JPH06203418A - 光磁気記録方式 - Google Patents
光磁気記録方式Info
- Publication number
- JPH06203418A JPH06203418A JP36133292A JP36133292A JPH06203418A JP H06203418 A JPH06203418 A JP H06203418A JP 36133292 A JP36133292 A JP 36133292A JP 36133292 A JP36133292 A JP 36133292A JP H06203418 A JPH06203418 A JP H06203418A
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- JP
- Japan
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- recording
- magneto
- layer
- auxiliary layer
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 交換結合多層膜の光磁気記録媒体を用いた光
磁気記録方式において、記録、消去時のパワーレベルの
マージンを広く設定可能とし、Ｃ／Ｎ比を向上させる。 【構成】 オーバーライト前に初期化磁界を印加して、
補助層の磁化を全面にわたて一方向に揃え、初期化を行
なう。初期化後、高レーザパワーレベルＰHのレーザ照
射により、記録層、補助層ともに温度をそれぞれのキュ
リー温度より高くし、外部磁界の方向に応じて磁区を形
成させる。また、パルス状の低レーザパワーレベルＰL
照射により記録層の温度だけをキュリー温度より高く
し、補助層との間に働く交換結合力によって、初期化さ
れた補助層の向きに磁区を形成し、記録ビットを消去す
る。
磁気記録方式において、記録、消去時のパワーレベルの
マージンを広く設定可能とし、Ｃ／Ｎ比を向上させる。 【構成】 オーバーライト前に初期化磁界を印加して、
補助層の磁化を全面にわたて一方向に揃え、初期化を行
なう。初期化後、高レーザパワーレベルＰHのレーザ照
射により、記録層、補助層ともに温度をそれぞれのキュ
リー温度より高くし、外部磁界の方向に応じて磁区を形
成させる。また、パルス状の低レーザパワーレベルＰL
照射により記録層の温度だけをキュリー温度より高く
し、補助層との間に働く交換結合力によって、初期化さ
れた補助層の向きに磁区を形成し、記録ビットを消去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、消去、書き換え及び再生を行なう光磁気記録媒体
に関し、特に信号対雑音比（Ｃ／Ｎ比）が向上しかつ信
頼性の高い光磁気記録方式に関する。
記録、消去、書き換え及び再生を行なう光磁気記録媒体
に関し、特に信号対雑音比（Ｃ／Ｎ比）が向上しかつ信
頼性の高い光磁気記録方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き換え可能な光記録装置とし
て、磁気光学効果を利用した光磁気記録装置が精力的に
研究開発され、一部では実用化に至っている。しかしな
がら、現在市販されている光磁気記録装置の多くは、情
報を書き換える際に元の情報を予め消去し、その後に新
しい情報を書く、という行程を踏む必要があるため消去
操作に時間がかかり、時間的なロスがある。この欠点を
解消するオーバーライト技術が提案され、記録の方法に
より磁界変調方式に大別される。
て、磁気光学効果を利用した光磁気記録装置が精力的に
研究開発され、一部では実用化に至っている。しかしな
がら、現在市販されている光磁気記録装置の多くは、情
報を書き換える際に元の情報を予め消去し、その後に新
しい情報を書く、という行程を踏む必要があるため消去
操作に時間がかかり、時間的なロスがある。この欠点を
解消するオーバーライト技術が提案され、記録の方法に
より磁界変調方式に大別される。
【０００３】磁界変調方式は、光の強度を一定に保ち、
記録情報に応じて印加磁界の極性を反転させて記録を行
なう方式である。この方式では磁界の反転を高速で行な
うために浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の検討が行
なわれている。しかし、この方式は、記録周波数を高め
ることが難しく、媒体の片面のみにしか使用できない等
の問題がある。
記録情報に応じて印加磁界の極性を反転させて記録を行
なう方式である。この方式では磁界の反転を高速で行な
うために浮上タイプの磁気ヘッドを用いる等の検討が行
なわれている。しかし、この方式は、記録周波数を高め
ることが難しく、媒体の片面のみにしか使用できない等
の問題がある。
【０００４】一方、光変調方式は、印加磁界を一定に保
ち記録情報に応じてレーザビームを変調させて照射する
ことにより記録、消去を行なう方式である。この方式に
よれば、高速で記録、消去を行なうことがことが可能で
ある。この光変調方式の中には、磁性層を２層以上積層
した光磁気記録媒体を用い、２値のレーザパワーレベル
