JPH0573977A

JPH0573977A - 光磁気記録媒体および光磁気再生方法

Info

Publication number: JPH0573977A
Application number: JP23618491A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Kimura; 俊平木村
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1991-09-17
Filing date: 1991-09-17
Publication date: 1993-03-26

Abstract

(57)【要約】【目的】情報が再生される領域を制限することによっ
て、記録ピットの読み出しの解像度を向上させ、非常に
高密度に記録された情報を再生することを可能にする。【構成】比較的低い保磁力を有する第１の磁性層と、
第１の磁性層より高い保磁力を有し、第１の磁性層と交
換結合された第２の磁性層とから成る光磁気記録媒体に
おいて、第１の磁性層と第２の磁性層との間に、第１の
磁性層のキュリー温度および第２の磁性層のキュリー温
度より低いキュリー温度を有する第３の磁性層を設け
る。そして、情報の再生時に、光ビームが照射された領
域の一部のマスク領域において第３の磁性層の磁化を消
滅させて第１の磁性層の磁化を一方向に配向させ、マス
ク領域の情報が光ビームによって検出されないようにす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、他の部分と異なる磁化
方向を有する磁区の配列として情報が記録され、光ビー
ムの照射によって磁気光学効果を用いて記録された情報
を再生することのできる光磁気記録媒体およびこの媒体
から情報を再生する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度・大容量のメモリとしてレ
ーザ光を用いた光メモリ素子の研究開発が盛んに行われ
ている。なかでも、光磁気記録媒体は、書き換えが可能
なメモリとして大いに注目されている。

【０００３】上記の光磁気記録媒体には、レーザ光の照
射によって記録層である磁性層を局部的に加熱すること
によって、記録ピットすなわち他の部分と異なる磁化方
向を有する磁区の配列として情報が記録される。また、
このように記録された情報は、スポット状に集光したレ
ーザ光で磁性層の記録ピット列を走査し、このレーザ光
の反射光を検光子を通して検出することによって、磁気
光学効果を用いて再生することができる。

【０００４】光磁気記録媒体において、記録密度を上げ
るには、ピット長の短縮化即ち磁区の微小化を図ること
になる。しかしながら、前記ピットを再生する光スポッ
ト径が、レーザ光の波長、レンズの開口数などによって
制約を受けるため、記録密度の向上にも限界がある。例
えば、現状では長さ０．２μｍの情報ピットを、スポッ
ト径が１μｍのレーザ光で読み出すことは不可能であ
る。

【０００５】一方、上記の問題点を解決し、スポット径
より小さな記録ピットの再生を可能とする方法が、オプ
トニューズ（ＯＰＴＯＮＥＷＳ）Ｎｏ．３，１９９１，
１８〜１９頁などに記載されている。この光磁気再生方
法を以下に説明する。

【０００６】図８は、上記の光磁気再生方法に用いられ
る光磁気記録媒体の略断面図である。図８の媒体は、ガ
ラスあるいはプラスチック等から成る透明基板３１上
に、下引き層３２、比較的低い保磁力を有する第１の磁
性層３３、第１の磁性層３３より高い保磁力を有し、第
１の磁性層と交換結合された第２の磁性層３４、保護層
３５、紫外線（ＵＶ）コート３６を順に形成して成る。

【０００７】図９は、図８の媒体に情報を記録し、また
媒体に記録された情報を再生する装置の概略構成図であ
る。図９において、符号１１は図８のような構成の円盤
状の光磁気記録媒体（光磁気ディスク）、符号１２はデ
ィスク１１を回転させるスピンドルモータ、符号１３は
モータ１２の回転軸にディスク１１を固定するクラン
パ、符号１４はディスク１１に光ビーム１５を照射する
光ヘッドを示す。

