JPS60171652A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS60171652A JPS60171652A JP2749384A JP2749384A JPS60171652A JP S60171652 A JPS60171652 A JP S60171652A JP 2749384 A JP2749384 A JP 2749384A JP 2749384 A JP2749384 A JP 2749384A JP S60171652 A JPS60171652 A JP S60171652A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は０，１信号の形で２値化された情報を垂直磁化
膜の磁化の上向き下向きの形で記録し、記録された情報
を垂直磁化膜に照射した偏光が受ける磁気光学効果によ
り再生する光磁気記録媒体に関する。
膜の磁化の上向き下向きの形で記録し、記録された情報
を垂直磁化膜に照射した偏光が受ける磁気光学効果によ
り再生する光磁気記録媒体に関する。
（発明の背景）
ＦｅとＣｏとからなる遷移金属と、■、 Ｔｈ 、 Ｇ
ｄ等の希土類金属とからなる非晶質磁性薄膜は、化学的
に安定で、またカー回転角（θＫ）が大きいので再生の
Ｓ／Ｎ比が高くなると期待されることから光磁気記録媒
体に使用することが提案されている（例えば特開昭５８
−１９６６３９号参照）。
ｄ等の希土類金属とからなる非晶質磁性薄膜は、化学的
に安定で、またカー回転角（θＫ）が大きいので再生の
Ｓ／Ｎ比が高くなると期待されることから光磁気記録媒
体に使用することが提案されている（例えば特開昭５８
−１９６６３９号参照）。
ところで、記録する場合にはいったん強い外部磁場で自
発磁化を上向き又は下向きに揃えておき、レーザー光線
を照射してその微小領域（ピットに相当）をキュリ一温
度（Ｔｃ）以上に加熱して、その部分の保磁力をゼロに
し、その上で弱い反転外部磁場（向きは媒体によって逆
向きの場合と順向きの場合がおる）を印加し、その後レ
ーザー光線の照射金工めると、その微小領域の自発磁化
が反転しく反転は媒体によって加熱時に生じる場合と常
温に戻る途中で生じる場合がある）それによシ０．１信
号の一方のピットが形成され記録が行なわれる。
発磁化を上向き又は下向きに揃えておき、レーザー光線
を照射してその微小領域（ピットに相当）をキュリ一温
度（Ｔｃ）以上に加熱して、その部分の保磁力をゼロに
し、その上で弱い反転外部磁場（向きは媒体によって逆
向きの場合と順向きの場合がおる）を印加し、その後レ
ーザー光線の照射金工めると、その微小領域の自発磁化
が反転しく反転は媒体によって加熱時に生じる場合と常
温に戻る途中で生じる場合がある）それによシ０．１信
号の一方のピットが形成され記録が行なわれる。
しかし、Ｆｅ −Ｃｏ−希土類金属系の非晶質磁性薄膜
はＴｅが高く、結晶化温度（旬に近い。そのため、記録
時にＴｃ以上に加熱されることによシ、その部分が結晶
化する傾向が出てくる。そのため再生時に光磁気特性が
低下し、その結果Ｓハ比が低下してしまう。
はＴｅが高く、結晶化温度（旬に近い。そのため、記録
時にＴｃ以上に加熱されることによシ、その部分が結晶
化する傾向が出てくる。そのため再生時に光磁気特性が
低下し、その結果Ｓハ比が低下してしまう。
そこで記録時にＴｘに近ずくのを避けるために、低パワ
ーのレーザー光線の照射による、いわゆる補償点書込み
を用いなければならない。「補償点書込み」とは、垂直
磁化膜をＴｃ以上に加熱せず、まだ保磁力が十分に残っ
ている状態で、その保磁力より大きな反転外部磁場を印
加して、磁化の向きを反転させてしまうことによｐビラ
トラ形成し、書込みを行なう方法である。しかし、この
場合、理由は不明であるが、Ｔｃが高いＦｅ −Ｃｏ−
希土類金属系の非晶質磁性薄Ｍを用いた光磁気記録媒体
では、ピットの形成が成されないか又は不十分でピット
の形が崩れていたり、前後のピットがつながってしまう
などの欠点があり、実際には再生してもＳＡ比は結局低
かった。
ーのレーザー光線の照射による、いわゆる補償点書込み
を用いなければならない。「補償点書込み」とは、垂直
磁化膜をＴｃ以上に加熱せず、まだ保磁力が十分に残っ
ている状態で、その保磁力より大きな反転外部磁場を印
加して、磁化の向きを反転させてしまうことによｐビラ
