JPS60173745A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS60173745A JPS60173745A JP2938184A JP2938184A JPS60173745A JP S60173745 A JPS60173745 A JP S60173745A JP 2938184 A JP2938184 A JP 2938184A JP 2938184 A JP2938184 A JP 2938184A JP S60173745 A JPS60173745 A JP S60173745A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は（ＡＣＯＴ’ｂＦｅ四元系非晶質合金を用いて
、記録及び再生のそれぞれに要求されるキュリ一温度及
びカー回転角を共に向上させた光磁気記録媒体に関する
ものである。
、記録及び再生のそれぞれに要求されるキュリ一温度及
びカー回転角を共に向上させた光磁気記録媒体に関する
ものである。
近年、光磁気記録媒体を用いた高密度記録が盛んに研究
されている。これは大量の情報を高密度に記録するため
、レーザー光を投光して記録媒体を局部加熱することに
よりビットを書き込み、磁気光学効果を利用して読み出
すというものであり、その記録媒体としテ（ＡＣｏ 、
（ｋｌＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 ＤｙＦｅ等の希土類
元素と遷移金属元素とから成る非晶質金属磁性薄膜が知
られている。
されている。これは大量の情報を高密度に記録するため
、レーザー光を投光して記録媒体を局部加熱することに
よりビットを書き込み、磁気光学効果を利用して読み出
すというものであり、その記録媒体としテ（ＡＣｏ 、
（ｋｌＦｅ 、 ＴｂＦｅ 、 ＤｙＦｅ等の希土類
元素と遷移金属元素とから成る非晶質金属磁性薄膜が知
られている。
これらの記録媒体に要求される特性として非晶質垂直磁
化膜を形成すると同時に、カー回転角、反射率、保磁力
が共に大きく、且つキュリ一温度もしくは補償温度が記
録及び再生に適当な範囲にあることである。とりわけ、
再生のＳ／Ｎ比を向上させるために大きなカー回転角が
要求されているが、未だ十分に満足できる特性値が得ら
れておらず、現在までのところ、本発明者等が提案した
Ｇ１Ｃ０ＴｂＦｅ四元系非晶質合金薄膜（以下、ｏｄｃ
ｏ’ｒｂｐｅ合金薄膜と略す）が最も大きなカー回転角
を有していることが判っている。
化膜を形成すると同時に、カー回転角、反射率、保磁力
が共に大きく、且つキュリ一温度もしくは補償温度が記
録及び再生に適当な範囲にあることである。とりわけ、
再生のＳ／Ｎ比を向上させるために大きなカー回転角が
要求されているが、未だ十分に満足できる特性値が得ら
れておらず、現在までのところ、本発明者等が提案した
Ｇ１Ｃ０ＴｂＦｅ四元系非晶質合金薄膜（以下、ｏｄｃ
ｏ’ｒｂｐｅ合金薄膜と略す）が最も大きなカー回転角
を有していることが判っている。
このＧａＣｏＴｂＦｅ合金薄膜にはキュリ一温度を上昇
させるＧ１とＣＯを含んでいるため、（Ａ、Ｃｏ量が増
大するのに伴ってカー回転角が大きくなるが、その反面
、キュリ一温度も４００℃以上と高くなり、これにより
、この合金の結晶化温度を上回って、実際上、キュリ゛
一点記録媒体として機能することが不可能となる。そこ
で、既に、この高いキュリ一温度を有するＧαＣｏＴｂ
Ｆｅ合金薄膜を光磁気記録媒体として利用するためにキ
ュリ一温度が１００〜２００℃にあるＴｂＦｅ非晶質合
金薄膜と組み合わせて、ＴｂＦｅ非晶質合金薄膜−Ｃキ
ュリ一点記録し、 カー回転角の大きいＧｄＣｏＴ’ｂ
Ｆｅ合金薄膜で再生する多層構造膜が提案されている。
させるＧ１とＣＯを含んでいるため、（Ａ、Ｃｏ量が増
