JPH0527175B2 - - Google Patents
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- JPH0527175B2 JPH0527175B2 JP59015507A JP1550784A JPH0527175B2 JP H0527175 B2 JPH0527175 B2 JP H0527175B2 JP 59015507 A JP59015507 A JP 59015507A JP 1550784 A JP1550784 A JP 1550784A JP H0527175 B2 JPH0527175 B2 JP H0527175B2
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- JP
- Japan
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- laser beam
- magneto
- erasing
- optical recording
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、磁気カー効果又は磁気フアラデー効
果を利用して記録再生される光磁気記録媒体に対
して記録するか又は記録を消去するための光磁気
記録又は消去装置に関するものである。
果を利用して記録再生される光磁気記録媒体に対
して記録するか又は記録を消去するための光磁気
記録又は消去装置に関するものである。
（発明の背景）
近年の情報化社会の進展は目覚ましく、それに
伴ない大容量の記録媒体並びに記録再生方式の必
要性が急速に高まつており、既にレーザービデオ
デイスク、デジタルオーデイオデイスク等が実用
化されている。しかしながら、実用化された記録
媒体は書換えが出来ない欠点があり、書換え可能
な記録媒体並びに記録再生方式が望まれている。
そして、書換え可能な記録再生方式の１つとして
光磁気記録再生方式が提案され、試作品も発表さ
れている。この光磁気記録再生方式というのは、
例えばGdCo、GdTbFeのような磁性材料の垂直
磁化膜を主体とする光磁気記録媒体に強力な外部
磁場を印加して、この垂直磁化膜の磁化の向きを
一旦上向きか下向きかのいずれかに揃えておき、
例えば断面半径１ミクロンのレーザービームを照
射して、局部的に垂直磁化膜を磁性材料のキユリ
ー点（Tc）以上又はその近くに加熱し、加熱部
分の保磁力をゼロ又は極めて小さくし、同時に弱
い反転磁場を印加することにより磁化の向きを反
転させ、そして今媒体は高速で移動させているの
でレーザービームの照射位置は刻々と移動し、そ
の結果、長円：〓状のピツトが形成される。ピツ
トの長さは最低でも巾を１ミクロンとすれば２ミ
クロン位になる。
伴ない大容量の記録媒体並びに記録再生方式の必
要性が急速に高まつており、既にレーザービデオ
デイスク、デジタルオーデイオデイスク等が実用
化されている。しかしながら、実用化された記録
媒体は書換えが出来ない欠点があり、書換え可能
な記録媒体並びに記録再生方式が望まれている。
そして、書換え可能な記録再生方式の１つとして
光磁気記録再生方式が提案され、試作品も発表さ
れている。この光磁気記録再生方式というのは、
例えばGdCo、GdTbFeのような磁性材料の垂直
磁化膜を主体とする光磁気記録媒体に強力な外部
磁場を印加して、この垂直磁化膜の磁化の向きを
一旦上向きか下向きかのいずれかに揃えておき、
例えば断面半径１ミクロンのレーザービームを照
射して、局部的に垂直磁化膜を磁性材料のキユリ
ー点（Tc）以上又はその近くに加熱し、加熱部
分の保磁力をゼロ又は極めて小さくし、同時に弱
い反転磁場を印加することにより磁化の向きを反
転させ、そして今媒体は高速で移動させているの
でレーザービームの照射位置は刻々と移動し、そ
の結果、長円：〓状のピツトが形成される。ピツ
トの長さは最低でも巾を１ミクロンとすれば２ミ
クロン位になる。
そして、情報はこのビツトの有無及びピツト長
の形で記録される。
の形で記録される。
他方、記録された情報はビツト部分の磁化の向
きが膜のそれと反対に向いていることから、直線
偏光を照射すると磁化の向き（上又は下）によつ
て反射光又は透過光の偏光面の回転状況が相違す
る現象（磁気カー効果又は磁気フアラデー効果）
を利用して再生される。
きが膜のそれと反対に向いていることから、直線
偏光を照射すると磁化の向き（上又は下）によつ
て反射光又は透過光の偏光面の回転状況が相違す
る現象（磁気カー効果又は磁気フアラデー効果）
を利用して再生される。
つまり、入射光に対して磁化の向きが上向きの
とき、反射光又は透過光の偏光面が入射光の偏光
面に対してθK度回転したとすると、入射光に対し
て磁化の向きが下向きのときは−θK度回転する。
従つて、反射光又は透過光の先に偏光子（アナラ
イザーとも呼ばれる）の主軸を−θK度面にほぼ直
交するように置いておくと、下向きの磁化の部分
からの光アナライザーをほとんど透過せず、上向
きの磁化の部分からの光はsin2θKを乗じた分だけ
透過するので、アナライザーの先にデイテクター
（光電変換素子）を設置しておけば、記録媒体を
高速でスキヤンニングして行くと、記録されたピ
ツトの有無及びピツト長に応じて電流の強弱信号
として再生されることになる。
とき、反射光又は透過光の偏光面が入射光の偏光
面に対してθK度回転したとすると、入射光に対し
て磁化の向きが下向きのときは−θK度回転する。
従つて、反射光又は透過光の先に偏光子（アナラ
イザーとも呼ばれる）の主軸を−θK度面にほぼ直
交するように置いておくと、下向きの磁化の部分
からの光アナライザーをほとんど透過せず、上向
きの磁化の部分からの光はsin2θKを乗じた分だけ
透過するので、アナライザーの先にデイテクター
（光電変換素子）を設置しておけば、記録媒体を
高速でスキヤンニングして行くと、記録されたピ
ツトの有無及びピツト長に応じて電流の強弱信号
として再生されることになる。
そして、記録を消去するには、記録されたピツ
トに対して記録時と同じようにレーザービームを
照射して加熱し、それにより保磁力をゼロ又は極
めて低い値とし、同時に反転磁場を印加すること
により、そのピツトの磁化の向きを元に戻し、そ
の上でレーザービームの照射を止めて、元の磁化
の向きに固定する。これにより、記録されたピツ
トは消去され、その結果記録が消去され、媒体は
記録前の状態に戻る。従つて、再記録が可能にな
るので、上述の如く記録を行なえば書換えが完了
する。
トに対して記録時と同じようにレーザービームを
照射して加熱し、それにより保磁力をゼロ又は極
めて低い値とし、同時に反転磁場を印加すること
により、そのピツトの磁化の向きを元に戻し、そ
の上でレーザービームの照射を止めて、元の磁化
の向きに固定する。これにより、記録されたピツ
トは消去され、その結果記録が消去され、媒体は
記録前の状態に戻る。従つて、再記録が可能にな
るので、上述の如く記録を行なえば書換えが完了
する。
ところで従来の光磁気記録又は消去装置は、レ
ーザービームを同一強度レベルでピツト長に応じ
て或る時間照射してピツトを形成するので、レー
ザービームの強度レベルの変化と形成されるピツ
ト形状との関係を示すと、第１図１，２に示す如
くなる。
ーザービームを同一強度レベルでピツト長に応じ
て或る時間照射してピツトを形成するので、レー
ザービームの強度レベルの変化と形成されるピツ
ト形状との関係を示すと、第１図１，２に示す如
くなる。
他方、θKの大きい磁性材料例えばTbFeCo、
DyFeCo、GdTbFeCoなどはキユリー点（Tc）
が高く、そのため記録及び消去のときに高強度の
レーザービームを必要としている。
DyFeCo、GdTbFeCoなどはキユリー点（Tc）
が高く、そのため記録及び消去のときに高強度の
レーザービームを必要としている。
しかしながら上述のθKが大きくTcの高い磁性
材料は結晶化温度がTcより高いものの比較的接
近しており、そのため加熱され過ぎると、垂直磁
化を示す非晶質状態から垂直磁化を示さない結晶
状態へと転相する傾向が出てくる。そのため、記
録又は消去したつもりでも、完全に反転した磁化
は100％ではなくあり、Ｓ／Ｎ比又は消去精度が
低下する欠点があつた。
材料は結晶化温度がTcより高いものの比較的接
近しており、そのため加熱され過ぎると、垂直磁
化を示す非晶質状態から垂直磁化を示さない結晶
状態へと転相する傾向が出てくる。そのため、記
録又は消去したつもりでも、完全に反転した磁化
は100％ではなくあり、Ｓ／Ｎ比又は消去精度が
低下する欠点があつた。
（発明の目的）
従つて、本発明の目的は、上述の如き欠点を解
決し、Tcの高い磁性材料を用いた記録媒体であ
つても、記録及び消去時に非晶質磁性材料の結晶
化の危険を減少させる光磁気記録又は消去装置を
提供することにある。
決し、Tcの高い磁性材料を用いた記録媒体であ
つても、記録及び消去時に非晶質磁性材料の結晶
化の危険を減少させる光磁気記録又は消去装置を
提供することにある。
（発明の概要）
本発明者は鋭意研究の結果、偶然にも、当初加
熱してその微少部分の磁化の反転に成功したなら
ば、その後はレーザービームの強度を弱めても
（つまり、余り加熱せずとも）反転が将棋倒しの
ように継続し、そのため形成されるピツト部分の
結晶化の危険が軽減されることを見い出し、本発
明を成すに至つた。
熱してその微少部分の磁化の反転に成功したなら
ば、その後はレーザービームの強度を弱めても
（つまり、余り加熱せずとも）反転が将棋倒しの
ように継続し、そのため形成されるピツト部分の
