JPS60162768A - 光磁気記録又は消去装置 - Google Patents
光磁気記録又は消去装置Info
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- JPS60162768A JPS60162768A JP1550784A JP1550784A JPS60162768A JP S60162768 A JPS60162768 A JP S60162768A JP 1550784 A JP1550784 A JP 1550784A JP 1550784 A JP1550784 A JP 1550784A JP S60162768 A JPS60162768 A JP S60162768A
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- JP
- Japan
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- film
- carbide
- metal
- thin film
- thin
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は基板上に形成された金属薄膜の保護に関する。
（発明の背景）
金属薄膜例えばＡＣＡｇ、Ｆｅ、Ｔｂ、Ｇｄ等は特に１
０μ以下の薄膜とした場合に大気中の酸素、水、硫化物
等により変質され易く、そのため本来の特性例えば反射
率、光沢（鏡面）などが摘なわれ易い。
０μ以下の薄膜とした場合に大気中の酸素、水、硫化物
等により変質され易く、そのため本来の特性例えば反射
率、光沢（鏡面）などが摘なわれ易い。
そのため、金属薄膜の表面を５ＳＯ２薄膜で被覆するこ
とにより保護することが提案されたが、本発明者らの実
験によれば５ｉ０２薄膜では十分でないことが判明した
。
とにより保護することが提案されたが、本発明者らの実
験によれば５ｉ０２薄膜では十分でないことが判明した
。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、このように変質し易いＩＩ厚
ｌＯμ以下の金属薄膜の表面を十分に保護することにあ
る。
ｌＯμ以下の金属薄膜の表面を十分に保護することにあ
る。
（発明の概要）
本発明者らは、鋭意研究の結果、偶然にも金属炭化物薄
膜が金属薄膜の表面保護に著効があることを見い出し、
本発明を成すに至った。
膜が金属薄膜の表面保護に著効があることを見い出し、
本発明を成すに至った。
即ち、本発明は、基板例えばガラス、セラミック、プラ
スチック、異種金属の上に形成された膜厚１０μ以下実
用上は０．０５〜２μの金属薄膜を金属炭化物薄膜で表
面保護したことを特徴とする特許薄膜を提供する。
スチック、異種金属の上に形成された膜厚１０μ以下実
用上は０．０５〜２μの金属薄膜を金属炭化物薄膜で表
面保護したことを特徴とする特許薄膜を提供する。
本発明によって有効に保護される金属薄膜はとくに変質
を受け易い金属のそれであり、そのような金属としては
例えばＡ ｌ＋ Ａ ｇ＋ Ｆ ｅ、 Ｔ ｂ。
を受け易い金属のそれであり、そのような金属としては
例えばＡ ｌ＋ Ａ ｇ＋ Ｆ ｅ、 Ｔ ｂ。
Ｇｄ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｂｉ、ＴｂＦｅ。
ＧｄＴｂＦｅ、ＭｎＢ１などである。
また金属炭化物としては例えばＷ、Ｍｏ、 Ｔａ。
Ｓｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｎｉなどの炭化物が挙
げられる。
げられる。
これらの金属炭化物による保護膜は、厚ければ厚いほど
有効であるが、一般には１００人〜１μ特に５００人〜
０．５μもあれば十分である。
有効であるが、一般には１００人〜１μ特に５００人〜
０．５μもあれば十分である。
従って、金属炭化物保護膜の形成は、蒸着源又はターゲ
ットとして金属炭化物の塊又は粉末焼結物を用いて真空
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリングなどの真
空薄膜形成技術を利用することが好ましい。そのほか、
場合によっては、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｓ＋１ｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）を利用することも
可能である。
ットとして金属炭化物の塊又は粉末焼結物を用いて真空
蒸着、イオンブレーティング、スパッタリングなどの真
空薄膜形成技術を利用することが好ましい。そのほか、
場合によっては、ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｓ＋１ｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）を利用することも
可能である。
更に必要に応じて金属炭化物保護膜の上に他の保護膜例
えばＳｉｎ、５ｔｏ２．Ａｌ２２０３゜ＺｒＯ２，Ｔｉ
Ｏ２，ＨｆＯ２，Ｔａ２ ０５゜Ｙ２０３ 、ＭｇＦ２
、Ｓ ｉ３ Ｎ４ 、ＡＩＮなどの酸化物フッ化物又
は窒化物、を積層してもよい。
えばＳｉｎ、５ｔｏ２．Ａｌ２２０３゜ＺｒＯ２，Ｔｉ
Ｏ２，ＨｆＯ２，Ｔａ２ ０５゜Ｙ２０３ 、ＭｇＦ２
、Ｓ ｉ３ Ｎ４ 、ＡＩＮなどの酸化物フッ化物又
は窒化物、を積層してもよい。
本発明は、１０μ以下の金属薄膜が使用される例えばミ
ラー、記録型光ディスク、レーザーディスク、フロッピ
ーディスク、メタル蒸着カード等に有用である。
ラー、記録型光ディスク、レーザーディスク、フロッピ
ーディスク、メタル蒸着カード等に有用である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。
明はこれに限定されるものではない。
（実施例）
ガラス基板の上に真空度２ｘ ｌ Ｑ Ｔｏｒｒ、蒸着
速度２人／秒の条件で電子ビーム加熱による真空蒸着法
で１０００人のアルミニウム薄膜を形成した。
速度２人／秒の条件で電子ビーム加熱による真空蒸着法
で１０００人のアルミニウム薄膜を形成した。
次にＳｉＣをターゲットとして、Ａｒガス圧５ｘ ｌ
Ｑ Ｔｏｒｒ、形成速度２人／秒の条件でスパッタリン
グを行い、アルミニウム薄膜の上に膜厚６００人の５ｉ
Ｏ１２薄膜を形成した。
Ｑ Ｔｏｒｒ、形成速度２人／秒の条件でスパッタリン
グを行い、アルミニウム薄膜の上に膜厚６００人の５ｉ
Ｏ１２薄膜を形成した。
比較のために、同様のアルミニウム薄膜の上に、真空度
２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０人／秒の条
