度との関係を説明するための図である。

【図６】消去タイプの再生方法及びその光磁気ディスク
の実質的な再生領域を説明するための図である。

【図７】浮き出しタイプの再生方法の光磁気ディスクの
一例を示す図である。

【図８】浮き出しタイプの再生方法及びその光磁気ディ
スクの実質的な再生領域を説明するための図である。

【図９】光磁気ディスクの温度変化により実質的な再生
領域が変化することを説明するための図である。

【図１０】光磁気ディスクの線速度変化により実質的な
再生領域が変化することを説明するための図である。

【符号の説明】

３，１１記録層４，１２中間層５，１４再生層８マスク領域９，１８再生領域１７浮き出し領域３１光磁気ディスク３２レーザ光源３３フォトディテクタ３７ＲＦレベル検出回路３８比較回路３９最適レベル発生回路４１レーザパワーモニタ用フォトディテクタ４２オートパワーコントロール回路４５再生レーザパワー設定基準値発生回路５１磁界発生コイル５６磁界補正値発生回路

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】記録層と再生層とを有し、記録層と、再
生層とが定常状態で磁気的に結合しており、再生時の光
照射により所定温度以上に温度上昇する領域の前記記録
層と再生層との磁気的結合を消滅させ、その磁気的結合
消滅領域を除く光照射領域において前記記録層に保持さ
れた記録情報を前記再生層から読み出すようにする光磁
気ディスクの再生方法において、前記光磁気ディスクに
基準情報を記録しておき、再生に先立ち、前記光磁気デ
ィスクから前記基準情報を読み出し、その再生信号のレ
ベルを検出し、その検出レベルに基づいて再生時の前記
磁気的結合消滅領域の大きさを制御するようにした光磁
気ディスクの再生方法。
【請求項２】記録層と再生層とを有し、再生層の磁化
の方向を揃えた後、再生時の光照射により所定温度以上
に温度上昇する領域において前記記録層に保持された記
録情報を再生層に転写させて浮き出させ、この再生層の
浮き出し領域から前記記録情報を読み出すようにする光
磁気ディスクの再生方法において、前記光磁気ディスク
に基準情報を記録しておき、再生に先立ち、前記光磁気
ディスクから前記基準情報を読み出し、その再生信号の
レベルを検出し、その検出レベルに基づいて再生時の前
記浮き出し領域の大きさを制御するようにした光磁気デ
ィスクの再生方法。