【０００８】光ヘッド１４は、半導体レーザ等から成る
レーザ光源１６、コリメータレンズ１７、ビームスプリ
ッタ１８、対物レンズ１９、センサーレンズ２０、検光
子２６および光検出器２１を内蔵し、不図示の機構によ
ってディスク１１の半径方向に移動する。また、対物レ
ンズ１９は、光検出器で周知の方法で検出される制御信
号に従って光軸方向および光軸と垂直な方向に移動し、
所謂、オートフォーカシング（ＡＦ）及びオートトラッ
キング（ＡＴ）を行う。レーザ光源１６は、レーザ駆動
回路２２によって駆動され、情報の記録時には入力端子
２３より入力される記録信号に応じて強度変調された光
ビームを出射する。また、情報の再生時には、レーザ駆
動回路２２はレーザ光源１６から、記録時よりも強度の
低い連続発光の光ビームをディスク１１に照射させる。

【０００９】ディスク１１を挟んで光ヘッド１４と対向
する位置には、第１の磁界発生手段２４が設けられてい
る。第１の磁界発生手段２４は、記録時にはバイアス磁
界を、再生時には再生磁界を、ディスク１１の光ビーム
が照射される部分に印加する。また、ディスク１１の回
転方向に１８０°ずれた位置には、ディスク１１に再生
磁界とは反対方向の初期化磁界を印加する第２の磁界発
生手段２５が設けられている。これら第１および第２の
磁界発生手段としては、電磁石あるいは永久磁石が用い
られる。

【００１０】図９の装置で図８の媒体に情報を記録する
には、良く知られた方法を用いることができる。即ち、
基板３１を通して第１及び第２の磁性層３３，３４に、
記録信号に応じて変調された光ビームを照射する。光ビ
ームが照射された部分は、これらの磁性層のキュリー温
度以上に加熱され、磁化が消滅する。光ビームが通過し
て、磁性層が冷却されると、バイアス磁界の影響でこの
部分がある方向に磁化され、他の部分とは磁化方向の異
なる磁区（記録ピット）が形成される。

【００１１】次に、上記のように記録された情報を図９
の装置を用いて再生する方法を、図１０を用いて説明す
る。図１０の上部の図は、記録媒体の概略平面図であ
り、Ｔ₁ 、Ｔ₂ 及びＴ₃ は、それぞれ情報が記録された
情報トラックを示す。ここでは、トラックＴ₂ に記録さ
れた情報を再生する例を説明する。図１０の中央の図
は、記録媒体のＡ−Ａ’に沿った略断面図であり、第１
の磁性層３３及び第２の磁性層３４中の矢印は、磁性層
の磁化方向を示す。図１０の下部の図は、光ビームのビ
ームプロファイルを示す図である。図１０において、Ｐ
は記録ピット、ＬＢは光ビーム、ＢＳはこの光ビームの
ビームスポット、矢印Ｄは媒体の移動方向をそれぞれ示
す。

【００１２】まず媒体には、第２の磁界発生手段２５に
よって、初期化磁界Ｈ_i が印加される。この初期化磁界
Ｈ_i の強度は、室温における第１の磁性層３３の見かけ
上の保磁力（第２磁性層からの交換結合力を考慮した保
磁力）よりも大きく、且つ、室温における第２の磁性層
３４の見かけ上の保磁力（第１磁性層からの交換結合力
を考慮した保磁力）よりも小さく設定されている。その
ため、第１の磁性層３３の磁化方向は、初期化磁界Ｈ_i
の方向に配向され、第１の磁性層３３の記録ピットは消
滅する。一方、第２の磁性層３４の磁化方向は変化せ
ず、第２の磁性層３４中には記録ピットが保持される。

