JP2661510B2 - 光記録媒体とその記録再生方法 - Google Patents
光記録媒体とその記録再生方法Info
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- JP2661510B2 JP2661510B2 JP5175263A JP17526393A JP2661510B2 JP 2661510 B2 JP2661510 B2 JP 2661510B2 JP 5175263 A JP5175263 A JP 5175263A JP 17526393 A JP17526393 A JP 17526393A JP 2661510 B2 JP2661510 B2 JP 2661510B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光により情報の
記録再生を行う光記録媒体およびその記録再生方法に関
し、特に、記録再生可能なＲＡＭ領域と再生のみ可能な
ＲＯＭ領域とを備えた光記録媒体およびその記録再生方
法に関する。
記録再生を行う光記録媒体およびその記録再生方法に関
し、特に、記録再生可能なＲＡＭ領域と再生のみ可能な
ＲＯＭ領域とを備えた光記録媒体およびその記録再生方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報を記録或は再生す
る光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記憶
方式として優れた特徴を有している。
る光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記憶
方式として優れた特徴を有している。
【０００３】ＩＳＯ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｏ
ｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒＳｔａｎｄａｒｄｉｚ
ａｔｉｏｎ）準拠の１３０ｍｍ光磁気形の光記録媒体と
しての光ディスクでは、ユーザが記録可能な領域（ＲＡ
Ｍ領域）の内側の半径２９．５〜２９．７ｍｍに、ユー
ザ領域に記録再生するための記録再生条件を幾何学的凹
凸で形成したＳＦＰと呼ばれる再生専用領域（ＲＯＭ領
域）が存在する。９０ｍｍ光磁気形光記録媒体において
も同様である。また、光ディスク全体が幾何学的凹凸の
みにより情報が記録されている再生専用の光記録媒体
（ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＬＤ等）もある。さらにまた、
ＲＯＭ領域にアプリケーションプログラム等が形成され
ている光記録媒体（パーシャルＲＯＭ媒体）もある（例
えば、特開平１−１４４２５２号公報、特開平４−１３
４７３８号公報）。
ｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒＳｔａｎｄａｒｄｉｚ
ａｔｉｏｎ）準拠の１３０ｍｍ光磁気形の光記録媒体と
しての光ディスクでは、ユーザが記録可能な領域（ＲＡ
Ｍ領域）の内側の半径２９．５〜２９．７ｍｍに、ユー
ザ領域に記録再生するための記録再生条件を幾何学的凹
凸で形成したＳＦＰと呼ばれる再生専用領域（ＲＯＭ領
域）が存在する。９０ｍｍ光磁気形光記録媒体において
も同様である。また、光ディスク全体が幾何学的凹凸の
みにより情報が記録されている再生専用の光記録媒体
（ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＬＤ等）もある。さらにまた、
ＲＯＭ領域にアプリケーションプログラム等が形成され
ている光記録媒体（パーシャルＲＯＭ媒体）もある（例
えば、特開平１−１４４２５２号公報、特開平４−１３
４７３８号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６および図７はそれ
ぞれ従来の光磁気ＲＡＭ領域３１とＲＯＭ領域３２とか
らなる従来のパーシャルＲＯＭ媒体の一部断面図と、従
来の記録再生装置を示すブロック図である。図６のＲＯ
Ｍ媒体は、ＲＡＭ領域３１ではプリグルーブ３３と呼ば
れるトラッキング制御のための溝のみが存在するのに対
して、幾何学的凹凸によって予め情報が形成されている
ＲＯＭ領域３２ではプリグルーブ３３の他にプリピット
３４が存在する。プリグルーブ３３やプリピット３４は
基板３５に形成され、この基板３５の表面には全面に渡
って記録膜３６が形成されている。
ぞれ従来の光磁気ＲＡＭ領域３１とＲＯＭ領域３２とか
らなる従来のパーシャルＲＯＭ媒体の一部断面図と、従
来の記録再生装置を示すブロック図である。図６のＲＯ
Ｍ媒体は、ＲＡＭ領域３１ではプリグルーブ３３と呼ば
れるトラッキング制御のための溝のみが存在するのに対
して、幾何学的凹凸によって予め情報が形成されている
ＲＯＭ領域３２ではプリグルーブ３３の他にプリピット
３４が存在する。プリグルーブ３３やプリピット３４は
基板３５に形成され、この基板３５の表面には全面に渡
