JP2807470B2 - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JP2807470B2 JP2807470B2 JP63208623A JP20862388A JP2807470B2 JP 2807470 B2 JP2807470 B2 JP 2807470B2 JP 63208623 A JP63208623 A JP 63208623A JP 20862388 A JP20862388 A JP 20862388A JP 2807470 B2 JP2807470 B2 JP 2807470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- optical memory
- pit
- film
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光により情報を記録、再生、または消去を
行う光メモリ素子に関するものである。
行う光メモリ素子に関するものである。
近年、このような光メモリ素子は、持ち運びができる
高密度大容量メモリ媒体として注目されている。この光
メモリ素子は情報の記録、再生、または消去を行う手段
として、半導体レーザ等の光が利用される。上記の半導
体レーザや、この半導体レーザの光を集光してメモリ媒
体としての光メモリ素子に照射するためのレンズ系や、
メモリ媒体からの返り光量を検出する光検出器などから
成る光学素子（光ピックアップ）は、光メモリ素子に対
して２次元的に高速に移動させる必要があるので、メモ
リ媒体の必要な位置に該光学素子を高精度に位置ぎめす
るうえにおいて甚だ困難を伴う。
高密度大容量メモリ媒体として注目されている。この光
メモリ素子は情報の記録、再生、または消去を行う手段
として、半導体レーザ等の光が利用される。上記の半導
体レーザや、この半導体レーザの光を集光してメモリ媒
体としての光メモリ素子に照射するためのレンズ系や、
メモリ媒体からの返り光量を検出する光検出器などから
成る光学素子（光ピックアップ）は、光メモリ素子に対
して２次元的に高速に移動させる必要があるので、メモ
リ媒体の必要な位置に該光学素子を高精度に位置ぎめす
るうえにおいて甚だ困難を伴う。
そこで、上記の光メモリ素子を円板状に形成し、この
光メモリ素子自体を回転させながら、上記光学素子を光
メモリ素子の半径方向に１次元的に移動させることによ
り、光メモリ素子である円板面上において情報を記録・
再生または消去させるように構成しているのが通例であ
る。
光メモリ素子自体を回転させながら、上記光学素子を光
メモリ素子の半径方向に１次元的に移動させることによ
り、光メモリ素子である円板面上において情報を記録・
再生または消去させるように構成しているのが通例であ
る。
このような円板形をなす光メモリ素子は、一般には第
６図に断面一部拡大図として示すように、基板９の一方
の片面に、集光した光ビームを案内するための多数の案
内溝10…が設けられ、これら案内溝10…の形成されてい
る基板面上に記録膜11が設けられている。そして、基板
９の他方の片面から、対物レンズ13で集光された半導体
レーザ光12を記録溝部14…に照射して、情報の記録、再
生または消去をなし得るように構成されている。
６図に断面一部拡大図として示すように、基板９の一方
の片面に、集光した光ビームを案内するための多数の案
内溝10…が設けられ、これら案内溝10…の形成されてい
る基板面上に記録膜11が設けられている。そして、基板
９の他方の片面から、対物レンズ13で集光された半導体
レーザ光12を記録溝部14…に照射して、情報の記録、再
生または消去をなし得るように構成されている。
上記のように、基板９に多数の案内溝10…が設けられ
ているのは、集光した光ビームの位置制御を正確に行う
ためであり、所定の位置に情報を記録したり、記録され
ている情報を所定の位置から再生したりするためのもの
である、そのため、第７図に示すように記録溝部14…を
一部ピット状15…に断続し、該ピット15…の長さまたは
位置で記録溝の番地（アドレス）を指定することが一般
であった。換言すれば、透明基板に凹凸で案内溝やアド
レスピットを作り、記録膜はその基板上に連続して設け
られるのが通例であった。
ているのは、集光した光ビームの位置制御を正確に行う
ためであり、所定の位置に情報を記録したり、記録され
ている情報を所定の位置から再生したりするためのもの
である、そのため、第７図に示すように記録溝部14…を
一部ピット状15…に断続し、該ピット15…の長さまたは
位置で記録溝の番地（アドレス）を指定することが一般
であった。換言すれば、透明基板に凹凸で案内溝やアド
レスピットを作り、記録膜はその基板上に連続して設け
られるのが通例であった。
ところが、このような光メモリ素子においては、記録
に用いる半導体レーザのパワーがあらかじめ予想してい
た値よりも大きい時（実際の光メモリ装置では、装置間
の記録パワーのばらつきにより、或る装置で記録する場
合と他の装置で記録する場合では、記録パワーが異なる
ことがしばしば生じる。）、記録溝11上の記録膜に記録
された記録ピット16が、第８図に示すように、隣の案内
溝10…上の記録膜にも広がり、隣接記録溝に記録された
信号を光ビームが再生しようとする時、本来再生されな
