JPH0786982B2 - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JPH0786982B2 JPH0786982B2 JP62332645A JP33264587A JPH0786982B2 JP H0786982 B2 JPH0786982 B2 JP H0786982B2 JP 62332645 A JP62332645 A JP 62332645A JP 33264587 A JP33264587 A JP 33264587A JP H0786982 B2 JPH0786982 B2 JP H0786982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- optical memory
- memory device
- dielectric layer
- light transmittance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録、再生、消去のうちの少
なくとも一つを行うことのできる光ディスクや光カード
等に用いられる光メモリ素子に関するものである。
なくとも一つを行うことのできる光ディスクや光カード
等に用いられる光メモリ素子に関するものである。
一般に、高密度記録ができる光メモリ素子は、１μｍ程
度の記録トラック幅を有しているため、細く絞り込まれ
たレーザ光で記録または再生を行う場合には、レーザ光
が記録トラックから外れて他の記録トラックにデータが
記録されないようにする必要がある。そのためには、非
常に精密な光学系を用いるか、若しくは何らかのガイド
トラックを設けたサーボシステムが必要となる。
度の記録トラック幅を有しているため、細く絞り込まれ
たレーザ光で記録または再生を行う場合には、レーザ光
が記録トラックから外れて他の記録トラックにデータが
記録されないようにする必要がある。そのためには、非
常に精密な光学系を用いるか、若しくは何らかのガイド
トラックを設けたサーボシステムが必要となる。
従来のガイドトラックとしては、 （１） 記録トラック自体を利用したもの、 （２） 第３図に示すように、基板10に積層された記録
層11における記録トラックの記録面に、あらかじめガイ
ドトラック12としての溝が形成されているもの、 （３） 基板上に形成された磁性体薄膜の上部に帯状の
反射膜を形成し、この反射膜のない非形成部位をガイド
トラックとしたもの（特開昭57−183647号公報参照）、 などが知られている。
層11における記録トラックの記録面に、あらかじめガイ
ドトラック12としての溝が形成されているもの、 （３） 基板上に形成された磁性体薄膜の上部に帯状の
反射膜を形成し、この反射膜のない非形成部位をガイド
トラックとしたもの（特開昭57−183647号公報参照）、 などが知られている。
しかしながら、上記した従来のガイドトラックでは、そ
れぞれ次のような問題点がある。
れぞれ次のような問題点がある。
（１） 記録トラック自体を利用したものでは、再生の
みの光メモリ装置には有効であるが、情報が記録されて
いない部分に新たに情報を書き加えて記録する場合に
は、有効に利用できない。
みの光メモリ装置には有効であるが、情報が記録されて
いない部分に新たに情報を書き加えて記録する場合に
は、有効に利用できない。
（２） 記録トラックの記録面に予めガイドトラックと
しての溝を形成したものでは、光メモリ素子を製造する
ときの工程が複雑化するばかりでなく、記録媒体の大き
さによってガイドトラックの形成に著しい制約を受け
る。
しての溝を形成したものでは、光メモリ素子を製造する
ときの工程が複雑化するばかりでなく、記録媒体の大き
さによってガイドトラックの形成に著しい制約を受け
る。
（３） 反射層を帯状に形成し、この反射膜の非形成部
位をガイドトラックとして利用するものでは、エッチン
グ処理やカッティング加工等の製造工程が必要となる。
位をガイドトラックとして利用するものでは、エッチン
グ処理やカッティング加工等の製造工程が必要となる。
本発明の光メモリ素子は、上記の問題点を解決するため
に、基板上に、誘電体層と、レーザ光により情報の記
録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行うことので
きる記録層とが積層された構造の光メモリ素子におい
て、上記誘電体層に、光透過率が高い部位と低い部位と
が形成されており、それらの部位のいずれか一方がガイ
ドトラックを構成することを特徴としている。
に、基板上に、誘電体層と、レーザ光により情報の記
録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行うことので
きる記録層とが積層された構造の光メモリ素子におい
て、上記誘電体層に、光透過率が高い部位と低い部位と
が形成されており、それらの部位のいずれか一方がガイ
ドトラックを構成することを特徴としている。
上記の構成によれば、誘電体層に形成されたガイドトラ
ックによって、情報の記録、再生、および消去時に、い
ずれもレーザ光が記録トラックから外れなくなり、ま
た、光メモリ素子の製造に際しても、記録面に溝を形成
したりエッチング処理やカッティング加工等が不要とな
るので製造工程が著しく簡素化されるとともに、高密度
で精度の高いガイドトラックを形成することができるこ
とになる。
ックによって、情報の記録、再生、および消去時に、い
ずれもレーザ光が記録トラックから外れなくなり、ま
た、光メモリ素子の製造に際しても、記録面に溝を形成
したりエッチング処理やカッティング加工等が不要とな
るので製造工程が著しく簡素化されるとともに、高密度
で精度の高いガイドトラックを形成することができるこ