によりオーバーライトを行なう交換結合多層膜方式と称
される方式があり、この方式は初期化磁界が必要である
が、高速オーバーライト、高Ｃ／Ｎ比が期待される。
ち記録情報に応じてレーザビームを変調させて照射する
ことにより記録、消去を行なう方式である。この方式に
よれば、高速で記録、消去を行なうことがことが可能で
ある。この光変調方式の中には、磁性層を２層以上積層
した光磁気記録媒体を用い、２値のレーザパワーレベル
によりオーバーライトを行なう交換結合多層膜方式と称
される方式があり、この方式は初期化磁界が必要である
が、高速オーバーライト、高Ｃ／Ｎ比が期待される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した交換結合多層
膜方式ではレーザの高速変調が可能であるため、高速で
オーバーライトを行なうことができる。新しい記録ビッ
トを形成するときは、高パワーレーザ光を照射し、消去
するときは低パワーレーザ光を照射する。しかし、高パ
ワーと低パワーのパワーレベルは、記録媒体に対して非
常に敏感で、それぞれのパワーレベルのマージンがせま
く、設定が難しいという問題がある。
膜方式ではレーザの高速変調が可能であるため、高速で
オーバーライトを行なうことができる。新しい記録ビッ
トを形成するときは、高パワーレーザ光を照射し、消去
するときは低パワーレーザ光を照射する。しかし、高パ
ワーと低パワーのパワーレベルは、記録媒体に対して非
常に敏感で、それぞれのパワーレベルのマージンがせま
く、設定が難しいという問題がある。
【０００６】高パワーによる記録ビット形成時は、ある
程度のレベル以上のパワーで書き込みが可能である。し
かし、記録ビット消去時は、記録層の温度をキュリー温
度まで上昇させると同時に、補助層の温度をキュリー温
度以下にしておかなければならない。従って、低パワー
レベルのマージン設定が非常に難しくなる。
程度のレベル以上のパワーで書き込みが可能である。し
かし、記録ビット消去時は、記録層の温度をキュリー温
度まで上昇させると同時に、補助層の温度をキュリー温
度以下にしておかなければならない。従って、低パワー
レベルのマージン設定が非常に難しくなる。
【０００７】本発明の目的は、上述したような従来技術
の問題点を解決し、記録、消去時のパワーレベルのマー
ジンを広く設定することにより、Ｃ／Ｎ比の大きい信頼
性に優れた光磁気記録方式を提供することにある。
の問題点を解決し、記録、消去時のパワーレベルのマー
ジンを広く設定することにより、Ｃ／Ｎ比の大きい信頼
性に優れた光磁気記録方式を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を有する少なくと
も２層以上の磁性層からなる記録層を備えた光磁気記録
媒体に対しレーザ照射を行なうことにより情報の記録、
消去、書き換え及び再生を行う光磁気記録方式におい
て、第１の高レーザパワーレベルと第２のパルス状の低
レーザパワーレベルを用いてレーザ照射を行なうことを
特徴とする光磁気記録方式が提供される。
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を有する少なくと
も２層以上の磁性層からなる記録層を備えた光磁気記録
媒体に対しレーザ照射を行なうことにより情報の記録、
消去、書き換え及び再生を行う光磁気記録方式におい
て、第１の高レーザパワーレベルと第２のパルス状の低
レーザパワーレベルを用いてレーザ照射を行なうことを
特徴とする光磁気記録方式が提供される。
【０００９】以下、本発明による光磁気記録方式につい
て図面に基づいて詳細に説明する。本発明の方式に使用
する光磁気記録媒体は磁性層として交換結合多層膜を有
するものである。その一例を図３に示す。この記録媒体
は、基板１上に保護層２を介して記録層３及び補助層４
を設け、さらにその上に保護層５を設けたものである。
記録層３と補助層４の間には交換結合力が働き、これら
磁性層の必要特性としては、補助層４のキュリー温度が
記録層３のキュリー温度より高いこと、補助層４の保磁
力が初期化磁界より小さいこと、記録層３の保磁力が初
期化磁界より大きいこと等が挙げられる。もちろん、本
発明の方式に使用できる光磁気記録媒体は図３のものに
限定されるものではなく、３層以上の磁性膜を有するも
の、反射膜、熱伝導層、断熱層等を適宜配置したもの
等、種々のものが使用可能である。
て図面に基づいて詳細に説明する。本発明の方式に使用
する光磁気記録媒体は磁性層として交換結合多層膜を有
するものである。その一例を図３に示す。この記録媒体
は、基板１上に保護層２を介して記録層３及び補助層４
を設け、さらにその上に保護層５を設けたものである。
記録層３と補助層４の間には交換結合力が働き、これら
磁性層の必要特性としては、補助層４のキュリー温度が
記録層３のキュリー温度より高いこと、補助層４の保磁
力が初期化磁界より小さいこと、記録層３の保磁力が初
期化磁界より大きいこと等が挙げられる。もちろん、本
発明の方式に使用できる光磁気記録媒体は図３のものに
限定されるものではなく、３層以上の磁性膜を有するも