結晶化の危険が軽減されることを見い出し、本発
明を成すに至つた。
何故、磁化の反転に成功したならば、その後は
レーザービームの強度を弱めてもよいのか、その
原因を十分に解明していないが、おそらく、反転
した磁気モーメントからの交換相互作用が外部磁
場と共に隣接の未反転磁気モーメントに作用する
ので、温度が十分に高くなく保磁力が相当に残つ
ている状態でも反転するものと本発明者は考えて
いる。
レーザービームの強度を弱めてもよいのか、その
原因を十分に解明していないが、おそらく、反転
した磁気モーメントからの交換相互作用が外部磁
場と共に隣接の未反転磁気モーメントに作用する
ので、温度が十分に高くなく保磁力が相当に残つ
ている状態でも反転するものと本発明者は考えて
いる。
従つて、本発明は、光磁気記録又は消去装置に
於いて、レーザービームの強度を磁化の反転が開
始されたならばその後は下げて磁化の反転を継続
させることにより必要なピツトを形成又は消去す
ることを特徴とする光磁気記録又は消去装置を提
供する。
於いて、レーザービームの強度を磁化の反転が開
始されたならばその後は下げて磁化の反転を継続
させることにより必要なピツトを形成又は消去す
ることを特徴とする光磁気記録又は消去装置を提
供する。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定される訳ではない。
明はこれらの実施例に限定される訳ではない。
（実施例 １）
第２図は、本実施例の光磁気記録又は消去装置
の全体的な構成を示す概略図である。図中１は光
源の駆動回路、２はレーザーダイオード光源、３
はコリーメータレンズ、４はビームスプリツタ
ー、５は対物レンズ、６はデイスク状の記録媒体
（Disk）を回転させるためのスピンドルモータ
ー、７は集光レンズ、８はアナライザー、９はデ
イテクターである。記録及び消去のためだけなら
ば７，８，９は不用であるが、多くの場合再生も
同じ装置で兼用させるので、ここでは再生兼用型
の装置で説明する。（Disk）は本発明の構成要件
には含まれないデイスク状の記録媒体である。
の全体的な構成を示す概略図である。図中１は光
源の駆動回路、２はレーザーダイオード光源、３
はコリーメータレンズ、４はビームスプリツタ
ー、５は対物レンズ、６はデイスク状の記録媒体
（Disk）を回転させるためのスピンドルモータ
ー、７は集光レンズ、８はアナライザー、９はデ
イテクターである。記録及び消去のためだけなら
ば７，８，９は不用であるが、多くの場合再生も
同じ装置で兼用させるので、ここでは再生兼用型
の装置で説明する。（Disk）は本発明の構成要件
には含まれないデイスク状の記録媒体である。
第３図は第２図に示す駆動回路１の更詳しい内
容を示すブロツ図であり、図中に示す記号（∇−
〓）はレーザーダイオード光源２を表わす。
容を示すブロツ図であり、図中に示す記号（∇−
〓）はレーザーダイオード光源２を表わす。
本実施例の装置を用い、GdTbFeCo系垂直磁
化膜を記録層とする光磁気記録媒体（デイスク
状）を等速線速度13.2ｍ／秒で回転させながら、
この媒体にレーザービームを照射しながら、
300Oeの外部磁場を印加して、今010101…の情報
を記録した。
化膜を記録層とする光磁気記録媒体（デイスク
状）を等速線速度13.2ｍ／秒で回転させながら、
この媒体にレーザービームを照射しながら、
300Oeの外部磁場を印加して、今010101…の情報
を記録した。
そのため、レーザービームの強度を第４図１の
如く変化させた。第４図１において、記録時レー
ザービーム初期強度Pw＝15.6mW、記録時に低
下させたレーザービーム強度PL＝8.3mW、記録
時パルス巾tw＝５×10-7秒、非記録時パルス間
隔tJ＝５×10-7秒、記録時の初期レーザービーム
強度照射時間tp＝２×10-7秒である。
如く変化させた。第４図１において、記録時レー
ザービーム初期強度Pw＝15.6mW、記録時に低
下させたレーザービーム強度PL＝8.3mW、記録
時パルス巾tw＝５×10-7秒、非記録時パルス間
隔tJ＝５×10-7秒、記録時の初期レーザービーム
強度照射時間tp＝２×10-7秒である。
（実施例 ２）
装置の構成は実施例１（第２図）とほぼ同じで
あるが、ここでは（Disk）からの反射光を集光
レンズ７で集めてデイテクター９で受光して、変
換される電気信号をフオーカシング及びトラツキ
ング用の信号として利用する例について説明す
る。
あるが、ここでは（Disk）からの反射光を集光
レンズ７で集めてデイテクター９で受光して、変
換される電気信号をフオーカシング及びトラツキ
ング用の信号として利用する例について説明す
る。
フオーカシング及びトラツキング用の信号は、
トラツキング中原則として常時必要であり、その