って記録膜３６が形成されている。
【０００５】このＲＯＭ媒体の記録再生装置は、図７に
示すように駆動用のモーター４１で一定の回転速度で光
記録媒体４２を回転させるとともに、レーザー光照射装
置４３からレーザー光を光記録媒体４２に照射し、さら
にレーザー光照射装置４３を送り装置４４によって光記
録媒体４２の半径方向に送ることによって光記録媒体上
をレーザー光が渦巻状に走査するようにしている。さら
に詳述するとレーザー光源４５から放射されたレーザー
光は集束用光学部品４６，ビームスプリッタ４７，１／
４λ板４８，ミラー４９，対物レンズ５０等を介して光
記録媒体の記録膜が形成されている面に集束して照射さ
れる。光記録媒体の記録マークやプリピット上をレーザ
ー光が走査するとそこからの反射光は対物レンズ５０，
ミラー４９，１／４λ板４８，ビームスプリッタ４７等
を介して光検出器５１に到り、電気信号に変換されて復
調される。上述したレーザー光照射はフォーカシングサ
ーボとトラッキングサーボを行うことにより、定められ
た集束状態が維持されるとともに狙ったトラック位置を
照射することができる。光磁気ＲＡＭ領域３１では、記
録膜の膜面に対して垂直方向に上向き磁化かまたは下向
き磁化かによって「１」，「０」の２値化信号を取り出
せる。ＲＯＭ領域３２では、プリピット３４の有無によ
って「１」，「０」の２値化信号を取り出せる。
示すように駆動用のモーター４１で一定の回転速度で光
記録媒体４２を回転させるとともに、レーザー光照射装
置４３からレーザー光を光記録媒体４２に照射し、さら
にレーザー光照射装置４３を送り装置４４によって光記
録媒体４２の半径方向に送ることによって光記録媒体上
をレーザー光が渦巻状に走査するようにしている。さら
に詳述するとレーザー光源４５から放射されたレーザー
光は集束用光学部品４６，ビームスプリッタ４７，１／
４λ板４８，ミラー４９，対物レンズ５０等を介して光
記録媒体の記録膜が形成されている面に集束して照射さ
れる。光記録媒体の記録マークやプリピット上をレーザ
ー光が走査するとそこからの反射光は対物レンズ５０，
ミラー４９，１／４λ板４８，ビームスプリッタ４７等
を介して光検出器５１に到り、電気信号に変換されて復
調される。上述したレーザー光照射はフォーカシングサ
ーボとトラッキングサーボを行うことにより、定められ
た集束状態が維持されるとともに狙ったトラック位置を
照射することができる。光磁気ＲＡＭ領域３１では、記
録膜の膜面に対して垂直方向に上向き磁化かまたは下向
き磁化かによって「１」，「０」の２値化信号を取り出
せる。ＲＯＭ領域３２では、プリピット３４の有無によ
って「１」，「０」の２値化信号を取り出せる。
【０００６】このような従来のパーシャルＲＯＭ媒体
は、記録膜が媒体基板の全面に形成されているので読み
取りレーザー光がＲＯＭ領域に入射すると記録膜で吸収
され、再生専用光記録媒体用の情報再生装置で誤動作が
おこるという問題があり、また、光磁気記録膜をＲＡＭ
領域として使用するので、情報を高密度に記録できない
という問題があるため、充分に実用的といえるものでは
なかった。
は、記録膜が媒体基板の全面に形成されているので読み
取りレーザー光がＲＯＭ領域に入射すると記録膜で吸収
され、再生専用光記録媒体用の情報再生装置で誤動作が
おこるという問題があり、また、光磁気記録膜をＲＡＭ
領域として使用するので、情報を高密度に記録できない
という問題があるため、充分に実用的といえるものでは
なかった。
【０００７】本発明の目的は、再生精度がよく、情報を
高密度に記録できる光記録媒体とその記録再生方法を提
供することにある。
高密度に記録できる光記録媒体とその記録再生方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体で
は、情報を記録再生するＲＡＭ領域と、情報を予め幾何
学的凹凸のピット列として形成しておいて再生のみを行
うＲＯＭ領域とを併せて具備した光記録媒体であって、
ＲＡＭ領域が光磁気ＲＡＭ領域と相変化ＲＡＭ領域とか
ら構成され、ＲＯＭ領域は光磁気ＲＡＭ領域と相変化Ｒ
ＡＭ領域の間に配設され、該ＲＯＭ領域には光磁気ＲＡ
Ｍ領域の記録膜および相変化ＲＡＭ領域の記録膜はない
ように構成され、該光磁気ＲＡＭ領域と該相変化ＲＡＭ
領域と該ＲＯＭ領域の反射層は共通にするように構成す
る。
は、情報を記録再生するＲＡＭ領域と、情報を予め幾何
学的凹凸のピット列として形成しておいて再生のみを行
うＲＯＭ領域とを併せて具備した光記録媒体であって、
ＲＡＭ領域が光磁気ＲＡＭ領域と相変化ＲＡＭ領域とか
ら構成され、ＲＯＭ領域は光磁気ＲＡＭ領域と相変化Ｒ
ＡＭ領域の間に配設され、該ＲＯＭ領域には光磁気ＲＡ
Ｍ領域の記録膜および相変化ＲＡＭ領域の記録膜はない
ように構成され、該光磁気ＲＡＭ領域と該相変化ＲＡＭ
領域と該ＲＯＭ領域の反射層は共通にするように構成す
る。
【０００９】次に本発明の光記録媒体の記録再生方法で
は、反射層が共通でありかつ情報を記録再生できる光磁
気ＲＡＭ領域と情報を記録再生できる相変化ＲＡＭ領域
と情報を予め幾何学的凹凸のピット列として形成してお