の、反射膜、熱伝導層、断熱層等を適宜配置したもの
等、種々のものが使用可能である。
【００１０】交換結合多層膜を有する光磁気記録媒体を
用いた従来のオーバーライト方式では、図４のように第
１の低レーザパワーレベル（以下ＰL と略記す）と第２
の高レーザパワーレベル（以下ＰH と略記す）の２値の
パワーレベルのレーザを照射してオーバーライトを行な
っている。ＰL照射及びＰH照射ともに連続的なものとな
っている。これに対し、本発明の方式では、ＰH照射に
ついては連続的なものであるが、ＰL照射については図
１に示すように複数のパルス状のものを用いる。ＰHは
記録層及び補助層をともに各々のキュリー温度以上に昇
温させるパワーレベル、ＰLは記録層のみをそのキュリ
ー温度以上に昇温させるパワーレベルである。ＰLの各
パルスのパルス幅はディスク回転数によるが、１８００
ｒｐｍの場合１０〜２０ｎｓｅｃ程度が適当である。
用いた従来のオーバーライト方式では、図４のように第
１の低レーザパワーレベル（以下ＰL と略記す）と第２
の高レーザパワーレベル（以下ＰH と略記す）の２値の
パワーレベルのレーザを照射してオーバーライトを行な
っている。ＰL照射及びＰH照射ともに連続的なものとな
っている。これに対し、本発明の方式では、ＰH照射に
ついては連続的なものであるが、ＰL照射については図
１に示すように複数のパルス状のものを用いる。ＰHは
記録層及び補助層をともに各々のキュリー温度以上に昇
温させるパワーレベル、ＰLは記録層のみをそのキュリ
ー温度以上に昇温させるパワーレベルである。ＰLの各
パルスのパルス幅はディスク回転数によるが、１８００
ｒｐｍの場合１０〜２０ｎｓｅｃ程度が適当である。
【００１１】本発明の方式では、オーバーライト前に３
〜５ＫＯｅ程度の初期化磁界を印加して、補助層の磁化
を全面にわたって一方向に揃え、初期化を行なう。初期
化後のオーバーライト動作は以下のように行なわれる。
すでに記録されている情報に関わらず、ＰH 照射時は記
録層、補助層ともに温度がそれぞれのキュリー温度を越
えるため、外部磁界の方向に応じて磁区が形成される。
一方、ＰL 照射時は記録層の温度だけがキュリー温度を
越え、補助層との間に働く交換結合力によって、初期化
された補助層の向きに磁区が形成され、記録ビットが消
去される。ここで、ＰLの照射を図１のようなパルス化
して行なっているため、媒体上に形成される温度分布は
図２のように、連続的にＰL照射を行なう従来方式の場
合に比べて急峻になり、ＰLの範囲を従来方式より広く
することができる。その理由を以下に述べる。ＰLが補
助層のキュリー温度を越えない場合は、記録層が補助層
との交換結合により補助層の向きとそろい、特に問題な
く、オーバーライトが行なわれる。一方、ＰL を大きめ
にして行き、ＰH に近づいて行く場合を考える。すると
記録層だけでなく補助層の方もキュリー温度を越えてし
まい、ＰH 照射時と同様に記録ビットが形成されてしま
いそうである。しかし、ＰL 照射がパルスであるため、
温度分布が急峻であり、補助層に形成される記録ビット
は非常に微小で温度降下とともにつぶれてしまう。この
ため、補助層は初期化の向きに保たれ、それに従がい記
録層も初期化方向にそろい記録ビットは形成されない。
すなわち、ＰL のパワーの従来のように連続的に照射す
る場合に比べて大きく設定しても記録条件にはならず、
確実に消去動作が行なわれる。
〜５ＫＯｅ程度の初期化磁界を印加して、補助層の磁化
を全面にわたって一方向に揃え、初期化を行なう。初期
化後のオーバーライト動作は以下のように行なわれる。
すでに記録されている情報に関わらず、ＰH 照射時は記
録層、補助層ともに温度がそれぞれのキュリー温度を越
えるため、外部磁界の方向に応じて磁区が形成される。
一方、ＰL 照射時は記録層の温度だけがキュリー温度を
越え、補助層との間に働く交換結合力によって、初期化
された補助層の向きに磁区が形成され、記録ビットが消
去される。ここで、ＰLの照射を図１のようなパルス化
して行なっているため、媒体上に形成される温度分布は
図２のように、連続的にＰL照射を行なう従来方式の場
合に比べて急峻になり、ＰLの範囲を従来方式より広く
することができる。その理由を以下に述べる。ＰLが補
助層のキュリー温度を越えない場合は、記録層が補助層
との交換結合により補助層の向きとそろい、特に問題な
く、オーバーライトが行なわれる。一方、ＰL を大きめ
にして行き、ＰH に近づいて行く場合を考える。すると
記録層だけでなく補助層の方もキュリー温度を越えてし
まい、ＰH 照射時と同様に記録ビットが形成されてしま
いそうである。しかし、ＰL 照射がパルスであるため、
温度分布が急峻であり、補助層に形成される記録ビット
は非常に微小で温度降下とともにつぶれてしまう。この
ため、補助層は初期化の向きに保たれ、それに従がい記
録層も初期化方向にそろい記録ビットは形成されない。
すなわち、ＰL のパワーの従来のように連続的に照射す
る場合に比べて大きく設定しても記録条件にはならず、
確実に消去動作が行なわれる。
【００１２】従来方式によれば、ＰL のパワーは、記録
