JP2506138B2 - 光メモリ素子 - Google Patents

光メモリ素子

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JP2506138B2
JP2506138B2 JP62332646A JP33264687A JP2506138B2 JP 2506138 B2 JP2506138 B2 JP 2506138B2 JP 62332646 A JP62332646 A JP 62332646A JP 33264687 A JP33264687 A JP 33264687A JP 2506138 B2 JP2506138 B2 JP 2506138B2
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博之 片山
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哲也 乾
賢司 太田
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    • G11B7/08Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去のうちの
少なくとも一つを行うことのできる光ディスクや光カー
ド等に用いられる光メモリ素子に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に、高密度記録ができる光メモリ素子は、1μm
程度の記録トラック幅を有しているため、細く絞り込ま
れたレーザ光で記録または再生を行う場合には、レーザ
光が記録トラックから外れて他の記録トラックにデータ
が記録されないようにする必要がある。そのためには、
非常に精密な光学系を用いるか、若しくは何らかのガイ
ドトラックを設けたサーボシステムが必要となる。
従来のガイドトラックとしては、 (1) 記録トラック自体を利用したもの、 (2) 第3図に示すように、基板10に積層された記録
層11における記録トラックの記録面に、あらかじめガイ
ドトラック12としての溝が形成されているもの、 (3) 基板上に形成された磁性体薄膜の上部に帯状の
反射膜を形成し、この反射膜のない非形成部位をガイド
トラックとしたもの(特開昭57−183647号公報参照)、 などが知られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上記した従来のガイドトラックでは、
それぞれ次のような問題点がある。
(1) 記録トラック自体を利用したものでは、再生の
みの光メモリ装置には有効であるが、情報が記録されて
いない部分に新たに情報を書き加えて記録する場合に
は、有効に利用できない。
(2) 記録トラックの記録面に予めガイドトラックと
しての溝を形成したものでは、光メモリ素子を製造する
ときの工程が複雑化するばかりでなく、記録媒体の大き
さによってガイドトラックの形成に著しい制約を受け
る。
(3) 反射膜を帯状に形成し、この反射膜の非形成部
位をガイドトラックとして利用するものでは、エッチン
グ処理やカッティング加工等の製造工程が必要となる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光メモリ素子は、上記の問題点を解決するた
めに、基板上に、レーザ光により情報の記録、再生、消
去のうちの少なくとも一つを行うことのできる記録層
と、反射層とが積層された構造の光メモリ素子におい
て、上記反射層に、光学的に識別可能なガイドトラック
が形成されていることを特徴としている。
上記した光学的に識別可能なガイドトラックは、具体
的には例えば、非晶質状態での反射率と結晶質状態での
反射率とに大きな差異を有する反射層を用いて、非晶質
状態の部位と結晶質状態の部位との何れか一方をガイド
トラックとして利用したものである。
上記反射層は、例えばカルコゲナイド系の薄膜からな
り、具体的にはTeOx(x≒1.1)が好適である。その他
のカルコゲナイド系としては、InSe、InTe、GeTeなどを
利用することもできる。また、カルコゲナイド系以外の
構成素材としては、例えばInSbなどを利用することも可
能である。
上記の反射層をなす薄膜は、その転移温度がレーザ光
による記録時の媒体温度よりも十分に大きいものが用い
られる。
〔作 用〕
上記の構成によれば、反射層に形成されたガイドトラ
ックによって、情報の記録、再生、および消去時に、い
ずれもレーザ光が記録トラックから外れなくなり、ま
た、光メモリ素子の製造に際しても、記録面に溝を形成
したりエッチング処理やカッティング加工等が不要とな
るので製造工程が著しく簡素化されるとともに、高密度
で精度の高いガイドトラックを形成することができるこ
とになる。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
光メモリ素子は、第1図に示すように、ガラス製また
はプラスチック製の基板1上に、誘電体層2、GdTbFe系
薄膜からなる記録層3、および反射層4が、順に積層し
て形成されている。上記の記録層3は、レーザ光により
情報の記録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行う
ことができるように構成されており、情報の記録時に照
射されるレーザ光によって、記録トラック上に多数の記
