JP3071246B2 - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JP3071246B2 JP3071246B2 JP3174435A JP17443591A JP3071246B2 JP 3071246 B2 JP3071246 B2 JP 3071246B2 JP 3174435 A JP3174435 A JP 3174435A JP 17443591 A JP17443591 A JP 17443591A JP 3071246 B2 JP3071246 B2 JP 3071246B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオーバーライト可能な光
磁気記録方法に関する。
磁気記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
書き換え可能な光記録媒体として、磁気光学効果を利用
した光磁気記録媒体が精力的に研究開発され、一部では
実用化されるに至っている。この光磁気記録媒体は大容
量高密度記録、非接触記録再生、アクセスの容易さ等の
利点に加え、オーバーライト（重ね書き）が可能という
点で文書情報ファイル、ビデオ・静止画ファイル、コン
ピュータ用メモリ等への利用が期待されている。光磁気
記録媒体を磁気ディスクと同等もしくはそれ以上の性能
を持った記録媒体とするためには、いくつかの技術的課
題があり、その中の主要なものの１つに、オーバーライ
ト技術がある。現在提案されているオーバーライト技術
は、記録の方法により磁界変調方式と光変調方式（マル
チビーム方式、２層膜方式等）に大別される。
【０００３】磁界変調方式は記録情報に応じて印加磁界
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
の極性を反転させて記録を行う方式である。この方式で
は、磁界の反転を高速で行わなくてはならないため、浮
上タイプの磁気ヘッドを用いる必要があり、媒体交換が
困難である。
【０００４】一方、光変調方式は記録情報に応じて照射
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
させて記録を行う方式である。この方式のうちマルチビ
ーム方式は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方
向を１回転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行
う擬似オーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化
し、コストアップを招くなどの欠点を有している。ま
た、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜と
し、オーバーライトを達成しようとするもので、例えば
特開昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。
同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
るメモリ層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の
記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化を行った
後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビームの照
射によりオーバーライトを実現しようとするものであ
る。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め初期化
用磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レー
ザビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補
助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層に
転写させることにより記録を行い、また、低出力レーザ
ビームを照射して媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1
はメモリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助
層の磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を
行う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい等の
問題があった。
レーザビームをオン・オフあるいは強度変調させて記録
させて記録を行う方式である。この方式のうちマルチビ
ーム方式は、２〜３個のレーザビームを用い、磁界の方
向を１回転毎に反転させてトラック毎に記録／消去を行
う擬似オーバーライト方式であるが、装置構成が複雑化
し、コストアップを招くなどの欠点を有している。ま
た、２層膜方式は光磁気記録媒体の記録層を２層膜と
し、オーバーライトを達成しようとするもので、例えば
特開昭６２−１７５９４８号公報等に開示されている。
同公報に記載されている方式は、例えばＴｂＦｅからな
るメモリ層とＴｂＦｅＣｏからなる補助層との２層膜の
記録層を備えた光磁気記録媒体を用い、初期化を行った
後、外部磁界の印加とパワーの異なるレーザビームの照
射によりオーバーライトを実現しようとするものであ
る。すなわち、この方式では、記録に先立ち予め初期化
用磁界により補助層の磁化を一方向に揃え、高出力レー
ザビームを照射して媒体温度ＴをＴ＞Ｔｃ2（Ｔｃ2は補
助層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、記録用磁界
（初期化用磁界と反対方向）を印加して補助層の磁化を
反転させ、媒体が冷却される際にその磁化をメモリ層に
転写させることにより記録を行い、また、低出力レーザ
ビームを照射して媒体温度をＴｃ1＜Ｔ＜Ｔｃ2（Ｔｃ1
はメモリ層のキュリー温度）なる温度迄昇温させ、補助
層の磁化方向をメモリ層に転写させることにより消去を
行う。そのため、この方式では、媒体設計が難しい等の
問題があった。
【０００５】本発明は以上のような従来技術の欠点を解
消し、媒体設計が簡単で、しかも単一レーザビーム、単
一磁界もしくは磁界なしで信頼性良くオーバーライトで
きる光磁気記録方法を提供することを目的とする。
消し、媒体設計が簡単で、しかも単一レーザビーム、単
一磁界もしくは磁界なしで信頼性良くオーバーライトで
きる光磁気記録方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて垂直磁気異方性を有する強磁性相を示す反強磁性
膜からなる補助層とを積層した２層膜からなる記録層を
有する光磁気記録媒体を用い、記録時には下記式（１）
で示すＴ W （記録時の温度）の温度迄昇温するような条
件でレーザ照射し、消去時には下記式（２）で示すＴ E
（消去時の温度）の温度迄昇温するような条件でレーザ
照射することを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
め、本発明によれば、垂直磁気異方性を示す強磁性膜か
らなるメモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高
い該メモリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を
生じて垂直磁気異方性を有する強磁性相を示す反強磁性
膜からなる補助層とを積層した２層膜からなる記録層を
有する光磁気記録媒体を用い、記録時には下記式（１）
で示すＴ W （記録時の温度）の温度迄昇温するような条
件でレーザ照射し、消去時には下記式（２）で示すＴ E
（消去時の温度）の温度迄昇温するような条件でレーザ
照射することを特徴とする光磁気記録方法が提供され
る。
【数２】Ｔ a ≦Ｔ W ＜Ｔ pc ・・・（１） Ｔ pc ≦Ｔ E ＜Ｔ b ・・・（２） 式中、Ｔ pc ：反強磁性膜の磁気相転移温度 Ｔ a ：Ｈｃ 1 ＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる時の温度 Ｔ b ：Ｈｃ 2 ＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる時の温度 但し、Ｈｃ 1 ：強磁性膜の保磁力 Ｈｃ 2 ：反強磁性膜の保磁力 Ｈｄ：強磁性膜をレーザ照射したときにその部分に働く
まわりの磁化からの反磁界 Ｈｅｘ：上記Ｈｄとは逆方向のバイアス磁界
まわりの磁化からの反磁界 Ｈｅｘ：上記Ｈｄとは逆方向のバイアス磁界
【０００７】以下本発明を図面に基づき詳述する。本発
明で用いる光磁気記録媒体は、記録層が、垂直磁気異方
性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性
相を示し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の
温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜か
らなる補助層とを積層してなる。図１にこのような光磁
気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体は、ガラ
ス、プラスチック、セラミックスなどからなる透明支持
体１上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護
膜２（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、その上に垂
直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚１００Å〜５００
０Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示し室温よ
り高い温度であって強磁性膜３のキュリー温度付近の温
度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４
（膜厚１００Å〜１００００Å）を設け、さらにその上
にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護膜５
（膜厚１００Å〜５０００Å）を設けて構成される。各
膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等に
より形成することができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−
Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔ
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、
あるいはＣｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜により
構成することができる。反強磁性膜４は例えばＭｎ2Ｓ
ｂ、(Ｍｎ)ｐＳｂ(Ｙ)ｑ（ただしＹ＝Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ
等、ｐ＝２−ｑ）を用いて構成することができる。この
場合、好ましくは反強磁性膜４の熱伝導率は強磁性膜３
の熱伝導率より低くなるように材料を選択する。また、
これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示す如き保
磁力の温度特性を有している必要がある。すなわち、強
磁性膜３のキュリー温度をＴｃ1、反強磁性膜４のキュ
リー温度をＴｃ2、反強磁性膜４の磁気相転移温度をＴ
ｐｃ、強磁性膜３をレーザ照射してＴｃ1付近迄温度を
上げたときにその部分に働くまわりの磁化からの反磁界
をＨｄ、そのＨｄとは逆方向のバイアス磁界をＨｅｘと
し、さらに強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1との関係がＨｃ1＝
Ｈｄ−Ｈｅｘとなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保磁力
Ｈｃ2との関係がＨｃ2＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる温度（Ｔｐ
ｃより高い温度）をＴｂとすると、次のような関係が成
立している。 Ｔａ＞ＴのときＨｃ1＞Ｈｄ−Ｈｅｘ Ｔａ≦Ｔ＜ＴｐｃのときＨｃ1≦Ｈｄ−Ｈｅｘ Ｔｐｃ≦Ｔ＜ＴｂのときＨｃ2≧Ｈｄ−Ｈｅｘ
明で用いる光磁気記録媒体は、記録層が、垂直磁気異方
性を示す強磁性膜からなるメモリ層と、室温で反強磁性
相を示し室温より高い該メモリ層のキュリー温度付近の
温度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜か
らなる補助層とを積層してなる。図１にこのような光磁
気記録媒体の一構成例を示す。この記録媒体は、ガラ
ス、プラスチック、セラミックスなどからなる透明支持
体１上にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護
膜２（膜厚１００Å〜５０００Å）を設け、その上に垂
直磁気異方性を示す強磁性膜３（膜厚１００Å〜５００
０Å）を設け、その上に室温で反強磁性相を示し室温よ
り高い温度であって強磁性膜３のキュリー温度付近の温
度で磁気相転移を生じて強磁性相を示す反強磁性膜４
（膜厚１００Å〜１００００Å）を設け、さらにその上
にＳｉ3Ｎ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2などからなる保護膜５
（膜厚１００Å〜５０００Å）を設けて構成される。各
膜はスパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等に
より形成することができる。強磁性膜３は例えばＴｂ−
Ｆｅ，Ｇｄ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔ
ｂ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｔｂ−Ｄｙ
−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｄｙ−
Ｆｅ−Ｃｏなどの希土類−遷移金属系アモルファス膜、
あるいはＣｏ−Ｐｔ，Ｃｏ−Ｃｒなどの多結晶膜により
構成することができる。反強磁性膜４は例えばＭｎ2Ｓ
ｂ、(Ｍｎ)ｐＳｂ(Ｙ)ｑ（ただしＹ＝Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ
等、ｐ＝２−ｑ）を用いて構成することができる。この
場合、好ましくは反強磁性膜４の熱伝導率は強磁性膜３
の熱伝導率より低くなるように材料を選択する。また、
これら強磁性膜３及び反強磁性膜４は図２に示す如き保
磁力の温度特性を有している必要がある。すなわち、強
磁性膜３のキュリー温度をＴｃ1、反強磁性膜４のキュ
リー温度をＴｃ2、反強磁性膜４の磁気相転移温度をＴ
ｐｃ、強磁性膜３をレーザ照射してＴｃ1付近迄温度を
上げたときにその部分に働くまわりの磁化からの反磁界
をＨｄ、そのＨｄとは逆方向のバイアス磁界をＨｅｘと
し、さらに強磁性膜３の保磁力Ｈｃ1との関係がＨｃ1＝
Ｈｄ−Ｈｅｘとなる温度をＴａ、反強磁性膜４の保磁力
Ｈｃ2との関係がＨｃ2＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる温度（Ｔｐ
ｃより高い温度）をＴｂとすると、次のような関係が成
立している。 Ｔａ＞ＴのときＨｃ1＞Ｈｄ−Ｈｅｘ Ｔａ≦Ｔ＜ＴｐｃのときＨｃ1≦Ｈｄ−Ｈｅｘ Ｔｐｃ≦Ｔ＜ＴｂのときＨｃ2≧Ｈｄ−Ｈｅｘ
【０００８】なお、本発明の光磁気記録媒体の層構成は
図１に示すものに限定されるものでなく種々の変形、変
更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜を設けて
も良いし、保護膜２，５を適当に除いても良い。また、
強磁性膜３と反強磁性膜４との間に、両層の磁気的相互
作用を調整するための中間層を設けても良い。
図１に示すものに限定されるものでなく種々の変形、変
更が可能であり、例えば保護膜５の上に反射膜を設けて
も良いし、保護膜２，５を適当に除いても良い。また、
強磁性膜３と反強磁性膜４との間に、両層の磁気的相互
作用を調整するための中間層を設けても良い。
【０００９】次に、上記光磁気記録媒体を用いた光磁気
記録方法について説明する。記録は、図３（ａ）に示す
ように強磁性膜３のみ昇温するようなレーザ照射条件で
Ｔａ≦Ｔｗ＜Ｔｐｃ（Ｔｗ：記録時の温度）の温度迄上
げて行う。このとき反強磁性膜４は磁気相転移点Ｔｐｃ
より低い温度であるので、反強磁性相は見かけ上、磁化
は０で、強磁性膜３は影響を受けない。ここで、強磁性
膜３のレーザ照射を受けた部分は、まわりの磁化からの
反射界Ｈｄの影響を受け、飽和方向とは逆方向（図では
下向き）に磁化され、膜温度が下がる過程で凍結され
る。記録の際、反磁界とは逆方向にバイアス磁界Ｈｅｘ
が働いているがＨｅｘはＨｄより小さい値または０に設
定されているので記録は必ず反磁界の方向に行なわれ
る。
記録方法について説明する。記録は、図３（ａ）に示す
ように強磁性膜３のみ昇温するようなレーザ照射条件で
Ｔａ≦Ｔｗ＜Ｔｐｃ（Ｔｗ：記録時の温度）の温度迄上
げて行う。このとき反強磁性膜４は磁気相転移点Ｔｐｃ
より低い温度であるので、反強磁性相は見かけ上、磁化
は０で、強磁性膜３は影響を受けない。ここで、強磁性
膜３のレーザ照射を受けた部分は、まわりの磁化からの
反射界Ｈｄの影響を受け、飽和方向とは逆方向（図では
下向き）に磁化され、膜温度が下がる過程で凍結され
る。記録の際、反磁界とは逆方向にバイアス磁界Ｈｅｘ
が働いているがＨｅｘはＨｄより小さい値または０に設
定されているので記録は必ず反磁界の方向に行なわれ
る。
【００１０】消去は、図３（ｂ）に示すように強磁性膜
３、反強磁性膜４ともＴｐｃ≦Ｔｅ＜Ｔｂ（Ｔｅ：消去
時の温度）の温度になるようにレーザ照射して行なう。
このとき、反強磁性膜４は磁気相転移が生じて、反強磁
性相から強磁性相に変化し、飽和方向（図では上方向）
の磁化をもち、膜温度が下がる過程で反強磁性膜４の磁
化を強磁性膜３へ転写して行なう。この際、強磁性膜３
の熱伝導率を反強磁性膜４の熱伝導率より高くしておけ
ば強磁性膜３は速く温度が下がるのに対して反強磁性膜
４は少し遅く温度が下がるので、反強磁性膜４の磁化は
強磁性膜３の磁化が大きくなる迄存在し、記録されるこ
とはない。またバイアス磁界Ｈｅｘは、反強磁性膜４の
磁化の大きさが十分であれば必要ない。消去を行なうと
きの温度範囲は、Ｔｐｃ≦Ｔｅ＜ＴｂでＴｂ以上に温度
を上げると反強磁性膜４の磁化方向が反磁界Ｈｄ方向
（図では下方向）を向いてしまい、消去できなくなるの
でＴｂ以上に温度を上げることはできない。また、再生
は媒体温度がＴａ以下となるパワーレベルでレーザを照
射することにより行われる。
３、反強磁性膜４ともＴｐｃ≦Ｔｅ＜Ｔｂ（Ｔｅ：消去
時の温度）の温度になるようにレーザ照射して行なう。
このとき、反強磁性膜４は磁気相転移が生じて、反強磁
性相から強磁性相に変化し、飽和方向（図では上方向）
の磁化をもち、膜温度が下がる過程で反強磁性膜４の磁
化を強磁性膜３へ転写して行なう。この際、強磁性膜３
の熱伝導率を反強磁性膜４の熱伝導率より高くしておけ
ば強磁性膜３は速く温度が下がるのに対して反強磁性膜
４は少し遅く温度が下がるので、反強磁性膜４の磁化は
強磁性膜３の磁化が大きくなる迄存在し、記録されるこ
とはない。またバイアス磁界Ｈｅｘは、反強磁性膜４の
磁化の大きさが十分であれば必要ない。消去を行なうと
きの温度範囲は、Ｔｐｃ≦Ｔｅ＜ＴｂでＴｂ以上に温度
を上げると反強磁性膜４の磁化方向が反磁界Ｈｄ方向
（図では下方向）を向いてしまい、消去できなくなるの
でＴｂ以上に温度を上げることはできない。また、再生
は媒体温度がＴａ以下となるパワーレベルでレーザを照
射することにより行われる。
【００１１】
【実施例】次に本発明を実施例により更に詳細に説明す
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３
０ｍｍ）の上にｒｆ２元マグネトロンスパッタ法により
下記の膜を真空中で順次積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｄｙ0.2（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.8膜（６００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.8ＳｂＣｒ0.2膜（１５００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å）
るが、本発明はここに例示の実施例に限定されるもので
はない。グルーブ付きポリカーボネート基板（直径１３
０ｍｍ）の上にｒｆ２元マグネトロンスパッタ法により
下記の膜を真空中で順次積層し、記録媒体を得た。 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å） 強磁性膜：Ｄｙ0.2（Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10）0.8膜（６００
Å） 反強磁性膜：Ｍｎ1.8ＳｂＣｒ0.2膜（１５００Å） 保護膜：Ｓｉ3Ｎ4膜（１０００Å）
【００１２】強磁性膜のキュリー温度Ｔｃ1、反強磁性
膜のキュリー温度Ｔｃ2、磁気相転移温度Ｔｐｃ、及び
図２のＴａ、Ｔｂを求めてみると次のようになった。 Ｔｃ1＝１２０℃ Ｔｃ2＝２４０℃ Ｔpc＝１１０℃ Ｔａ≒７０℃ Ｔｂ≒１８０℃
膜のキュリー温度Ｔｃ2、磁気相転移温度Ｔｐｃ、及び
図２のＴａ、Ｔｂを求めてみると次のようになった。 Ｔｃ1＝１２０℃ Ｔｃ2＝２４０℃ Ｔpc＝１１０℃ Ｔａ≒７０℃ Ｔｂ≒１８０℃
【００１３】以上のようにして得た記録媒体を線速10m/
秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝１００ Ｏｅ（記録時
と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：４ｍＷ 消去時のレーザパワー：８ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な値
を示した。
秒で駆動させ、外部磁界Ｈｅｘ＝１００ Ｏｅ（記録時
と消去時ともに同一方向）を印加するとともに、記録
時、消去時及び再生時で以下のように照射レーザパワー
を変化させて１ＭＨｚの信号を記録再生し、記録／再生
特性の評価を行った。 記録時のレーザパワー：４ｍＷ 消去時のレーザパワー：８ｍＷ 再生時のレーザパワー：１ｍＷ その結果、Ｃ／Ｎ比は４７ｄＢであった。さらに、同記
録媒体上に同一条件で２ＭＨｚの記録周波数でオーバー
ライトを実施したところ、Ｃ／Ｎ比４６ｄＢで良好な値
を示した。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、前記構成としたことに
より、単一ビーム、単一磁界または磁界なしでオーバー
ライトが信頼性良く行える。
より、単一ビーム、単一磁界または磁界なしでオーバー
ライトが信頼性良く行える。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の強磁性膜及び反強磁
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
性膜の保磁力Ｈｃの温度特性を示す図である。
【図３】（ａ）は記録時における磁化状態を示し、
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
（ｂ）は消去時における磁化状態を示す図である。
１ 支持体 ２，５ 保護膜 ３ 強磁性膜（メモリ層） ４ 反強磁性膜（補助層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒沢 美子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平４−219642（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−6588（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105
Claims (1)
- 【請求項１】 垂直磁気異方性を示す強磁性膜からなる
メモリ層と、室温で反強磁性相を示し室温より高い該メ
モリ層のキュリー温度付近の温度で磁気相転移を生じて
垂直磁気異方性を有する強磁性相を示す反強磁性膜から
なる補助層とを積層した２層膜からなる記録層を有する
光磁気記録媒体を用い、記録時には下記式（１）で示す
Ｔ W （記録時の温度）の温度迄昇温するような条件でレ
ーザ照射し、消去時には下記式（２）で示すＴ E （消去
時の温度）の温度迄昇温するような条件でレーザ照射す
ることを特徴とする光磁気記録方法。 【数１】Ｔ a ≦Ｔ W ＜Ｔ pc ・・・（１） Ｔ pc ≦Ｔ E ＜Ｔ b ・・・（２） 式中、Ｔ pc ：反強磁性膜の磁気相転移温度 Ｔ a ：Ｈｃ 1 ＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる時の温度 Ｔ b ：Ｈｃ 2 ＝Ｈｄ−Ｈｅｘとなる時の温度 但し、Ｈｃ 1 ：強磁性膜の保磁力 Ｈｃ 2 ：反強磁性膜の保磁力 Ｈｄ：強磁性膜をレーザ照射したときにその部分に働く
まわりの磁化からの反磁界 Ｈｅｘ：上記Ｈｄとは逆方向のバイアス磁界
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174435A JP3071246B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光磁気記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174435A JP3071246B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光磁気記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04370552A JPH04370552A (ja) | 1992-12-22 |
| JP3071246B2 true JP3071246B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=15978479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3174435A Expired - Fee Related JP3071246B2 (ja) | 1991-06-19 | 1991-06-19 | 光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3071246B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-19 JP JP3174435A patent/JP3071246B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH04370552A (ja) | 1992-12-22 |
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