大するのに伴ってカー回転角が大きくなるが、その反面
、キュリ一温度も４００℃以上と高くなり、これにより
、この合金の結晶化温度を上回って、実際上、キュリ゛
一点記録媒体として機能することが不可能となる。そこ
で、既に、この高いキュリ一温度を有するＧαＣｏＴｂ
Ｆｅ合金薄膜を光磁気記録媒体として利用するためにキ
ュリ一温度が１００〜２００℃にあるＴｂＦｅ非晶質合
金薄膜と組み合わせて、ＴｂＦｅ非晶質合金薄膜−Ｃキ
ュリ一点記録し、 カー回転角の大きいＧｄＣｏＴ’ｂ
Ｆｅ合金薄膜で再生する多層構造膜が提案されている。
しかしながら、この多層構造膜によると記録層の膜厚が
大きくなることにより、材料コストが上がり、且つ成膜
時間が長くなり、更に、二段階の精密な成膜操作を行う
必要があるため、操作条件をコントロールする点で繁雑
番ζなるなど、コスト面及び量産面での不利があり、ま
た、膜厚が大きいために記録時に大きな熱量を必要とし
、高速書き込みが難しくなる等、斯様な欠点が免れない
。
大きくなることにより、材料コストが上がり、且つ成膜
時間が長くなり、更に、二段階の精密な成膜操作を行う
必要があるため、操作条件をコントロールする点で繁雑
番ζなるなど、コスト面及び量産面での不利があり、ま
た、膜厚が大きいために記録時に大きな熱量を必要とし
、高速書き込みが難しくなる等、斯様な欠点が免れない
。
そこで、ＧｄＣ０ＴｂＦｅ合金薄膜のキュリ一温度が約
２５０℃以下に設定でき、且つ大きなカー回転角を有し
た組成範囲が存在するならば、それを単一層として用い
て優れた光磁気記録媒体と成り得、これによってＧｄＣ
ｏＴｂＦｅ合金薄膜のキュリ一点記録方式が可能となる
が、未だ、斯様な光磁気記録媒体は提案されていない。
２５０℃以下に設定でき、且つ大きなカー回転角を有し
た組成範囲が存在するならば、それを単一層として用い
て優れた光磁気記録媒体と成り得、これによってＧｄＣ
ｏＴｂＦｅ合金薄膜のキュリ一点記録方式が可能となる
が、未だ、斯様な光磁気記録媒体は提案されていない。
本発明の目的はキュリ一点記録方式ｌど基づく記録及び
再生が可能となったＧｄＣｏＴｂＦｅ合金薄膜から成る
光磁気記録媒体を提供することにある。
再生が可能となったＧｄＣｏＴｂＦｅ合金薄膜から成る
光磁気記録媒体を提供することにある。
本発明によれば、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有す
るＧｄＣｏＴ’ｂＦｅ合金薄膜から成る光磁気記録媒体
において、その合金薄膜を（（ＭｘＣｏ＋−ｘ ）ｚ
、（Ｔｂｙ Ｆｅｔ−ｙ ）１：Ｚと表示したとき、Ｘ
が０．００ ＜ ｘ ＜１．００、ｙがｏ、ｉｏ ＜
ｙ ＜ ０．４０．２が０．０１ ＜ ｚ ＜ ０．１
２の範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
るＧｄＣｏＴ’ｂＦｅ合金薄膜から成る光磁気記録媒体
において、その合金薄膜を（（ＭｘＣｏ＋−ｘ ）ｚ
、（Ｔｂｙ Ｆｅｔ−ｙ ）１：Ｚと表示したとき、Ｘ
が０．００ ＜ ｘ ＜１．００、ｙがｏ、ｉｏ ＜
ｙ ＜ ０．４０．２が０．０１ ＜ ｚ ＜ ０．１
２の範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体が提供
される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明によれば、基体上に膜面と垂直な方向に磁化容易
軸を有するＧｄＣｏＴｂＦｅ合金薄膜を形成するには、
後述のマグネトロンスパン１．タツング法を用いて種々
の条件を設定することにより、優れたカー回転角を有す
ると共に、キュリ一温度が２５０℃以下になる光磁気記
録媒体が得られる。斯様なＧ１ＣｏＴｂＦｅ合金薄膜に
とって、その含有組成比を（ＧｃｌｘＣｏ＋−ｘ ）Ｚ
（ＴｂｙＦｅ＋−ｙ ）１−ｚと表示したとき、Ｘが