とになる。
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
すれば、以下の通りである。
光メモリ素子は、第１図に示すように、ガラス製または
プラスチック製の基板１上に、A1N系の薄膜からなる誘
電体層２、GdTbFe系薄膜からなる記録層３、および保護
層４が、順に積層して形成されている。
プラスチック製の基板１上に、A1N系の薄膜からなる誘
電体層２、GdTbFe系薄膜からなる記録層３、および保護
層４が、順に積層して形成されている。
上記の記録層３は、基板１側からレーザ光が照射される
ことにより、情報の記録、再生、消去のうちの少なくと
も一つを行うことができるように構成されており、情報
の記録時においてレーザ光が照射されると、記録層３に
おける記録トラック上に多数の記録ピット７…（記録デ
ータ）が配列されるように成っている。
ことにより、情報の記録、再生、消去のうちの少なくと
も一つを行うことができるように構成されており、情報
の記録時においてレーザ光が照射されると、記録層３に
おける記録トラック上に多数の記録ピット７…（記録デ
ータ）が配列されるように成っている。
上記の誘電体層２、記録層３、および保護層４の積層体
からなる記録媒体５において、誘電体層２には、記録層
３に帯状の記録トラックが形成されるように、光学的に
識別可能なガイドトラック６…が形成されている。
からなる記録媒体５において、誘電体層２には、記録層
３に帯状の記録トラックが形成されるように、光学的に
識別可能なガイドトラック６…が形成されている。
このガイドトラック６…は、具体的には、Ｘ線照射装置
によってＸ線を誘電体層２に対して部分的に照射するこ
とにより形成されるものである。このように、誘電体層
２にガイドトラック６…が形成されるのは、A1N系の薄
膜がＸ線の照射を受けると、薄膜の被照射部位のみ光透
過率が著しく低下するからであって、この光透過率の著
しい低下を利用して、誘電体層２に高い光透過率の形成
部位と、低い光透過率の形成部位とを形成し、誘電体層
２に形成される光透過率の差異によりガイドトラック６
…としたものである。
によってＸ線を誘電体層２に対して部分的に照射するこ
とにより形成されるものである。このように、誘電体層
２にガイドトラック６…が形成されるのは、A1N系の薄
膜がＸ線の照射を受けると、薄膜の被照射部位のみ光透
過率が著しく低下するからであって、この光透過率の著
しい低下を利用して、誘電体層２に高い光透過率の形成
部位と、低い光透過率の形成部位とを形成し、誘電体層
２に形成される光透過率の差異によりガイドトラック６
…としたものである。
なお、誘電体層２に形成される光透過率の高い部位と低
い部位は、その何れか一方をガイドトラック６…として
利用すれば良いのであるが、好ましくは光透過率の低い
部位をガイドトラック６…として利用すれば、高い光透
過率を有する部位によって記録層３の記録トラックへの
透過光量を多く確保できるので、基板１側から照射され
るレーザ光による情報の記録および再生の場合における
信号品質が良好なものとなる。
い部位は、その何れか一方をガイドトラック６…として
利用すれば良いのであるが、好ましくは光透過率の低い
部位をガイドトラック６…として利用すれば、高い光透
過率を有する部位によって記録層３の記録トラックへの
透過光量を多く確保できるので、基板１側から照射され
るレーザ光による情報の記録および再生の場合における
信号品質が良好なものとなる。
上記の構成において、情報の記録、再生、または消去時
においては、ガイドトラック６…の形成時よりも長波長
側であって低パワーのレーザ光が用いられるので、情報
の記録、再生、或いは消去によってガイドトラック６…
が破壊される虞れは生じない。
においては、ガイドトラック６…の形成時よりも長波長
側であって低パワーのレーザ光が用いられるので、情報
の記録、再生、或いは消去によってガイドトラック６…
が破壊される虞れは生じない。
なお、上記した実施例では、記録層３の素材としてGdTb
Fe系の薄膜を用いたが、これに限定されるものではな
く、レーザ光によって再生、若しくは記録・再生、或い
は消去できる素材であれば、その材質について具体的に
問うものではない。
Fe系の薄膜を用いたが、これに限定されるものではな
く、レーザ光によって再生、若しくは記録・再生、或い
は消去できる素材であれば、その材質について具体的に
問うものではない。
また、誘電体層２としてA1N系薄膜を用い、このA1N系薄
膜にＸ線を照射してガイドトラック６…を形成してなる
光メモリ素子を例示したが、この誘電体層２に形成され
るガイドトラック６…が光学的に識別できるものであれ
ば、ガイドトラック６…の種類について具体的に限定す
るものではない。また、光透過率の差異によってガイド
トラック６…を形成する場合であっても、誘電体層２の
材質をA1N系の薄膜材に限定するものではなく、さら
に、この誘電体層２へのＸ線の照射によってガイドトラ
ック６…を形成することについても特に限定しないもの
である。
膜にＸ線を照射してガイドトラック６…を形成してなる
光メモリ素子を例示したが、この誘電体層２に形成され
るガイドトラック６…が光学的に識別できるものであれ
ば、ガイドトラック６…の種類について具体的に限定す
るものではない。また、光透過率の差異によってガイド
トラック６…を形成する場合であっても、誘電体層２の
材質をA1N系の薄膜材に限定するものではなく、さら
に、この誘電体層２へのＸ線の照射によってガイドトラ
ック６…を形成することについても特に限定しないもの
である。
本発明の光メモリ素子は、以上のように、基板上に、誘
電体層と、レーザ光により情報の記録、再生、消去のう
ちの少なくとも一つを行うことのできる記録層とが積層
