JP2765938B2 - 情報の書き換え方法 - Google Patents
情報の書き換え方法Info
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- JP2765938B2 JP2765938B2 JP1097310A JP9731089A JP2765938B2 JP 2765938 B2 JP2765938 B2 JP 2765938B2 JP 1097310 A JP1097310 A JP 1097310A JP 9731089 A JP9731089 A JP 9731089A JP 2765938 B2 JP2765938 B2 JP 2765938B2
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Description
本発明は、エネルギービームの照射により情報の記録
が可能な記録用部材に対する情報の記録方法に係り、特
に、既存の情報を消去しながら新しい情報を記録するオ
ーバーライトが可能な相変化型光ディスクならびに光磁
気ディスクなどに対し優れた効果を発揮する情報の書き
換え方法に関する。
が可能な記録用部材に対する情報の記録方法に係り、特
に、既存の情報を消去しながら新しい情報を記録するオ
ーバーライトが可能な相変化型光ディスクならびに光磁
気ディスクなどに対し優れた効果を発揮する情報の書き
換え方法に関する。
従来の相変化型光ディスク媒体における記録・消去方
法は、例えば、記録するレーザ照射時間とほぼ同じ程度
の時間で結晶化が行える高速消去が可能な記録膜を用い
た場合には、特開昭56−145530号公報に示されているよ
うに、１つのエネルギービームのパワーを、いずれも読
み出しパワーレベルより高い少なくとも２つのレベル、
すなわち少なくとも高いパワーレベルと中間のパワーレ
ベルとの間で変化させることにより行っていた。この方
法では、既存の情報を消去しながら新しい情報を記録す
る、いわゆるオーバーライト（重ね書きによる書き換
え）が可能になるという利点がある。
法は、例えば、記録するレーザ照射時間とほぼ同じ程度
の時間で結晶化が行える高速消去が可能な記録膜を用い
た場合には、特開昭56−145530号公報に示されているよ
うに、１つのエネルギービームのパワーを、いずれも読
み出しパワーレベルより高い少なくとも２つのレベル、
すなわち少なくとも高いパワーレベルと中間のパワーレ
ベルとの間で変化させることにより行っていた。この方
法では、既存の情報を消去しながら新しい情報を記録す
る、いわゆるオーバーライト（重ね書きによる書き換
え）が可能になるという利点がある。
一般に、一定の回転数で回転するディスクに書き換え
を行う場合、記録部位がディスクの内周であるか、外周
であるかによって線速度が異なるため、上記従来技術で
書き換えを行った場合、内周と外周とで書き換え後の状
態が異なる。例えば、内周で最適な記録パワーで外周に
書き換えを行った場合、パワー不足で良好な記録マーク
が得られなく、また記録膜の到達温度が低すぎて既存の
情報が確実に消去できないなどの問題が生じる。また、
外周で必要な記録パワーで内周で書き換えを行うと、過
剰の記録パワーで記録されてマークの形状が変形した
り、記録膜や保護膜などが熱変形したり、また記録膜の
到達温度が高くなりすぎて既存の情報が確実に消去でき
ないなどの問題が生じる。このように、従来の書き換え
方法では、記録部分の線速度の大きさによっては既存の
情報を確実に消去することができなかったり、記録信号
に忠実な再生信号を得ることができないなどの問題があ
った。 本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決
し、例えば光ディスクの場合、内周から外周までの全記
録領域にわたって良好な記録再生特性を得るため情報の
書き換え方法を提供することにある。
を行う場合、記録部位がディスクの内周であるか、外周
であるかによって線速度が異なるため、上記従来技術で
書き換えを行った場合、内周と外周とで書き換え後の状
態が異なる。例えば、内周で最適な記録パワーで外周に
書き換えを行った場合、パワー不足で良好な記録マーク
が得られなく、また記録膜の到達温度が低すぎて既存の
情報が確実に消去できないなどの問題が生じる。また、
外周で必要な記録パワーで内周で書き換えを行うと、過
剰の記録パワーで記録されてマークの形状が変形した
り、記録膜や保護膜などが熱変形したり、また記録膜の
到達温度が高くなりすぎて既存の情報が確実に消去でき
ないなどの問題が生じる。このように、従来の書き換え
方法では、記録部分の線速度の大きさによっては既存の
情報を確実に消去することができなかったり、記録信号
に忠実な再生信号を得ることができないなどの問題があ
った。 本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決
し、例えば光ディスクの場合、内周から外周までの全記
録領域にわたって良好な記録再生特性を得るため情報の
書き換え方法を提供することにある。
上述した従来技術における問題点を解決するために、
本発明の情報の書き換え方法においては、記録部分（エ
ネルギービームが照射された記録膜上のその部分）の移
動速度（ディスクの場合は線速度）の大きさに応じて、
エネルギービームの平均照射パワーを変化させる。 ここで、平均照射パワーとは、任意の時間幅、例えば
光ディスクの場合は１周（１トラック）や１セクタで光
パルスを等間隔に分割したとき、それぞれの時間内にお
いて膜面上に照射される平均パワーのことをいう。 本発明の情報の書き換え方法において、たとえば、デ
ィスクの内周部から外周部に向かって連続的に書き換え
を行う場合、エネルギービームの平均照射パワーを連続
的に大きくした。ここで、線速度ａであるディスクの内
周部での最適な平均照射パワーがＡの時、同じディスク