０．００ ＜ ｘ ＜ １．００．７１１１０．１０
＜ ｙ＜ ０．４０ 、Ｚが０．０１ ＜ ｚ ＜ ０
．１２の範囲にあることが重要であり、この範囲から外
れると本発明の光磁気記録媒体が得られないことが判っ
た。
軸を有するＧｄＣｏＴｂＦｅ合金薄膜を形成するには、
後述のマグネトロンスパン１．タツング法を用いて種々
の条件を設定することにより、優れたカー回転角を有す
ると共に、キュリ一温度が２５０℃以下になる光磁気記
録媒体が得られる。斯様なＧ１ＣｏＴｂＦｅ合金薄膜に
とって、その含有組成比を（ＧｃｌｘＣｏ＋−ｘ ）Ｚ
（ＴｂｙＦｅ＋−ｙ ）１−ｚと表示したとき、Ｘが
０．００ ＜ ｘ ＜ １．００．７１１１０．１０
＜ ｙ＜ ０．４０ 、Ｚが０．０１ ＜ ｚ ＜ ０
．１２の範囲にあることが重要であり、この範囲から外
れると本発明の光磁気記録媒体が得られないことが判っ
た。
即ち、Ｘについてはいかなる場合でも髄とＣＯの両元素
が添加元素として含まれることがカー回転角の増大のた
めに必要であることを意味し、好適には０．１５ ＜
Ｘ ＜ ０．３５の範囲昏こ設定されているとよい。
が添加元素として含まれることがカー回転角の増大のた
めに必要であることを意味し、好適には０．１５ ＜
Ｘ ＜ ０．３５の範囲昏こ設定されているとよい。
ｙについては、主たる材料であるＴｂＦｅ合金薄膜の補
償組成近傍であって磁化が膜面ｌζ垂直ｔど配向する組
成領域となるように、０．１０ ＜ ｙ＜ ０．４０１
ζ設定するのがよく、好適には０．１５ ＜ ｙ＜ ０
．３５の範囲が望ましい。
償組成近傍であって磁化が膜面ｌζ垂直ｔど配向する組
成領域となるように、０．１０ ＜ ｙ＜ ０．４０１
ζ設定するのがよく、好適には０．１５ ＜ ｙ＜ ０
．３５の範囲が望ましい。
また、２については、２が０．１２を越えるとキュリ一
温度が約２５０℃以上となるため、実質上、キュリ一点
記録方式が取れず、特に重要である。他方、２が０．０
１以下であると、実質的にＴｂＦｅ合金薄膜と同程度に
までカー回転角が低下することが判った。従って、２は
０．０１ ＜ ｚ＜ ０．１２の範囲に設定するのがよ
く、好適には０．０４ ＜ ｚ＜ ０．０８が望ましい
。
温度が約２５０℃以上となるため、実質上、キュリ一点
記録方式が取れず、特に重要である。他方、２が０．０
１以下であると、実質的にＴｂＦｅ合金薄膜と同程度に
までカー回転角が低下することが判った。従って、２は
０．０１ ＜ ｚ＜ ０．１２の範囲に設定するのがよ
く、好適には０．０４ ＜ ｚ＜ ０．０８が望ましい
。
次に、上記した本発明光磁気記録媒体の製法を第１図に
より説明する。
より説明する。
第１図はＧｉＣｏＴｏＦｅ合金薄膜を生成するためのマ
グネトロンスパッタリング装置であり、図中、真空槽（
１）の内部にはＧｄ、Ｃｏから成る第１ターゲツト（２
）、 ＴＩ）Ｆｅから成る第２ターゲツト（３１、回転
駆動されることによりＧｄＣ０ＴｂＦｅ合金薄膜が形成
される円板状の基板（４）が配置されている。
グネトロンスパッタリング装置であり、図中、真空槽（
１）の内部にはＧｄ、Ｃｏから成る第１ターゲツト（２
）、 ＴＩ）Ｆｅから成る第２ターゲツト（３１、回転
駆動されることによりＧｄＣ０ＴｂＦｅ合金薄膜が形成
される円板状の基板（４）が配置されている。
第１ターゲツト（２）と基板（４）、並びに第２ターゲ
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（５）（６）により高周波電圧が印加されると共に、基
板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印加す
ることができるように直流電源（７）カ付俊しである。
ツト（３）と基板（４）の間には、それぞれ高周波電源
（５）（６）により高周波電圧が印加されると共に、基
板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印加す
ることができるように直流電源（７）カ付俊しである。
この第１．２ターゲツト＋２１ （３１の下側にはプレ
ーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ、フ
ェライト、サマリウムコバルト製の永久磁石（８）（９
）が備えつけられ、これにより電場と磁場の直交するペ
ニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化効率
が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
ーナーマグネトロン型カソードに基づき、アルニコ、フ
ェライト、サマリウムコバルト製の永久磁石（８）（９
）が備えつけられ、これにより電場と磁場の直交するペ
ニング放電現象を利用して放電ガス分子のイオン化効率
が高められ、量産に適した高速成膜が可能となる。
本発明において使用されるＧｄ、ＣＯから成る第１ター
ゲツト（２）は、例えば、 Ｃｏ製円板の上に角形状の
Ｇ（１チツプを適当な数だけ載置し、また和。
ゲツト（２）は、例えば、 Ｃｏ製円板の上に角形状の
Ｇ（１チツプを適当な数だけ載置し、また和。
Ｆｅから成る第２ターゲツト（３）はＦｅ製円板の上に
角形状のＴｂチップを適当な数だけ載置して構成さ１れ
るが、Ｆｅ製円板の上にＣＯチップ及びＴｂ製円板の上
にＧ（１チツプを載置したものであってもよく、更に、
斯様なチップの形状を角形状に代えて扇形状等任意の形
状に変更してもよい。この他、第１ターゲツト（２）を
ＧｄＣｏ合金、第２ターゲツト（３）を）１０合金によ
り構成しても同等の効果が達成される。
角形状のＴｂチップを適当な数だけ載置して構成さ１れ
るが、Ｆｅ製円板の上にＣＯチップ及びＴｂ製円板の上
にＧ（１チツプを載置したものであってもよく、更に、
斯様なチップの形状を角形状に代えて扇形状等任意の形
状に変更してもよい。この他、第１ターゲツト（２）を
ＧｄＣｏ合金、第２ターゲツト（３）を）１０合金によ
り構成しても同等の効果が達成される。
更に、ひとつのターゲット電極により、ＦｅＣｏ合金製
合金製円板上形状のＴｌ）ＧＣＩ合金チップを載置した
ものであってもよく、また、ＧｄＣｏＴｂＦｅ四元合金
製円板により構成しても何ら変わるところがないのは言
うまでもない。
合金製円板上形状のＴｌ）ＧＣＩ合金チップを載置した
ものであってもよく、また、ＧｄＣｏＴｂＦｅ四元合金
製円板により構成しても何ら変わるところがないのは言
うまでもない。
本発明に詔いては、カー回転角が大きく、且つ高保磁力
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、基板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印
加してもよいが、無バイアスによっても本発明の目的を
十分に達成することができる。この時、雰囲気ガス圧を
所定の範囲に設定するのがよく、雰囲気ガス圧がＩ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ未満では安定な放電状態が得られず、
成膜が困難となり、５０ Ｘ １０ Ｔｏｒｒを越える
と、磁性薄膜中に含まれるアルゴン（Ａｒ）や酸素ｔｏ
＋が増加して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大き
な保磁力を得ることがむずかしく、且つ均一性、安定性
も得にくくなるため、Ｉ Ｘ １０−８〜５０ Ｘ １
０〜３Ｔｏｒｒ、好適には３×１０〜２０×１ｏＴＯｒ
ｒの範囲に設定される。
、角形比にも優れた好適な光磁気記録媒体を得るために
、基板（４）に対して正もしくは負のバイアス電圧を印
加してもよいが、無バイアスによっても本発明の目的を
十分に達成することができる。この時、雰囲気ガス圧を
所定の範囲に設定するのがよく、雰囲気ガス圧がＩ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ未満では安定な放電状態が得られず、
成膜が困難となり、５０ Ｘ １０ Ｔｏｒｒを越える
と、磁性薄膜中に含まれるアルゴン（Ａｒ）や酸素ｔｏ
＋が増加して膜特性が劣化し、大きなカー回転角や大き
な保磁力を得ることがむずかしく、且つ均一性、安定性
も得にくくなるため、Ｉ Ｘ １０−８〜５０ Ｘ １
０〜３Ｔｏｒｒ、好適には３×１０〜２０×１ｏＴＯｒ
ｒの範囲に設定される。
本装置においでは基板１回、転当り０．１〜３０ Ａ、
好適には０．５〜１０λとなるように、基板の回転速度
が設定される。
好適には０．５〜１０λとなるように、基板の回転速度
が設定される。
また、成膜中には第２ターゲツト（３）と基板（４）の
間にθ〜２．５ Ｋｗの高周波電力が印加されると共に
、第１ターゲツ白２）と基板（４）の間にもＣＡＣｏが
所定量含有されるように適当な大きさの高周波電力が印
加される。
間にθ〜２．５ Ｋｗの高周波電力が印加されると共に
、第１ターゲツ白２）と基板（４）の間にもＣＡＣｏが
所定量含有されるように適当な大きさの高周波電力が印
加される。
かくして出来たＧｄＣｏＴｂＦｅ合金薄膜が所定範囲内
の組成を取るように、ターゲット構成を設定し、次いで
、プレスパツタし、然る後、無バイアスもしくはバイア
ス電圧の印加と共に雰囲気ガスの圧力、基板温度、高周
波電力などをそれぞれ所定範囲内に設定することにより
、基板上ｆこ非晶質形態を成したＧｄＣｏＴｂＦｅ合金
薄膜が得られ、かかる条件により製作されたＧｄＣｏＴ
ｂＦｅ合金薄膜はカー回転角が大きいために優れた再生
特性を備え、巨つキュリ一温度が約２５０℃以下になる
まで降下しつるような組成範囲を有しているために優れ
た記録特性をもった光磁気記録媒体が提供できる。
の組成を取るように、ターゲット構成を設定し、次いで
、プレスパツタし、然る後、無バイアスもしくはバイア
ス電圧の印加と共に雰囲気ガスの圧力、基板温度、高周
波電力などをそれぞれ所定範囲内に設定することにより
、基板上ｆこ非晶質形態を成したＧｄＣｏＴｂＦｅ合金
薄膜が得られ、かかる条件により製作されたＧｄＣｏＴ
ｂＦｅ合金薄膜はカー回転角が大きいために優れた再生
特性を備え、巨つキュリ一温度が約２５０℃以下になる
まで降下しつるような組成範囲を有しているために優れ
た記録特性をもった光磁気記録媒体が提供できる。
次に、本発明の実施例について述べる。
上述した第１図にマグネトロンスパッタリング装置を使
用し、第１ターゲツト（２）としてはＣｏ製円板（６イ
ンチφ）の上にＧｄ ｌ ｃｍ角形チップを置き、第２
ターゲツト（３）としてはＦｅ製円板（６インチφ）の
上にＴｂ ｌ ｃｍ角形チップを置いたものとした。尚
、これらの載置状態については、例えばＴｂｏ、２＋
Ｆｅｏ、７９及びＧｄｏ、＋＋＋ Ｃｏｏ、ｑ９の比率
になるように条件設定した。
用し、第１ターゲツト（２）としてはＣｏ製円板（６イ
ンチφ）の上にＧｄ ｌ ｃｍ角形チップを置き、第２
ターゲツト（３）としてはＦｅ製円板（６インチφ）の
上にＴｂ ｌ ｃｍ角形チップを置いたものとした。尚
、これらの載置状態については、例えばＴｂｏ、２＋
Ｆｅｏ、７９及びＧｄｏ、＋＋＋ Ｃｏｏ、ｑ９の比率
になるように条件設定した。
真空槽（１）の到達真空度を５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒと
し、アルゴンのガス圧を５ Ｘ ＩＱ ’ｒｏｒｒに設
定し、プレスパツタ後、基板（４）を５Ｏｒｐｍで回転
し、第２ターゲツト（３）に実効の高周波電力２００Ｗ
を印加し、第１ターゲツト（２）に印加される高周波電
力を２００〜４０Ｗの範囲で変化させることによって、
ＧｄＣ０添加量の異なったＧｄＣ０ＴｂＦｅ合金薄膜を
基板（４）上蛋こ形成した。これらの薄膜についてＸ線
回折及びトルクメータにより測定したところ、それぞれ
非晶質及び垂直磁化膜となっていることが確かめられた
。
し、アルゴンのガス圧を５ Ｘ ＩＱ ’ｒｏｒｒに設
定し、プレスパツタ後、基板（４）を５Ｏｒｐｍで回転
し、第２ターゲツト（３）に実効の高周波電力２００Ｗ
を印加し、第１ターゲツト（２）に印加される高周波電
力を２００〜４０Ｗの範囲で変化させることによって、
ＧｄＣ０添加量の異なったＧｄＣ０ＴｂＦｅ合金薄膜を
基板（４）上蛋こ形成した。これらの薄膜についてＸ線
回折及びトルクメータにより測定したところ、それぞれ
非晶質及び垂直磁化膜となっていることが確かめられた
。
かくして得られたＧ１ＣｏＴｂＦｅ合金薄膜について１
０２発光分光分析に基づいて組成を測定したところ、カ
ー回転角、キュリ一温度、保磁力及び反射率を測定し、
１０２発光分光分析に基づいて組成を測定したところ、
第１表に示す通りの結果となった。
０２発光分光分析に基づいて組成を測定したところ、カ
ー回転角、キュリ一温度、保磁力及び反射率を測定し、
１０２発光分光分析に基づいて組成を測定したところ、
第１表に示す通りの結果となった。
尚、これらの測定値は波長６３２８ Ａでの値である。
更ｔこ、比較例としてＴｂＦｅ 、 ＣｒＣＬＣＯ、Ｔ
ｋ）Ｆｅ００のそれぞれの非晶質合金薄膜１ζついて、
キュリ一点記録材料として最適に条件が設定された上で
、カー回転角及び反射率を測定したところ、ｊＩ２表ｔ
ζ示す通りの結果が得られた。尚、これらの結果はｆｉ
１表と同様に波長６３２８ ｊ−での値である。
ｋ）Ｆｅ００のそれぞれの非晶質合金薄膜１ζついて、
キュリ一点記録材料として最適に条件が設定された上で
、カー回転角及び反射率を測定したところ、ｊＩ２表ｔ
ζ示す通りの結果が得られた。尚、これらの結果はｆｉ
１表と同様に波長６３２８ ｊ−での値である。
第２表
９Ｅ１表及び第２表の結果より明らかなように、ＴｂＦ
ｅへのＧｄＣ０添加量依存性としてわずか約２％のＧｄ
Ｃ０添加でＴｂＦｅ二元合金薄膜・、本来のカー回転角
を大きく上回り、同じキュリ一温度のものの場合、これ
まで知られている実用材料の中で最も大きなカー回転角
を有するＴｂＦｅＣｏと同等か、それ以上の値を得るこ
とができ、更にＧｄ０ｏの添加量に伴ってカー回転角は
漸増し、これまで得られた中では最も大きな値を有する
ものとなり、微少量での顕著な添加効果が存在すること
が判る。従って、単層キュリ一点記録可能という条件か
ら、髄ＣＯの添加量は約１２％までが限界である。また
、試料番号４．６及び７が示すように、２が０．０４と
同一値でＸが変わっても、実質、単層キュリ一点記録が
できることが判る。
ｅへのＧｄＣ０添加量依存性としてわずか約２％のＧｄ
Ｃ０添加でＴｂＦｅ二元合金薄膜・、本来のカー回転角
を大きく上回り、同じキュリ一温度のものの場合、これ
まで知られている実用材料の中で最も大きなカー回転角
を有するＴｂＦｅＣｏと同等か、それ以上の値を得るこ
とができ、更にＧｄ０ｏの添加量に伴ってカー回転角は
漸増し、これまで得られた中では最も大きな値を有する
ものとなり、微少量での顕著な添加効果が存在すること
が判る。従って、単層キュリ一点記録可能という条件か
ら、髄ＣＯの添加量は約１２％までが限界である。また
、試料番号４．６及び７が示すように、２が０．０４と
同一値でＸが変わっても、実質、単層キュリ一点記録が
できることが判る。
次に、本実施例で得られた試料番号１，２．４及び８に
ついて、再生光の波長を変えることによってカー回転角
の波長依存性を測定したところ、第２図に示す通りの結
果を得た。
ついて、再生光の波長を変えることによってカー回転角
の波長依存性を測定したところ、第２図に示す通りの結
果を得た。
９ｉ２図中、ケ）（ロ）ｒ）及びに）はそれぞれ試料番
号１゜２．４及び８の結果を示した依存曲線である。
号１゜２．４及び８の結果を示した依存曲線である。
第２図に示す如く、いずれの試料についても、再生光の
波長が大きくなるのに伴ってカー回転角が太き（なるこ
とが判り、これらの媒体を使用した装置の再生光に主に
波長８００ ｎｍ近傍の半導体レーザー光が用いられる
ことから、有利な特性といえる。
波長が大きくなるのに伴ってカー回転角が太き（なるこ
とが判り、これらの媒体を使用した装置の再生光に主に
波長８００ ｎｍ近傍の半導体レーザー光が用いられる
ことから、有利な特性といえる。
また、特性曲＃ｉＣ→及びに）においては、特性曲線（
（）及び（ロ）、並びに（ハ）及びに）のそれぞれのカ
ー回転角の隔たりと比較して、カー１転角の値に大きな
隔たりがあることが認められ、これによっても０１Ｃｏ
の微少量での顕著な添加効果が存在することが判る。
（）及び（ロ）、並びに（ハ）及びに）のそれぞれのカ
ー回転角の隔たりと比較して、カー１転角の値に大きな
隔たりがあることが認められ、これによっても０１Ｃｏ
の微少量での顕著な添加効果が存在することが判る。
次に、この試料番号１，２．４及び８について、カー回
転角θｋ（Ｔ）／カー回転角θｋ（２０℃）の室温から
２００℃までの温度依存性を第３図に示す。
転角θｋ（Ｔ）／カー回転角θｋ（２０℃）の室温から
２００℃までの温度依存性を第３図に示す。
第３図中、−）（へ）（ト）及び（ト）はそれぞれ試料
番号１．２．４及び８の結果を示した依存曲線である。
番号１．２．４及び８の結果を示した依存曲線である。
第３図に示す如く、特性曲線（ト）及びチ）においては
、特性曲線（ホ）及び（へ）、並びに（へ）及びチ）の
それぞれのθｋ（Ｔ） ／θｋ（２０℃）の隔たりと比
較して、”ｋ（Ｔ）／θｋ（２０℃）の値に大きな隔た
りがあることが認められ、これによっても（４Ｃｏ＝の
微少量での顕著な添加効果が存在することが判る。
、特性曲線（ホ）及び（へ）、並びに（へ）及びチ）の
それぞれのθｋ（Ｔ） ／θｋ（２０℃）の隔たりと比
較して、”ｋ（Ｔ）／θｋ（２０℃）の値に大きな隔た
りがあることが認められ、これによっても（４Ｃｏ＝の
微少量での顕著な添加効果が存在することが判る。
上述の実施例から明らかなように、Ｇｄ 、 Ｃｏ及び
Ｔｂ、Ｆｅの組成範囲を特定することにより、キュリ一
点記録方式に基づく記録及び再生が可能となったＧｄ０
ｏＴｂＦ’ｅ合金薄膜から成る光磁気記録媒体が提供で
きた。
Ｔｂ、Ｆｅの組成範囲を特定することにより、キュリ一
点記録方式に基づく記録及び再生が可能となったＧｄ０
ｏＴｂＦ’ｅ合金薄膜から成る光磁気記録媒体が提供で
きた。
第１図は光磁気記録媒体を生成するためのマグネトロン
スパッタリング装置の概略図、第２図はカー回転角の波
長依存特性曲線を示す図、第３図はカー回転角の温度依
存特性曲線を示す図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板 特許出願人 京セラ株式会社 第１図 第２図・ 表壱（ｎｒｒｔ〕 Ｓ夏ζ’ｃ） 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 Ｌ 事件の表示 昭和５９年特許願第 ２’１３８１
号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２４、補
正命令の日付 自発補正 明細書
スパッタリング装置の概略図、第２図はカー回転角の波
長依存特性曲線を示す図、第３図はカー回転角の温度依
存特性曲線を示す図である。 ２・・・第１ターゲツト、３・・・第２ターゲツト、４
・・・基板 特許出願人 京セラ株式会社 第１図 第２図・ 表壱（ｎｒｒｔ〕 Ｓ夏ζ’ｃ） 手続補正書（自発） 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 Ｌ 事件の表示 昭和５９年特許願第 ２’１３８１
号２、発明の名称 光磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都市山科区東野北井ノ上町５番地の２２４、補
正命令の日付 自発補正 明細書
Claims (1)
- 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有するＣａｂＴｂＦｅ
四児糸非晶質合金薄膜から成る光磁気記録媒体ニオイテ
、ソノ合金薄膜ヲ（Ｇｄ、ｘＣＯ＋−ｘ ）ｚ （’ｒ
ｂｙＦｅ＋−ｙ ）＋−ｚと表示したとき、Ｘが０．０
０ ＜ ｘ ＜ １．００、ｙが０．１０ ＜ ：５’
＜ ０．４０ 、 ｚが０．０１ ＜ ｚ ＜ ０．
１２の範囲にあることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2938184A JPS60173745A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2938184A JPS60173745A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60173745A true JPS60173745A (ja) | 1985-09-07 |
Family
ID=12274559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2938184A Pending JPS60173745A (ja) | 1984-02-17 | 1984-02-17 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60173745A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390042A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メデイア製造用タ−ゲツト |
| US5353268A (en) * | 1990-08-10 | 1994-10-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system employing a medium having high storage density and direct-overwrite capability as a result of along-track isocoercivity |
-
1984
- 1984-02-17 JP JP2938184A patent/JPS60173745A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390042A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メデイア製造用タ−ゲツト |
| US5353268A (en) * | 1990-08-10 | 1994-10-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermomagnetic recording system employing a medium having high storage density and direct-overwrite capability as a result of along-track isocoercivity |
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