【００１３】次に、上記のように第１の磁性層のピット
が消滅した部分が光ヘッド１４の位置に達すると、第１
及び第２の磁性層に第１の磁界発生手段２４から、初期
化磁界Ｈ_i と反対方向の再生磁界Ｈ_r が印加される。そ
れと同時に、トラックＴ₂ は光ヘッド１４から発した光
ビームＬＢによって走査される。この光ビームの走査に
よって磁性層は加熱され、光ビームの走査方向の後方に
高温領域ＨＲが発生する。この高温領域ＨＲにおいて
は、第１の磁性層の保磁力エネルギーは磁壁エネルギー
よりも小さくなり、第２の磁性層に保持された記録ピッ
トが第１の磁性層に転写される。したがって、光ビーム
ＬＢの反射光より光検出器２１によって読み出される記
録ピットは、ビームスポットＢＳと高温領域ＨＲとがオ
ーバーラップした検出領域ＤＲにあるものだけとなる。
ここで、ビームスポットＢＳの検出領域ＤＲ以外の部分
からの反射光は、常に一定の偏光状態を有しているの
で、光検出器２１で検出される直流成分となり、情報を
表す信号成分には影響を与えない。このことは、記録ピ
ットの読み取りの解像度が向上したことを意味し、例え
ば、従来は不可能であった長さ０．６μｍの記録ピット
を読み取ることが可能となった。

【００１４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記の情報再生方法において、検出領域の光ビームのプロ
ファイルＢＰは、図１０の下部に示すように非対称な形
状となる。そのため、再生された信号波形もビームプロ
ファイルＢＰを反映して歪んだものとなり、信号のエッ
ジ位置やピーク位置を正確に検出する際には不都合を生
じた。

【００１５】また、記録情報の高密度化に伴って、記録
ピットの読み取り解像度を更に高めることが要求される
ものと予想される。

【００１６】本発明の目的は、上記従来技術を更に改良
し、記録ピットの読み出しの解像度を更に向上させ、且
つ、信号波形を正確に再生することのできる光磁気再生
方法およびこの方法に用いる光磁気記録媒体を提供する
ことにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、比
較的低い保磁力を有する第１の磁性層と、該第１の磁性
層より高い保磁力を有し、第１の磁性層と交換結合され
た第２の磁性層とから成る光磁気記録媒体において、前
記第１の磁性層と第２の磁性層との間に、第１の磁性層
のキュリー温度および第２の磁性層のキュリー温度より
低いキュリー温度を有する第３の磁性層を設けることに
よって達成される。

【００１８】また、上記の媒体を用いた本発明の再生方
法は、まず媒体に初期化磁界を印加することによって第
２の磁性層の磁化方向を変化させることなく第１の磁性
層の磁化方向を所定方向に配向させ、次に前記初期化磁
界とは反対方向の再生磁界を印加しながら媒体を磁区の
配列方向に光ビームで走査することによって、光ビーム
の走査方向の後方にできた高温領域において第２の磁性
層の磁区を第１の磁性層に転写し、転写された磁区によ
って偏光状態が変調された光ビームの反射光を検出する
ことによって情報を再生する光磁気再生方法において、
光ビームの走査時に前記高温領域の一部のマスク領域に
おいて第３の磁性層の磁化を消滅させて第１の磁性層の
磁化方向を再生磁界に従って配向させ、前記マスク領域
に記録された情報が光ビームによって検出されないよう
にしたことを特徴とする。

【００１９】

【実施例】図１は、本発明の光磁気記録媒体の第１実施
例を示す略断面図である。図中、符号１は、ガラス或は
プラスチックから成る透明基板を示す。この基板１上に
は干渉効果と磁性層の腐食防止効果を兼ね備えた下引き
層２が設けられている。この下引き層２は、例えばＳｉ
₃ Ｎ₄ などの誘電体から形成される。

【００２０】下引き層２上には、比較的低い保磁力を有
する第１の磁性層３が形成されている。第１の磁性層３
は、キュリー温度１４０℃のＴｂＦｅＣｏ非晶質合金か
ら形成されている。また、第１の磁性層３の厚さは４０
０Åである。第１の磁性層３上には、厚さ１００Åの第
３の磁性層４が形成されている。この第３の磁性層４
は、キュリー温度が１２０℃のＴｂＦｅ非晶質合金から
成る。第３の磁性層４上には、第１の磁性層３より室温
において高い保磁力を有する第２の磁性層５が設けられ
ている。この第２の磁性層５は、キュリー温度が２５０
℃のＧｄＦｅＣｏ非晶質合金から形成されている。第２
の磁性層５の厚さは４００Åである。また、第２の磁性
層５は、第３の磁性層を介して第１の磁性層３と交換結
合されている。