層の温度をキュリー温度以上に上昇させる程に大きく、
また補助層温度をキュリー温度以下にするように小さく
というように、ある範囲内にしなければならない。これ
に対し、本発明ではＰL 照射をパルス状に行なうことに
より、ＰL の範囲を従来の記録方式より広くすることが
できるようになる。
層の温度をキュリー温度以上に上昇させる程に大きく、
また補助層温度をキュリー温度以下にするように小さく
というように、ある範囲内にしなければならない。これ
に対し、本発明ではＰL 照射をパルス状に行なうことに
より、ＰL の範囲を従来の記録方式より広くすることが
できるようになる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を述べる。
【００１４】実施例１ 透明プラスチック基板上にＳｉＮ膜、ＴｂＦｅＣｏ記録
層、ＧｄＴｂＦｅＣｏ補助層、ＳｉＮ膜をスパッタ法に
より順次積層し、交換結合２層膜光磁気記録媒体を作製
した。このようにして作製した媒体を用いて、線速１０
ｍ／ｓ、ＰH＝１０ｍＷ、ＰL＝５ｍＷでかつＰLをパル
ス化（パルス幅＝１０ｎｓｅｃ）してオーバーライト実
験を行なった。その結果、Ｃ／Ｎ＝４５ｄＢでオーバー
ライトを行なうことができた。また、このＣ／Ｎが得ら
れるＰLのパワーマージンは±３０％以上であった。
層、ＧｄＴｂＦｅＣｏ補助層、ＳｉＮ膜をスパッタ法に
より順次積層し、交換結合２層膜光磁気記録媒体を作製
した。このようにして作製した媒体を用いて、線速１０
ｍ／ｓ、ＰH＝１０ｍＷ、ＰL＝５ｍＷでかつＰLをパル
ス化（パルス幅＝１０ｎｓｅｃ）してオーバーライト実
験を行なった。その結果、Ｃ／Ｎ＝４５ｄＢでオーバー
ライトを行なうことができた。また、このＣ／Ｎが得ら
れるＰLのパワーマージンは±３０％以上であった。
【００１５】比較例１ 実施例１と同じ媒体を用い、線速１０ｍ／ｓ、ＰH＝１
０ｍＷ、ＰL＝５ｍＷでオーバーライト実験を行なっ
た。その結果、Ｃ／Ｎ＝４３ｄＢでオーバーライトを行
なうことができた。また、このＣ／Ｎが得られるＰLの
パワーマージンは±１２％であった。
０ｍＷ、ＰL＝５ｍＷでオーバーライト実験を行なっ
た。その結果、Ｃ／Ｎ＝４３ｄＢでオーバーライトを行
なうことができた。また、このＣ／Ｎが得られるＰLの
パワーマージンは±１２％であった。
【００１６】実施例１で比較例１と同様のパワーでもＣ
／Ｎの向上が見られたのは、記録ビット形状が比較例１
より良好なものになったものと考えられる。
／Ｎの向上が見られたのは、記録ビット形状が比較例１
より良好なものになったものと考えられる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録方式によれば、ＰL をパルス状にして照射するため、
従来方式よりＰL を大きめに設定することができ、それ
によＰL のマージンを大きくとることができる。したが
ってＣ／Ｎ比が大きく、信頼性の高い光磁気記録方式が
可能となる。
録方式によれば、ＰL をパルス状にして照射するため、
従来方式よりＰL を大きめに設定することができ、それ
によＰL のマージンを大きくとることができる。したが
ってＣ／Ｎ比が大きく、信頼性の高い光磁気記録方式が
可能となる。
【図１】本発明の方式によるレーザ照射条件の一例を示
すタイミングチャートである。
すタイミングチャートである。
【図２】ＰL照射をパルス化して行なった場合の媒体上
の温度分布を、連続照射して行なった場合と比較して示
す図である。
の温度分布を、連続照射して行なった場合と比較して示
す図である。
【図３】本発明の方式に使用する光磁気記録媒体の層構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図４】従来の方式によるレーザ照射条件の一例を示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
１ 基板 ２、５ 保護層 ３ 記録層 ４ 補助層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 和多田 篤行 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田中 元治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (1)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を有する少なくとも２層
以上の磁性層からなる記録層を備えた光磁気記録媒体に
対しレーザ照射を行なうことにより情報の記録、消去、
書き換え及び再生を行う光磁気記録方式において、第１
の高レーザパワーレベルと第２のパルス状の低レーザパ
ワーレベルを用いてレーザ照射を行なうことを特徴とす
る光磁気記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36133292A JPH06203418A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光磁気記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36133292A JPH06203418A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光磁気記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06203418A true JPH06203418A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18473148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36133292A Pending JPH06203418A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 光磁気記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06203418A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356515B1 (en) * | 1998-10-27 | 2002-03-12 | Fujitsu Limited | High power controlling system for magneto-optical storage system |
| US6826129B1 (en) | 1999-09-03 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for recording magnetized mark utilizing magnetic field generated by adjacent magnetized mark to reduce energy level for generating pulsed magnetic field |
| US7274647B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP36133292A patent/JPH06203418A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6356515B1 (en) * | 1998-10-27 | 2002-03-12 | Fujitsu Limited | High power controlling system for magneto-optical storage system |
| US6826129B1 (en) | 1999-09-03 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for recording magnetized mark utilizing magnetic field generated by adjacent magnetized mark to reduce energy level for generating pulsed magnetic field |
| US7274647B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-09-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7280460B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7295505B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7301884B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7313078B2 (en) | 2001-09-29 | 2007-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7336588B2 (en) | 2001-09-29 | 2008-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7388824B2 (en) | 2001-09-29 | 2008-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US7525890B2 (en) | 2001-09-29 | 2009-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
| US8416665B2 (en) | 2001-09-29 | 2013-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording data on optical recording medium |
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