いて再生のみをできるＲＯＭ領域とを併せて具備した光
記録媒体を用い、該相変化ＲＡＭ領域にはユーザ記録情
報を記録し、該光磁気ＲＡＭ領域には幾何学的凹凸では
ない形態で該ユーザ記録情報の管理情報あるいは検索情
報を記録すると共に、再生時には相変化ＲＡＭ領域から
ユーザ記録情報を、また光磁気ＲＡＭ領域から管理情報
あるいは検索情報を読出すことを特徴とする。
は、反射層が共通でありかつ情報を記録再生できる光磁
気ＲＡＭ領域と情報を記録再生できる相変化ＲＡＭ領域
と情報を予め幾何学的凹凸のピット列として形成してお
いて再生のみをできるＲＯＭ領域とを併せて具備した光
記録媒体を用い、該相変化ＲＡＭ領域にはユーザ記録情
報を記録し、該光磁気ＲＡＭ領域には幾何学的凹凸では
ない形態で該ユーザ記録情報の管理情報あるいは検索情
報を記録すると共に、再生時には相変化ＲＡＭ領域から
ユーザ記録情報を、また光磁気ＲＡＭ領域から管理情報
あるいは検索情報を読出すことを特徴とする。
【００１０】
【作用】このようにＲＡＭ領域を光磁気ＲＡＭ領域と相
変化ＲＡＭ領域とに分け、ＲＯＭ領域には光磁気ＲＡＭ
領域の記録膜および相変化ＲＡＭ領域の記録膜はないよ
うにし光磁気ＲＡＭ領域と相変化ＲＡＭ領域とＲＯＭ領
域の反射層を共通にすることにより、情報再生時の誤動
作を防ぐ。また、ユーザ記録情報を相変化ＲＡＭ領域に
記録し、その管理情報あるいは検索情報は光磁気ＲＡＭ
領域に記録することにより、ユーザ情報を高密度に記録
することが可能になる。また、ＲＯＭ領域は光磁気ＲＡ
Ｍ領域と相変化ＲＡＭ領域の間に配設することにより、
光記録媒体を製造しやすくできる。
変化ＲＡＭ領域とに分け、ＲＯＭ領域には光磁気ＲＡＭ
領域の記録膜および相変化ＲＡＭ領域の記録膜はないよ
うにし光磁気ＲＡＭ領域と相変化ＲＡＭ領域とＲＯＭ領
域の反射層を共通にすることにより、情報再生時の誤動
作を防ぐ。また、ユーザ記録情報を相変化ＲＡＭ領域に
記録し、その管理情報あるいは検索情報は光磁気ＲＡＭ
領域に記録することにより、ユーザ情報を高密度に記録
することが可能になる。また、ＲＯＭ領域は光磁気ＲＡ
Ｍ領域と相変化ＲＡＭ領域の間に配設することにより、
光記録媒体を製造しやすくできる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例の平面図、図２は図
１のＡ−Ｎ間を切断したときの断面図である。
１のＡ−Ｎ間を切断したときの断面図である。
【００１３】図１に示す光記録媒体２０において、円環
上に形成した記録，再生部分は、磁力効果を利用した光
磁気ＲＡＭ領域１０と結晶質と非晶質との反射率差を利
用した相変化ＲＡＭ領域１１とＲＯＭ領域１２との３つ
の領域に分かれ、ＲＯＭ領域１２は光磁気ＲＡＭ領域１
０と相変化ＲＡＭ領域１１との間に配設されている。
上に形成した記録，再生部分は、磁力効果を利用した光
磁気ＲＡＭ領域１０と結晶質と非晶質との反射率差を利
用した相変化ＲＡＭ領域１１とＲＯＭ領域１２との３つ
の領域に分かれ、ＲＯＭ領域１２は光磁気ＲＡＭ領域１
０と相変化ＲＡＭ領域１１との間に配設されている。
【００１４】基板１５はポリカーボネイト樹脂板や、ポ
リオレフィン樹脂板や、アクリル樹脂板や、フォトポリ
マーのついたアクリル樹脂板や、フォトポリマーのつい
たガラス板等の透明部材を用いる。光磁気ＲＡＭ領域１
０と相変化ＲＡＭ領域１１にはトラッキング制御用円環
上のＶ字溝から成るプリグルーブ１３を形成し、ＲＯＭ
領域１２にはプリグルーブ１３の他にプリピット１４を
形成する。このプリピット１４のパターンによりアプリ
ケーションプログラム等のデータを表現するようにす
る。このプリグルーブ１３やプリピット１４は、ポリカ
ーボネイト樹脂板、ポリオレフィン樹脂板、アクリル樹
脂板、ガラス板そのものに形成したり、或はフォトポリ
マーに形成する。プリグルーブ１３やプリピット１４が
形成されている側と反対側の基板１５には、反射防止層
や、表面硬化層等を設けてもよい。
リオレフィン樹脂板や、アクリル樹脂板や、フォトポリ
マーのついたアクリル樹脂板や、フォトポリマーのつい
たガラス板等の透明部材を用いる。光磁気ＲＡＭ領域１
０と相変化ＲＡＭ領域１１にはトラッキング制御用円環
上のＶ字溝から成るプリグルーブ１３を形成し、ＲＯＭ
領域１２にはプリグルーブ１３の他にプリピット１４を
形成する。このプリピット１４のパターンによりアプリ
ケーションプログラム等のデータを表現するようにす
る。このプリグルーブ１３やプリピット１４は、ポリカ
ーボネイト樹脂板、ポリオレフィン樹脂板、アクリル樹
脂板、ガラス板そのものに形成したり、或はフォトポリ
マーに形成する。プリグルーブ１３やプリピット１４が
形成されている側と反対側の基板１５には、反射防止層
や、表面硬化層等を設けてもよい。
【００１５】光磁気ＲＡＭ領域１０の基板１５の上には
光磁気記録膜１６を設け、相変化ＲＡＭ領域１１の基板
１５の上には相変化記録膜１１６を設ける。ＲＯＭ領域
１２の基板１５の上には記録膜はないようにする。この
ように形成した光磁気ＲＡＭ領域１０，相変化ＲＡＭ領
域１１，ＲＯＭ領域１２の上に反射層１７を共通に形成
する。
光磁気記録膜１６を設け、相変化ＲＡＭ領域１１の基板
１５の上には相変化記録膜１１６を設ける。ＲＯＭ領域
１２の基板１５の上には記録膜はないようにする。この
ように形成した光磁気ＲＡＭ領域１０，相変化ＲＡＭ領
域１１，ＲＯＭ領域１２の上に反射層１７を共通に形成
する。
【００１６】光磁気記録膜１６は第１誘電体層１６１，
光磁気層１６２および第２誘電体層１６３を順に形成し
たものからなる。第１誘電体層１６１や第２誘電体層１
６３の材料としては、窒化シリコンや，酸化窒化シリコ
ンや，窒化アルミニウムや，酸化窒化アルミニウムや，
水素化炭化シリコンや，酸化タンタルを主成分とするの
が特に望ましい。
光磁気層１６２および第２誘電体層１６３を順に形成し
たものからなる。第１誘電体層１６１や第２誘電体層１
６３の材料としては、窒化シリコンや，酸化窒化シリコ
ンや，窒化アルミニウムや，酸化窒化アルミニウムや，
水素化炭化シリコンや，酸化タンタルを主成分とするの
が特に望ましい。
【００１７】光磁気層１６２の材料としては、ＴｂＦｅ
や，ＴｂＦｅＣｏや，ＴｂＦｅＴｉや，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉや，ＴｂＦｅＣｒや，ＴｂＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＦｅ
Ｔａや，ＴｂＦｅＣｏＴａや，ＴｂＦｅＮｉＣｒや，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅや，ＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏや，ＴｂＧｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ
や，ＴｂＧｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒや，Ｔ
ｂＧｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄ
ＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＤ
ｙＦｅや，ＴｂＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＤｙＦｅＴｉや，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｒや，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＴａや，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＴａや，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅや，ＴｂＧｄＮｄＦｅ
Ｃｏや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣ
ｏＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅ
ＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦ
ｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄ
ＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅや，ＴｂＧ
ｄＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴｉや，ＴｂＧｄ
ＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｒや，ＴｂＧ
ｄＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴａや，Ｔｂ
ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＮｉＣｒ
や，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが特に望ましい。ま
た、これらの層には他の層を複数重ねてもよい。また、
ＧｄＦｅや，ＧｄＦｅＣｏや，ＧｄＦｅＴｉや，ＧｄＦ
ｅＣｏＴｉや，ＧｄＦｅＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＣｒや，
ＧｄＦｅＴａや，ＧｄＦｅＣｏＴａや，ＧｄＦｅＮｉＣ
ｒや，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅや，Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏや，ＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＣｒ
や，ＧｄＮｄＦｅＴａや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＴａや，Ｇ
ｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒ等の
読出し層を重ねてもよい。
や，ＴｂＦｅＣｏや，ＴｂＦｅＴｉや，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉや，ＴｂＦｅＣｒや，ＴｂＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＦｅ
Ｔａや，ＴｂＦｅＣｏＴａや，ＴｂＦｅＮｉＣｒや，Ｔ
ｂＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅや，ＴｂＧｄＦｅ
Ｃｏや，ＴｂＧｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴｉ
や，ＴｂＧｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒや，Ｔ
ｂＧｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄ
ＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＤ
ｙＦｅや，ＴｂＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＤｙＦｅＴｉや，
ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＤｙＦｅＣｒや，ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＴａや，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＴａや，ＴｂＤｙＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅや，ＴｂＧｄＮｄＦｅ
Ｃｏや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣ
ｏＴｉや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅ
ＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦ
ｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＴｂＧｄ
ＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅや，ＴｂＧ
ｄＤｙＦｅＣｏや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴｉや，ＴｂＧｄ
ＤｙＦｅＣｏＴｉや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｒや，ＴｂＧ
ｄＤｙＦｅＣｏＣｒや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＴａや，Ｔｂ
ＧｄＤｙＦｅＣｏＴａや，ＴｂＧｄＤｙＦｅＮｉＣｒ
や，ＴｂＧｄＤｙＦｅＣｏＮｉＣｒが特に望ましい。ま
た、これらの層には他の層を複数重ねてもよい。また、
ＧｄＦｅや，ＧｄＦｅＣｏや，ＧｄＦｅＴｉや，ＧｄＦ
ｅＣｏＴｉや，ＧｄＦｅＣｒや，ＧｄＦｅＣｏＣｒや，
ＧｄＦｅＴａや，ＧｄＦｅＣｏＴａや，ＧｄＦｅＮｉＣ
ｒや，ＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅや，Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏや，ＧｄＮｄＦｅＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣ
ｏＴｉや，ＧｄＮｄＦｅＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＣｒ
や，ＧｄＮｄＦｅＴａや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＴａや，Ｇ
ｄＮｄＦｅＮｉＣｒや，ＧｄＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒ等の
読出し層を重ねてもよい。
【００１８】相変化記録膜１１６は第１誘電体層１１６
１，相変化層１１６２，および第２誘電体層１１６３を
順に形成したものからなる。第１誘電体層１１６１や第
２誘電体層１１６３の材料としては、硫化亜鉛と二酸化
シリコンとの混合物や，窒化シリコンや，酸化窒化シリ
コンや，窒化アルミニウムや，酸化窒化アルミニウム
や，水素化炭化シリコンや，酸化タンタルを主成分とす
るのが特に望ましい。相変化層１１６２の材料として
は、カルコゲン元素の化合物が望まいしが、特にＧｅＳ
ｂＴｅが望ましい。相変化層１１６２には窒素等の元素
を小量添加してもよい。
１，相変化層１１６２，および第２誘電体層１１６３を