【００２１】第２の磁性層５上には、磁性層の腐食を防
止するための保護層６が設けられている。この保護層６
は、例えばＳｉ₃ Ｎ₄ などの誘電体から形成される。保
護層６上には更に、アクリル樹脂等から成る紫外線（Ｕ
Ｖ）コート層７が設けられている。

【００２２】上記本発明の媒体において、第１の磁性層
３の保磁力Ｈ_C1と、第３の磁性層４の保磁力Ｈ_C3とは、
Ｈ_C1＜Ｈ_C3の関係を満足している。第１、第２及び第３
の磁性層としては、上述した合金の他にも、ＧｄＣｏ，
ＧｄＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，Ｇ
ｄＴｂＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏなど種々の合金を用いることができる。
ただし、第１の磁性層３としては、保磁力が０．１〜１
ＫＯｅの磁性材料が用いられるのが好ましい。また、第
２の磁性層５としては、保磁力が２〜１０ＫＯｅの磁性
材料が用いられるのが好ましい。第１及び第２の磁性層
の膜厚は、それぞれ１００〜５００Åとされるのが望ま
しい。また、第３の磁性層の膜厚は１０〜２００Å、キ
ュリー温度は１００〜１２０℃とされるのが好ましい。

【００２３】上記媒体は、室温Ｔ_R と第３の磁性層のキ
ュリー温度Ｔ_C3との間に、第１の磁性層の保磁力エネル
ギーＥ_C1と後ほど説明する再生磁界によるエネルギーＥ
_r との和が、第３の磁性層を介して第１及び第２の磁性
層間に働く磁壁エネルギーσ₁₂と等しくなる閾値温度Ｔ
_thを有している。Ｔ_thよりも低い温度ではＥ_C1とＥ_rと
の和がσ₁₂よりも大きく、Ｔ_thよりも高い温度ではσ₁₂
がＥ_C1とＥ_r との和よりも大きくなる。ここで、Ｅ
_C1は、第１の磁性層の保磁力をＨ_C1、第１の磁性層の膜
厚をｈ₁ 、第１の磁性層の飽和磁化をＭ_S1とすると、Ｅ
_C1＝２Ｍ_S1Ｈ_C1ｈ₁と表される。また、再生磁界によっ
て第１磁性層に働くエネルギーＥ_r は、再生磁界の大き
さをＨ_r とすると、Ｅ_r ＝２Ｍ_S1Ｈ_r ｈ₁ と表される。

【００２４】図１の媒体への情報の記録及び再生には、
図９で説明した装置を用いることができる。情報の記録
は、例えば良く知られた方法が用いられる。即ち、基板
１を通して第１、第２及び第３の磁性層３，４，５に、
記録信号に応じて変調された光ビームを照射する。光ビ
ームが照射された部分は、これらの磁性層のキュリー温
度以上に加熱され、磁化が消滅する。光ビームが通過し
て、磁性層が冷却されると、バイアス磁界の影響でこの
部分がある方向に磁化され、他の部分とは磁化方向の異
なる磁区（記録ピット）が形成される。また、本発明の
媒体へ情報を記録するのに、連続発光の光ビームで磁性
層を走査しながら、光ビームの照射位置近傍に記録信号
に応じて極性の反転する変調磁界を印加する、所謂磁界
変調方式を用いることもできる。磁界変調方式を用いた
場合にも、情報は磁性層に磁化方向の異なる記録ピット
の連なりとして記録される。

【００２５】次に、上記媒体に記録された情報を再生す
る本発明の光磁気再生方法を、図２を用いて説明する。
図２の上部の図は、記録媒体の概略平面図であり、Ｔ
₁ 、Ｔ₂ 及びＴ₃ は、それぞれ情報が記録された情報ト
ラックを示す。ここでは、トラックＴ₂ に記録された情
報を再生する例を説明する。図２の中央の図は、記録媒
体のＢ−Ｂ’に沿った略断面図であり、第１の磁性層
３、第３の磁性層４及び第２の磁性層５中の矢印は、磁
性層の磁化方向を示す。図２の下部の図は、光ビームの
ビームプロファイルを示す図である。図１０において、
Ｐは記録ピット、ＬＢは光ビーム、ＢＳはこの光ビーム
のビームスポット、矢印Ｄは媒体の移動方向をそれぞれ
示す。

【００２６】まず媒体には、第２の磁界発生手段２５に
よって、初期化磁界Ｈ_i が印加される。この初期化磁界
Ｈ_i の強度は、室温における第１の磁性層３の見かけ上
の保磁力（第２磁性層からの交換結合力を考慮した保磁
力）よりも大きく、且つ、室温における第２の磁性層５
の見かけ上の保磁力（第１磁性層からの交換結合力を考
慮した保磁力）よりも小さく設定されている。そのた
め、第１の磁性層３の磁化方向は、初期化磁界Ｈ_i の方
向（本実施例では下向きとした）に配向され、第１の磁
性層３の記録ピットは消滅する。一方、第２の磁性層５
の磁化方向は変化せず、第２の磁性層５中には記録ピッ
トが保持される。

【００２７】次に、上記のように第１の磁性層のピット
が消滅した部分が光ヘッド１４の位置に達すると、第１
及び第２の磁性層に第１の磁界発生手段２４から、初期
化磁界Ｈ_i と反対方向の再生磁界Ｈ_r が印加される。そ
れと同時に、トラックＴ₂ は光ヘッド１４から発した光
ビームＬＢによって走査される。この光ビームの走査に
よって磁性層は加熱され、光ビームの走査方向の後方に
高温領域ＨＲが発生する。光ビームＬＢの強度は、高温
領域ＨＲにおける各磁性層の温度が前述のＴ_thより高
く、高温領域ＨＲ外では各磁性層の温度がＴ_thより低く
なるように設定されている。したがって、再生磁界が印
加された下でも、高温領域ＨＲ外の領域では、Ｅ_C1＋Ｅ
_r ＞σ₁₂の関係を満足し、第１の磁性層３の磁化方向は
初期化磁界Ｈ_i の方向と同一のままである。

【００２８】これに対し、高温領域ＨＲの内、後述のマ
スク領域ＭＲを除いた領域の各磁性層の温度Ｔは、Ｔ_th
＜Ｔ＜Ｔ_C3となり、Ｅ_C1＋Ｅ_r ＜σ₁₂の関係を満足す
る。すなわち、第１の磁性層３が第２の磁性層５より加
えられる磁壁エネルギーが、第１の磁性層の保磁力エネ
ルギー及び再生磁界によるエネルギーを上まわり、第２
の磁性層５に保持された記録ピットが第１の磁性層に転
写される。

【００２９】一方、高温領域ＨＲの中央部は、更に温度
の高いマスク領域ＭＲとなっている。このマスク領域Ｍ
Ｒの各磁性層の温度Ｔ’を、Ｔ’＞Ｔ_C3とすると、領域
ＭＲの第３の磁性層４の磁化は消滅し、第１の磁性層３
と第２の磁性層５との交換結合が断ち切られる。そして
温度Ｔ’において、第１の磁性層の保磁力Ｈ_C1は、Ｈ_C1
＜Ｈ_r の関係を有し、マスク領域ＭＲ内の第１の磁性層
３の磁化方向は、再生磁界の方向（本実施例では上向き
とした）と同方向に配向される。このため、第２の磁性
層から転写される上向きの磁化を有するピットは、マス
ク領域全体が上向きに磁化されるため、この中に埋没
し、丁度マスクをかけた状態となる。

【００３０】このような手段によって、光ビームＬＢの
反射光より光検出器２１によって読み出される記録ピッ
トは、ビームスポットＢＳとマスク領域ＭＲを除いた高
温領域ＨＲとがオーバーラップした検出領域ＤＲにある
ものだけとなる。ここで、ビームスポットＢＳの検出領
域ＤＲ以外の部分は、常に下向きに磁化されているの
で、この部分からの反射光は光検出器２１で検出される
直流成分となり、情報を表す信号成分には影響を与えな
い。また、ビームスポットＢＳとマスク領域ＭＲのオー
バーラップした部分は、常に上向きに磁化されているの
で、この部分からの反射光も光検出器２１で検出される
直流成分となり、情報を表す信号成分には影響を与えな
い。

【００３１】このように本発明によれば、記録ピットの
検出領域ＤＲを非常に微小にできるため、ピット読み出
しの解像度を格段に向上させることができる。例えば、
本発明の方法では、０．３μｍ以下の長さのピットを読
み出すことが可能である。また、検出領域ＤＲのビーム
プロファイルＢＰは、図２の下部に示すように、従来に
比べてより対称形に近いものとなる。したがって、本発
明によれば、信号波形を正確に再生することができ、信
号のエッジ位置やピーク位置を検出することも容易にな
る。

【００３２】図３は、本発明の光磁気記録媒体の第２実
施例を示す略断面図である。図３において、図１と同一
の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
第２実施例の媒体の基本構成は、第３磁性層と第２磁性
層との間に、第４の磁性層が設けられている点で第１実
施例と異なる。この第４の磁性層は、前述のような再生
時の高温領域において、第１の磁性層の磁化が第２の磁
性層の磁化に対して、安定な向きに配向する、すなわち
第２の磁性層の記録ピットが第１の磁性層に転写される
のを助ける働きをする。

【００３３】図３において、下引き層２上には、キュリ
ー温度１４０℃で、厚さが２００Åの第１の磁性層４３
が形成されている。第１の磁性層４３上には、厚さ１０
０Åの第３の磁性層４４が形成されている。この第３の
磁性層４４は、キュリー温度が１２０℃のＴｂＦｅ非晶
質合金から成る。第３の磁性層４４上には、ＧｄＦｅＣ
ｏ非晶質合金から成る厚さ１００Åの第４の磁性層８が
形成されている。更に、第４の磁性層８上には、第１の
磁性層４３より室温において高い保磁力を有する第２の
磁性層４５が設けられている。この第２の磁性層４５
は、キュリー温度が２５０℃のＴｂＦｅＣｏ非晶質合金
から形成されている。第２の磁性層５の厚さは２００Å
である。また、第２の磁性層４５は、第３及び第４の磁
性層を介して第１の磁性層４３と交換結合されている。
第２の磁性層４５上には、第１実施例と同様に保護層６
およびＵＶコート層７が設けられている。

【００３４】本実施例において、第１、第２及び第４の
磁性層の保磁力をそれぞれＨ_C1、Ｈ_C2及びＨ_C4とする
と、Ｈ_C1≒Ｈ_C4＜Ｈ_C2の関係を有している。第１〜第４
の磁性層としては、上記の例に限らず、第１実施例で説
明したような種々の磁性材料を用いることができる。こ
こで、第４の磁性層のキュリー温度は、１４０℃以上と
されるのが望ましい。また、第４の磁性層の厚さは、１
０〜２００Åに形成されるのが望ましい。

【００３５】本実施例においては、第４の磁性層を設け
ることによって、第１磁性層と第２の磁性層との間に第
３の磁性層を介して働く磁壁エネルギーを大きくするこ
とができる。そして、これによって、上記のように第１
及び第２の磁性層の膜厚を第１の実施例より薄くして、
記録感度を高めることが可能となった。また、再生の際
に、閾値温度Ｔ_thを制御するのが容易になった。

【００３６】図４は、図３の媒体を用いた本発明の光磁
気再生方法を説明する図である。図４の上部、中央およ
び下部の図はそれぞれ記録媒体の概略平面図、記録媒体
のＢ−Ｂ’に沿った略断面図および光ビームのビームプ
ロファイルを示す。図４において図２と同一の部材には
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

【００３７】図４に示す再生方法のプロセスは、図２で
説明した方法と全く同一なので、詳細な説明は省略する
が、図４の方法では、第４の磁性層８が高温領域ＨＲに
おいて、第２の磁性層４５の記録ピットが第１の磁性層
４３に転写されるのを助けている。このため、図４の実
施例では図２の実施例に比べて、高温領域ＨＲの大きさ
および温度を所望のものとするように、光ビームＬＢの
強度などを制御するのが容易となった。