いはずの信号が紛れこみクロストークが生じる。
に用いる半導体レーザのパワーがあらかじめ予想してい
た値よりも大きい時（実際の光メモリ装置では、装置間
の記録パワーのばらつきにより、或る装置で記録する場
合と他の装置で記録する場合では、記録パワーが異なる
ことがしばしば生じる。）、記録溝11上の記録膜に記録
された記録ピット16が、第８図に示すように、隣の案内
溝10…上の記録膜にも広がり、隣接記録溝に記録された
信号を光ビームが再生しようとする時、本来再生されな
いはずの信号が紛れこみクロストークが生じる。
また、記録溝方向でも同様のことがいえる。即ち、記
録パワーの変動により記録ビットの大きさが記録溝方向
にばらつき、信号の品質が劣化することがある。
録パワーの変動により記録ビットの大きさが記録溝方向
にばらつき、信号の品質が劣化することがある。
本発明に係る光メモリ素子は、上記の問題点を解決す
るために、記録ビットと同じ大きさのピットがそれ以外
の部分により囲まれて形成された基板と、基板上に形成
され情報を記録する記録層と、記録層を上下から挟む窒
素化合物層と、を有し、ピット内部に形成された記録層
は、ピットの側壁においてピット外部の記録層と分断さ
れてなることを特徴している。
るために、記録ビットと同じ大きさのピットがそれ以外
の部分により囲まれて形成された基板と、基板上に形成
され情報を記録する記録層と、記録層を上下から挟む窒
素化合物層と、を有し、ピット内部に形成された記録層
は、ピットの側壁においてピット外部の記録層と分断さ
れてなることを特徴している。
上記の構成をなす光メモリ素子を用いることにより、
記録装置間の記録パワーのばらつきによる記録ビットの
記録溝からのはみだしや、記録溝上に並んだ記録ビット
の不揃いがなくなり、クロストークを低減できると共に
信号品質が向上する。
記録装置間の記録パワーのばらつきによる記録ビットの
記録溝からのはみだしや、記録溝上に並んだ記録ビット
の不揃いがなくなり、クロストークを低減できると共に
信号品質が向上する。
本発明の実施例を図に基づいて説明すれば、以下の通
りである。
りである。
ここでは、光メモリ素子の例として、光磁気メモリ素
子を取り上げている。光磁気メモリ素子は、第１図
（ｂ）に断面一部拡大図として示すように、ガラス等の
透明基板１における一方の片面に、第１図（ａ）に示す
ような記録ビットと同じ大きさのピット２…が設けられ
ており、該ピット２…の深さよりも薄い磁性膜を含む記
録膜３…が透明基板上１に形成されている。この構成に
おいて該磁性膜３…は記録ビット部分（即ちピット部分
２…）とそれ以外の部分とで分断されている。こうする
ことにより、ピット部分に記録されたビットは、ピット
部分以外にはみ出すことがなく、クロストークもなく信
号品質も改善される。即ち通常は、光記録に用いる半導
体レーザ光を対物レンズで集光すると、光の強度分布
は、第２図に示すような、ガウス分布に近い分布とな
る。このような強度分布をした光を記録膜に照射する
と、記録膜は一時的に光の強度分布に近い強度分布（例
えば、第３図（ａ）のような分布）となり、時間が経過
すると、記録膜の伝熱により第３図（ｂ）のように、よ
り広がった分布となる。ところが、本発明の光メモリ素
子を用いると、記録膜がピット部分で途切れているた
め、上記の様にピットの壁が障壁となって熱がピット外
に広まりにくく、例えば第４図（ａ）のような強度分布
の光を照射しても、同図（ｂ）のようにピットの周辺で
不連続な温度分布が得られ、図中Ｂで示す温度以上に上
がらないと記録出来ない記録膜の場合、記録領域（即ち
記録ビット部分）は、ピット２外に広がらない。
子を取り上げている。光磁気メモリ素子は、第１図
（ｂ）に断面一部拡大図として示すように、ガラス等の
透明基板１における一方の片面に、第１図（ａ）に示す
ような記録ビットと同じ大きさのピット２…が設けられ
ており、該ピット２…の深さよりも薄い磁性膜を含む記
録膜３…が透明基板上１に形成されている。この構成に
おいて該磁性膜３…は記録ビット部分（即ちピット部分
２…）とそれ以外の部分とで分断されている。こうする
ことにより、ピット部分に記録されたビットは、ピット
部分以外にはみ出すことがなく、クロストークもなく信
号品質も改善される。即ち通常は、光記録に用いる半導
体レーザ光を対物レンズで集光すると、光の強度分布
は、第２図に示すような、ガウス分布に近い分布とな
る。このような強度分布をした光を記録膜に照射する
と、記録膜は一時的に光の強度分布に近い強度分布（例
えば、第３図（ａ）のような分布）となり、時間が経過
すると、記録膜の伝熱により第３図（ｂ）のように、よ
り広がった分布となる。ところが、本発明の光メモリ素
子を用いると、記録膜がピット部分で途切れているた
め、上記の様にピットの壁が障壁となって熱がピット外
に広まりにくく、例えば第４図（ａ）のような強度分布
の光を照射しても、同図（ｂ）のようにピットの周辺で
不連続な温度分布が得られ、図中Ｂで示す温度以上に上
がらないと記録出来ない記録膜の場合、記録領域（即ち
記録ビット部分）は、ピット２外に広がらない。
本発明は、上記説明のように、集光した光により記録
膜の温度をあるスレッショルドより上昇させて記録する
場合に有用であり、光磁気記録や結晶、非結晶等のあい
だの相転移を利用する記録において利用できる。
膜の温度をあるスレッショルドより上昇させて記録する