ためピツトの記録時又は消去時以外もレーザービ
ームを照射する必要がある。しかしながら、レー
ザービームの強度は記録又は消去に必要なほどに
高くする必要はない。
トラツキング中原則として常時必要であり、その
ためピツトの記録時又は消去時以外もレーザービ
ームを照射する必要がある。しかしながら、レー
ザービームの強度は記録又は消去に必要なほどに
高くする必要はない。
従つて、ここではレーザービームの強度を第５
図の如く変化させ、ピツトの形成を行なうと同時
に形成時以外も低強度（PDCのビームを照射し続
け、その反射光をフオーカシング及びトラツキン
グ用信号として利用する。
図の如く変化させ、ピツトの形成を行なうと同時
に形成時以外も低強度（PDCのビームを照射し続
け、その反射光をフオーカシング及びトラツキン
グ用信号として利用する。
一方、消去装置は原理的には反転させる外部磁
場の方向が異なるだけで記録装置と同じである
が、ある一定範囲内の記録を消去しようとする場
合、形成されたピツトだけを捨つて消去するのは
面倒なので、その範囲内ではピツトの有無にかか
わらず、第６図１に示すようにレーザービームを
まず消去強度PEレベルで照射した後、反転が開
始されたならば、本発明に従いPLレベルに下げ
て照射し続け反転を継続させて行き、消去を完了
させる。この場合、PLレベルで照射し続けたと
き、反転が継続するか否か信頼性に欠けるときに
は、第６図２に示すように時々レーザーの照射強
度を元の消去強度PEレベルまで戻してもよい。
場の方向が異なるだけで記録装置と同じである
が、ある一定範囲内の記録を消去しようとする場
合、形成されたピツトだけを捨つて消去するのは
面倒なので、その範囲内ではピツトの有無にかか
わらず、第６図１に示すようにレーザービームを
まず消去強度PEレベルで照射した後、反転が開
始されたならば、本発明に従いPLレベルに下げ
て照射し続け反転を継続させて行き、消去を完了
させる。この場合、PLレベルで照射し続けたと
き、反転が継続するか否か信頼性に欠けるときに
は、第６図２に示すように時々レーザーの照射強
度を元の消去強度PEレベルまで戻してもよい。
（発明の効果）
本発明によれば、記録（ピツト形成）時に高強
度（Pw）のレーザービームに媒体がさらされる
時間が短かくなるので、それだけ媒体の非晶質垂
直磁化膜が結晶化する危険が減少し、その結果再
生の際のＳ／Ｎ比の低下が避けられ、また媒体の
記録・消去の繰り返しによる媒体寿命の短縮が避
けられる。
度（Pw）のレーザービームに媒体がさらされる
時間が短かくなるので、それだけ媒体の非晶質垂
直磁化膜が結晶化する危険が減少し、その結果再
生の際のＳ／Ｎ比の低下が避けられ、また媒体の
記録・消去の繰り返しによる媒体寿命の短縮が避
けられる。
そのほか、本発明によれば記録又は消去時に必
要な高いレーザービーム強度は短時間でよいの
で、安価な低パワーの半導体レーザー光源（一時
的ならば高強度のビームを出せるので）を使用で
き、従つて装置が安価に作製できる。
要な高いレーザービーム強度は短時間でよいの
で、安価な低パワーの半導体レーザー光源（一時
的ならば高強度のビームを出せるので）を使用で
き、従つて装置が安価に作製できる。
第１図は、レーザービームの照射強度の変化を
示すグラフであり、同２はレーザービームの照射
によつて記録媒体上に形成されるピツトの平面図
である。（従来例）。第２図は、本発明の実施例１
にかかる光磁気記録又は消去装置の全体的構成を
示す概略図である。第３図は、第２図中の駆動回
路１の更に詳しい内容を示すブロツク図である。
第４図１は、実施例１の装置でのレーザービーム
の照射強度の変化を示すグラフであり、同２は照
射によつて記録媒体上に形成されるピツトの平面
図であり、同３は対応する０，１情報を示す数列
である。第５図１は、実施例２の装置でのレーザ
ービームの照射強度の変化を示すグラフであり、
同２は照射によつて記録媒体上に形成されるピツ
トの平面図であり、同３は対応する０，１情報を
示す数列である。第６図１，２は消去時のレーザ
ービームの照射強度の経時変化を示すグラフであ
る。
示すグラフであり、同２はレーザービームの照射
によつて記録媒体上に形成されるピツトの平面図
である。（従来例）。第２図は、本発明の実施例１
にかかる光磁気記録又は消去装置の全体的構成を
示す概略図である。第３図は、第２図中の駆動回
路１の更に詳しい内容を示すブロツク図である。
第４図１は、実施例１の装置でのレーザービーム
の照射強度の変化を示すグラフであり、同２は照
射によつて記録媒体上に形成されるピツトの平面
図であり、同３は対応する０，１情報を示す数列
である。第５図１は、実施例２の装置でのレーザ
ービームの照射強度の変化を示すグラフであり、
同２は照射によつて記録媒体上に形成されるピツ
トの平面図であり、同３は対応する０，１情報を
示す数列である。第６図１，２は消去時のレーザ
ービームの照射強度の経時変化を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 遷移金属−重希土類合金の非晶質磁性体薄膜
からなる垂直磁気異方性を有する記録層をもつ光
磁気記録媒体に対し、レーザービームを照射して
該媒体を局部的に加熱して、加熱部分の保磁力を
低下させ、同時に反転磁場を印加して、加熱部分
の磁化の向きを反転させることによりピツトを形
成又は消去する光磁気記録又は消去装置に於い
て、該レーザービームの強度を磁化の反転が開始
されたならば、その後は下げて磁化の反転を継続
させることによりピツトを形成又は消去すること
を特徴とする光磁気記録又は消去装置。 ２ 前記レーザービームを、フオーカシング又は
トラツキング信号を得るために、記録又は消去時
以外にも低強度で、前記媒体に照射し続けること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気
記録又は消去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550784A JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550784A JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60162768A JPS60162768A (ja) | 1985-08-24 |
| JPH0527175B2 true JPH0527175B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=11890716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1550784A Granted JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60162768A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2579746B2 (ja) * | 1984-11-29 | 1997-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録装置 |
| JP2579965B2 (ja) * | 1987-11-02 | 1997-02-12 | 富士通株式会社 | 光磁気記録方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139693A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-31 | Fujitsu Ltd | Write system for optical recording medium |
| JPS5760696A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave discharge light source |
| JPS57200912A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Information recording system |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1550784A patent/JPS60162768A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139693A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-31 | Fujitsu Ltd | Write system for optical recording medium |
| JPS5760696A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave discharge light source |
| JPS57200912A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Information recording system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60162768A (ja) | 1985-08-24 |
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