【００３８】図５は、本発明の光磁気記録媒体の第３実
施例を示す略断面図である。図５において、図１と同一
の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図５の媒体は、保護層６とＵＶコート層７との間に熱拡
散層９を設けた点でのみ図１の媒体と異なる。

【００３９】図５において、熱拡散層９は、各磁性層３
〜５の熱伝導率より高い熱伝導率を有する材料で形成さ
れる。磁性層の熱伝導率は通常、２．０×１０^-2〜２．
０×１０^-1cal/cm・℃・sec 程度であるので、熱拡散層
９は、２．０×１０^-1〜６．０×１０^-1cal/cm・℃・se
c の熱伝導率を有する材料から形成されるのが好まし
い。このような熱拡散層９の材料としては、銅（Ｃ
ｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などの金属材
料、ＣｕＳ、ＡｌＮなどの化合物材料などが挙げられ
る。

【００４０】上記第３実施例の光磁気記録媒体は、図２
で説明した記録方法において、検出領域ＤＲのビームプ
ロファイルをより対称形に近いものとする効果を有す
る。図６は、第３実施例の媒体のこのような効果を説明
するための概略図である。図６において、符号２７はビ
ームスポット、符号２８は検出領域、符号２９は記録ピ
ット、符号３０はビームプロファイルをそれぞれ示す。
このように、第３実施例の媒体を用いた場合、検出領域
２８のビームプロファイル３０がほぼ対称な形状となる
ため、第１実施例に比べ信号波形を更に正確に再生する
ことができ、信号のエッジ位置やピーク位置を検出する
ことを容易にする効果が得られる。

【００４１】上記の熱拡散層は、図３の構成の媒体と組
み合わせて用いることもできる。このような本発明の光
磁気記録媒体の第４実施例を図７に示す。図７におい
て、図３と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説
明は省略する。

【００４２】図７において、熱拡散層９は、図５でも説
明した材料と全く同一の材料を用いて形成することがで
きる。この第４実施例も、第３実施例と同様に、検出領
域のビームプロファイルをほぼ対称な形状とすることが
でき、第２実施例に比べ信号波形を更に正確に再生し、
信号のエッジ位置やピーク位置を検出することを容易に
する効果が得られる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体及び光磁気再生方法は、第１の磁性層と第２の磁
性層との間に、第１の磁性層のキュリー温度および第２
の磁性層のキュリー温度より低いキュリー温度を有する
第３の磁性層を設け、光ビームの照射によって情報が再
生される領域を制限したので、記録ピットの読み出しの
解像度を向上させ、非常に高密度に記録された情報を再
生することを可能にする効果を有する。また、本発明に
おいては、情報が再生される領域のビームプロファイル
が対称形に近くなるため、信号波形を正確に再生するこ
とができ、信号のエッジ位置やピーク位置の検出を容易
にする効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の第１実施例を示す略
断面図である。

【図２】図１の媒体を用いた本発明の光磁気再生方法を
説明する概略図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の第２実施例を示す略
断面図である。

【図４】図３の媒体を用いた本発明の光磁気再生方法を
説明する概略図である。

【図５】本発明の光磁気記録媒体の第３実施例を示す略
断面図である。

【図６】図５の媒体を用いた場合の検出領域のビームプ
ロファイルを示す概略図である。

【図７】本発明の光磁気記録媒体の第４実施例を示す略
断面図である。

【図８】従来の光磁気記録媒体の構成例を示す略断面図
である。

【図９】従来の方法および本発明の方法に用いる光磁気
記録再生装置の一例を示す概略図である。

【図１０】図９の媒体を用いた従来の光磁気再生方法を
説明する概略図である。

【符号の説明】

１透明基板２下引き層３第１の磁性層４第３の磁性層５第２の磁性層６保護層７ＵＶコート層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】比較的低い保磁力を有する第１の磁性層
と、該第１の磁性層より高い保磁力を有し、第１の磁性
層と交換結合された第２の磁性層とから成る光磁気記録
媒体において、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間
に、第１の磁性層のキュリー温度および第２の磁性層の
キュリー温度より低いキュリー温度を有する第３の磁性
層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】前記第１の磁性層と第２の磁性層との間
に更に、所定の温度以上の温度において、第１の磁性層
の磁化が第２の磁性層の磁化方向に対して安定な向きに
配向するのを助ける第４の磁性層を設けたことを特徴と
する請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項３】前記第１、第２および第３の磁性層より
も大きな熱伝導率を有する熱拡散層を設けたことを特徴
とする請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項４】比較的低い保磁力を有する第１の磁性層
と、該第１の磁性層より高い保磁力を有し、第１の磁性
層と交換結合された第２の磁性層とから成り、これらの
磁性層に他の部分とは異なる磁化方向を有する磁区の配
列として情報が記録された光磁気記録媒体を用いて、ま
ず媒体に初期化磁界を印加することによって第２の磁性
層の磁化方向を変化させることなく第１の磁性層の磁化
方向を所定方向に配向させ、次に前記初期化磁界とは反
対方向の再生磁界を印加しながら媒体を磁区の配列方向
に光ビームで走査することによって、光ビームの走査方
向の後方にできた高温領域において第２の磁性層の磁区
を第１の磁性層に転写し、転写された磁区によって偏光
状態が変調された光ビームの反射光を検出することによ
って情報を再生する光磁気再生方法において、前記媒体
として第１の磁性層と第２の磁性層との間に、これらの
磁性層のキュリー温度より低いキュリー温度をを有する
第３の磁性層を設けた媒体を用い、光ビームの走査時に
前記高温領域の一部のマスク領域において第３の磁性層
の磁化を消滅させて第１の磁性層の磁化方向を再生磁界
に従って配向させ、前記マスク領域に記録された情報が
光ビームによって検出されないようにしたことを特徴と
する光磁気再生方法。
【請求項５】前記媒体として、第１の磁性層と第２の
磁性層との間に更に、光ビーム走査時の高温領域の温度
において第１の磁性層の磁化が第２の磁性層の磁化方向
に対して安定な向きに配向するのを助ける第４の磁性層
を設けた媒体を用いたことを特徴とする請求項４の光磁
気再生方法。
【請求項６】前記媒体として更に、第１、第２および
第３の磁性層よりも大きな熱伝導率を有する熱拡散層を
設けた媒体を用いることによって、前記マスク領域を除
く高温領域と重なり合う光ビームの強度分布が、光ビー
ムの走査方法に対称な形状となるようにしたことを特徴
とする請求項４の光磁気再生方法。
【請求項７】前記マスク領域における磁性層の温度を
Ｔ_E2、マスク領域を除く高温領域における磁性層の温度
をＴ_E1、室温をＴ_R、第３の磁性層のキュリー温度をＴ
_C3、第１の磁性層の保磁力をＨ_C1、第１の磁性層の膜厚
をｈ₁ 、第１の磁性層の飽和磁化をＭ_S1、第１の磁性層
の保磁力エネルギーをＥ_C1（Ｅ_C1＝２Ｍ_S1Ｈ_C1ｈ₁ ）、
第３の磁性層を介して第１及び第２の磁性層間に働く層
間磁壁エネルギーをσ₁₂、再生磁界の大きさをＨ_r とし
たときに、Ｔ_R ＜Ｔ_E1＜Ｔ_C3＜Ｔ_E2なる関係を有し、室
温Ｔ_R において条件式Ｅ_C1＋２Ｍ_S1Ｈ_r ｈ₁ ＞σ₁₂を満
足し、温度Ｔ_E1において条件式Ｅ_C1＋２Ｍ_S1Ｈ_r ｈ₁ ＜
σ₁₂を満足し、温度Ｔ_E2において条件式Ｈ_C1＜Ｈ_r を満
足することを特徴とする請求項４の光磁気再生方法。