の線速度ｂの外周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、
次の式で求められる平均照射パワーＢの値のある範囲内
において最適な書き換えが行える。 Ｂ＝（b/a）ｘ・Ａ この時、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる範囲の値であった。この時に、中間の
パワーレベルと高いパワーレベルの高さを変えないで、
中間のパワーレベルに保つ時間を変化させたり、高いパ
ワーレベルに保つ時間を短くするなどして最適な平均照
射パワーにすると、高速でアクセスする場合にも対応が
容易になり、制御系が簡単になる。 ここで、全体の平均照射パワーを、中間のパワーレベ
ル以下のパワーで照射する領域の平均照射パワーと中間
のパワーレベルを越え、高いパワーレベルまで（高いパ
ワーレベルを含む）のパワーで照射する領域との間の平
均照射パワーとに分けて考える。 まず、線速度ｂであるディスクの外周部での中間のパ
ワーレベル以下のパワーで照射する領域の最適な平均照
射パワーがB1の時、同じディスクの線速度ａの内周部
（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められる
中間のパワーレベル以下のパワーで照射する領域の平均
照射パワーA1の値のある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A1＝（a/b）ｙ・B1 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｙ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｙ≧0.7 の式で求められる値であった。 同様に、線速度ｂであるディスクの外周部での中間の
パワーレベルを越え、高いパワーレベルまでのパワーで
照射する領域の最適な平均照射パワーがB2の時、同じデ
ィスクの線速度ａの内周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う
場合、次の式で求められる中間のパワーレベルを越え、
高いパワーレベルまでのパワーで照射する領域の平均照
射パワーA2の値の、ある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A2＝（a/b）ｚ・B2 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｚ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｚ≧0.7 の式で求められる値であった。 ここで最適な平均照射パワーとは、記録した周波数に
おける搬送波対雑音比（C/N）が最大で、既存の情報の
消え残りが小さくなる平均照射パワーのことである。 また、ディスクの内周から外周までの全記録領域を線
速度に応じて幾つかの記録領域に分割し、それぞれの領
域のほぼ中心の場所における最適な平均照射パワーでそ
の領域内を書き換えすると、より良好な記録再生特性が
得られた。この場合、全記録領域を半径方向に向かって
２〜20の領域に分割するのが好ましく、２〜10の領域に
分割するのがより好ましい。 本発明の情報の書き換え方法においては、線速に応じ
ての平均照射パワーの大きさの変化のさせ方は、中間の
パワーレベルや高いパワーレベルの高さの変化、あるい
は中間のパワーレベルや高いパワーレベルに保つ時間の
変化などどれでもよく、結果的に平均照射パワーが変化
さえすればよい。本発明では、中間のパワーレベルと高
いパワーレベルの両方の高さを変化させた場合、特に両
者の比を一定に保って変化させた場合効果が大きかった
が、中間または高いパワーレベルのみ変化させても良
い。
本発明の情報の書き換え方法においては、記録部分（エ
ネルギービームが照射された記録膜上のその部分）の移
動速度（ディスクの場合は線速度）の大きさに応じて、
エネルギービームの平均照射パワーを変化させる。 ここで、平均照射パワーとは、任意の時間幅、例えば
光ディスクの場合は１周（１トラック）や１セクタで光
パルスを等間隔に分割したとき、それぞれの時間内にお
いて膜面上に照射される平均パワーのことをいう。 本発明の情報の書き換え方法において、たとえば、デ
ィスクの内周部から外周部に向かって連続的に書き換え
を行う場合、エネルギービームの平均照射パワーを連続
的に大きくした。ここで、線速度ａであるディスクの内
周部での最適な平均照射パワーがＡの時、同じディスク
の線速度ｂの外周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、
次の式で求められる平均照射パワーＢの値のある範囲内
において最適な書き換えが行える。 Ｂ＝（b/a）ｘ・Ａ この時、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる範囲の値であった。この時に、中間の
パワーレベルと高いパワーレベルの高さを変えないで、
中間のパワーレベルに保つ時間を変化させたり、高いパ
ワーレベルに保つ時間を短くするなどして最適な平均照
射パワーにすると、高速でアクセスする場合にも対応が
容易になり、制御系が簡単になる。 ここで、全体の平均照射パワーを、中間のパワーレベ
ル以下のパワーで照射する領域の平均照射パワーと中間
のパワーレベルを越え、高いパワーレベルまで（高いパ
ワーレベルを含む）のパワーで照射する領域との間の平
均照射パワーとに分けて考える。 まず、線速度ｂであるディスクの外周部での中間のパ
ワーレベル以下のパワーで照射する領域の最適な平均照
射パワーがB1の時、同じディスクの線速度ａの内周部
（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められる
中間のパワーレベル以下のパワーで照射する領域の平均
照射パワーA1の値のある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A1＝（a/b）ｙ・B1 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｙ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｙ≧0.7 の式で求められる値であった。 同様に、線速度ｂであるディスクの外周部での中間の
パワーレベルを越え、高いパワーレベルまでのパワーで
照射する領域の最適な平均照射パワーがB2の時、同じデ
ィスクの線速度ａの内周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う
場合、次の式で求められる中間のパワーレベルを越え、
高いパワーレベルまでのパワーで照射する領域の平均照
射パワーA2の値の、ある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A2＝（a/b）ｚ・B2 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｚ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｚ≧0.7 の式で求められる値であった。 ここで最適な平均照射パワーとは、記録した周波数に
おける搬送波対雑音比（C/N）が最大で、既存の情報の
消え残りが小さくなる平均照射パワーのことである。 また、ディスクの内周から外周までの全記録領域を線
速度に応じて幾つかの記録領域に分割し、それぞれの領
域のほぼ中心の場所における最適な平均照射パワーでそ
の領域内を書き換えすると、より良好な記録再生特性が
得られた。この場合、全記録領域を半径方向に向かって
２〜20の領域に分割するのが好ましく、２〜10の領域に
分割するのがより好ましい。 本発明の情報の書き換え方法においては、線速に応じ
ての平均照射パワーの大きさの変化のさせ方は、中間の
パワーレベルや高いパワーレベルの高さの変化、あるい
は中間のパワーレベルや高いパワーレベルに保つ時間の
変化などどれでもよく、結果的に平均照射パワーが変化
さえすればよい。本発明では、中間のパワーレベルと高
いパワーレベルの両方の高さを変化させた場合、特に両
者の比を一定に保って変化させた場合効果が大きかった
が、中間または高いパワーレベルのみ変化させても良
い。
本発明における情報の書き換え方法においては、書き
換えをしようとする場所の移動速度に応じて平均照射パ
ワーを変化させる。この時、記録膜の到達温度がほぼ一
定になるように平均照射パワーを設定するため、全記録
領域において、良好な書き換えが行われた。高いパワー
レベルと中間パワーレベルとの比は、記録膜によって異
なるが、1:0.4〜1:0.9が好ましい。 また、記録領域を幾つかの領域に分割し、それぞれの
平均移動速度に応じた最適な平均照射パワーでその領域
内を書き換えする方が、移動速度に応じて変化させる書
き換えパワー数が少なくてすむため、回路系が簡単にな
り装置が安くなる。 本発明に用いる記録用部材としては、結晶−非晶質間
の相変化を利用する記録媒体や、非晶質−非晶質間の変
化を利用する記録媒体、結晶形や結晶粒径の変化などの
結晶−結晶間の相変化型記録媒体にも有効である。光磁
気記録媒体にも適用可能である。これらはいずれもほと
んど記録膜の形状変化を起こさずに書き換えが行えるも
のである。特に本発明においては、Te,Se,Sのうちより
選ばれる少なくとも１種類の元素を30〜85原子％含有す
るカルコゲン化物（例えばIn−Se,Sb−Teを主成分とす
る記録膜）やIn−Sbを主成分とする記録膜、そしてTb−
Fe−Coを主成分とする光磁気記録膜に対して有効であ
る。また、これらとは記録原理の異なる記録媒体に本発
明を適用することもできる。 本発明の記録の書き換え方法は、２つ以上の光スポッ
トを用いて書き換えを行う場合の少なくとも１つの光ス
ポットのパワー変調方法としても用いることができる。 また、本発明は読み出しパワーレベル以外の３つ以上
のパワーレベル間でパワーを変化させる場合や、CAV（c
onstant angular velocity）方式によるディスクへの記
録ばかりではなく、MCAV（modified constant angular
velocity:角速度一定でディスクの半径方向に記録周波
数を変える方式）方式などにも適用可能である。
換えをしようとする場所の移動速度に応じて平均照射パ
ワーを変化させる。この時、記録膜の到達温度がほぼ一
定になるように平均照射パワーを設定するため、全記録
領域において、良好な書き換えが行われた。高いパワー
レベルと中間パワーレベルとの比は、記録膜によって異
なるが、1:0.4〜1:0.9が好ましい。 また、記録領域を幾つかの領域に分割し、それぞれの
平均移動速度に応じた最適な平均照射パワーでその領域
内を書き換えする方が、移動速度に応じて変化させる書
き換えパワー数が少なくてすむため、回路系が簡単にな
り装置が安くなる。 本発明に用いる記録用部材としては、結晶−非晶質間
の相変化を利用する記録媒体や、非晶質−非晶質間の変
化を利用する記録媒体、結晶形や結晶粒径の変化などの
結晶−結晶間の相変化型記録媒体にも有効である。光磁
気記録媒体にも適用可能である。これらはいずれもほと
んど記録膜の形状変化を起こさずに書き換えが行えるも
のである。特に本発明においては、Te,Se,Sのうちより
選ばれる少なくとも１種類の元素を30〜85原子％含有す
るカルコゲン化物（例えばIn−Se,Sb−Teを主成分とす
る記録膜）やIn−Sbを主成分とする記録膜、そしてTb−
Fe−Coを主成分とする光磁気記録膜に対して有効であ
る。また、これらとは記録原理の異なる記録媒体に本発
明を適用することもできる。 本発明の記録の書き換え方法は、２つ以上の光スポッ
トを用いて書き換えを行う場合の少なくとも１つの光ス