トラ形成し、書込みを行なう方法である。しかし、この
場合、理由は不明であるが、Ｔｃが高いＦｅ −Ｃｏ−
希土類金属系の非晶質磁性薄Ｍを用いた光磁気記録媒体
では、ピットの形成が成されないか又は不十分でピット
の形が崩れていたり、前後のピットがつながってしまう
などの欠点があり、実際には再生してもＳＡ比は結局低
かった。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は、前述の如（Ｔｃが高くθＫが
大きいＦｅ −Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜
を主体とする補償点書込み用光磁気記録媒体を改良し、
Ｓ、／Ｎ比を向上させることＫある。
大きいＦｅ −Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜
を主体とする補償点書込み用光磁気記録媒体を改良し、
Ｓ、／Ｎ比を向上させることＫある。
（発明の概要）
Ｆｅ −Ｃｏ−希土類金属系の磁性薄膜では遷移金属（
Ｆｅ、Ｇｏ）の磁気モーメント↑と希土類金属の磁気モ
ーメント↑との和が自発磁化骨として外部に現われてく
るが、希土類金属の中でもＤｙ 、 Ｔｈ及び割は遷移
金属原子と互いに反対向きの磁気モーメントのカップル
（↑↓又は↓↑）を作るととが知られている。従って、
両モーメントの大きさが等しいときに自発磁化↑が見か
け上ゼロになる。
Ｆｅ、Ｇｏ）の磁気モーメント↑と希土類金属の磁気モ
ーメント↑との和が自発磁化骨として外部に現われてく
るが、希土類金属の中でもＤｙ 、 Ｔｈ及び割は遷移
金属原子と互いに反対向きの磁気モーメントのカップル
（↑↓又は↓↑）を作るととが知られている。従って、
両モーメントの大きさが等しいときに自発磁化↑が見か
け上ゼロになる。
このように自発磁化骨が室温で見かけ上ゼロになるよう
な組成を補償組成と言う。
な組成を補償組成と言う。
そして、両モーメントの大きさが等しくないときは、大
小の差が外部に自発磁化として現われ、大きい方のモー
メントの向きによって垂直磁化膜全体の自発磁化は、上
向き電が下向き畢かに決定される。
小の差が外部に自発磁化として現われ、大きい方のモー
メントの向きによって垂直磁化膜全体の自発磁化は、上
向き電が下向き畢かに決定される。
本発明者らは、前述の如きＴｃが高くθＫが大きいＦｅ
−Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜について改
良すべく鋭意研究した結果、前記非晶質垂直磁化膜の上
層又は下層に特別な垂直磁化膜〔下記、膜（Ｂ） ）
を設けることにょシ、ピットの形成が十分でそのためＳ
／Ｎの高い補償点書込み用光磁気記録媒体を得ることが
できることを見い出し、本発明を成すに至った。
−Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂直磁化膜について改
良すべく鋭意研究した結果、前記非晶質垂直磁化膜の上
層又は下層に特別な垂直磁化膜〔下記、膜（Ｂ） ）
を設けることにょシ、ピットの形成が十分でそのためＳ
／Ｎの高い補償点書込み用光磁気記録媒体を得ることが
できることを見い出し、本発明を成すに至った。
従って、本発明は、ＦｅとＣｏとからなる遷移金属と〜
、 Ｔｂ及び伽から選ばれる１種又は２種以上の希土類
金属とからな９、かつ高いキュリ一温度（ＴＡ）及び高
いカー回転角を有する非晶質垂直磁化膜（４）を主体と
する補償点書込み用光磁気記録媒体に於いて、前記垂直
磁化膜（４）の上層又は下層Ｋ、ＦｅとＣｏとからなる
遷移金属とｐｙ 、 Ｔｂ及びＧｄから選ばれる１種又
は２種以上の希土類金属とからなり、かつ高いキュリ一
温度（Ｔ＋＋ ）を有する非晶質垂直磁化膜であって、
しかも遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モ
ーメントとの大小関係が前記垂直磁化膜（４）のそれと
は逆になっている垂直磁化膜（Ｂ）を設けたことを特徴
とする、前記ＴＡ及びＴｎに達しない温度で書込む、い
わゆる補償点書込み用光磁気記録媒体を提供する。
、 Ｔｂ及び伽から選ばれる１種又は２種以上の希土類
金属とからな９、かつ高いキュリ一温度（ＴＡ）及び高
いカー回転角を有する非晶質垂直磁化膜（４）を主体と
する補償点書込み用光磁気記録媒体に於いて、前記垂直
磁化膜（４）の上層又は下層Ｋ、ＦｅとＣｏとからなる
遷移金属とｐｙ 、 Ｔｂ及びＧｄから選ばれる１種又
は２種以上の希土類金属とからなり、かつ高いキュリ一
温度（Ｔ＋＋ ）を有する非晶質垂直磁化膜であって、
しかも遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モ
ーメントとの大小関係が前記垂直磁化膜（４）のそれと
は逆になっている垂直磁化膜（Ｂ）を設けたことを特徴
とする、前記ＴＡ及びＴｎに達しない温度で書込む、い
わゆる補償点書込み用光磁気記録媒体を提供する。
本発明の媒体に於いては、膜（４）と膜（Ｂ）との組成
は、遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モー
メントとの大小関係が逆にるようにするため、一方の膜
は補償組成ヲ境に希土類金属に対する遷移金属の原子数
比を大きく、つまり遷移金属リッチとし、他方の膜は希
土類金属リッチとする。
は、遷移金属の磁気モーメントと希土類金属の磁気モー
メントとの大小関係が逆にるようにするため、一方の膜
は補償組成ヲ境に希土類金属に対する遷移金属の原子数
比を大きく、つまり遷移金属リッチとし、他方の膜は希
土類金属リッチとする。
その結果、初期化（書込み前に媒体全体の自発磁化の向
きを強い外部磁場全印加して一方に揃えること、言い換
えれば媒体全体をｏ、ｉ信号の「０」状態にすること）
した場合、膜（５）も膜（Ｂ）も単層ではいずれも外部
磁場の向きに従って自発磁化の向きが揃い、一旦揃えば
外部磁場を取去っても、その向きは安定に保持されるの
に対して、本発明の膜（Ａ）／膜（Ｂ）からなる複層構
造の媒体にあっては、初期化の外部磁場を印加中こそ外
部磁場の方向に従うものの、外部磁場を取去ると、膜（
４）と（Ｂ）とは互いに逆向きの自発磁化を示す。例え
ば他方、書込み時にはレーザー光線を照射することによ
りキーリ一点に達しない温度に加熱し、まだ保磁力が残
っている状態で、その保磁力以上の反転外部磁場を印加
し、印加中にレーザー光線の照射を止めて常温又は常温
付近に戻し、その上で磁場印加を止めて、磁化の向きが
反転したビット全形成させる。この場合、反転外部磁場
の向きは、希土類リッチの単層膜（補償温度”が室温よ
シ高い〕にあっては、初期化の外部磁場と同じ向きにし
、遷移金属リッチの単層膜（補償温度が室温よυ低い）
にあっては、初期化の外部磁場と逆向きにする必要があ
るが、本発明の複層構造の媒体にあっては、書込み時の
反転外部磁場の向きを予め決めることは難しいので予備
実験により決定する。尚矢補償温度とは、ある組成に於
いて希土類金属の磁気モーメントと遷移金属のそれとが
等しくなるような温度を言う。
きを強い外部磁場全印加して一方に揃えること、言い換
えれば媒体全体をｏ、ｉ信号の「０」状態にすること）
した場合、膜（５）も膜（Ｂ）も単層ではいずれも外部
磁場の向きに従って自発磁化の向きが揃い、一旦揃えば
外部磁場を取去っても、その向きは安定に保持されるの
に対して、本発明の膜（Ａ）／膜（Ｂ）からなる複層構
造の媒体にあっては、初期化の外部磁場を印加中こそ外
部磁場の方向に従うものの、外部磁場を取去ると、膜（
４）と（Ｂ）とは互いに逆向きの自発磁化を示す。例え
ば他方、書込み時にはレーザー光線を照射することによ
りキーリ一点に達しない温度に加熱し、まだ保磁力が残
っている状態で、その保磁力以上の反転外部磁場を印加
し、印加中にレーザー光線の照射を止めて常温又は常温
付近に戻し、その上で磁場印加を止めて、磁化の向きが
反転したビット全形成させる。この場合、反転外部磁場
の向きは、希土類リッチの単層膜（補償温度”が室温よ
シ高い〕にあっては、初期化の外部磁場と同じ向きにし
、遷移金属リッチの単層膜（補償温度が室温よυ低い）
にあっては、初期化の外部磁場と逆向きにする必要があ
るが、本発明の複層構造の媒体にあっては、書込み時の
反転外部磁場の向きを予め決めることは難しいので予備
実験により決定する。尚矢補償温度とは、ある組成に於
いて希土類金属の磁気モーメントと遷移金属のそれとが
等しくなるような温度を言う。
こうして本発明に於いて、ピットが十分に形成される理
由は膜（４）、（Ｂ）の相互作用によって磁化反転が容
易となｐｌまたビットの安定化がはかられるからと推量
されるが、詳しい理由は不明である。
由は膜（４）、（Ｂ）の相互作用によって磁化反転が容
易となｐｌまたビットの安定化がはかられるからと推量
されるが、詳しい理由は不明である。
何故ならば、膜（Ｂ）の組成を変えて■又は北とした場
合にはピットの形成は膜（４）単層のそれとほとんど変
らなかったからである。
合にはピットの形成は膜（４）単層のそれとほとんど変
らなかったからである。
ところで遷移金属のＣｏは例えば第１図に示すようにＴ
ｃ及びθｘｉ大きくし、かつ化学的安定性を向上させる
ので、膜（Ａ） 、 （Ｂ）中のＣＯ含有率はＦｅとＣ
ｏの原子数合計１００原子チに対して１〜９０原子チと
することが好ましい。
ｃ及びθｘｉ大きくし、かつ化学的安定性を向上させる
ので、膜（Ａ） 、 （Ｂ）中のＣＯ含有率はＦｅとＣ
ｏの原子数合計１００原子チに対して１〜９０原子チと
することが好ましい。
Ｍ（４）と膜（Ｂ）とは特に同一の原子種からなる必要
はないが、本発明者らの研究によると、両者が同一の原
子種からなる方がビット形成の上で好ましいことが判っ
た。
はないが、本発明者らの研究によると、両者が同一の原
子種からなる方がビット形成の上で好ましいことが判っ
た。
膜（４）、膜（Ｂ）とも厚さはｌｏｏ Ｘ〜５０００人
もあれば十分である。このように薄いので、両膜ともそ
れ自体公知の薄膜形成技術例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンビームスパッタリング、イオンブレーティ
ングなどによって容易に形成される。
もあれば十分である。このように薄いので、両膜ともそ
れ自体公知の薄膜形成技術例えば真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンビームスパッタリング、イオンブレーティ
ングなどによって容易に形成される。
垂直磁化膜はそれ自体公知のように基板例えばガラス、
プラスチック、セラミック基板等の上に直接又は保護膜
、カー回転角増加用干渉膜、蓄熱層あるいは放熱層等を
介して形成させる。垂直磁化膜の上にも、それ自体公知
のように保護膜、カー回転角増加用干渉膜、蓄熱層ある
いは放熱層等を形成させてもよい。
プラスチック、セラミック基板等の上に直接又は保護膜
、カー回転角増加用干渉膜、蓄熱層あるいは放熱層等を
介して形成させる。垂直磁化膜の上にも、それ自体公知
のように保護膜、カー回転角増加用干渉膜、蓄熱層ある
いは放熱層等を形成させてもよい。
本発明の媒体に於いては、ビットの形成が十分であるこ
とに加えて、膜（４）も膜（Ｂ）も共にＴｃが高いので
、いずれの腹側からも高強度の再生光を照射でき、また
再生光の照射によシ温度が上昇してもＴｃが高いために
Ｔｃよυは相当に低く、そのためθにの低下が少なく
（温度がＴｃに近ずくと一般にθＫが低下する）、照射
するレーザー光線の光強度をｓｔとすると、Ｓ／Ｎ比は
５×θＫ又はｓｔｘθＫに比例するので、本発明の媒体
は極めていが高い。
とに加えて、膜（４）も膜（Ｂ）も共にＴｃが高いので
、いずれの腹側からも高強度の再生光を照射でき、また
再生光の照射によシ温度が上昇してもＴｃが高いために
Ｔｃよυは相当に低く、そのためθにの低下が少なく
（温度がＴｃに近ずくと一般にθＫが低下する）、照射
するレーザー光線の光強度をｓｔとすると、Ｓ／Ｎ比は
５×θＫ又はｓｔｘθＫに比例するので、本発明の媒体
は極めていが高い。
以下、実施例により本発明全具体的に説明する。
（実施例）
（１）垂直磁化膜の形成方法：
高周波３元マグネトロノスパッタリング装置を用い、３
個のターゲットのうち１つは割円板の上に小さなりチッ
プを配し、ＱとＴｂとの面積比を変えることによって、
生成膜中のＧｄ：Ｔｂの組成比をコントロールし、残ｐ
の２つのターゲットはＣｏ円板とＦｅ円板を用い、３個
のターゲットに供給する高周波パワーを変えることによ
って（Ｇｄ＋Ｔｂ）：Ｆｅ ： Ｃｏの組成比をコント
ロールし、同時にスパッタリングすることによってＧｄ
−Ｔｈ −Ｆｅ −Ｃｏ ｊ元合金フェリ磁性垂直磁
化膜全形成させる。
個のターゲットのうち１つは割円板の上に小さなりチッ
プを配し、ＱとＴｂとの面積比を変えることによって、
生成膜中のＧｄ：Ｔｂの組成比をコントロールし、残ｐ
の２つのターゲットはＣｏ円板とＦｅ円板を用い、３個
のターゲットに供給する高周波パワーを変えることによ
って（Ｇｄ＋Ｔｂ）：Ｆｅ ： Ｃｏの組成比をコント
ロールし、同時にスパッタリングすることによってＧｄ
−Ｔｈ −Ｆｅ −Ｃｏ ｊ元合金フェリ磁性垂直磁
化膜全形成させる。
基板はφ】８０朋のガラス板を用い、スパッタリングす