順に形成したものからなる。第１誘電体層１１６１や第
２誘電体層１１６３の材料としては、硫化亜鉛と二酸化
シリコンとの混合物や，窒化シリコンや，酸化窒化シリ
コンや，窒化アルミニウムや，酸化窒化アルミニウム
や，水素化炭化シリコンや，酸化タンタルを主成分とす
るのが特に望ましい。相変化層１１６２の材料として
は、カルコゲン元素の化合物が望まいしが、特にＧｅＳ
ｂＴｅが望ましい。相変化層１１６２には窒素等の元素
を小量添加してもよい。
【００１９】反射層１７の材料としては、アルミニウム
合金が望ましい。添加元素としては、Ｔｉや，Ｃｒや，
Ｔａ，Ｎｉや，ＮｉＣｒが特に望ましい。反射層１７の
上にはＵＶ硬化樹脂や、膜質の緻密な誘電体や、熱伝導
率の小さい金属等の保護層１８を設けてもよい。
合金が望ましい。添加元素としては、Ｔｉや，Ｃｒや，
Ｔａ，Ｎｉや，ＮｉＣｒが特に望ましい。反射層１７の
上にはＵＶ硬化樹脂や、膜質の緻密な誘電体や、熱伝導
率の小さい金属等の保護層１８を設けてもよい。
【００２０】再び図１において、２１はディスク外端，
２２はディスク中心穴であり、光磁気ＲＡＭ領域１０，
相変化ＲＡＭ領域１１およびＲＯＭ領域１２は、外周側
未成膜領域２３と内周側未成膜領域２４の間に形成され
ている。
２２はディスク中心穴であり、光磁気ＲＡＭ領域１０，
相変化ＲＡＭ領域１１およびＲＯＭ領域１２は、外周側
未成膜領域２３と内周側未成膜領域２４の間に形成され
ている。
【００２１】ディスク基板への成膜方法としては、例え
ば、まず内周側未成膜領域２４を覆う成膜内マスクとＲ
ＯＭ領域１２から外側を覆う成膜外マスクとを基板に装
着することにより光磁気ＲＡＭ領域１０に光磁気記録膜
１６を成膜し、次に、ＲＯＭ領域１２から内側を覆う成
膜内マスクと領域２３を覆う成膜外マスクとを基板に装
着することにより相変化ＲＡＭ領域１１に相変化記録膜
１１６を成膜し、最後に、領域２４を覆う成膜内マスク
と領域２３を覆う成膜外マスクとを基板に装着した後に
領域１０と領域１２と領域１１とに共通に反射層１７を
形成する。
ば、まず内周側未成膜領域２４を覆う成膜内マスクとＲ
ＯＭ領域１２から外側を覆う成膜外マスクとを基板に装
着することにより光磁気ＲＡＭ領域１０に光磁気記録膜
１６を成膜し、次に、ＲＯＭ領域１２から内側を覆う成
膜内マスクと領域２３を覆う成膜外マスクとを基板に装
着することにより相変化ＲＡＭ領域１１に相変化記録膜
１１６を成膜し、最後に、領域２４を覆う成膜内マスク
と領域２３を覆う成膜外マスクとを基板に装着した後に
領域１０と領域１２と領域１１とに共通に反射層１７を
形成する。
【００２２】本実施例ではＲＯＭ領域１２に記録膜がな
くその膜での光吸収が生じないので再生精度が向上す
る。また相変化ＲＡＭ領域１１は高密度記録が可能なの
で、パーシャルＲＯＭとしてのディスクの記録再生密度
が向上する。
くその膜での光吸収が生じないので再生精度が向上す
る。また相変化ＲＡＭ領域１１は高密度記録が可能なの
で、パーシャルＲＯＭとしてのディスクの記録再生密度
が向上する。
【００２３】次に、このような光記録媒体に適した記録
再生装置について図３を用いて説明する。
再生装置について図３を用いて説明する。
【００２４】図３の記録再生装置は、駆動用のモーター
６１で一定の回転速度で図１，図２の光記録媒体２０を
回転させるとともに、レーザー光照射装置６３からレー
ザー光を光記録媒体２０に照射し、さらにレーザー光照
射装置６３が送り装置６４によって光記録媒体２０の半
径方向に移動されることによって光記録媒体上をレーザ
ー光が渦巻状に走査するようにしている。さらに詳述す
るとレーザー光源６５から放射されたレーザー光は集束
用光学部品６６，ビームスプリッタ６７，１／４λ板６
８，ミラー６９，対物レンズ６２等を介して光記録媒体
の記録膜が形成されている面に集束して照射される。光
記録媒体の記録再生領域上をレーザー光が走査をすると
そこからの反射光は対物レンズ６２，ミラー６９，１／
４λ板６８，ビームスプリッタ６７等を介して光検出器
６１に到り、電気信号に変換されて復調回路７０で復調
される。上述したレーザー光照射はフォーカシングサー
ボとトラッキングサーボを行うことにより、定められた
集束状態が維持されるとともに狙ったトラック位置を照
射することができる。
６１で一定の回転速度で図１，図２の光記録媒体２０を
回転させるとともに、レーザー光照射装置６３からレー
ザー光を光記録媒体２０に照射し、さらにレーザー光照
射装置６３が送り装置６４によって光記録媒体２０の半
径方向に移動されることによって光記録媒体上をレーザ
ー光が渦巻状に走査するようにしている。さらに詳述す
るとレーザー光源６５から放射されたレーザー光は集束
用光学部品６６，ビームスプリッタ６７，１／４λ板６
８，ミラー６９，対物レンズ６２等を介して光記録媒体
の記録膜が形成されている面に集束して照射される。光
記録媒体の記録再生領域上をレーザー光が走査をすると
そこからの反射光は対物レンズ６２，ミラー６９，１／
４λ板６８，ビームスプリッタ６７等を介して光検出器
６１に到り、電気信号に変換されて復調回路７０で復調
される。上述したレーザー光照射はフォーカシングサー
ボとトラッキングサーボを行うことにより、定められた
集束状態が維持されるとともに狙ったトラック位置を照
射することができる。
【００２５】記録再生装置は、さらにユーザ情報出力部
７１と、ユーザ情報に関する検索情報および管理情報を
出力する検索管理情報出力部７２と、レーザー光照射装
置６５を各出力部７１，７２からの情報に基づいて駆動
する駆動回路７３と、各部を制御する制御回路７４とを
有する。
７１と、ユーザ情報に関する検索情報および管理情報を
出力する検索管理情報出力部７２と、レーザー光照射装
置６５を各出力部７１，７２からの情報に基づいて駆動
する駆動回路７３と、各部を制御する制御回路７４とを
有する。
【００２６】本実施例で、レーザー光照射装置６５は、
光記録媒体２０の光磁気ＲＡＭ領域１０と相変化ＲＡＭ
領域１１の記録用光源として、またすべての領域の再生
用読出し光源として使用する。検出器６１と復調回路７
０は、光磁気ＲＡＭ領域１０と光相変化領域１１とで別
の検出器をもつが、復調回路７０がどの検出器の出力を
復調するかは制御回路７４が決定する。なお、図３には
示されていないが、光記録媒体２０の光磁気ＲＡＭ領域
１０に情報を記録する場合、基板面に垂直な方向に磁界
をかける手段が存在することは言うまでもない。
光記録媒体２０の光磁気ＲＡＭ領域１０と相変化ＲＡＭ
領域１１の記録用光源として、またすべての領域の再生
用読出し光源として使用する。検出器６１と復調回路７
０は、光磁気ＲＡＭ領域１０と光相変化領域１１とで別
の検出器をもつが、復調回路７０がどの検出器の出力を
復調するかは制御回路７４が決定する。なお、図３には
示されていないが、光記録媒体２０の光磁気ＲＡＭ領域
１０に情報を記録する場合、基板面に垂直な方向に磁界
をかける手段が存在することは言うまでもない。
【００２７】次に、このような光記録媒体に適した記録
再生方法について図４，図５を用いて説明する。
再生方法について図４，図５を用いて説明する。
【００２８】ユーザ情報の記録方法は、図４に示すよう
に、送り装置６４によってレーザー光照射装置６３を相
変化ＲＡＭ領域１１を照射可能なように移動させる「相
変化ＲＡＭ領域への移動工程」３１と、ユーザ情報出力
部７１から出力されるユーザ情報を光記録媒体２０に記
録する「ユーザ情報記録工程」３２と、レーザー光照射
装置６３を送り装置６４によって光磁気ＲＡＭ領域１０
を照射可能なように移動させる「光磁気ＲＡＭ領域への
移動工程」３３と、検索，管理情報出力部７２から出力
されるユーザ情報記録に関する管理情報および検索情報
を光記録媒体２０に記録する「管理情報記録工程」３４
とから少なくともなる。
に、送り装置６４によってレーザー光照射装置６３を相
変化ＲＡＭ領域１１を照射可能なように移動させる「相
変化ＲＡＭ領域への移動工程」３１と、ユーザ情報出力
部７１から出力されるユーザ情報を光記録媒体２０に記
録する「ユーザ情報記録工程」３２と、レーザー光照射
装置６３を送り装置６４によって光磁気ＲＡＭ領域１０
を照射可能なように移動させる「光磁気ＲＡＭ領域への
移動工程」３３と、検索，管理情報出力部７２から出力
されるユーザ情報記録に関する管理情報および検索情報
を光記録媒体２０に記録する「管理情報記録工程」３４
とから少なくともなる。
【００２９】ユーザ情報の再生方法は、図５に示すよう
に、レーザー光照射装置６３を光磁気ＲＡＭ領域１０を
照射可能なように移動させる「光磁気ＲＡＭ領域への移
動工程」４１と、管理情報を光記録媒体２０から再生す
る「管理情報再生工程」４２と、レーザー光照射装置６
３を相変化ＲＡＭ領域１１を照射可能なように移動させ
る「相変化ＲＡＭ領域への移動工程」４３と、管理情報
によりユーザ情報を光記録媒体２０から再生する「ユー
ザ情報再生工程」４４とから少なくともなる。
に、レーザー光照射装置６３を光磁気ＲＡＭ領域１０を
照射可能なように移動させる「光磁気ＲＡＭ領域への移
動工程」４１と、管理情報を光記録媒体２０から再生す
る「管理情報再生工程」４２と、レーザー光照射装置６
３を相変化ＲＡＭ領域１１を照射可能なように移動させ
る「相変化ＲＡＭ領域への移動工程」４３と、管理情報
によりユーザ情報を光記録媒体２０から再生する「ユー
ザ情報再生工程」４４とから少なくともなる。
【００３０】なお、ユーザの情報ではなくオペレーショ
ンシステムの情報はＲＯＭ領域１２に刻み込んでおく。
このような記録再生方法にすることにより、情報を信頼
性よく高密度で高速に処理できるようになる。
ンシステムの情報はＲＯＭ領域１２に刻み込んでおく。
このような記録再生方法にすることにより、情報を信頼
性よく高密度で高速に処理できるようになる。
【００３１】これは、相変化記録膜は高密度に記録可能
であるが何度も繰り返して記録するとその信号特性が劣
化するという欠点があることと、光磁気記録膜は何度も
繰り返して記録してもその信号特性は劣化しないが高密
度には記録できないという欠点があることとを考慮する
とともに、光記録媒体の製造の保留をも考慮して、総合
的に光記録媒体とその記録再生方法をデザインしたもの
である。
であるが何度も繰り返して記録するとその信号特性が劣
化するという欠点があることと、光磁気記録膜は何度も
繰り返して記録してもその信号特性は劣化しないが高密
度には記録できないという欠点があることとを考慮する
とともに、光記録媒体の製造の保留をも考慮して、総合
的に光記録媒体とその記録再生方法をデザインしたもの
である。
【００３２】
【発明の効果】本発明の光記録媒体とその記録再生方法
は、製造が容易で、かつ、情報を信頼性よく高密度に記
録再生できるという効果がある。
は、製造が容易で、かつ、情報を信頼性よく高密度に記
録再生できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の光記録媒体の基本構造を示
す平面図。
す平面図。
【図２】図１の光記録媒体の基本構造を示す断面図。
【図３】本発明の光記録媒体の記録再生装置を示すブロ
ック図。
ック図。
【図４】本発明の光記録媒体の記録方法を示す工程概略
図。
図。
【図５】本発明の光記録媒体の再生方法を示す工程概略
図。
図。
【図６】従来の光記録媒体を示す断面図。
【図７】従来の光記録媒体の記録再生装置の一部を示す
正面図。
正面図。
１０ 光磁気ＲＡＭ領域 １１ 相変化ＲＡＭ領域 １２ ＲＯＭ領域 １３ プリグルーブ １４ プリピット
Claims (3)
- 【請求項１】 情報を記録再生するＲＡＭ領域と、情報
を予め凹凸のピット列として形成しておいて再生のみを
行うＲＯＭ領域とを含む光記録媒体において、 前記ＲＡＭ領域が光磁気ＲＡＭ領域と相変化ＲＡＭ領域
とから構成され、前記ＲＯＭ領域は前記光磁気ＲＡＭ領
域と前記相変化ＲＡＭ領域の間に配設され、前記ＲＯＭ
領域には前記光磁気ＲＡＭ領域の記録膜および前記相変
化ＲＡＭ領域の記録膜がなく、前記光磁気ＲＡＭ領域と
前記相変化ＲＡＭ領域と前記ＲＯＭ領域の反射層が共通
であることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 反射層が共通でありかつ情報を記録再生
できる光磁気ＲＡＭ領域と情報を記録再生できる相変化
ＲＡＭ領域と情報を予め凹凸のピット列として形成いて
おいて再生のみをできるＲＯＭ領域とを有する光記録媒
体を用い、前記相変化ＲＡＭ領域にはユーザ記録情報を
記録し、該光磁気ＲＡＭ領域には幾何学的凹凸ではない
形態で該ユーザ記録情報の管理情報あるいは検索情報を
記録し、再生時には前記相変化ＲＡＭ領域から前記ユー
ザ記録情報を、また前記光磁気ＲＡＭ領域から前記管理
情報あるいは検索情報を読出すことを特徴とする光記録
媒体の記録再生方法。 - 【請求項３】 前記光磁気ＲＡＭ領域は、基板と、前記
基板上に形成された光磁気記録膜と、前記光磁気記録膜
上に形成された反射層とを含み、前記相変化ＲＡＭ領域
は、前記基板と、前記基板上に形成された光相変化記録
膜と、前記光相変化記録膜上に形成された反射層とを含
み、前記ＲＯＭ領域は前記基板上に形成された凹凸のピ
ット列と、その上に被覆された反射層とを含む請求項１
に記載された光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175263A JP2661510B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 光記録媒体とその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5175263A JP2661510B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 光記録媒体とその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729240A JPH0729240A (ja) | 1995-01-31 |
| JP2661510B2 true JP2661510B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=15993101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5175263A Expired - Lifetime JP2661510B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 光記録媒体とその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661510B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP5175263A patent/JP2661510B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0729240A (ja) | 1995-01-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970513 |