された構造の光メモリ素子において、上記誘電体層に、
光透過率が高い部位と低い部位とが形成されており、そ
れらの部位のいずれか一方がガイドトラックを構成する
という構成である。
電体層と、レーザ光により情報の記録、再生、消去のう
ちの少なくとも一つを行うことのできる記録層とが積層
された構造の光メモリ素子において、上記誘電体層に、
光透過率が高い部位と低い部位とが形成されており、そ
れらの部位のいずれか一方がガイドトラックを構成する
という構成である。
これにより、比較的簡単な光学系により情報の記録、再
生、消去が可能であって、しかも誘電体層に形成された
ガイドトラックによって、情報の記録、再生、および消
去時に、いずれもレーザ光は記録トラックから外れる虞
れがなくなる。そのうえ、光メモリ素子の製造に際して
も、記録面に溝を形成したりエッチング処理やカッティ
ング加工等を施す必要がなくなるので、製造工程が著し
く簡素化されるとともに、ガイドトラックを光学的に形
成しているので高密度で精度の高いガイドトラックを形
成することができるといった効果を奏する。
生、消去が可能であって、しかも誘電体層に形成された
ガイドトラックによって、情報の記録、再生、および消
去時に、いずれもレーザ光は記録トラックから外れる虞
れがなくなる。そのうえ、光メモリ素子の製造に際して
も、記録面に溝を形成したりエッチング処理やカッティ
ング加工等を施す必要がなくなるので、製造工程が著し
く簡素化されるとともに、ガイドトラックを光学的に形
成しているので高密度で精度の高いガイドトラックを形
成することができるといった効果を奏する。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示すものであ
って、第１図は光メモリ素子の縦断説明図、第２図は第
１図に示した光メモリ素子の記録部位を拡大した平面説
明図である。第３図は従来例を示す光メモリ素子の縦断
説明図である。 １は基板、２は誘電体層、３は記録層、４は保護層、６
はガイドトラック、７は記録ピット（記録データ）であ
る。
って、第１図は光メモリ素子の縦断説明図、第２図は第
１図に示した光メモリ素子の記録部位を拡大した平面説
明図である。第３図は従来例を示す光メモリ素子の縦断
説明図である。 １は基板、２は誘電体層、３は記録層、４は保護層、６
はガイドトラック、７は記録ピット（記録データ）であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−173732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−150539（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、誘電体層と、レーザ光により情
報の記録、再生、消去のうちの少なくとも一つを行うこ
とのできる記録層とが積層された構造の光メモリ素子に
おいて、 上記誘電体層に、光透過率が高い部位と低い部位とが形
成されており、それらの部位のいずれか一方がガイドト
ラックを構成することを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332645A JPH0786982B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62332645A JPH0786982B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171134A JPH01171134A (ja) | 1989-07-06 |
| JPH0786982B2 true JPH0786982B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=18257272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62332645A Expired - Fee Related JPH0786982B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786982B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07311984A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Nec Corp | 相変化光ディスク記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60129946A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 情報記録用デイスク |
| JPS60173732A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPH0664757B2 (ja) * | 1985-12-25 | 1994-08-22 | 株式会社東芝 | 情報記憶媒体用の基盤及び基盤製造方法 |
| JPS62277642A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-02 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62332645A patent/JPH0786982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01171134A (ja) | 1989-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |