JPS63148447A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63148447A JPS63148447A JP29455186A JP29455186A JPS63148447A JP S63148447 A JPS63148447 A JP S63148447A JP 29455186 A JP29455186 A JP 29455186A JP 29455186 A JP29455186 A JP 29455186A JP S63148447 A JPS63148447 A JP S63148447A
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- Japan
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(tL業上の利用分野)
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有して、磁
気カー効果等の磁気光学効果を利用して読み出すことの
出来る光熱磁気記録媒体に関するものであり、特に磁気
カー効果(カー回転角二〇k)を向上させた光熱磁気記
録媒体に閃するものである。
気カー効果等の磁気光学効果を利用して読み出すことの
出来る光熱磁気記録媒体に関するものであり、特に磁気
カー効果(カー回転角二〇k)を向上させた光熱磁気記
録媒体に閃するものである。
(従来の技術)
従来、光(熱)磁気記録媒体として、Mn1li薄膜、
E n O薄膜、さらに非品賀希土類遷移金與合金薄膜
としてGdFe、TbFe、DyFe。
E n O薄膜、さらに非品賀希土類遷移金與合金薄膜
としてGdFe、TbFe、DyFe。
GdCo等の薄膜、さらにGdTbFe、GdTbFe
co等の多元系の薄膜等が提案されている。
co等の多元系の薄膜等が提案されている。
(発明が解決しようとする問題点)
MnBiに代表される多結晶性金属R膜は室温で数KO
eの大きな保磁力を有している点で磁気記録媒体として
は優れているが、キューリ一点が高い(MnBiでTc
=380℃)ため書きコミに大きなエネルギーを必要と
する欠点がある。また多結晶体であるため化学要論的組
成の薄膜を作成する必要があり、薄膜の作成が技術的に
難しいという欠点をも存している。GdFe、GdC。
eの大きな保磁力を有している点で磁気記録媒体として
は優れているが、キューリ一点が高い(MnBiでTc
=380℃)ため書きコミに大きなエネルギーを必要と
する欠点がある。また多結晶体であるため化学要論的組
成の薄膜を作成する必要があり、薄膜の作成が技術的に
難しいという欠点をも存している。GdFe、GdC。
等の磁気的補償点を利用して書きこみを行う非晶質金r
y4薄膜は非晶質であるため任意の基体上に作成可能で
あり、多少の不純物を加えることによっである程度の磁
気的補償温度を任意に制御できるなどの利点は存してい
るが、室温における保磁力が小さく (300〜500
0e)、記録された情報が不安定であるという欠点を存
している。またFeTbなどのキューリ一点記録用光磁
気記録媒体は、保磁力が大きく(数KOe)1μm径程
度の微小ピットを安定に得ることができるものの、カー
回転角が小さく光再生特性があまりよくない等の欠点を
存している。
y4薄膜は非晶質であるため任意の基体上に作成可能で
あり、多少の不純物を加えることによっである程度の磁
気的補償温度を任意に制御できるなどの利点は存してい
るが、室温における保磁力が小さく (300〜500
0e)、記録された情報が不安定であるという欠点を存
している。またFeTbなどのキューリ一点記録用光磁
気記録媒体は、保磁力が大きく(数KOe)1μm径程
度の微小ピットを安定に得ることができるものの、カー
回転角が小さく光再生特性があまりよくない等の欠点を
存している。
(問題点を解決するための手段)
本発明はカー回転角が大きく、微小ピットが安定に得ら
れ、高いS/N比で、高密度、高安定性、高速読み書き
の可能な光熱磁気記録媒体を得ることを目的とするもの
である。
れ、高いS/N比で、高密度、高安定性、高速読み書き
の可能な光熱磁気記録媒体を得ることを目的とするもの
である。
すなわち本発明は、基板上に、膜面に対して垂直方向に
磁化容易軸を何する非晶質磁性合金Fg膜を設けてなる
光熱磁気記録媒体において、重希土類元素(以下HRと
略称する)と遷移金属(以下TMと略称する)とを主成
分とするHR−TM非晶質合金薄膜および軽希土類元素
(以下LRと略称する)と遷移金属とを主成分とするL
R−TM非晶質合金薄膜の二薄膜を少なくとも保有する
ことを特徴とする光熱磁気記録媒体である。
磁化容易軸を何する非晶質磁性合金Fg膜を設けてなる
光熱磁気記録媒体において、重希土類元素(以下HRと
略称する)と遷移金属(以下TMと略称する)とを主成
分とするHR−TM非晶質合金薄膜および軽希土類元素
(以下LRと略称する)と遷移金属とを主成分とするL
R−TM非晶質合金薄膜の二薄膜を少なくとも保有する
ことを特徴とする光熱磁気記録媒体である。
すなわち、本発明は、重希土類元素(HR)のGd、T
b、r)fから選ばれたiaまたは2!It以上と遷移
金II (TM)のF e + Co * N sから
選ばれたfIilまたは2Nとを主成分とするHR−T
M非晶質合金薄膜を記録層として用い、軽希土類元素(
LR)のPr、Ce、Ndから選ばれた1種または21
1以上と遷移金属(TM)のFe、Co、Niのfil
または2種以上とを主成分とするLR−TM非晶質合金
薄膜を再生層として用いることを特徴とする光熱磁気!
2録媒体である。
b、r)fから選ばれたiaまたは2!It以上と遷移
金II (TM)のF e + Co * N sから
選ばれたfIilまたは2Nとを主成分とするHR−T
M非晶質合金薄膜を記録層として用い、軽希土類元素(
LR)のPr、Ce、Ndから選ばれた1種または21
1以上と遷移金属(TM)のFe、Co、Niのfil
または2種以上とを主成分とするLR−TM非晶質合金
薄膜を再生層として用いることを特徴とする光熱磁気!
2録媒体である。
すなわち、記録層として高保磁力を任しているHR−T
M非晶質合金薄膜と再生層としてLR−TM非晶質合金
薄膜とを基板上に設けてなることを基本構成とする光熱
磁気記録媒体であり、両層(両薄膜)の界面において交
換結合作用が働き、低保磁力の膜面に対して垂直な方向
に配向しにくいLR−TM非晶質合金薄膜が磁気モーメ
ントを膜面に対して垂直に配向され、カー回転角も増大
する。記録層としてのHR−TM非晶質合金薄膜(■)
は、本発明の目的を損なわない限りにおいて微量の他成
分を含んでもよい、!iI薄膜の厚さは300〜200
OAが好ましい、再生層としてのLR−TM非晶質合金
jlfi (J!l)は本発明の目的と特徴を損なわな
い限りにおいて微量の他成分を含んでもよく、該PJ膜
の厚さは10〜tao人が好ましく、より好ましくは1
5〜150人、特に好ましくは20〜120Aであり、
さらにLRとTMの比は179〜9ハであり好ましくは
2/8〜8/2でありさらに好ましくは476〜874
である。
M非晶質合金薄膜と再生層としてLR−TM非晶質合金
薄膜とを基板上に設けてなることを基本構成とする光熱
磁気記録媒体であり、両層(両薄膜)の界面において交
換結合作用が働き、低保磁力の膜面に対して垂直な方向
に配向しにくいLR−TM非晶質合金薄膜が磁気モーメ
ントを膜面に対して垂直に配向され、カー回転角も増大
する。記録層としてのHR−TM非晶質合金薄膜(■)
は、本発明の目的を損なわない限りにおいて微量の他成
分を含んでもよい、!iI薄膜の厚さは300〜200
OAが好ましい、再生層としてのLR−TM非晶質合金
jlfi (J!l)は本発明の目的と特徴を損なわな
い限りにおいて微量の他成分を含んでもよく、該PJ膜
の厚さは10〜tao人が好ましく、より好ましくは1
5〜150人、特に好ましくは20〜120Aであり、
さらにLRとTMの比は179〜9ハであり好ましくは
2/8〜8/2でありさらに好ましくは476〜874
である。
本発明における基板としては、従来のガラス、プラスチ
ック(PMMA、ポリカーボネート等)が挙げられる。
ック(PMMA、ポリカーボネート等)が挙げられる。
本発明は、基板と!ili録層、再生層を基本構造とし
て保存するものであるが必要に応じて、保護膜、反射防
止膜、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けても
よい。
て保存するものであるが必要に応じて、保護膜、反射防
止膜、多重干渉エンハンス膜、透明導電膜等を設けても
よい。
図−1には本発明の1実施例としてのIs構成を示す0
図−2にはHR−TM非晶質合金薄膜としてTbFeC
oを用い(該膜厚さ1500人)、LR−TM非晶質合
金薄膜を用いて積層したときのLR−7M膜厚とカー回
転角の関係を示した。
図−2にはHR−TM非晶質合金薄膜としてTbFeC
oを用い(該膜厚さ1500人)、LR−TM非晶質合
金薄膜を用いて積層したときのLR−7M膜厚とカー回
転角の関係を示した。
図−2におけるP r/F eの比は48152であり
、Ce/Feの比は54/4Bである。
、Ce/Feの比は54/4Bである。
(実施例)
〔実施例−1〕
5.0X10−’)−ル以下に排気したチャンバー内に
Arガスを流入し、Arガス圧を5ミリトールに設定す
る。チャンバー内の2枚の複合ターゲット、すなわちT
bFeCoとFcPrにRF(またはDC)の電力、2
00Wを投入してスパッタリングを開始する、ブリスパ
ッタを先ず行い、清浄、洗浄等の必要な前処理を施した
基板上に先ずTbFeCoを150OA厚さに製膜して
直後にFePrのターゲット上に基板を移動さしてFe
Prの5OA厚さに製膜を行い、十分冷却を行ってとり
出した。同様にTbFeCoを1soo人厚さに製模し
FePrの製膜をしないものを作成した。前者の2層の
非晶質合金薄膜からなるものは、後者の単層のものに(
らべて、カー回転角は約1.5倍となり、他O特性値は
差異が殆どなかった。なおこのときのFeとPrの比は
6.5/3.5であった。
Arガスを流入し、Arガス圧を5ミリトールに設定す
る。チャンバー内の2枚の複合ターゲット、すなわちT
bFeCoとFcPrにRF(またはDC)の電力、2
00Wを投入してスパッタリングを開始する、ブリスパ
ッタを先ず行い、清浄、洗浄等の必要な前処理を施した
基板上に先ずTbFeCoを150OA厚さに製膜して
直後にFePrのターゲット上に基板を移動さしてFe
Prの5OA厚さに製膜を行い、十分冷却を行ってとり
出した。同様にTbFeCoを1soo人厚さに製模し
FePrの製膜をしないものを作成した。前者の2層の
非晶質合金薄膜からなるものは、後者の単層のものに(
らべて、カー回転角は約1.5倍となり、他O特性値は
差異が殆どなかった。なおこのときのFeとPrの比は
6.5/3.5であった。
〔実施例−2〕
FePrのかわりにNdFeCoを使用した以外は実施
例−1と同様に実施した。NdFcC。
例−1と同様に実施した。NdFcC。
の膜厚は60Aであった。カー回転角は、jliWTb
FeCoのものにくらべて約1.3倍となり、他の特性
値は殆ど差がなかった。
FeCoのものにくらべて約1.3倍となり、他の特性
値は殆ど差がなかった。
(発明の効果)
本発明の光熱磁気記録媒体としての磁性層に、記録層と
してHR−TM非晶質性合金FJ膜を、再生層としてL
R−TM非晶質合金薄紛を積属して使用する構造を基
本とする光熱磁気記録媒体は、カー回転角が大きく、微
小ビットが安定に得られ、AiS/N比、高密度、高安
定性、高速読み書きの可能な、経済的にもバランスのと
れたものである。
してHR−TM非晶質性合金FJ膜を、再生層としてL
R−TM非晶質合金薄紛を積属して使用する構造を基
本とする光熱磁気記録媒体は、カー回転角が大きく、微
小ビットが安定に得られ、AiS/N比、高密度、高安
定性、高速読み書きの可能な、経済的にもバランスのと
れたものである。
図−1は本発明のl!構成の1例を示すものである。
図−2は記録層としてTbFeCoを用いて、該層上に
LR−TMI!を設けたときのLR−7M膜厚とカー回
転角の関係を示すものである。
LR−TMI!を設けたときのLR−7M膜厚とカー回
転角の関係を示すものである。
Claims (2)
- (1)基板上に、膜面に対して垂直方向に磁化容易軸を
有する非晶質磁性合金薄膜を設けてなる光熱磁気記録媒
体において、重希土類元素(以下HRと略称する)と遷
移金属(以下TMと略称する)とを主成分とするHR−
TM非晶質合金薄膜および軽希土類元素(以下LRと略
称する)と遷移金属とを主成分とするLR−TM非晶質
合金薄膜の二薄膜を少なくとも保有することを特徴とす
る光熱磁気記録媒体。 - (2)LR−TM非晶質合金薄膜の膜厚が10〜190
Åであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
光熱磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29455186A JPS63148447A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29455186A JPS63148447A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63148447A true JPS63148447A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17809254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29455186A Pending JPS63148447A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63148447A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01237945A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
US6324127B1 (en) | 1996-01-18 | 2001-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical recording layer having double-layer structure and magneto-optical disk adopting the same |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP29455186A patent/JPS63148447A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01237945A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
US6324127B1 (en) | 1996-01-18 | 2001-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magneto-optical recording layer having double-layer structure and magneto-optical disk adopting the same |
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