場合に有用であり、光磁気記録や結晶、非結晶等のあい
だの相転移を利用する記録において利用できる。
第１図に示した記録膜は、第５図に断面一部拡大図と
して示すように、透明基板４の上に、SiN等の第一窒素
化合物５、GdTbFe,TbFeCo,CdNdFe等の磁性膜６、SiN等
の第二窒素化合物７、Al,Ta,Ti等の反射膜８からなる４
層膜構造を用いると磁性膜を薄くでき、基板に掘り込む
ピットの深さを浅くでき特に有効である。例えば該４層
膜構造においては磁性膜は150〜300Å程度が好ましく、
その時深さは300Å以上あれば良いことになる。
して示すように、透明基板４の上に、SiN等の第一窒素
化合物５、GdTbFe,TbFeCo,CdNdFe等の磁性膜６、SiN等
の第二窒素化合物７、Al,Ta,Ti等の反射膜８からなる４
層膜構造を用いると磁性膜を薄くでき、基板に掘り込む
ピットの深さを浅くでき特に有効である。例えば該４層
膜構造においては磁性膜は150〜300Å程度が好ましく、
その時深さは300Å以上あれば良いことになる。
本発明のようなピット付き基板を得るためには、特開
昭59−210547のような、エッチング方式が有効である。
特に反応性イオンエッチングのような異方性エッチング
を行うと、ピットの端面が基板面にほぼ直角となり好都
合である。
昭59−210547のような、エッチング方式が有効である。
特に反応性イオンエッチングのような異方性エッチング
を行うと、ピットの端面が基板面にほぼ直角となり好都
合である。
本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、ピット
内部の記録膜とピット外部の記録膜をピットの側壁で分
断しているため、光照射により発生する熱が記録膜を介
して記録ビットのピット外部へ広がって記録ビットに不
揃いが生じることを確実に抑制することができる。ま
た、記録膜を上下方向から挟む窒素化合物を有している
ため、その窒素化合物により熱が上下方向に伝わること
を抑制でき、基板等を介した熱の広がりに起因する記録
ビットの不揃いを抑制できる。
内部の記録膜とピット外部の記録膜をピットの側壁で分
断しているため、光照射により発生する熱が記録膜を介
して記録ビットのピット外部へ広がって記録ビットに不
揃いが生じることを確実に抑制することができる。ま
た、記録膜を上下方向から挟む窒素化合物を有している
ため、その窒素化合物により熱が上下方向に伝わること
を抑制でき、基板等を介した熱の広がりに起因する記録
ビットの不揃いを抑制できる。
第１図は本発明の光メモリ素子の実施例を示す断面一部
拡大図、第２図はレーザ光の強度分布を、第３図は記録
膜の温度分布、第４図は本発明の効果を示す図、第５図
は本発明に用いる光磁気膜の一構成図、第６図は従来の
光メモリ素子の断面一部拡大図、第７図は記録溝部とピ
ットによるアドレス情報部とを示す概略図、第８図は従
来の光メモリ素子において記録レーザパワーが大きす
ぎ、記録膜部が高温になり記録ビットが案内溝部にはみ
出したことを示す概念図である。 図中 １、４、9:透明基板、2:ピット部、3:磁性膜、５、7:透
明窒素化合物誘電体層、6:光磁気用垂直磁化膜、8:反射
膜、10:案内溝、11:記録膜、13:対物レンズ、12:レーザ
光、14:記録溝部、15:ピット状をしたアドレス部、16:
案内溝にはみ出した記録ビットを示している。
拡大図、第２図はレーザ光の強度分布を、第３図は記録
膜の温度分布、第４図は本発明の効果を示す図、第５図
は本発明に用いる光磁気膜の一構成図、第６図は従来の
光メモリ素子の断面一部拡大図、第７図は記録溝部とピ
ットによるアドレス情報部とを示す概略図、第８図は従
来の光メモリ素子において記録レーザパワーが大きす
ぎ、記録膜部が高温になり記録ビットが案内溝部にはみ
出したことを示す概念図である。 図中 １、４、9:透明基板、2:ピット部、3:磁性膜、５、7:透
明窒素化合物誘電体層、6:光磁気用垂直磁化膜、8:反射
膜、10:案内溝、11:記録膜、13:対物レンズ、12:レーザ
光、14:記録溝部、15:ピット状をしたアドレス部、16:
案内溝にはみ出した記録ビットを示している。
フロントページの続き (72)発明者 片山 博之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−122031（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−62452（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−140443（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】記録ビットと同じ大きさのピットがそれ以
外の部分により囲まれて形成された基板と、前記基板上
に形成され情報を記録する記録層と、該記録層を上下か
ら挟む窒素化合物層と、を有し、 前記ピット内部に形成された記録層は、前記ピットの側
壁において前記ピット外部の記録層と分断されてなるこ
とを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208623A JP2807470B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 光メモリ素子 |
| US07/394,750 US5170390A (en) | 1988-08-22 | 1989-08-16 | Optical recording element and driving system |
| CA000608722A CA1333093C (en) | 1988-08-22 | 1989-08-18 | Optical recording element and driving system |
| DE68919455T DE68919455T2 (de) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Optischer Aufzeichnungsträger und Antriebssystem. |
| DE68929228T DE68929228T2 (de) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Vorrichtung und Verfahren zur Aufzeichnung von Information auf einem optischen Aufzeichnungsträger |
| EP94200630A EP0603171B1 (en) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Apparatus and method for recording information on an optical recording medium |
| KR1019890011951A KR920010000B1 (ko) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | 광 메모리소자 |
| EP89308499A EP0356201B1 (en) | 1988-08-22 | 1989-08-22 | Optical recording element and driving system |
| US07/821,361 US5335220A (en) | 1988-08-22 | 1992-01-16 | Optical recording element and driving system |
| KR1019920015623A KR920010018B1 (ko) | 1988-08-22 | 1992-08-29 | 광메모리 소자의 구동장치 |
| US08/219,253 US5459711A (en) | 1988-08-22 | 1994-03-29 | Optical recording element and driving system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208623A JP2807470B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256748A JPH0256748A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2807470B2 true JP2807470B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=16559293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208623A Expired - Lifetime JP2807470B2 (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2807470B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0974961B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US6665235B2 (en) | 1992-11-06 | 2003-12-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862452U (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-27 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPS61140443U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-30 | ||
| JP2515761B2 (ja) * | 1986-11-12 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP63208623A patent/JP2807470B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256748A (ja) | 1990-02-26 |
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Legal Events
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