JPH04134742A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH04134742A JPH04134742A JP25802890A JP25802890A JPH04134742A JP H04134742 A JPH04134742 A JP H04134742A JP 25802890 A JP25802890 A JP 25802890A JP 25802890 A JP25802890 A JP 25802890A JP H04134742 A JPH04134742 A JP H04134742A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザ光等の光学的手段を用いて情報の記録
再生 消去を行う光磁気記録再生装置の光磁気記録媒体
及びその光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ４ 従来の技術 近年 電子計算機の発達にともない低価格 大容量の補
助記録装置として光磁気ディスクが多くの分野で期待さ
れており、現在ＩＳＯで標準化作業が進行中であ、Ｌ
ＩＳＯで標準化作業の進行中の光磁気ディスクの記録
媒体（以上 光磁気記録媒体）には 光ビームのトラッ
キングガイドのための案内溝があり、 これによって高
密度記録およびランダムアクセスを実現していも 以下図面を参照しなが収 従来の光磁気記録媒体の一例
について説明すも 第４図に従来の光磁気記録媒体の構造図を示す。
再生 消去を行う光磁気記録再生装置の光磁気記録媒体
及びその光磁気記録媒体の製造方法に関するものであ４ 従来の技術 近年 電子計算機の発達にともない低価格 大容量の補
助記録装置として光磁気ディスクが多くの分野で期待さ
れており、現在ＩＳＯで標準化作業が進行中であ、Ｌ
ＩＳＯで標準化作業の進行中の光磁気ディスクの記録
媒体（以上 光磁気記録媒体）には 光ビームのトラッ
キングガイドのための案内溝があり、 これによって高
密度記録およびランダムアクセスを実現していも 以下図面を参照しなが収 従来の光磁気記録媒体の一例
について説明すも 第４図に従来の光磁気記録媒体の構造図を示す。
第４図において、 １１はガラスあるいはプラスチック
等の基板 １２は光スポットのトラッキングガイドのた
めの案内溝であり、 ５ｉＯａ、ＺｎＳ等の誘電体層
１３．ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等の記録層１４．
Ｓｉｎｇ、ＺｎＳ等の中間層１５゜Ａ Ｉ、 Ａ
Ｉ Ｔ ｉ、 Ｃｕ等の反射層１６．２Ｍｇ０・Ｓｉ
Ｏ２，ＳｉＮ等の保護層１７がそれぞれ順次積層されて
いも この誘電体層１３．記録層１４゜中間層１５１反
射層１６のそれぞれの膜厚は見かけ上のカー回転角を増
大させるように設定してあム この光磁気記録媒体にデータを記録する方法として（上
前回記録したデータの消去と新しいデータの書き込み
という２つのプロセスからなム 外部磁界を加えた状態
で、 レーザ光の照射により記録媒体の温度をキュリー
温度以上に上げると記録層の保磁力が低下し、外部磁界
により記録層の磁化は一定方向となも これが消去プロ
セスであムここで外部磁界を反転させ書き込みデータに
応じてレーザをパルス点灯すると、レーザを照射した部
分の磁化が消去プロセスで消去した磁化の向きと反対方
向となり、データが記録されも発明が解決しようとする
課題 しかしながら、上記のような構成では次のような課題を
有していた 従来の光磁気記録媒体では 繰り返し記録消去を行った
前後で記録感度 シグナル−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）等が
変化するたハ 高Ｃ／Ｎ （例えば４５ｄＢ以上）を確
保できる記録パワーの範囲（以上 パワーマージンと略
す）が±１６％程度しかなく、使用環境や各ドライブ間
でのデフォーカスオフトラッ久 レーザパワー設定誤差
を考虜するとドライブ間の互換性をとることは非常に困
難であるという課題を有していた 本発明に 前記課題に鑑み 繰り返し記録消去したとき
に記録層の劣化による記録層ＪＥＣ／Ｎ。
等の基板 １２は光スポットのトラッキングガイドのた
めの案内溝であり、 ５ｉＯａ、ＺｎＳ等の誘電体層
１３．ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ等の記録層１４．
Ｓｉｎｇ、ＺｎＳ等の中間層１５゜Ａ Ｉ、 Ａ
Ｉ Ｔ ｉ、 Ｃｕ等の反射層１６．２Ｍｇ０・Ｓｉ
Ｏ２，ＳｉＮ等の保護層１７がそれぞれ順次積層されて
いも この誘電体層１３．記録層１４゜中間層１５１反
射層１６のそれぞれの膜厚は見かけ上のカー回転角を増
大させるように設定してあム この光磁気記録媒体にデータを記録する方法として（上
前回記録したデータの消去と新しいデータの書き込み
という２つのプロセスからなム 外部磁界を加えた状態
で、 レーザ光の照射により記録媒体の温度をキュリー
温度以上に上げると記録層の保磁力が低下し、外部磁界
により記録層の磁化は一定方向となも これが消去プロ
セスであムここで外部磁界を反転させ書き込みデータに
応じてレーザをパルス点灯すると、レーザを照射した部
分の磁化が消去プロセスで消去した磁化の向きと反対方
向となり、データが記録されも発明が解決しようとする
課題 しかしながら、上記のような構成では次のような課題を
有していた 従来の光磁気記録媒体では 繰り返し記録消去を行った
前後で記録感度 シグナル−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）等が
変化するたハ 高Ｃ／Ｎ （例えば４５ｄＢ以上）を確
保できる記録パワーの範囲（以上 パワーマージンと略
す）が±１６％程度しかなく、使用環境や各ドライブ間
でのデフォーカスオフトラッ久 レーザパワー設定誤差
を考虜するとドライブ間の互換性をとることは非常に困
難であるという課題を有していた 本発明に 前記課題に鑑み 繰り返し記録消去したとき
に記録層の劣化による記録層ＪＥＣ／Ｎ。
磁場依存性の変化がなく、記録消去パワーに対するパワ
ーマージンの非常に広い光磁気記録媒体を提供するもの
であム 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため＆−本発明の光磁気記録媒体（
上 基板上に形成された希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を有した光磁気記録媒体であって
、光磁気信号を記録する領域を熱処理して構成されたも
のであム ざら＆４ その製造方法１′！、基板上に希土類金属−
遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したのち
に 記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレー
ザパワーを、光磁気信号を記録する領域に照射するとい
う光磁気記録媒体の製造方法によって構成されたもＱ
あるい＜４ 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を形成したのちに、 光磁気記
録媒体の一括消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワー
を、光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁気
記録媒体の製造方法により構成されたものであム作用 本発明は 上述した構成により繰り返し記録消去したと
きの記録層の特性の安定化を図ることができ、記録層の
劣化による記録感度 Ｃ／ Ｎ、 記録時の磁場依存
性等の変化がなく、記録消去パワーに対するマージンを
広げることができる光磁気記録媒体を実現できることと
なム 実施例 以下本発明の光磁気記録媒体の一実施例について２図面
を参照しながら説明すも 第１図は 本発明の第１の実施例における光磁気記録媒
体の構造図を示すものであム 第１図に於いて 光スポ
ットのトラッキングガイドのための案内溝２を設けたポ
リカーボネート基板１上＆ζＺｎＳの誘電体層３．Ｔｂ
ＦｅＣｏ （ＲＥ−ｒｉｃｈ）の記録層４．ＺｎＳの中
間層５．Ａ１の反射層６． ＺｎＳ−３ｉＯ２の保護
層７がそれぞれ順次積層されていも さらぬ 第２図の本発明の第１の実施例における光磁気
記録媒体の主要部断面図に示すよう鳴本実施例ではそれ
ぞれの膜を積層した後 光磁気記録再生装置を用いて、
ディスク回転数２４０゜ｒｐｍでレーザパワー１１ｍＷ
を記録領域に照射することにより、熱処理領域８を形成
すも以Ｔ、１１ｍＷのレーザパワーで熱処理を行った本
実施例の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す。第５図
はキュリー温度到達パワー３．１ｍＷの光磁気記録媒体
の場合の、Ｃ／Ｎ（バイアス磁界２００ｏｅの場合）の
記録ノくワー依存性であａ第５図に示すように １０’
回繰り返し言己緑ン肖去した前後での記録再生特性はほ
とんど変化しなしもこれに対して、従来の光磁気記録媒
体の場合のＣ／Ｎの記録パワー依存性（上 第６図番こ
示すよう＆ニ１０’回繰り返し記録消去した前後で、Ｃ
／Ｎ、 言己録感度等が大きく変化すも このため、
従来の光磁気記録媒体の繰り返し記録消去特性を含めて
のＣ／Ｎ４５ｄＢ以上のパワーマージンζよ±１６％で
あも これに対し２本実施例のＣ／Ｎ４５ｄＢ以上のパ
ワーマージンは±２８％と広くすることができも この光磁気記録媒体の、記録領域の熱処理レーザパワー
と１０６回繰り返し記録消去を行った前後でのＣ／Ｎ４
５ｄＢ以上の）くワーマージンとの関係図を第７図に示
す。熱処理レーザ、＜ワーカ１ｍＷ程度まで４上 Ｃ／
Ｎ４５ｄＢ以上のノ（ワーマージンは小さいが １０ｍ
Ｗ〜１２ｍＷのレーサノ（ワーでは±２７％以上の広い
〕（ワーマージンカく得られも このことは ９ｍＷ以
下の熱処理レーザパワーで嬬 熱処理が不十分であるた
め番こ膜特性が変化するのに対し、 ｌＯｍＷ−１２
ｍＷのレーザパワーで熱処理を行なった場合に（上 記
録層力く安定するためにＣ／Ｎ、 記録感度等が変化
しな０ためにパワーマージンが広くできると０えも次−
本発明の光磁気記録媒体の第２の実施例について図面を
参照しながら説明すも 第３図もま本発明の第２の実施
例における光磁気記録媒体の主要部断面図であも 本実
施例では光磁気−括消去装置を用いて１発光リフレクタ
ーの発光〕くワー１００Ｖ−２４００Ｗを照射すること
により一括着磁可能な光磁気記録媒体はあり、その製造
方法（上 それぞれの膜を積層した後 光磁気−括消去
装置を用いて９発光リフレクターの発光）くワーフ００
Ｖ−２４００ＷをＬｍｓｅｃ照射すること番コより、熱
処理領域９を形成すも このとき２発光リフレクターの
発光ノくワーを５００Ｖ−２４００Ｗ以下のパワーで照
射すると、熱処理が不十分であるため １０８回繰り返
し記録消去した前後ではＣ／ Ｎ、 記録［ＩＳ
バイアス磁場依存性が変化すこの本発明の第２の実施例
の光磁気記録媒体のＣ／Ｎの記録パワー依存性ζ山 本
発明の第１の実施例における光磁気記録媒体の場合と同
様に １０６回繰り返し記録゛消去した前後での記録再
生特性はほとんど変化せす 繰り返し記録消去を含めて
のパワーマージンを広げることができる。
ーマージンの非常に広い光磁気記録媒体を提供するもの
であム 課題を解決するための手段 上記課題を解決するため＆−本発明の光磁気記録媒体（
上 基板上に形成された希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を有した光磁気記録媒体であって
、光磁気信号を記録する領域を熱処理して構成されたも
のであム ざら＆４ その製造方法１′！、基板上に希土類金属−
遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したのち
に 記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレー
ザパワーを、光磁気信号を記録する領域に照射するとい
う光磁気記録媒体の製造方法によって構成されたもＱ
あるい＜４ 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を形成したのちに、 光磁気記
録媒体の一括消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワー
を、光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁気
記録媒体の製造方法により構成されたものであム作用 本発明は 上述した構成により繰り返し記録消去したと
きの記録層の特性の安定化を図ることができ、記録層の
劣化による記録感度 Ｃ／ Ｎ、 記録時の磁場依存
性等の変化がなく、記録消去パワーに対するマージンを
広げることができる光磁気記録媒体を実現できることと
なム 実施例 以下本発明の光磁気記録媒体の一実施例について２図面
を参照しながら説明すも 第１図は 本発明の第１の実施例における光磁気記録媒
体の構造図を示すものであム 第１図に於いて 光スポ
ットのトラッキングガイドのための案内溝２を設けたポ
リカーボネート基板１上＆ζＺｎＳの誘電体層３．Ｔｂ
ＦｅＣｏ （ＲＥ−ｒｉｃｈ）の記録層４．ＺｎＳの中
間層５．Ａ１の反射層６． ＺｎＳ−３ｉＯ２の保護
層７がそれぞれ順次積層されていも さらぬ 第２図の本発明の第１の実施例における光磁気
記録媒体の主要部断面図に示すよう鳴本実施例ではそれ
ぞれの膜を積層した後 光磁気記録再生装置を用いて、
ディスク回転数２４０゜ｒｐｍでレーザパワー１１ｍＷ
を記録領域に照射することにより、熱処理領域８を形成
すも以Ｔ、１１ｍＷのレーザパワーで熱処理を行った本
実施例の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す。第５図
はキュリー温度到達パワー３．１ｍＷの光磁気記録媒体
の場合の、Ｃ／Ｎ（バイアス磁界２００ｏｅの場合）の
記録ノくワー依存性であａ第５図に示すように １０’
回繰り返し言己緑ン肖去した前後での記録再生特性はほ
とんど変化しなしもこれに対して、従来の光磁気記録媒
体の場合のＣ／Ｎの記録パワー依存性（上 第６図番こ
示すよう＆ニ１０’回繰り返し記録消去した前後で、Ｃ
／Ｎ、 言己録感度等が大きく変化すも このため、
従来の光磁気記録媒体の繰り返し記録消去特性を含めて
のＣ／Ｎ４５ｄＢ以上のパワーマージンζよ±１６％で
あも これに対し２本実施例のＣ／Ｎ４５ｄＢ以上のパ
ワーマージンは±２８％と広くすることができも この光磁気記録媒体の、記録領域の熱処理レーザパワー
と１０６回繰り返し記録消去を行った前後でのＣ／Ｎ４
５ｄＢ以上の）くワーマージンとの関係図を第７図に示
す。熱処理レーザ、＜ワーカ１ｍＷ程度まで４上 Ｃ／
Ｎ４５ｄＢ以上のノ（ワーマージンは小さいが １０ｍ
Ｗ〜１２ｍＷのレーサノ（ワーでは±２７％以上の広い
〕（ワーマージンカく得られも このことは ９ｍＷ以
下の熱処理レーザパワーで嬬 熱処理が不十分であるた
め番こ膜特性が変化するのに対し、 ｌＯｍＷ−１２
ｍＷのレーザパワーで熱処理を行なった場合に（上 記
録層力く安定するためにＣ／Ｎ、 記録感度等が変化
しな０ためにパワーマージンが広くできると０えも次−
本発明の光磁気記録媒体の第２の実施例について図面を
参照しながら説明すも 第３図もま本発明の第２の実施
例における光磁気記録媒体の主要部断面図であも 本実
施例では光磁気−括消去装置を用いて１発光リフレクタ
ーの発光〕くワー１００Ｖ−２４００Ｗを照射すること
により一括着磁可能な光磁気記録媒体はあり、その製造
方法（上 それぞれの膜を積層した後 光磁気−括消去
装置を用いて９発光リフレクターの発光）くワーフ００
Ｖ−２４００ＷをＬｍｓｅｃ照射すること番コより、熱
処理領域９を形成すも このとき２発光リフレクターの
発光ノくワーを５００Ｖ−２４００Ｗ以下のパワーで照
射すると、熱処理が不十分であるため １０８回繰り返
し記録消去した前後ではＣ／ Ｎ、 記録［ＩＳ
バイアス磁場依存性が変化すこの本発明の第２の実施例
の光磁気記録媒体のＣ／Ｎの記録パワー依存性ζ山 本
発明の第１の実施例における光磁気記録媒体の場合と同
様に １０６回繰り返し記録゛消去した前後での記録再
生特性はほとんど変化せす 繰り返し記録消去を含めて
のパワーマージンを広げることができる。
以上のように 本発明の実施例によれば 基板上に形成
された希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記
録層を有した光磁気記録媒体であって、光磁気信号を記
録する領域を熱処理した構造により構成されたことによ
り、繰り返し記録消去したときの記録層の特性の安定化
を図ることができ、記録層の劣化による記録感度Ｃ／Ｎ
、 記録時の磁場依存性等の変化がなく、記録消去パ
ワーに対するマージンを広げることができる光磁気記録
媒体を実現できるものであム さらに その製造方法（上 基板上に希土類金属−遷移
金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したのちに
記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレーザパ
ワーを光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁
気記録媒体の製造方法によって構成されたもの、あるい
は 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜から
なる記録層を形成したのち＆偽 光磁気記録媒体の一括
消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワーを、光磁気信
号を記録する領域に照射するという光磁気記録媒体の製
造方法により、簡易な方法℃ 高品質な光磁気記録媒体
を作製できる製造方法を実現することができるものであ
も なお 本実施例で（上トラッキングガイドのための案内
溝２を設けたポリカーボネート基板１上番； ＺｎＳ
の誘電体層３．ＴｂＦｅＣｏ （ＲＥ−ｒｉｃｈ）の記
録層４．ＺｎＳの中間層５．Ａ１の反射層６． Ｚｎ
Ｓ−５ｉＯａの保護層７がそれぞれ順次積層されている
構成の光磁気記録媒体を用いて述べてきたが 基板１に
は アクリル エポキシ、その他のプラスチック基板
あるいはガラス上に紫外線硬化樹脂を用いてトラック案
内溝を設けた基板 誘電体層３．および中間層５として
はＳｉＯｘ、ＳｉＮ、Ｚｎ５ｅ−５ｉＯａ、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯｘ、Ａｌ０Ｎ、ＡｌＴｉ０Ｎ等の材料を、記録層４
にはＴｂＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ等垂直磁気異方性を有する
材料を１反射層６に用いる材料として４ｔ、Ｃｕ、Ａｕ
、Ｍｇ、 ＳｎＪるいはＡＩ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｇ、
Ｓｎの少なくとも１種類とＶ。
された希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記
録層を有した光磁気記録媒体であって、光磁気信号を記
録する領域を熱処理した構造により構成されたことによ
り、繰り返し記録消去したときの記録層の特性の安定化
を図ることができ、記録層の劣化による記録感度Ｃ／Ｎ
、 記録時の磁場依存性等の変化がなく、記録消去パ
ワーに対するマージンを広げることができる光磁気記録
媒体を実現できるものであム さらに その製造方法（上 基板上に希土類金属−遷移
金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したのちに
記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレーザパ
ワーを光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁
気記録媒体の製造方法によって構成されたもの、あるい
は 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜から
なる記録層を形成したのち＆偽 光磁気記録媒体の一括
消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワーを、光磁気信
号を記録する領域に照射するという光磁気記録媒体の製
造方法により、簡易な方法℃ 高品質な光磁気記録媒体
を作製できる製造方法を実現することができるものであ
も なお 本実施例で（上トラッキングガイドのための案内
溝２を設けたポリカーボネート基板１上番； ＺｎＳ
の誘電体層３．ＴｂＦｅＣｏ （ＲＥ−ｒｉｃｈ）の記
録層４．ＺｎＳの中間層５．Ａ１の反射層６． Ｚｎ
Ｓ−５ｉＯａの保護層７がそれぞれ順次積層されている
構成の光磁気記録媒体を用いて述べてきたが 基板１に
は アクリル エポキシ、その他のプラスチック基板
あるいはガラス上に紫外線硬化樹脂を用いてトラック案
内溝を設けた基板 誘電体層３．および中間層５として
はＳｉＯｘ、ＳｉＮ、Ｚｎ５ｅ−５ｉＯａ、ＺｎＳ・Ｓ
ｉＯｘ、Ａｌ０Ｎ、ＡｌＴｉ０Ｎ等の材料を、記録層４
にはＴｂＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ等垂直磁気異方性を有する
材料を１反射層６に用いる材料として４ｔ、Ｃｕ、Ａｕ
、Ｍｇ、 ＳｎＪるいはＡＩ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｇ、
Ｓｎの少なくとも１種類とＶ。
Ｃｒ、 Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｍｏ、 Ｐｔ、
Ｐｂ、 Ｔｉ、 Ｙ。
Ｐｂ、 Ｔｉ、 Ｙ。
Ｂｉの少なくとも１種類を、保護層７には２ＭｇＣｌ５
ｉＯａ、ＳｉＮ、ＡｌＴｉ０Ｎ等の材料を用いても同等
あるいはそれ以上の効果が得られる。
ｉＯａ、ＳｉＮ、ＡｌＴｉ０Ｎ等の材料を用いても同等
あるいはそれ以上の効果が得られる。
また 本実施例で↓よ 基板１番４ 誘電体層 記録層
中間層 反射属 保護層がそれぞれ順次積層されてい
る４層構造の構成の光磁気記録媒体を用いて述べてきた
が 中間層のない４層構造の光磁気記録媒体 あるい沫
基板上に 誘電体層 記絵鳳 保護層がそれぞれ順次
積層されている３層構造の光磁気記録媒体を用いて記録
領域を熱処理した場合にも、熱処理条件を光磁気記録媒
体の記録感度 熱処理後の繰り返し特性に合わせて適当
に選べば 繰り返し記録消去したときに記録層の劣化に
よる記録感度 Ｃ／ Ｎ、 記録時の磁場依存性等の
変化がなく、記録消去パワーに対するマージンを広げる
ことができる光磁気記録媒体を実現できることとなム 発明の効果 以上のようζζ 本発明の光磁気記録媒体は 基板上に
形成された希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜からな
る記録層を有した光磁気記録媒体であって、光磁気信号
を記録する領域を熱処理したという構造によって、繰り
返し記録消去したときの記録層の特性の安定化を図るこ
とができ、記録層の劣化による記録感度 Ｃ／ Ｎ、
記録時の磁場依存性等の変化がなく、記録消去パワー
に対するマージンを広げることができる。つまり非常に
互換性の高い光磁気記録媒体を実現できるものである。
中間層 反射属 保護層がそれぞれ順次積層されてい
る４層構造の構成の光磁気記録媒体を用いて述べてきた
が 中間層のない４層構造の光磁気記録媒体 あるい沫
基板上に 誘電体層 記絵鳳 保護層がそれぞれ順次
積層されている３層構造の光磁気記録媒体を用いて記録
領域を熱処理した場合にも、熱処理条件を光磁気記録媒
体の記録感度 熱処理後の繰り返し特性に合わせて適当
に選べば 繰り返し記録消去したときに記録層の劣化に
よる記録感度 Ｃ／ Ｎ、 記録時の磁場依存性等の
変化がなく、記録消去パワーに対するマージンを広げる
ことができる光磁気記録媒体を実現できることとなム 発明の効果 以上のようζζ 本発明の光磁気記録媒体は 基板上に
形成された希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜からな
る記録層を有した光磁気記録媒体であって、光磁気信号
を記録する領域を熱処理したという構造によって、繰り
返し記録消去したときの記録層の特性の安定化を図るこ
とができ、記録層の劣化による記録感度 Ｃ／ Ｎ、
記録時の磁場依存性等の変化がなく、記録消去パワー
に対するマージンを広げることができる。つまり非常に
互換性の高い光磁気記録媒体を実現できるものである。
さらＧ、： その製造方法ζ山 基板上に希土類金属
−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したの
ちに 記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレ
ーザパワーを、光磁気信号を記録する領域に照射すると
いう光磁気記録媒体の製造方法によって構成されたもの
、あるいζ上 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を形成したのちζ 光磁気記録媒
体の一括消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワーを、
光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁気記録
媒体の製造方法により、高品質な光磁気記録媒体を作製
できる製造方法を実現することができるものであム そし℃ 本発明の光磁気記録媒体は 繰り返し記録消去
の前後で記録消去パワーに対する特性の変動がないたぺ
初期の特性により記録再生条件を設定できも また 消去モードで熱処理を行えば 光磁気記録媒体の
初期着磁の工程が不要となり、その時の加算出力信号を
用いると ディフェクト検査 ヘッダ検査を同時に行う
ことができるという優れた光磁気記録媒体を提供するも
のであも
−遷移金属非晶質合金薄膜からなる記録層を形成したの
ちに 記録層のキュリー温度到達パワーの３倍以上のレ
ーザパワーを、光磁気信号を記録する領域に照射すると
いう光磁気記録媒体の製造方法によって構成されたもの
、あるいζ上 基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合
金薄膜からなる記録層を形成したのちζ 光磁気記録媒
体の一括消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワーを、
光磁気信号を記録する領域に照射するという光磁気記録
媒体の製造方法により、高品質な光磁気記録媒体を作製
できる製造方法を実現することができるものであム そし℃ 本発明の光磁気記録媒体は 繰り返し記録消去
の前後で記録消去パワーに対する特性の変動がないたぺ
初期の特性により記録再生条件を設定できも また 消去モードで熱処理を行えば 光磁気記録媒体の
初期着磁の工程が不要となり、その時の加算出力信号を
用いると ディフェクト検査 ヘッダ検査を同時に行う
ことができるという優れた光磁気記録媒体を提供するも
のであも
第１図は本発明の一実施例における光磁気記録媒体の構
造図 第２図は本発明の第１実施例における光磁気記録
媒体の主要部断面図 第３図は本発明の第２実施例にお
ける光磁気記録媒体の主要部断面図 第４図は従来の光
磁気記録媒体の構造図 第５図は本発明の実施例に於け
る光磁気記録媒体のＣ／Ｎと記録パワーとの特性図 第
６図は従来の光磁気記録媒体のＣ／Ｎと記録パワーとの
特性図 第７図は記録領域の熱処理レーザパワーと１０
”回繰り返し記録消去した前後の特性を含めてのＣ／Ｎ
４５ｄＢ以上のパワーマージンとの特性図を示すもので
あも ｌ・・・基板、 ２・ ・案内部 ３・・・誘電体層
４・・・記録層 ５・・・中間層 ６・・・反射属
７・・・保護層、 ８・・・熱処理領域 ９・・・熱処
理領域 １１・・・基板Ｉ２・・・案内部 １３・・・
誘電体凰 工４・・・記録層 １５・・・中間層 １６
・・・反射層 １７・・・保護層 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 Ｃ１ 城 城 瘍 図 ｔ′？、鉢 ハ６ワー （ｍｗ ） 第 図 と 記４ｔパワー （ｍｗ） ぐっ 旙 第 １′ｉ ！ｒ 城 瞥処理し−ザパワ− （ｍｗ）
造図 第２図は本発明の第１実施例における光磁気記録
媒体の主要部断面図 第３図は本発明の第２実施例にお
ける光磁気記録媒体の主要部断面図 第４図は従来の光
磁気記録媒体の構造図 第５図は本発明の実施例に於け
る光磁気記録媒体のＣ／Ｎと記録パワーとの特性図 第
６図は従来の光磁気記録媒体のＣ／Ｎと記録パワーとの
特性図 第７図は記録領域の熱処理レーザパワーと１０
”回繰り返し記録消去した前後の特性を含めてのＣ／Ｎ
４５ｄＢ以上のパワーマージンとの特性図を示すもので
あも ｌ・・・基板、 ２・ ・案内部 ３・・・誘電体層
４・・・記録層 ５・・・中間層 ６・・・反射属
７・・・保護層、 ８・・・熱処理領域 ９・・・熱処
理領域 １１・・・基板Ｉ２・・・案内部 １３・・・
誘電体凰 工４・・・記録層 １５・・・中間層 １６
・・・反射層 １７・・・保護層 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名 Ｃ１ 城 城 瘍 図 ｔ′？、鉢 ハ６ワー （ｍｗ ） 第 図 と 記４ｔパワー （ｍｗ） ぐっ 旙 第 １′ｉ ！ｒ 城 瞥処理し−ザパワ− （ｍｗ）
Claims (3)
- （１）基板上に形成された希土類金属−遷移金属非晶質
合金薄膜からなる記録層を有した光磁気記録媒体であっ
て、光磁気信号を記録する領域を熱処理したことを特徴
とする光磁気記録媒体。 - （２）基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜か
らなる記録層を形成したのちに、記録層のキュリー温度
到達パワーの３倍以上のレーザパワーを光磁気信号を記
録する領域に照射することを特徴とする光磁気記録媒体
の製造方法。 - （３）基板上に希土類金属−遷移金属非晶質合金薄膜か
らなる記録層を形成したのちに、光磁気記録媒体の一括
消去可能なパワーの５倍以上の加熱パワーを光磁気信号
を記録する領域に照射することを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25802890A JPH04134742A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25802890A JPH04134742A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134742A true JPH04134742A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17314532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25802890A Pending JPH04134742A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134742A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0516178A2 (en) * | 1991-05-30 | 1992-12-02 | Nec Corporation | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a mixture layer containing ZnS and SiO2 |
| EP1488451A1 (en) * | 2002-03-28 | 2004-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for manufacturing compound semiconductor and compound insulator using chemical reaction and diffusion by heating, compound semiconductor and compound insulator manufactured using the method, and photocell, electronic circuit, transistor, and memory using the same |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25802890A patent/JPH04134742A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0516178A2 (en) * | 1991-05-30 | 1992-12-02 | Nec Corporation | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a mixture layer containing ZnS and SiO2 |
| EP1488451A1 (en) * | 2002-03-28 | 2004-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for manufacturing compound semiconductor and compound insulator using chemical reaction and diffusion by heating, compound semiconductor and compound insulator manufactured using the method, and photocell, electronic circuit, transistor, and memory using the same |
| EP1488451A4 (en) * | 2002-03-28 | 2009-11-18 | Samsung Electronics Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR COMPOUND AND INSULATOR COMPOUND USING CHEMICAL REACTION AND DIFFUSION PRODUCED BY HEAT, SEMICONDUCTOR COMPOUND, AND ISOLATOR COMPOUND OBTAINED USING THE SAME, AND PHOTOELECTRIC CELL, TRANSISTOR, AND MEMORY USING THEM |
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