ポットのパワー変調方法としても用いることができる。 また、本発明は読み出しパワーレベル以外の３つ以上
のパワーレベル間でパワーを変化させる場合や、CAV（c
onstant angular velocity）方式によるディスクへの記
録ばかりではなく、MCAV（modified constant angular
velocity:角速度一定でディスクの半径方向に記録周波
数を変える方式）方式などにも適用可能である。
以下、本発明の一実施例を挙げ、第１図〜第４図を参
照しながら、さらに詳細に説明する。 第１図は、本発明の情報の記録方法に用いたディスク
の構造断面図の一例を示したものである。まず、直径13
cm,厚さ1.2mmのディスク状化学強化ガラス板１の表面に
紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝を有する下
地層２を形成した。そしてこの上にマグネトロンスパッ
タリングによって厚さ約300nmのSiO2層３を形成した。
このSiO2層は基板との屈折率差が小さいので、膜厚に多
少ムラやバラツキがあってもよい。次にこのディスクを
複数のターゲットを持ち、順次積層膜を形成でき、ま
た、膜厚の均一性、再現性の良いスパッタリング装置に
移し、Si3N4を約93nmの厚さにスパッタして層４とし
た。次にSi3N4層４上に同一スパッタリング装置内でGe
13Sb30Te57の組成の記録膜５を約90nmの膜厚に蒸着し
た。次に再び同一スパッタリング装置内でSi3N4の保護
層６を約250nmの膜厚に形成した。さらに、この上に同
一スパッタリング装置内でAu層７を80nm、次にSi3N4層
８を50nmつけた。その後、この上に接着剤層９を介し
て、同じ構造のもう一枚のディスクとの貼りあわせを行
った。この時、全面を接着すれば書き換え可能回数を多
くでき、記録領域には接着剤をつけなければ少し記録感
度が高くなった。ここで用いたディスクは記録領域が最
内周30mmから最外周60mmまで形成されている。 ここでは全記録領域を３つに分割して記録を行った例
を示す。まず半径30〜40mmの記録領域の中心である半径
35mmにおける最適な平均照射パワーを調べた。ディスク
を1800rpmで回転させ、半導体レーザ（波長830nm）の光
を記録が行われないレベル（約1mW）に保って、記録ヘ
ッド中のレンズで集光して基板を通して記録膜に照射
し、反射光を検出することによって、トラッキング用の
溝と溝の中間に光スポットの中心が常に一致するように
ヘッドを駆動した。もちろん、溝の中央に光スポットの
中心をほぼ一致させても大きな問題はない。このように
トラッキングを行いながら、さらに記録膜上に焦点が来
るように自動焦点合わせを行い、まずイニシャライズの
ため、同一トラック上にパワー12mWの連続レーザ光を３
回照射した。この照射は10〜18mWの範囲でよい。続いて
8mWの連続レーザ光を３回照射した。この照射は５〜9mW
の範囲でよい。上記２種類の照射は１回以上であればよ
いがパワーの高い方の照射は２回以上がより好ましく、
パワーの低い方の照射は省略してもよい。これらの照射
は、半導体レーザアレイで行うか、ガスレーザからの光
ビームを複数に分割したもので行うと、ディスクの１回
転で行うことも可能である。この場合、複数の光スポッ
トを同一トラック上に配置せず、たとえばトラックと、
それに隣接するトラック間に配置すれば、両方を同時に
イニシャライズすることができ、消え残りが少なくなる
などの効果がある。このイニシャライズ方法は本発明の
書き換え方法ばかりでなく、他の記録方法、記録の書き
換え方法を行う場合にも有効である。次に、記録を行う
部分では、レーザパワーを中間パワーレベルと高いパワ
ーレベルとの間で第２図に示したように変化させること
により記録を行った。この時の平均照射パワー（Pa）
は、下記の式で求められる（同一記録周波数の場合）。 Pa＝Pm＋［α・（Ph−Pm）］ ここで、Pmは中間パワーレベルの値、Phは高いパワー
レベルの値、αは記録信号のデューティ比。 高いパワーレベルと中間パワーレベルとのパワーの比
は1:0.4〜1:0.9の範囲が特に好ましい。記録された部分
の非晶質に近い部分を記録点と考える。記録を行う部分
を通り過ぎれば、レーザパワーを1mWに下げてトラッキ
ング及び自動焦点合わせを続けた。この読み出しパワー
は、0.2〜3mWの範囲で別の値に設定してもよい。なお、
記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続され
る。この記録方法は、既に記録されている部分に対して
行う記録の書き換え方法と同じとした。 図３は、半径35mmにおけるC/Nと消去比の平均照射パ
ワー依存性を示したものである［高いパワーレベルと中
間パワーレベルとのパワー比は1:0.5、記録信号のデュ
ーティー比（高いパワーレベルにある時間の全体に対す
る割合）は50％］。ここで高いパワーレベルと中間パワ
ーレベルとのパワー比を1:0.5として照射パワーを変化
させて良好な結果を得たが、このパワー比を変えたり、
また中間あるいは高いパワーレベルのみ変化させても良
い。この記録膜における最適な平均照射パワーは、10mW
である。半径30mm〜40mmの記録領域でこの10mWの平均照
射パワーで記録を行ったところ良好な書き換えができ
た。次に、両方のパワーレベルを一定に保ち、デューテ
ィー比をさせた時、平均照射パワー対C/Nおよび消去比
特性は図３に近いものとなり、良好な書き換えが行え
た。 同様に、半径40mm〜50mmの記録領域では半径45mmにお
ける最適な平均照射パワーで書き換えを行い、半径50mm
〜60mmの記録領域では、半径55mmにおける最適な平均照
射パワーで書き換えを行った。 本実施例の記録膜では全領域を３つの領域に分割し、
それぞれの領域での最適に近い平均照射パワーで書き換
えを行えば消え残りの少ない良好な書き換えが行えた
が、記録膜によっては、それぞれの領域内で消え残りが