件で１０００人のＳ ｉ ０２薄膜を蒸着形成した。
２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０人／秒の条
件で１０００人のＳ ｉ ０２薄膜を蒸着形成した。
更に比較のために、同様のアルミニウム薄膜の上に、Ａ
Ｊをターゲットとして、Ｎ２／Ａｒ＝１／１０（圧力比
）の混合ガス圧５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ。
Ｊをターゲットとして、Ｎ２／Ａｒ＝１／１０（圧力比
）の混合ガス圧５ Ｘ １０−” Ｔｏｒｒ。
形成速度１人／秒の条件で反応性スパッタリングにより
膜厚６００人の／ＩＮ薄膜を形成した。
膜厚６００人の／ＩＮ薄膜を形成した。
次に上述の如く表面保護された金属薄膜について各保護
膜の表面硬度を調べたところＳｉＣが最も硬く、その後
６０℃８０％の恒温恒室試験槽内入れて１週間放置した
。試験槽内から取り出した金属薄膜をガラス基板側から
肉眼観察した結果を次に第１表 ＊金ｊｉＡｊ＋が酸化アルミニウム又は水酸化アルミニ
ウムに変質したものと推定される。
膜の表面硬度を調べたところＳｉＣが最も硬く、その後
６０℃８０％の恒温恒室試験槽内入れて１週間放置した
。試験槽内から取り出した金属薄膜をガラス基板側から
肉眼観察した結果を次に第１表 ＊金ｊｉＡｊ＋が酸化アルミニウム又は水酸化アルミニ
ウムに変質したものと推定される。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば金属薄膜が良好に表面保護
されて変質しにくくなり、また表面硬度も金属薄膜自身
より向上するので耐擦傷性や耐摩耗性も向上し、この点
からも表面保護されることになる。
されて変質しにくくなり、また表面硬度も金属薄膜自身
より向上するので耐擦傷性や耐摩耗性も向上し、この点
からも表面保護されることになる。
出願人 日本光学工業株式会社
代理人 渡辺隆男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された膜厚１０μ以下の金属薄膜を金
属炭化物ｌ！膜で被覆すること比より表面保護したこと
を特徴とする金属薄膜。 ２ 前記金属炭化物がＷ Ｌ Ｍ ’Ｏ＋ Ｔ ａ ＋
Ｓ ｓ ＊Ｔｉ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｈｆ又はＮｉの炭化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金
属Ｎｉ膜。 ３ 前記金属炭化物薄膜がｉｏｏ′人〜ｉμの膜厚を有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属
薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550784A JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550784A JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60162768A true JPS60162768A (ja) | 1985-08-24 |
| JPH0527175B2 JPH0527175B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=11890716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1550784A Granted JPS60162768A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 光磁気記録又は消去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60162768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131258A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録装置 |
| JPH01119942A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139693A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-31 | Fujitsu Ltd | Write system for optical recording medium |
| JPS5760696A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave discharge light source |
| JPS57200912A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Information recording system |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1550784A patent/JPS60162768A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55139693A (en) * | 1979-04-17 | 1980-10-31 | Fujitsu Ltd | Write system for optical recording medium |
| JPS5760696A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave discharge light source |
| JPS57200912A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-09 | Pioneer Electronic Corp | Information recording system |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61131258A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録装置 |
| JPH01119942A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0527175B2 (ja) | 1993-04-20 |
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