録ピット7…(記録データ)が配列されるように成って
いる。
上記の誘電体層2、記録層3、および反射層4の積層
体からなる記録媒体5において、反射層4には、記録層
3に帯状の記録トラックを形成するように、光学的に識
別可能なガイドトラック6…が形成されている。
上記反射層4は、非晶質状態での反射率と結晶質状態
での反射率とに大きな差異が形成されるように素材、例
えばカルコゲナイド系の薄膜によって構成されている。
具体的には、上記反射層4の構成素材としては、TeOx
(x≒1.1)を用いるのが好適である。このようなTeOx
(x≒1.1)を用いれば、非晶質状態での反射率が15
%、結晶質状態での反射率が30%であるから、その反射
率の差異を利用して、反射層4にガイドトラック6…を
形成することができる。
記録層3に形成される記録トラックは、反射層4にお
ける非晶質状態の部位と結晶質状態の部位との何れか一
方を利用すれば良いのであるが、反射層4の結晶質状態
の部位を記録トラックとして利用し、非晶質状態の部位
をガイドトラック6…として利用すれば、情報の再生時
等において記録トラックでのレーザ光の反射光量を多く
確保できるので、情報を再生する場合に信号品質が良好
なものとなる。
なお、上記反射層4の構成素材は、TeOx(x≒1.1)
に限定するものではなく、その他のカルコゲナイド系と
しては、InSe、InTe、GeTeなどを利用することもでき
る。また、カルコゲナイド系以外の構成素材としては、
例えばInSbなどを利用することも可能である。
上記の反射層4は、その転移温度がレーザ光による記
録時の媒体温度よりも十分に高いものが用いられる。
また、記録層3および誘電体層2の膜厚は、反射層4
での反射率の違いが光学的に識別可能な厚さを有してい
る。
上記の構成において、反射層4に形成されるガイドト
ラック6…は、具体的には、高出力レーザ装置を用い
て、基板1側からレーザ光を反射層4に対して照射する
ことにより形成されるものである。このように、反射層
4にガイドトラック6…が形成されるのは、反射層4を
なす薄膜がレーザ光の照射を受けると、薄膜に反射率の
異なる非晶質状態の部位と結晶質状態の部位とが形成さ
れるからであり、この非晶質状態と結晶質状態での反射
率の差異を利用して、その何れか一方、好ましくは非晶
質状態の部位をガイドトラック6…として利用したもの
である。
このようにして形成された反射層4のガイドトラック
6…は、情報の記録、再生、または消去時において、ガ
イドトラック6…の形成時よりも低パワーのレーザ光が
用いられるので、情報の記録、再生、或いは消去によっ
てガイドトラック6…が破壊される虞れを生じない。
なお、上記した実施例では、記録層3の素材としてGd
TbFe系の薄膜を用いたが、これに限定されるものではな
く、レーザ光によって再生、若しくは記録・再生、或い
は消去できる素材であれば、その材質について具体的に
問うものではない。
また、反射層4としてカルコゲナイト系薄膜を用い、
このカルコゲナイト系薄膜にレーザ光を照射してガイド
トラック6…を形成してなる光メモリ素子を例示した
が、この反射層4に形成されるガイドトラック6…が光
学的に識別できるものであれば、ガイドトラック6…の
種類について具体的に限定するものではない。また、反
射率の差異によってガイドトラック6…を形成する場合
であっても、反射層4の材質をカルコゲナイト系の薄膜
材に限定するものではなく、また、この反射層4へのレ
ーザ光の照射によってガイドトラック6…を形成するこ
とについても特に限定しないものである。
〔発明の効果〕
本発明の光メモリ素子は、以上のように、基板上に、
レーザ光により情報の記録、再生、消去のうちの少なく
とも一つを行うことのできる記録層と、反射層とが積層
された構造の光メモリ素子において、上記反射層に、光
学的に識別可能なガイドトラックが形成されている構成
である。
これにより、比較的簡単な光学系により情報の記録、
再生、消去が可能であって、しかも反射層に形成された
ガイドトラックによって、情報の記録、再生、および消
去時に、いずれもレーザ光は記録トラックから外れる虞
れがなくなる。そのうえ、光メモリ素子の製造に際して
も、記録面に溝を形成したりエッチング処理やカッティ
ング加工等を施す必要がなくなるので、製造工程が著し
く簡素化されるとともに、ガイドトラックを光学的に形
成しているので高密度で精度の高いガイドトラックを形
成することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第1図は光メモリ素子の縦断説明図、第2図は第
1図に示した光メモリ素子の記録部位を拡大した平面説
明図である。第3図は従来例を示す光メモリ素子の縦断
説明図である。 1は基板、2は誘電体層、3は記録層、4は反射層、6
はガイドトラック、7は記録ピット(記録データ)であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に、レーザ光により情報の記録、再
    生、消去のうちの少なくとも一つを行うことのできる記
    録層と、反射層とが積層された構造の光メモリ素子にお
    いて、 上記反射層に、光学的に識別可能なガイドトラックが形
    成されていることを特徴とする光メモリ素子。
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