大きくなる場合がある。その場合は、分割する数を多く
して、極力全領域において良好な書き換えが行えるよう
に調整すれば良い。この場合、制御回路を簡単にするた
め２〜20に分割するのが好ましく、２〜10の領域に分割
するのがより好ましい。 また本実施例では、領域に分割したが、書き換えを行
う場所の線速に応じて平均照射パワーを連続的に変化さ
せても同様な効果が得られた。ここで、線速度ａである
ディスクの内周部での最適な平均照射パワーがＡの時、
同じディスクの線速度ｂの外周部（ａ＜ｂ）で書き換え
を行う場合、次の式で求められる平均照射パワーＢの値
のある範囲内において最適な書き換えが行える。 Ｂ＝（b/a）ｘ・Ａ そこで、例として線速が２倍の場所（b/a＝２）でｘ
の値を変化させて書き換え特性を測定したところ、消去
比が下記のようになった。 消去比 ｘ＝０ 23dB ｘ＝0.1 27dB ｘ＝0.2 31dB ｘ＝0.3 33dB ｘ＝0.4 35dB ｘ＝0.5 35dB ｘ＝0.6 34dB ｘ＝0.7 33dB ｘ＝0.8 31dB ｘ＝0.9 29dB ｘ＝1.0 27dB ｘ＝1.1 25dB ｘ＝1.2 22bB 上記の結果より、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる値であった。 また、線速度ｂであるディスクの外周部での最適な平
均照射パワーがＢの時、同じディスクの線速度ａの内周
部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められ
る平均照射パワーＡの値のある範囲内において最適な書
き換えが行える。 Ａ＝（a/b）ｘ・Ｂ ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる値であった。 この時の平均照射パワーの変化のさせ方としては、図
４（ａ）に示すように高いパワーレベルと中間のパワー
レベルの高さを両方共小さくしたり、図４（ｂ）のよう
に高いパワーレベルの高さは一定で保つ時間を短くする
と同時に中間のパワーレベルの高さを小さくしても同様
な結果が得られた。また、図４（ｃ）に示すように、中
間のパワーレベルと高いパワーレベルの高さを変えない
で、中間のパワーレベルに保つ時間を変化させたり（図
のようにパルス的にする）、高いパワーレベルに保つ時
間を短くするなどして最適な平均照射パワーにすると、
高速でアクセスする場合にも対応が容易になり、制御系
が簡単になる。 ここで、全体の平均照射パワーを、中間のパワーレベ
ル以下のパワーで照射する領域の平均照射パワーと中間
のパワーレベルを越え、高いパワーレベルまで（高いパ
ワーレベルを含む）のパワーで照射する領域との間の平
均照射パワーとに分けて考える。 まず、線速度ｂであるディスクの外周部での中間のパ
ワーレベル以下のパワーで照射する領域の最適な平均照
射パワーがB1の時、同じディスクの線速度ａの内周部
（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められる
中間のパワーレベル以下のパワーで照射する領域の平均
照射パワーA1の値のある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A1＝（a/b）ｙ・B1 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｙ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｙ≧0.7 の式で求められる値であった。これらの範囲から外れる
と特に消去比が大幅に低下した。 同様に、線速度ｂであるディスクの外周部での中間の
パワーレベルを越え、高いパワーレベルまでのパワーで
照射する領域の最適な平均照射パワーがB2の時、同じデ
ィスクの線速度ａの内周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う
場合、次の式で求められる中間のパワーレベルを越え、
高いパワーレベルまでのパワーで照射する領域の平均照
射パワーA2の値の、ある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A2＝（a/b）ｚ・B2 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｚ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｚ≧0.7 の式で求められる値であった。これらの範囲から外れる
と特に消去比が大幅に低下した。 なお、本実施例において書き換え中に50ns以下の短時
間だけパワーを他の値（読み出しパワーレベルと同じ、
高い、低いのいずれでもよい）にしても特に差し支え無
かった。 光パワー変調によるオーバーライトが可能な光磁気デ
ィスク媒体を用いた場合にも、必要に応じて１〜３個の
磁石を併用することによってほぼ同様の結果が得られ
た。
照しながら、さらに詳細に説明する。 第１図は、本発明の情報の記録方法に用いたディスク
の構造断面図の一例を示したものである。まず、直径13
cm,厚さ1.2mmのディスク状化学強化ガラス板１の表面に
紫外線硬化樹脂を用いてトラッキング用の溝を有する下
地層２を形成した。そしてこの上にマグネトロンスパッ
タリングによって厚さ約300nmのSiO2層３を形成した。
このSiO2層は基板との屈折率差が小さいので、膜厚に多
少ムラやバラツキがあってもよい。次にこのディスクを
複数のターゲットを持ち、順次積層膜を形成でき、ま
た、膜厚の均一性、再現性の良いスパッタリング装置に
移し、Si3N4を約93nmの厚さにスパッタして層４とし
た。次にSi3N4層４上に同一スパッタリング装置内でGe
13Sb30Te57の組成の記録膜５を約90nmの膜厚に蒸着し
た。次に再び同一スパッタリング装置内でSi3N4の保護
層６を約250nmの膜厚に形成した。さらに、この上に同
一スパッタリング装置内でAu層７を80nm、次にSi3N4層
８を50nmつけた。その後、この上に接着剤層９を介し
て、同じ構造のもう一枚のディスクとの貼りあわせを行
った。この時、全面を接着すれば書き換え可能回数を多
くでき、記録領域には接着剤をつけなければ少し記録感
度が高くなった。ここで用いたディスクは記録領域が最
内周30mmから最外周60mmまで形成されている。 ここでは全記録領域を３つに分割して記録を行った例
を示す。まず半径30〜40mmの記録領域の中心である半径
35mmにおける最適な平均照射パワーを調べた。ディスク
を1800rpmで回転させ、半導体レーザ（波長830nm）の光
を記録が行われないレベル（約1mW）に保って、記録ヘ
ッド中のレンズで集光して基板を通して記録膜に照射
し、反射光を検出することによって、トラッキング用の
溝と溝の中間に光スポットの中心が常に一致するように
ヘッドを駆動した。もちろん、溝の中央に光スポットの
中心をほぼ一致させても大きな問題はない。このように
トラッキングを行いながら、さらに記録膜上に焦点が来
るように自動焦点合わせを行い、まずイニシャライズの
ため、同一トラック上にパワー12mWの連続レーザ光を３
回照射した。この照射は10〜18mWの範囲でよい。続いて
8mWの連続レーザ光を３回照射した。この照射は５〜9mW
の範囲でよい。上記２種類の照射は１回以上であればよ
いがパワーの高い方の照射は２回以上がより好ましく、
パワーの低い方の照射は省略してもよい。これらの照射
は、半導体レーザアレイで行うか、ガスレーザからの光
ビームを複数に分割したもので行うと、ディスクの１回
転で行うことも可能である。この場合、複数の光スポッ
トを同一トラック上に配置せず、たとえばトラックと、
それに隣接するトラック間に配置すれば、両方を同時に
イニシャライズすることができ、消え残りが少なくなる
などの効果がある。このイニシャライズ方法は本発明の
書き換え方法ばかりでなく、他の記録方法、記録の書き
換え方法を行う場合にも有効である。次に、記録を行う
部分では、レーザパワーを中間パワーレベルと高いパワ
ーレベルとの間で第２図に示したように変化させること
により記録を行った。この時の平均照射パワー（Pa）
は、下記の式で求められる（同一記録周波数の場合）。 Pa＝Pm＋［α・（Ph−Pm）］ ここで、Pmは中間パワーレベルの値、Phは高いパワー
レベルの値、αは記録信号のデューティ比。 高いパワーレベルと中間パワーレベルとのパワーの比
は1:0.4〜1:0.9の範囲が特に好ましい。記録された部分
の非晶質に近い部分を記録点と考える。記録を行う部分
を通り過ぎれば、レーザパワーを1mWに下げてトラッキ
ング及び自動焦点合わせを続けた。この読み出しパワー
は、0.2〜3mWの範囲で別の値に設定してもよい。なお、
記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続され
る。この記録方法は、既に記録されている部分に対して
行う記録の書き換え方法と同じとした。 図３は、半径35mmにおけるC/Nと消去比の平均照射パ
ワー依存性を示したものである［高いパワーレベルと中
間パワーレベルとのパワー比は1:0.5、記録信号のデュ
ーティー比（高いパワーレベルにある時間の全体に対す
る割合）は50％］。ここで高いパワーレベルと中間パワ
ーレベルとのパワー比を1:0.5として照射パワーを変化
させて良好な結果を得たが、このパワー比を変えたり、
また中間あるいは高いパワーレベルのみ変化させても良
い。この記録膜における最適な平均照射パワーは、10mW
である。半径30mm〜40mmの記録領域でこの10mWの平均照
射パワーで記録を行ったところ良好な書き換えができ
た。次に、両方のパワーレベルを一定に保ち、デューテ
ィー比をさせた時、平均照射パワー対C/Nおよび消去比
特性は図３に近いものとなり、良好な書き換えが行え
た。 同様に、半径40mm〜50mmの記録領域では半径45mmにお
ける最適な平均照射パワーで書き換えを行い、半径50mm
〜60mmの記録領域では、半径55mmにおける最適な平均照
射パワーで書き換えを行った。 本実施例の記録膜では全領域を３つの領域に分割し、
それぞれの領域での最適に近い平均照射パワーで書き換
えを行えば消え残りの少ない良好な書き換えが行えた
が、記録膜によっては、それぞれの領域内で消え残りが
大きくなる場合がある。その場合は、分割する数を多く
して、極力全領域において良好な書き換えが行えるよう
に調整すれば良い。この場合、制御回路を簡単にするた
め２〜20に分割するのが好ましく、２〜10の領域に分割
するのがより好ましい。 また本実施例では、領域に分割したが、書き換えを行
う場所の線速に応じて平均照射パワーを連続的に変化さ
せても同様な効果が得られた。ここで、線速度ａである
ディスクの内周部での最適な平均照射パワーがＡの時、
同じディスクの線速度ｂの外周部（ａ＜ｂ）で書き換え
を行う場合、次の式で求められる平均照射パワーＢの値
のある範囲内において最適な書き換えが行える。 Ｂ＝（b/a）ｘ・Ａ そこで、例として線速が２倍の場所（b/a＝２）でｘ
の値を変化させて書き換え特性を測定したところ、消去
比が下記のようになった。 消去比 ｘ＝０ 23dB ｘ＝0.1 27dB ｘ＝0.2 31dB ｘ＝0.3 33dB ｘ＝0.4 35dB ｘ＝0.5 35dB ｘ＝0.6 34dB ｘ＝0.7 33dB ｘ＝0.8 31dB ｘ＝0.9 29dB ｘ＝1.0 27dB ｘ＝1.1 25dB ｘ＝1.2 22bB 上記の結果より、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる値であった。 また、線速度ｂであるディスクの外周部での最適な平
均照射パワーがＢの時、同じディスクの線速度ａの内周
部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められ
る平均照射パワーＡの値のある範囲内において最適な書
き換えが行える。 Ａ＝（a/b）ｘ・Ｂ ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｘ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｘ≧0.7 の式で求められる値であった。 この時の平均照射パワーの変化のさせ方としては、図
４（ａ）に示すように高いパワーレベルと中間のパワー
レベルの高さを両方共小さくしたり、図４（ｂ）のよう
に高いパワーレベルの高さは一定で保つ時間を短くする
と同時に中間のパワーレベルの高さを小さくしても同様
な結果が得られた。また、図４（ｃ）に示すように、中
間のパワーレベルと高いパワーレベルの高さを変えない
で、中間のパワーレベルに保つ時間を変化させたり（図
のようにパルス的にする）、高いパワーレベルに保つ時
間を短くするなどして最適な平均照射パワーにすると、
高速でアクセスする場合にも対応が容易になり、制御系
が簡単になる。 ここで、全体の平均照射パワーを、中間のパワーレベ
ル以下のパワーで照射する領域の平均照射パワーと中間
のパワーレベルを越え、高いパワーレベルまで（高いパ
ワーレベルを含む）のパワーで照射する領域との間の平
均照射パワーとに分けて考える。 まず、線速度ｂであるディスクの外周部での中間のパ
ワーレベル以下のパワーで照射する領域の最適な平均照
射パワーがB1の時、同じディスクの線速度ａの内周部
（ａ＜ｂ）で書き換えを行う場合、次の式で求められる
中間のパワーレベル以下のパワーで照射する領域の平均
照射パワーA1の値のある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A1＝（a/b）ｙ・B1 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｙ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｙ≧0.7 の式で求められる値であった。これらの範囲から外れる
と特に消去比が大幅に低下した。 同様に、線速度ｂであるディスクの外周部での中間の
パワーレベルを越え、高いパワーレベルまでのパワーで
照射する領域の最適な平均照射パワーがB2の時、同じデ
ィスクの線速度ａの内周部（ａ＜ｂ）で書き換えを行う
場合、次の式で求められる中間のパワーレベルを越え、
高いパワーレベルまでのパワーで照射する領域の平均照
射パワーA2の値の、ある範囲内において最適な書き換え
が行える。 A2＝（a/b）ｚ・B2 ここで、好ましい範囲は、 0.1≧ｚ≧1.0 より好ましい範囲は、 0.3≧ｚ≧0.7 の式で求められる値であった。これらの範囲から外れる
と特に消去比が大幅に低下した。 なお、本実施例において書き換え中に50ns以下の短時
間だけパワーを他の値（読み出しパワーレベルと同じ、
高い、低いのいずれでもよい）にしても特に差し支え無
かった。 光パワー変調によるオーバーライトが可能な光磁気デ
ィスク媒体を用いた場合にも、必要に応じて１〜３個の
磁石を併用することによってほぼ同様の結果が得られ
た。
以上詳細に説明したごとく、本発明の情報の書き換え
方法によれば、記録場所の移動速度に応じてその場所の
最適に近い平均照射パワーで書き換えを行うため、既存
の記録信号の消え残りが少なく、信号対雑音比が大きく
記録信号に忠実な再生信号を得ることができる。 さらに本発明の方法はディスク状の記録媒体に対して
ばかりではなく、テープ状、カード状などの他の形態の
記録媒体に対しても有効である。
方法によれば、記録場所の移動速度に応じてその場所の
最適に近い平均照射パワーで書き換えを行うため、既存
の記録信号の消え残りが少なく、信号対雑音比が大きく
記録信号に忠実な再生信号を得ることができる。 さらに本発明の方法はディスク状の記録媒体に対して
ばかりではなく、テープ状、カード状などの他の形態の
記録媒体に対しても有効である。
第１図は本発明の実施例におけるディスク構造を示す断
面図、第２図は情報書き換え時のレーザパワーの時間的
推移を示す図、第３図はC/Nと消去比の平均照射パワー
依存性の一例を示す図、第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）
はディスクの外周と内周において最適な平均照射パワー
にするための一例を示す図である。 1,1′……ガラス基板,2,2′……下地層， 3,3′……SiO2層,4,4′……Si3N4層， 5,5′……記録膜,6,6′……Si3N4層， 7,7′……Au層,8,8′……Si3N4層， ９……有機接着層。
面図、第２図は情報書き換え時のレーザパワーの時間的
推移を示す図、第３図はC/Nと消去比の平均照射パワー
依存性の一例を示す図、第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）
はディスクの外周と内周において最適な平均照射パワー
にするための一例を示す図である。 1,1′……ガラス基板,2,2′……下地層， 3,3′……SiO2層,4,4′……Si3N4層， 5,5′……記録膜,6,6′……Si3N4層， 7,7′……Au層,8,8′……Si3N4層， ９……有機接着層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭64−86325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188025（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−24452（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 7/00 G11B 7/125 G11B 11/10
Claims (3)
- 【請求項１】読み出しパワーレベルよりも高い消去用中
間パワーレベルのエネルギービームと該中間パワーレベ
ルよりも高い高パワーレベルのエネルギービームとを用
いて記録用部材の情報を書き換える方法において、上記
記録用部材の内周部では上記高パワーレベルを外周部よ
りも低くし、かつ、上記中間パワーレベルを外周部より
も低くすることを特徴とする情報の書き換え方法。 - 【請求項２】読み出しパワーレベルよりも高い中間パワ
ーレベルのエネルギービームと該中間パワーレベルより
も高い高パワーレベルのエネルギービームとを用いて記
録用部材の情報を書き換える方法において、上記記録用
部材の内周部では上記高パワーレベルに保つ時間を外周
部よりも短くし、かつ、上記中間パワーレベルを外周部
よりも低くすることを特徴とする情報の書き換え方法。 - 【請求項３】上記高パワーレベルは上記内周部と上記外
周部で同じレベルであることを特徴とする請求項２記載
の情報の書き換え方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097310A JP2765938B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 情報の書き換え方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1097310A JP2765938B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 情報の書き換え方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278518A JPH02278518A (ja) | 1990-11-14 |
| JP2765938B2 true JP2765938B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=14188918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1097310A Expired - Fee Related JP2765938B2 (ja) | 1989-04-19 | 1989-04-19 | 情報の書き換え方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765938B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2299441A2 (en) | 2003-02-19 | 2011-03-23 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method and optical recording apparatus |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263120A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光メモリ記録再生装置 |
| TWI261825B (en) | 2002-12-16 | 2006-09-11 | Hitachi Maxell | Data recording method and data recording medium |
| JP2006209935A (ja) | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録方法、光記録装置及び光記録媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5924452A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-08 | Fujitsu Ltd | 光デイスク記録方式 |
| JPH0785307B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1995-09-13 | 松下電器産業株式会社 | 光デイスク記録再生装置 |
| JPS6486325A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-31 | Nec Corp | Optical recording and reproducing device |
-
1989
- 1989-04-19 JP JP1097310A patent/JP2765938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2299441A2 (en) | 2003-02-19 | 2011-03-23 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method and optical recording apparatus |
| US9418694B2 (en) | 2003-02-19 | 2016-08-16 | JVC Kenwood Corporation | Optical recording method, optical recording medium, optical recording medium recording apparatus, optical recording apparatus, optical disk, and optical disk recording/reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02278518A (ja) | 1990-11-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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