る前に予め逆スパッタリ／グを行なって基板表面をクリ
ーニングし、基板はスパッタリング中冷却してほぼ掌理
以下に保つ。
る前に予め逆スパッタリ／グを行なって基板表面をクリ
ーニングし、基板はスパッタリング中冷却してほぼ掌理
以下に保つ。
装置のチャンバー内は、いったんＩＯ’Ｔｏｒｒ台まで
排気した後、Ａｒガス置換全行ない、スパッタリング中
Ａｒガス圧１５ＸｌＯ″〜ｌＸｌ０’Ｔｏｒｒに保つ＠ （２）下層の垂直磁化膜（４）： 組成はＧｄ Ｉｌｌ Ｔｂ２ Ｆｅ６１ Ｃｏ３１で１
）、膜厚は約３２２Ｘである。組成の数値は原子チであ
シ、ここでは希土類金属の磁気モーメントは遷移金属の
それより小さい。
排気した後、Ａｒガス置換全行ない、スパッタリング中
Ａｒガス圧１５ＸｌＯ″〜ｌＸｌ０’Ｔｏｒｒに保つ＠ （２）下層の垂直磁化膜（４）： 組成はＧｄ Ｉｌｌ Ｔｂ２ Ｆｅ６１ Ｃｏ３１で１
）、膜厚は約３２２Ｘである。組成の数値は原子チであ
シ、ここでは希土類金属の磁気モーメントは遷移金属の
それより小さい。
この膜のカーヒステリシス曲ｉを第２図に示す。
（３）上層の垂直磁化膜（Ｂ）：
組成はＧｄａ Ｔｂｌ Ｆｅ、Ｃｏｐｅであシ、膜厚は
約３７６Ｘである。ここでは、希土類金属の磁気モーメ
ントは遷移金属のそれよシ大きい。
約３７６Ｘである。ここでは、希土類金属の磁気モーメ
ントは遷移金属のそれよシ大きい。
この換金ガラス基板上に形成したときのカーヒステリシ
ス曲線７に第３図に示す。
ス曲線７に第３図に示す。
尚、上層の膜形成は、下層の膜形成の後、真空状態を破
らずに続いて行なう。
らずに続いて行なう。
（４） カーヒステリシス曲線：
得られた２層構造を有する記録媒体のカーヒステリシス
曲ａを第４図に示す。
曲ａを第４図に示す。
（５）初期化：
得られた２層構造を有する記録媒体に上向き↑の外部磁
場（１０ＫＯｅ）を印加して自発磁化の向きヲ才に揃え
る。、（尚、場合によっては下向き■の外部磁場を印加
して自発磁化前 の向きを隼に揃えてもよい。
場（１０ＫＯｅ）を印加して自発磁化の向きヲ才に揃え
る。、（尚、場合によっては下向き■の外部磁場を印加
して自発磁化前 の向きを隼に揃えてもよい。
（比較例１）
実施例と同様に実施例の（２）に記載した下層の垂直磁
化膜囚（Ｇｄ５ｓ Ｔｂｔ Ｆｅ、、 Ｃｏ１１ ）の
みを同種基板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場↑により
自発磁化の向きを上向きｆに揃える。
化膜囚（Ｇｄ５ｓ Ｔｂｔ Ｆｅ、、 Ｃｏ１１ ）の
みを同種基板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場↑により
自発磁化の向きを上向きｆに揃える。
（比較例２）
実施例と同様に実施例の（２）に記載した下層の垂直磁
化膜（’） （Ｇｄ１ｙ Ｔｂｚ Ｆｅａｔ Ｃｏ５ｔ
） ｋ同種基板上に約３５０又の厚さに形成した後、
真空状態を破らずに、同じ組成の膜を同じ厚さに形成し
、外部磁場↑によｐ自発磁化の向きを上向き■に揃える
。
化膜（’） （Ｇｄ１ｙ Ｔｂｚ Ｆｅａｔ Ｃｏ５ｔ
） ｋ同種基板上に約３５０又の厚さに形成した後、
真空状態を破らずに、同じ組成の膜を同じ厚さに形成し
、外部磁場↑によｐ自発磁化の向きを上向き■に揃える
。
（比較例３）
実施例と同様に実施例の（３）に記載した上層の垂直磁
化１（Ｂ） （Ｇｄｔｒ ’ｌ”ｂｔ Ｆ（１４８Ｃｏ
ｔｅ ） ｋ同種基板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場
嘗により自発磁化の向きを上向き官に揃える。
化１（Ｂ） （Ｇｄｔｒ ’ｌ”ｂｔ Ｆ（１４８Ｃｏ
ｔｅ ） ｋ同種基板上に同じ膜厚に形成し、外部磁場
嘗により自発磁化の向きを上向き官に揃える。
（比較例４）
実施例と同様に実施例の（３）に記載した上層の垂直磁
化Ｍ（Ｂ） （Ｇｄ２１ Ｔｂ２ ＦＱ、Ｃｏｇｓ ）
ｋ同種基板上に約３５０Ｘの厚さに形成した後、真空
状態を破らずに同じ組成の換金同じ厚さに形成し、外部
磁場ｔにより自発磁化の向きｔ上向１に揃える。
化Ｍ（Ｂ） （Ｇｄ２１ Ｔｂ２ ＦＱ、Ｃｏｇｓ ）
ｋ同種基板上に約３５０Ｘの厚さに形成した後、真空
状態を破らずに同じ組成の換金同じ厚さに形成し、外部
磁場ｔにより自発磁化の向きｔ上向１に揃える。
（記録実験）
（１） 自発磁化の向きが非に揃った実施例の記録媒体
を６０Ｏｒｐｍで回転させながら、記録媒体上で１２．
６ｍＶＩ１０パワーのレーザー光線を記録すべ＠２値化
情報に従って照射する。すると、照射により加熱された
微小領域（ビットに相当）は自発磁化の向きがｉとなシ
、ここに於いて上向き官の弱い外部磁場（ｚｏｏＯ＠）
全印加すると、その微小領域の自発磁化の向きはτとな
ジ、そしてレーザーの照射を止めて常電 温に戻して行くと、その過程でその微小領域の自発磁化
の向きは玉となｐ、この状態で外部磁ｓを除去しても、
その微小領域の自発磁電 化の向きは↓のままに安定に保持され、ビットが形成さ
れる。
を６０Ｏｒｐｍで回転させながら、記録媒体上で１２．
６ｍＶＩ１０パワーのレーザー光線を記録すべ＠２値化
情報に従って照射する。すると、照射により加熱された
微小領域（ビットに相当）は自発磁化の向きがｉとなシ
、ここに於いて上向き官の弱い外部磁場（ｚｏｏＯ＠）
全印加すると、その微小領域の自発磁化の向きはτとな
ジ、そしてレーザーの照射を止めて常電 温に戻して行くと、その過程でその微小領域の自発磁化
の向きは玉となｐ、この状態で外部磁ｓを除去しても、
その微小領域の自発磁電 化の向きは↓のままに安定に保持され、ビットが形成さ
れる。
とすれば、１に反転したビットはｒｌＪｔ表わす。
情報はこのビットの有無又はビット長の形で記録される
。
。
（２）それに対して各比較例の媒体は、自発磁化前
が初期状態です又は官に揃っており、これらの媒体に対
して、反転外部磁場全印加して前項（すと同様に記録し
た。
して、反転外部磁場全印加して前項（すと同様に記録し
た。
この場合、０．１信号と形成されるビットと磁化の向き
との関係を模式的に表わすと別表部１表の如くなる。
との関係を模式的に表わすと別表部１表の如くなる。
（再生実験）
（１） 記録された実施例及び各比較例の媒体の垂直磁
化膜を偏光顕微鏡で観整した。
化膜を偏光顕微鏡で観整した。
その結果、実施例の媒体ではピットは形が正しく、くっ
きシと形成されていたのに対して、各比較例の媒体では
、ピットは形が乱れていたり、形成されない場合があっ
たりした。
きシと形成されていたのに対して、各比較例の媒体では
、ピットは形が乱れていたり、形成されない場合があっ
たりした。
この様子全第４図（ａ）実施例の媒体、（ｂ）比較例Ｊ
の媒体、（Ｃ）同２の媒体、（ｄ）同３の媒体、（ｅ）
同４の媒体に示す。
の媒体、（Ｃ）同２の媒体、（ｄ）同３の媒体、（ｅ）
同４の媒体に示す。
（２） ′１．た、記録された各媒体に対して記録時と
同じ回転数で回転させながら、記録媒体上で２．２ｍＷ
のレーザー光線を基板側から照射し、媒体からの反射光
を偏光子（アナライザー）を通してディテクター（光電
変換素子〕を受光して電気信号に変換することによシ再
生を行ないＳハ比を測定した。
同じ回転数で回転させながら、記録媒体上で２．２ｍＷ
のレーザー光線を基板側から照射し、媒体からの反射光
を偏光子（アナライザー）を通してディテクター（光電
変換素子〕を受光して電気信号に変換することによシ再
生を行ないＳハ比を測定した。
その結果を次の第２表に示す。
第２表（記録媒体の性能）
（発明の効果）
以上の通り、従来θＫが大きく化学的に安定であったが
、Ｔｃが高（ＴｃがＴｘに近いために、結局補償点書込
みとせざるを得す、そのため再生しても低いＳ／Ｎ比し
か得られなかったＦｅ−Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂
直磁化膜を主体とする光磁気記録媒体に対して、本発明
に従い遷移金属の磁気モーメントと希土類金属のそれと
の大小関係が逆の垂直磁化膜（６）を設けることにより
、ピットの形成が十分になされ、Ｓ／Ｎ比が向上する。
、Ｔｃが高（ＴｃがＴｘに近いために、結局補償点書込
みとせざるを得す、そのため再生しても低いＳ／Ｎ比し
か得られなかったＦｅ−Ｃｏ−希土類金属系の非晶質垂
直磁化膜を主体とする光磁気記録媒体に対して、本発明
に従い遷移金属の磁気モーメントと希土類金属のそれと
の大小関係が逆の垂直磁化膜（６）を設けることにより
、ピットの形成が十分になされ、Ｓ／Ｎ比が向上する。
尚、本発明の記録媒体は、磁気円二色性を利用した再生
方式（つまり、右又は左回り円偏光が磁化の向きが異な
ると反射率が相違することを利用した再生方式）にも有
効である。
方式（つまり、右又は左回り円偏光が磁化の向きが異な
ると反射率が相違することを利用した再生方式）にも有
効である。
第１図（１）は−２８（Ｆ’ｅｌＯＯ−Ｘ Ｃｏｘ ）
７４からなる垂直磁化膜に於いて、ＦｓとＣｏの合計
１００原子チに対してＣｏの含有率（Ｘ原子チ）全増加
させたときのキュリ一温度Ｔｃ（’、Ｋ）の変化を表わ
すグラフである。 第１図Ｑ）はＴｂ１ｖ （Ｆ’ｅｌＧＯ−Ｘ ｃＯＸ
）ｓｓからなる垂直磁化膜に於いて、ＦｅとＣｏの合計
１００原子チに対してＣｏの含有率（Ｘ原子チ）を増加
させたときのカー回転角θｘ（ｍｉｎ）の表化全表わす
グラフである。 第２図は本発明の実施例で使用した膜（４）単層のカー
ヒステリシス曲線である。 第３図は、同じく膜（Ｂ）単層のカーヒステリシス曲線
である。 第４図は、下層が膜（４）、上層が膜（Ｂ）の２層構造
のカーヒステリシス曲線である。 第５図は、実施例及び各比較例の記録媒体の垂直磁化膜
の表面を偏光顕微鏡で観察したときの模式図である。 別表 第１表 第 １図 第２図 第づ図 第４図 第５図 （α）０ ０ ０ ０ ０ ０ （ｂ）０ ■ Ｃ二＝とコ ごつ ＣＣ） Ｃ￥） ＯＱつ は００Ｑ ζＤ（ｃＬ） Ｃ
；２＜フ Ｃつ Ｃンスニ〕（ｅ） ε＝ ０ σ：）
ｋ Ｃっ
７４からなる垂直磁化膜に於いて、ＦｓとＣｏの合計
１００原子チに対してＣｏの含有率（Ｘ原子チ）全増加
させたときのキュリ一温度Ｔｃ（’、Ｋ）の変化を表わ
すグラフである。 第１図Ｑ）はＴｂ１ｖ （Ｆ’ｅｌＧＯ−Ｘ ｃＯＸ
）ｓｓからなる垂直磁化膜に於いて、ＦｅとＣｏの合計
１００原子チに対してＣｏの含有率（Ｘ原子チ）を増加
させたときのカー回転角θｘ（ｍｉｎ）の表化全表わす
グラフである。 第２図は本発明の実施例で使用した膜（４）単層のカー
ヒステリシス曲線である。 第３図は、同じく膜（Ｂ）単層のカーヒステリシス曲線
である。 第４図は、下層が膜（４）、上層が膜（Ｂ）の２層構造
のカーヒステリシス曲線である。 第５図は、実施例及び各比較例の記録媒体の垂直磁化膜
の表面を偏光顕微鏡で観察したときの模式図である。 別表 第１表 第 １図 第２図 第づ図 第４図 第５図 （α）０ ０ ０ ０ ０ ０ （ｂ）０ ■ Ｃ二＝とコ ごつ ＣＣ） Ｃ￥） ＯＱつ は００Ｑ ζＤ（ｃＬ） Ｃ
；２＜フ Ｃつ Ｃンスニ〕（ｅ） ε＝ ０ σ：）
ｋ Ｃっ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ ＦｅとＣｏとからなる遷移金属と〜、Ｔｈ及び侮か
ら選ばれる１種又は２種以上の希土類金属とからなシ、
かつ高いキュリ一温度（ＴＡ）及び高いカー回転角を有
する非晶質垂直磁化膜（４）を主体とする補償点書込み
用光磁気記録媒体に於いて、前記垂直磁化Ｍ（４）の上
層又は下層に、ＦｅとＣｏとからなる遷移金属とＤｙ
、 Ｔｂ及び□□□から選ばれるＬ種又は２種以上の希
土類金属とからなシ、かつ高いキュリ一温度（Ｔｎ）ｉ
有する非晶質垂直磁化膜であって、しかも遷移金属の磁
気モーメントと希土類金属の磁気モーメントとの大小関
係が前記垂直磁化膜（４）のそれとは逆になっている垂
直磁化膜（Ｂ）を設けたこと全特徴とする、前記ＴＡ及
びＴｍに達しない温度で書込む、いわゆる補償点書込み
用光磁気記録媒体。 ２ 前記垂直磁化膜（Ｂ）が前記垂直磁化膜（４）と同
一の原子種からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１ ￥ｉＵ’ｄ載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027493A JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027493A JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171652A true JPS60171652A (ja) | 1985-09-05 |
| JPH0619859B2 JPH0619859B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12222658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027493A Expired - Lifetime JPH0619859B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619859B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128040A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62137753A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 層状光磁気記録媒体とその製造法 |
| EP0419169A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | International Business Machines Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US5635296A (en) * | 1993-06-21 | 1997-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium whereon overwriting is permitted by light intensity modulation |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837608A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-04 | Canon Inc | 像読取装置 |
| JPS58196639A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-16 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS5960746A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027493A patent/JPH0619859B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5837608A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-04 | Canon Inc | 像読取装置 |
| JPS58196639A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-16 | Canon Inc | 光熱磁気記録媒体 |
| JPS5960746A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62137753A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 層状光磁気記録媒体とその製造法 |
| JPS62128040A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-10 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| EP0419169A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | International Business Machines Corporation | Magneto-optical recording medium |
| EP0419169A3 (en) * | 1989-09-20 | 1992-12-16 | International Business Machines Corporation | Magneto-optical recording medium |
| US5635296A (en) * | 1993-06-21 | 1997-06-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium whereon overwriting is permitted by light intensity modulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0619859B2 (ja) | 1994-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |