JPH0395745A - 光磁気記録方法及び記録装置 - Google Patents
光磁気記録方法及び記録装置Info
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- JPH0395745A JPH0395745A JP1231845A JP23184589A JPH0395745A JP H0395745 A JPH0395745 A JP H0395745A JP 1231845 A JP1231845 A JP 1231845A JP 23184589 A JP23184589 A JP 23184589A JP H0395745 A JPH0395745 A JP H0395745A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
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- G11B11/10517—Overwriting or erasing
-
- G—PHYSICS
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
-
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- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10552—Arrangements of transducers relative to each other, e.g. coupled heads, optical and magnetic head on the same base
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気カー効果を利用して記録情報を読み出すこ
とができ、且つオーバーライト可能な、キュリー点書込
みタイプの光磁気記録方法及び装置に関する。
とができ、且つオーバーライト可能な、キュリー点書込
みタイプの光磁気記録方法及び装置に関する。
消去可能な光ディスクメモリとして光磁気デイスクが知
られている。光磁気ディスクは、磁気ヘッドを使った磁
気記録媒体と比べて、高密度記録、非接触での記録再生
などが可能という利点を有する。このような光磁気ディ
スクに情報を記録するには、一般に既記録部分を記録前
に消去（一方向に着磁）する必要があった。
られている。光磁気ディスクは、磁気ヘッドを使った磁
気記録媒体と比べて、高密度記録、非接触での記録再生
などが可能という利点を有する。このような光磁気ディ
スクに情報を記録するには、一般に既記録部分を記録前
に消去（一方向に着磁）する必要があった。
そこで、この記録前の消去を不要とした記録方式として
、記録再生用ヘッドを別々に設ける方式、あるいはレー
ザの連続ビームを照射しつつ同時に印加する磁場を変調
しながら記録する方式などが提案された。しかしながら
、これらの記録方式は、装置が大がかりとなりコスト高
になる、あるいは高速の変調ができない等の欠点がある
。
、記録再生用ヘッドを別々に設ける方式、あるいはレー
ザの連続ビームを照射しつつ同時に印加する磁場を変調
しながら記録する方式などが提案された。しかしながら
、これらの記録方式は、装置が大がかりとなりコスト高
になる、あるいは高速の変調ができない等の欠点がある
。
そこで、本出願人は上述の記録方式の欠点を解消できる
光磁気記録方法を先に出願した。（特開昭６：３−１５
３７５２号公報等参照）。この記録方法は、二層構造の
垂直磁化膜（第１磁性層，第２磁性層）を有する光磁気
記録媒体を使用し、記録ヘッドからの２種類のレーザパ
ワー付与（同時にバイアス磁界印加）と、ヘッド部以外
の位置における磁界印加とにより２値の記録を行なう方
法である。その２値の記録ビットは、（ｉ）第２磁性層
の磁化方向に対して安定な向きに第１磁性層の磁化方向
が配向したビットと、（ ｉｉ ）第２磁性層の磁化方
向に対して不安定な向きに第１磁性層の磁化方向が配向
したビットとから成る。
光磁気記録方法を先に出願した。（特開昭６：３−１５
３７５２号公報等参照）。この記録方法は、二層構造の
垂直磁化膜（第１磁性層，第２磁性層）を有する光磁気
記録媒体を使用し、記録ヘッドからの２種類のレーザパ
ワー付与（同時にバイアス磁界印加）と、ヘッド部以外
の位置における磁界印加とにより２値の記録を行なう方
法である。その２値の記録ビットは、（ｉ）第２磁性層
の磁化方向に対して安定な向きに第１磁性層の磁化方向
が配向したビットと、（ ｉｉ ）第２磁性層の磁化方
向に対して不安定な向きに第１磁性層の磁化方向が配向
したビットとから成る。
この記録方法は、比較的簡易な構威で且つ小型の記録再
生装置により行なうことができ、比較的高速の変調も可
能であり、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーラ
イト）が可能である。
生装置により行なうことができ、比較的高速の変調も可
能であり、磁気記録媒体と同様な重ね書き（オーバーラ
イト）が可能である。
さらに本出願人は上記装置及び方法において、記録され
た２個のビットの安定性を向上させるために、第１磁性
層と第３磁性層との間に交換力の変化する第２磁性層を
設けヘッド部以外の位置における必要な印加磁界を低減
可能とする提案も行なっている。
た２個のビットの安定性を向上させるために、第１磁性
層と第３磁性層との間に交換力の変化する第２磁性層を
設けヘッド部以外の位置における必要な印加磁界を低減
可能とする提案も行なっている。
（特開昭６３−３１６３４３号公報参照）可能な記録装
置、方法において高温環境にあってもより安定に記録ビ
ットの再生が可能な記録方法及び記録装置を提供するこ
とにある。
置、方法において高温環境にあってもより安定に記録ビ
ットの再生が可能な記録方法及び記録装置を提供するこ
とにある。
本発明者は、上記目的を達成すべく検討を重ねた結果、
第１磁性層と第３磁性層との間に交換力の変化する第２
磁性層を設け、記録媒体を用いて該媒体のレーザ照射部
より離れた位置にて、第３磁性層を一様な垂直方向に磁
化可能で、第２磁性層を一様な面内方向に磁化可能な一
定磁界を印加することにより高温環境化においても安定
した記録ドットの再生を確認した。すなわち本発明は、
低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直磁気異方性で
ある第１磁性層と、該第ｌ磁性層に比べて高いキュリー
点と低い保磁力とを有する第３磁性層と該第１磁性層と
該第３磁性層との間に設けられ室温においては、面内磁
気異方性を有し、且つ温度が上昇すると垂直磁気異方性
となる第２磁性層とを有する光磁気記録媒体を用いて、 （ａ）該媒体のレーザ照射部より離れた位置にて、第３
磁性層を一様な垂直方向に磁化可能で、第２磁性層を一
様な内面方向に磁化可能な一定磁界を印加し、 （ｂ）次に前記媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁
界を印加すると同時に前記第１磁性層のキュリー点付近
まで前記媒体が昇温するパワーのレーザビームを記録信
号に従って照射することにより、第３磁性層の磁化の向
きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第３磁性層
に対して安定な向きにそろえるか、 （ｃ）前期媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁界を
印加すると同時に前記第３磁性層のキュリー点付近まで
前記媒体が昇温するだけのレーザパワーを記録信号に従
って照射することにより、第３磁性層の磁化の向きを反
転させるとともに第１磁性層も第３磁性層に対して安定
な向きに磁化する２値の記録方法で塙４ラヒ、 そして、又、低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直
磁気異方性である第１磁性層と、該第１磁性層に比べて
高いキュリー点と低い保磁力とを有する第３磁性層と、
該第１磁性層と該第３磁性層との間に設けられ、室温に
おいては、面内磁気異方性を有し、且つ温度が上昇する
と垂直磁気異方性となる第２磁性層とを有する光磁気記
録媒体を使用して、才＝バーライト可能な２値の記録を
行なう光磁気記録装置において、 （ａ）レーザ照射部より離れた位置にて、第２磁性層を
一様な面内方向に磁化可能で且つ第３磁性層を一様な垂
直方向に磁化可能な初期化磁界発生手段と、 （ｂ）レーザ照射部において所定の磁界を発生する記録
バイアス磁界発生手段、 （ｃ）記録信号に応じてゼロでない２値の記録パワーを
有するレーザービームを有して媒体に対して発生照射す
るレーザービーム発生照射手段（ｄ）前記媒体を前記レ
ーザービーム発生手段に対して相対移動させる相対移動
手段 とを有することを特徴とする光磁気記録装置ｍネ玉のｔ
伝【；より、上記目９ワ乙達成していろ。
第１磁性層と第３磁性層との間に交換力の変化する第２
磁性層を設け、記録媒体を用いて該媒体のレーザ照射部
より離れた位置にて、第３磁性層を一様な垂直方向に磁
化可能で、第２磁性層を一様な面内方向に磁化可能な一
定磁界を印加することにより高温環境化においても安定
した記録ドットの再生を確認した。すなわち本発明は、
低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直磁気異方性で
ある第１磁性層と、該第ｌ磁性層に比べて高いキュリー
点と低い保磁力とを有する第３磁性層と該第１磁性層と
該第３磁性層との間に設けられ室温においては、面内磁
気異方性を有し、且つ温度が上昇すると垂直磁気異方性
となる第２磁性層とを有する光磁気記録媒体を用いて、 （ａ）該媒体のレーザ照射部より離れた位置にて、第３
磁性層を一様な垂直方向に磁化可能で、第２磁性層を一
様な内面方向に磁化可能な一定磁界を印加し、 （ｂ）次に前記媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁
界を印加すると同時に前記第１磁性層のキュリー点付近
まで前記媒体が昇温するパワーのレーザビームを記録信
号に従って照射することにより、第３磁性層の磁化の向
きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第３磁性層
に対して安定な向きにそろえるか、 （ｃ）前期媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁界を
印加すると同時に前記第３磁性層のキュリー点付近まで
前記媒体が昇温するだけのレーザパワーを記録信号に従
って照射することにより、第３磁性層の磁化の向きを反
転させるとともに第１磁性層も第３磁性層に対して安定
な向きに磁化する２値の記録方法で塙４ラヒ、 そして、又、低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直
磁気異方性である第１磁性層と、該第１磁性層に比べて
高いキュリー点と低い保磁力とを有する第３磁性層と、
該第１磁性層と該第３磁性層との間に設けられ、室温に
おいては、面内磁気異方性を有し、且つ温度が上昇する
と垂直磁気異方性となる第２磁性層とを有する光磁気記
録媒体を使用して、才＝バーライト可能な２値の記録を
行なう光磁気記録装置において、 （ａ）レーザ照射部より離れた位置にて、第２磁性層を
一様な面内方向に磁化可能で且つ第３磁性層を一様な垂
直方向に磁化可能な初期化磁界発生手段と、 （ｂ）レーザ照射部において所定の磁界を発生する記録
バイアス磁界発生手段、 （ｃ）記録信号に応じてゼロでない２値の記録パワーを
有するレーザービームを有して媒体に対して発生照射す
るレーザービーム発生照射手段（ｄ）前記媒体を前記レ
ーザービーム発生手段に対して相対移動させる相対移動
手段 とを有することを特徴とする光磁気記録装置ｍネ玉のｔ
伝【；より、上記目９ワ乙達成していろ。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）は、本発明に使用する光磁気記録媒体の一
実施態様の構成を示す模式的断面図である。
実施態様の構成を示す模式的断面図である。
この光磁気記録媒体はプリグループが設けられた透光性
の基板の１の上に、第ｌ磁性層２と、第２磁性層３、第
３磁性層４が順次積層形威されたものである。該磁性層
の主威分は磁気光学効果を呈するものであれば良いが、
特に希土類元素と遷移金属元素との非品質磁性合金が適
している。例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｄ
ｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＤｙＦｅ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，Ｇｄ
ＴｂＣｏ．ＧｄＤｙＦｅＣｏ等が挙げられる。例えば第
４図に示すように、第１磁性層は相対的に低いキュリー
点（ＴＬ）と、高い保磁力（ＨＨ）を有し、例えば希土
類元素と遷移金属元素との非晶質合金から成る場合には
、副格子磁化の大きさは遷移金属の方が大きい場合も、
希土類元素の方が大きい場合もあり得る。
の基板の１の上に、第ｌ磁性層２と、第２磁性層３、第
３磁性層４が順次積層形威されたものである。該磁性層
の主威分は磁気光学効果を呈するものであれば良いが、
特に希土類元素と遷移金属元素との非品質磁性合金が適
している。例えば、ＧｄＣｏ，ＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，Ｄ
ｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，ＧｄＤｙＦｅ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，Ｇｄ
ＴｂＣｏ．ＧｄＤｙＦｅＣｏ等が挙げられる。例えば第
４図に示すように、第１磁性層は相対的に低いキュリー
点（ＴＬ）と、高い保磁力（ＨＨ）を有し、例えば希土
類元素と遷移金属元素との非晶質合金から成る場合には
、副格子磁化の大きさは遷移金属の方が大きい場合も、
希土類元素の方が大きい場合もあり得る。
第３磁性層４は、高いキュリー点（ＴＨ）と、低い保磁
力（ＨＬ）を有し、例えば希土類元素と遷移金属元素と
の非晶質磁性合金から或る場合には、副格子磁化の大き
さは希土類元素の方が大きい。また第３磁性層４は、Ｔ
Ｈから室温までの温度範囲内に補償点を有する。なお、
この補償点（１）は、７００Ｃ〜２５０℃程度が望まし
い。
力（ＨＬ）を有し、例えば希土類元素と遷移金属元素と
の非晶質磁性合金から或る場合には、副格子磁化の大き
さは希土類元素の方が大きい。また第３磁性層４は、Ｔ
Ｈから室温までの温度範囲内に補償点を有する。なお、
この補償点（１）は、７００Ｃ〜２５０℃程度が望まし
い。
また、キュリー点や保磁力についての「高い」「低い」
とは両磁性層を比較した場合の相対的な関係を表わす。
とは両磁性層を比較した場合の相対的な関係を表わす。
（保磁力は、室温における比較）この第１磁性層および
第３磁性層は垂直磁気異方性（容易磁化方向が基板に垂
直）である。
第３磁性層は垂直磁気異方性（容易磁化方向が基板に垂
直）である。
一方、第２磁性層は、室温において容易磁化方向が基板
面に垂直でない成分を有する。すなわち第２磁性層は室
温においては面内磁気異方性を有するのである。なお、
本明細書において「室温」とは、光磁気記録媒体の通常
の使用の際における温度を意味し、具体的には−１０°
Ｃ〜７０°Ｃ程度を意味する。「面内磁気異方性を有す
る」とは、後述する本発明の効果を奏する程度に第ｌ磁
性層と第３磁性層との磁気的交換力による結合を妨げる
に十分な面内磁気異方性を有することを意味する。つま
り、本発明の記録方法においては、第１磁性層と第３磁
性層とが第２磁性層を介して交換力により結合している
ことにより現われる実効的なバイアス磁界の大きさＨ
Ｈ ｅｆｆあるいは、Ｈ Ｌ ｅｆｆが室温時に比べて
昇温時に大きくなるように変化するということが、特徴
の一つである。なお、室温における第３磁性層の面内磁
気異方性の程度は、２ＫＯｅより小さな、望ましくは０
．５ＫＯｅ以下の面内方向の印加磁界で磁化の配向が飽
和する程度に設定すればよい。
面に垂直でない成分を有する。すなわち第２磁性層は室
温においては面内磁気異方性を有するのである。なお、
本明細書において「室温」とは、光磁気記録媒体の通常
の使用の際における温度を意味し、具体的には−１０°
Ｃ〜７０°Ｃ程度を意味する。「面内磁気異方性を有す
る」とは、後述する本発明の効果を奏する程度に第ｌ磁
性層と第３磁性層との磁気的交換力による結合を妨げる
に十分な面内磁気異方性を有することを意味する。つま
り、本発明の記録方法においては、第１磁性層と第３磁
性層とが第２磁性層を介して交換力により結合している
ことにより現われる実効的なバイアス磁界の大きさＨ
Ｈ ｅｆｆあるいは、Ｈ Ｌ ｅｆｆが室温時に比べて
昇温時に大きくなるように変化するということが、特徴
の一つである。なお、室温における第３磁性層の面内磁
気異方性の程度は、２ＫＯｅより小さな、望ましくは０
．５ＫＯｅ以下の面内方向の印加磁界で磁化の配向が飽
和する程度に設定すればよい。
また、媒体が加熱されてＴＬ付近になった際の第２磁性
層の面内磁気異方性の程度は記録バイアス磁界（１００
〜５０００ｅ）程度の面内方向の印加磁界で面内方向の
磁化の配向が飽和することなく、垂直方向の印加磁界で
は、磁化の配向が飽和するような特性であることが望ま
しい。
層の面内磁気異方性の程度は記録バイアス磁界（１００
〜５０００ｅ）程度の面内方向の印加磁界で面内方向の
磁化の配向が飽和することなく、垂直方向の印加磁界で
は、磁化の配向が飽和するような特性であることが望ま
しい。
この第２磁性層は、例えば希土類元素と遷移金属元素と
の非品質磁性合金から威る場合には、副格子磁化の大き
さは、希土類元素の方が大きく、磁性層における希土類
元素の割合は原子数比（希土類元素／（希土類元素＋遷
移金属元素）で表わして０．２〜０．５の範囲にある。
の非品質磁性合金から威る場合には、副格子磁化の大き
さは、希土類元素の方が大きく、磁性層における希土類
元素の割合は原子数比（希土類元素／（希土類元素＋遷
移金属元素）で表わして０．２〜０．５の範囲にある。
なお、第１磁性層のＴＬは、望ましくは７０〜２５００
０程度であり、好ましくは９０〜２００℃程度である。
０程度であり、好ましくは９０〜２００℃程度である。
第ｌ磁性層のＨＨは、望ましくは３ＫＯｅ以上であり、
好ましくは７ＫＯｅ以上である。
好ましくは７ＫＯｅ以上である。
第３磁性層のＴＨは望ましくは１００〜４００℃程度で
あり、好ましくは１５０〜３００℃程度である。
あり、好ましくは１５０〜３００℃程度である。
第３磁性層のＨＬは、望ましくは０．１〜３ＫＯｅであ
り、好ましくは０．５〜２ＫＯｅである。第２磁性層の
キュリ一点は、ＴＬとＴＨとの間にすればよい。
り、好ましくは０．５〜２ＫＯｅである。第２磁性層の
キュリ一点は、ＴＬとＴＨとの間にすればよい。
第１図（ｂ）は、本発明の光磁気記録媒体の他の実施態
様の構成を示す模式的断面図である。ここでは、磁性層
の耐久性を向上させる保護膜５および６を有する。また
、接着層７により保護膜６に接着された貼り合わせ用基
板８を有する。なお貼り合わせ用基板８にも層２〜６を
積層し、これを接着すれば、両面で記録再生が可能とな
る。
様の構成を示す模式的断面図である。ここでは、磁性層
の耐久性を向上させる保護膜５および６を有する。また
、接着層７により保護膜６に接着された貼り合わせ用基
板８を有する。なお貼り合わせ用基板８にも層２〜６を
積層し、これを接着すれば、両面で記録再生が可能とな
る。
次に第２図〜第４図を用いて、本発明の記録方法の一実
施態様を説明する。なお、本発明においては第１磁性層
と第３磁性層とが強く交換結合する際（すなわち昇温さ
れた際）の各々の磁性層の磁化の安定な向きは平行（同
じ向き）でも反平行（逆向き）でもよい。ただし、以下
の記載においては、磁化の安定な向きが平行な場合（す
なわち各々の磁性層の副格子磁化は希土類元素の方が大
きい）について説明する。
施態様を説明する。なお、本発明においては第１磁性層
と第３磁性層とが強く交換結合する際（すなわち昇温さ
れた際）の各々の磁性層の磁化の安定な向きは平行（同
じ向き）でも反平行（逆向き）でもよい。ただし、以下
の記載においては、磁化の安定な向きが平行な場合（す
なわち各々の磁性層の副格子磁化は希土類元素の方が大
きい）について説明する。
第３図は本発明の記録方法を実施し得る記録・再生装置
の構成の概略図である。この装置は記録・再生ヘッド３
１と、記録信号発生部３２と、記録信号再生部３３とを
有する。
の構成の概略図である。この装置は記録・再生ヘッド３
１と、記録信号発生部３２と、記録信号再生部３３とを
有する。
カートリツヂ３４に入った光磁気ディスク３５はヘッド
３１の位置にある記録バイアス磁界（本例においては上
向き）発生手段３６と離れた位置にあり、カートリツヂ
３４をはさんで所定の磁界（本例においては上向きの垂
直方向と同時に水平方向の面内方向）を印加する手段３
７を有する。
３１の位置にある記録バイアス磁界（本例においては上
向き）発生手段３６と離れた位置にあり、カートリツヂ
３４をはさんで所定の磁界（本例においては上向きの垂
直方向と同時に水平方向の面内方向）を印加する手段３
７を有する。
記録・再生ヘッド３１の位置において、上向きの記録バ
イアス磁界を印加しつつ、光磁気ディスク３５を回転さ
せながら記録信号発生部３２からの信号に従って記録・
再生ヘッド３１から、二種類のレ−ザパワー値を持つレ
ーザビームをディスク３５に照射する。第１種のレーザ
パワーはディスク３５を第１磁性層のキュリー点ＴＬ付
近まで昇温するパワーである。第２種のレーザパワーは
ディスク３５を第３磁性層の補償点（１）以上で且つ第
３磁性層のキュリー点ＴＨ付近に昇温可能なパワーであ
る。
イアス磁界を印加しつつ、光磁気ディスク３５を回転さ
せながら記録信号発生部３２からの信号に従って記録・
再生ヘッド３１から、二種類のレ−ザパワー値を持つレ
ーザビームをディスク３５に照射する。第１種のレーザ
パワーはディスク３５を第１磁性層のキュリー点ＴＬ付
近まで昇温するパワーである。第２種のレーザパワーは
ディスク３５を第３磁性層の補償点（１）以上で且つ第
３磁性層のキュリー点ＴＨ付近に昇温可能なパワーであ
る。
磁界発生部３７は第２、第３磁性層をそれぞれ一様に面
内、垂直方向（上向き）に磁化可能な強さの一定磁界で
ある。光磁気ディスク３５の回転により室温において（
レーザ照射される前）は、光磁気ディスク３５はまず第
２図（ａ）に例示する様な磁化状態となる、そして、１
ノ−ザによる記録が行なわれた後には、第１種のレーザ
パワーにより記録された部分は、第２図（ｂ）に示す磁
化状態の記録ビットになり、第２種のレーザパワーによ
り記録された部分は、第２図（ｃ）に示す磁化状態の記
録ビットになる。
内、垂直方向（上向き）に磁化可能な強さの一定磁界で
ある。光磁気ディスク３５の回転により室温において（
レーザ照射される前）は、光磁気ディスク３５はまず第
２図（ａ）に例示する様な磁化状態となる、そして、１
ノ−ザによる記録が行なわれた後には、第１種のレーザ
パワーにより記録された部分は、第２図（ｂ）に示す磁
化状態の記録ビットになり、第２種のレーザパワーによ
り記録された部分は、第２図（ｃ）に示す磁化状態の記
録ビットになる。
なお本説明では第１，第３磁性層の磁化がそれぞれ同方
向（平行）のとき安定状態であるものとする。
向（平行）のとき安定状態であるものとする。
（イ）以下、第１種のレーザパワーの付与による記録（
第１種の記録）について説明する。第１種のレーザパワ
ーにより、ディスク３５をＴＬ付近まで昇温する。ここ
で、第４図に示すように、ＴＬ付近では第３磁性層は十
分な保磁力を有し、その磁化方向（上向き）は非常に変
化し難くなる。また第２磁性層は、このＴＬ付近の温度
においては、室温における時と比較してその面内容易磁
化成分の割合が減少し、垂直磁気異方性を強く示すので
、第１磁性層と第３磁性層は磁気的に強く交換結合する
。
第１種の記録）について説明する。第１種のレーザパワ
ーにより、ディスク３５をＴＬ付近まで昇温する。ここ
で、第４図に示すように、ＴＬ付近では第３磁性層は十
分な保磁力を有し、その磁化方向（上向き）は非常に変
化し難くなる。また第２磁性層は、このＴＬ付近の温度
においては、室温における時と比較してその面内容易磁
化成分の割合が減少し、垂直磁気異方性を強く示すので
、第１磁性層と第３磁性層は磁気的に強く交換結合する
。
したがって、第１磁性層は第３磁性層から受ける交換力
（第３磁性層から受ける実効的バイアス磁界）により、
上向きに配列し、第２図（ｂ）に示す磁化状態（交換力
の点において安定な状態）の記録ビットが形成されるの
である。
（第３磁性層から受ける実効的バイアス磁界）により、
上向きに配列し、第２図（ｂ）に示す磁化状態（交換力
の点において安定な状態）の記録ビットが形成されるの
である。
（口）次に第２種のレーザパワーの付与による記録（第
２種の記録）について説明する。第２種のレーザパワー
によりディスク３５を、ｔ以上、望ましくは、ＴＨ付近
まで昇温する。その昇温しでいく過程において、ｔ付近
では、第３磁性層の磁化の向きは下向きに反転する。こ
れは、ここでは、副格子磁化が希土類元素優位から遷移
金属優位に変わり、磁化方向が逆向きに変わり磁化反転
が起こるからである。このまま昇温させてＴＨ近くに達
すると、第３磁性層の磁化の向きはバイアス磁界（上向
き）により、上向きに変わる。しかし、この第２種のレ
ーザパワー付与が終了した後、ディスク３５が降温して
いき、再びｔ付近になると、上記と同様の理由で磁化の
向きが再び下向きに反転する。モしてＴし以下に降温す
ると、先に述べたように第１磁性層と第３磁性層が磁気
的に強く結合し、且つこの時点では第３磁性層の磁化方
向は下向きなので、交換力により第ｌ磁性層の磁化方向
も下向きに配列する。（第２図（ｃ）に示す記録ビット
を形威する。）上述の（イ）、（口）からも明らかなよ
うに、記録・再生ヘッド３１位置に印加するバイアス磁
界の大きさは、一般的に次の様に設定する。
２種の記録）について説明する。第２種のレーザパワー
によりディスク３５を、ｔ以上、望ましくは、ＴＨ付近
まで昇温する。その昇温しでいく過程において、ｔ付近
では、第３磁性層の磁化の向きは下向きに反転する。こ
れは、ここでは、副格子磁化が希土類元素優位から遷移
金属優位に変わり、磁化方向が逆向きに変わり磁化反転
が起こるからである。このまま昇温させてＴＨ近くに達
すると、第３磁性層の磁化の向きはバイアス磁界（上向
き）により、上向きに変わる。しかし、この第２種のレ
ーザパワー付与が終了した後、ディスク３５が降温して
いき、再びｔ付近になると、上記と同様の理由で磁化の
向きが再び下向きに反転する。モしてＴし以下に降温す
ると、先に述べたように第１磁性層と第３磁性層が磁気
的に強く結合し、且つこの時点では第３磁性層の磁化方
向は下向きなので、交換力により第ｌ磁性層の磁化方向
も下向きに配列する。（第２図（ｃ）に示す記録ビット
を形威する。）上述の（イ）、（口）からも明らかなよ
うに、記録・再生ヘッド３１位置に印加するバイアス磁
界の大きさは、一般的に次の様に設定する。
（Ａ）第１種のレーザパヮーが付与されて昇温した際で
も、第１磁性層の磁化方向の配向をさまたげない程度 （Ｂ）第２種のレーザパワーの付与により媒体の温度が
ＴＨ付近になった時に、第３磁性層の磁化方向が反転す
るのを補助可能な程度 の強さに設定する必要が有る。したがって、そのバイア
ス磁界の設定は、上記（Ａ），（Ｂ）に必要な最小限の
大きさに設定しておくことが好ましい。
も、第１磁性層の磁化方向の配向をさまたげない程度 （Ｂ）第２種のレーザパワーの付与により媒体の温度が
ＴＨ付近になった時に、第３磁性層の磁化方向が反転す
るのを補助可能な程度 の強さに設定する必要が有る。したがって、そのバイア
ス磁界の設定は、上記（Ａ），（Ｂ）に必要な最小限の
大きさに設定しておくことが好ましい。
記録バイアス磁界の適正範囲は、５００ｅ〜５０００ｅ
である。バイアス磁界がこの範囲より小さいと第３磁性
層の磁化反転が起こりにくくなる場合があり、この範囲
より大きいと記録ノイズが大きくなる場合がある。
である。バイアス磁界がこの範囲より小さいと第３磁性
層の磁化反転が起こりにくくなる場合があり、この範囲
より大きいと記録ノイズが大きくなる場合がある。
以上説明したように、本発明の媒体は昇温すると雨層の
交換力が比較的き強くなる。したがって、上述した（イ
）および（口）の双方においてＴＬ付近での第３磁性層
からの交換力による第１磁性層の配向は安定して行なわ
れる。
交換力が比較的き強くなる。したがって、上述した（イ
）および（口）の双方においてＴＬ付近での第３磁性層
からの交換力による第１磁性層の配向は安定して行なわ
れる。
この（イ），（口）の記録過程で形成された第２図（ｂ
）， （ｃ）の記録ビットは、ディスク３５が回転し
て磁界発生部３７を通過する際に、第２，第３磁性層は
、それぞれ面内垂直の所定の方向に磁化されるのでそれ
ぞれ第２図（ｄ）， （ｅ）に示す磁化状態に変化す
る。この（ｄ）， （ｅ）の状態では、第２磁性層が
面内方向に強く配向するので、第ｌ，第３磁性層間に働
く交換力は著しく弱められ、記録ビットの磁界あるいは
温度上昇に対する安定性が向上する。
）， （ｃ）の記録ビットは、ディスク３５が回転し
て磁界発生部３７を通過する際に、第２，第３磁性層は
、それぞれ面内垂直の所定の方向に磁化されるのでそれ
ぞれ第２図（ｄ）， （ｅ）に示す磁化状態に変化す
る。この（ｄ）， （ｅ）の状態では、第２磁性層が
面内方向に強く配向するので、第ｌ，第３磁性層間に働
く交換力は著しく弱められ、記録ビットの磁界あるいは
温度上昇に対する安定性が向上する。
なお、以上説明した本発明の記録方法によって、第２図
（ｄ）または（ｅ）に示される磁化状態の記録ビットと
してディスク３５に書き込まれた情報はディスク３５に
対して再生パワーのレーザビームを照射し、その反射光
などを記録信号再生部３３で処理する等して再生できる
。
（ｄ）または（ｅ）に示される磁化状態の記録ビットと
してディスク３５に書き込まれた情報はディスク３５に
対して再生パワーのレーザビームを照射し、その反射光
などを記録信号再生部３３で処理する等して再生できる
。
次に室温では面内磁気異方性を有し、且つ温度が上昇す
ると垂直磁気異方性となる第２磁性層の説明をする。
ると垂直磁気異方性となる第２磁性層の説明をする。
従来磁性薄膜の飽和磁化をＭｓ１膜面に垂直な方向の一
軸異方性磁界をＨＫとすると、この磁性薄膜が膜面に垂
直な磁化膜である為には、ＨＫ≧４πＭｓであることが
必要なことが知られている。
軸異方性磁界をＨＫとすると、この磁性薄膜が膜面に垂
直な磁化膜である為には、ＨＫ≧４πＭｓであることが
必要なことが知られている。
そこで、第２磁性層の磁化容易軸が室温では基板面内方
向にあり、記録温度域では基板面に垂直になる様にする
には、第２磁性層が室温においてはＨＫく４πＭｓを満
足し、且つ第２磁性層のキュリー温度をこの記録温度付
近にするとよい。っまりキュリー温度付近で急激なＭＳ
の減少があるので、室温でＨＫ〈４πＭｓであったもの
が、記録温度域でＨＫ≧４πＭｓとなり得る。さらに第
２磁性層の磁化で基板面に垂直な戒分が増加すると、第
１，第３磁性層からの交換力によってさらに第２磁性層
の磁化は基板面に垂直に配向することになる。
向にあり、記録温度域では基板面に垂直になる様にする
には、第２磁性層が室温においてはＨＫく４πＭｓを満
足し、且つ第２磁性層のキュリー温度をこの記録温度付
近にするとよい。っまりキュリー温度付近で急激なＭＳ
の減少があるので、室温でＨＫ〈４πＭｓであったもの
が、記録温度域でＨＫ≧４πＭｓとなり得る。さらに第
２磁性層の磁化で基板面に垂直な戒分が増加すると、第
１，第３磁性層からの交換力によってさらに第２磁性層
の磁化は基板面に垂直に配向することになる。
このとき、第２磁性層の垂直方向での保磁力が小さいほ
ど容易に配向が行なわれる。
ど容易に配向が行なわれる。
以下の実施例、比較例ではスバツタ成膜装置内にモニタ
ー用のスライドガラス基板をセットして、サンプルのデ
ィスクと同時に成膜し、ＶＳＭ （試料振動型磁化測定
器）により、磁化、保磁力の測定を行なった。
ー用のスライドガラス基板をセットして、サンプルのデ
ィスクと同時に成膜し、ＶＳＭ （試料振動型磁化測定
器）により、磁化、保磁力の測定を行なった。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
見胤男ユ
４元のターゲット源を備えたスバツタ装置内に、プリグ
ループおよびプリフォーマット信号の刻まれたポリカー
ポネート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距
離１０ｃｍの間隔にセットした。この基板を２Ｏｒｐｍ
で回転させ、アルゴン中で第１のターゲットよりスパツ
タ速度１００Ａ／分、スパツタ圧５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ
でスパツタし、８００ ＡのＳｉ ３ Ｎ ４層（保護
層）を形成した。
ループおよびプリフォーマット信号の刻まれたポリカー
ポネート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距
離１０ｃｍの間隔にセットした。この基板を２Ｏｒｐｍ
で回転させ、アルゴン中で第１のターゲットよりスパツ
タ速度１００Ａ／分、スパツタ圧５Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ
でスパツタし、８００ ＡのＳｉ ３ Ｎ ４層（保護
層）を形成した。
次に、アルゴン中で第２のターゲットより、スパツタ速
度１００人／分、スパツタ圧５Ｘ１０−”ＴｏｒｒでＤ
ｙＦｅＣｏ合金をスバッタし、膜厚５００Ａ，キュリー
点約１６０℃、保磁力２０ＫＯｅ以上のＤｙ ２Ｈ Ｆ
ｅ６９Ｃｏ＋ｏの第１磁性層を形威した。第１磁性層の
副格子磁化はＦｅ，Ｃｏ原子の方が大であった。
度１００人／分、スパツタ圧５Ｘ１０−”ＴｏｒｒでＤ
ｙＦｅＣｏ合金をスバッタし、膜厚５００Ａ，キュリー
点約１６０℃、保磁力２０ＫＯｅ以上のＤｙ ２Ｈ Ｆ
ｅ６９Ｃｏ＋ｏの第１磁性層を形威した。第１磁性層の
副格子磁化はＦｅ，Ｃｏ原子の方が大であった。
次に、アルゴン中で第３のターゲットより、スパツタ速
度１００Ａ／分、スパッタ圧５Ｘ１０−３ＴｏｒｒでＧ
ｄＦｅＣｏ合金をスパツタし、膜厚２００，．． キ
ュリー点約１７０°Ｃで保磁力は垂直方向、面内，）向
ともほとんどゼロのＧ ｄ ３０ Ｆ ｅ ５０ Ｃ
Ｏ ２０の第２磁性層を形威した。第２磁性層は単層で
は約０．５ＫＯｅ以下の外部磁界で面内方向に磁化配向
可能だが基板垂直方向へ磁化配向させるには、約２．５
ＫＯｅ以上が必要であった。
度１００Ａ／分、スパッタ圧５Ｘ１０−３ＴｏｒｒでＧ
ｄＦｅＣｏ合金をスパツタし、膜厚２００，．． キ
ュリー点約１７０°Ｃで保磁力は垂直方向、面内，）向
ともほとんどゼロのＧ ｄ ３０ Ｆ ｅ ５０ Ｃ
Ｏ ２０の第２磁性層を形威した。第２磁性層は単層で
は約０．５ＫＯｅ以下の外部磁界で面内方向に磁化配向
可能だが基板垂直方向へ磁化配向させるには、約２．５
ＫＯｅ以上が必要であった。
次に、アルゴン中で第４のターゲットより、スパツタ速
度１００人／分、スパツタ圧５ＸｌＯ−３ＴｏｒｒでＴ
ｂＦｅＣｏ合金をスパツタし、膜厚５００人、キュリー
点約２１０℃、補償温度１７０℃、保磁力約１．５ＫＯ
ｅのＴ ｂ ２３ Ｆ ｅ ６７ Ｃ ｏ ｔｏの第３
磁性層を形成した。第３磁性層の副格子磁化はＴｂ原子
の方が大であった。
度１００人／分、スパツタ圧５ＸｌＯ−３ＴｏｒｒでＴ
ｂＦｅＣｏ合金をスパツタし、膜厚５００人、キュリー
点約２１０℃、補償温度１７０℃、保磁力約１．５ＫＯ
ｅのＴ ｂ ２３ Ｆ ｅ ６７ Ｃ ｏ ｔｏの第３
磁性層を形成した。第３磁性層の副格子磁化はＴｂ原子
の方が大であった。
次に、アルゴン中で第ｌのターゲットより、スパツタ速
度ＩＯＯＡ／分、スバツタ圧５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒで１
０００人厚のＳｉ ３ Ｎ ４膜を設けた。
度ＩＯＯＡ／分、スバツタ圧５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒで１
０００人厚のＳｉ ３ Ｎ ４膜を設けた。
次に膜形戊を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合
わせ、ディスク状光磁気記録媒体を作製した。
を用いてポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り合
わせ、ディスク状光磁気記録媒体を作製した。
この光磁気記録媒体を、第３図（ａ）に示したような構
威の記録再生用装置にセットし、約１．４μｍの直径に
集光した８３０ｎｍの波長のレーザビームをデューテイ
比５０％、周波数２ Ｍ Ｈ ｚで変調させながら４
ｍ Ｗと９ｍＷの２値のレーザパワーで記録を行なった
。記録バイアス磁界は４０００ｅとした。
威の記録再生用装置にセットし、約１．４μｍの直径に
集光した８３０ｎｍの波長のレーザビームをデューテイ
比５０％、周波数２ Ｍ Ｈ ｚで変調させながら４
ｍ Ｗと９ｍＷの２値のレーザパワーで記録を行なった
。記録バイアス磁界は４０００ｅとした。
なお第２、第３磁性層を所定の方向に磁化可能な磁界発
生部３７は、第５図（ａ）に示す様に光磁気ディスク３
５を挟む１対の永久磁石のディスクトラック方向の長さ
が異なり、結果として垂直方向の磁界は上部磁石の中心
点付近で最大となり、面内方向の磁界は、上部磁石の端
部付近で最大となる。ガウスメータによる測定では垂直
方向の最大磁界は２、５Ｋガウス面内方向の最大磁界は
ＩＫガウスであった。
生部３７は、第５図（ａ）に示す様に光磁気ディスク３
５を挟む１対の永久磁石のディスクトラック方向の長さ
が異なり、結果として垂直方向の磁界は上部磁石の中心
点付近で最大となり、面内方向の磁界は、上部磁石の端
部付近で最大となる。ガウスメータによる測定では垂直
方向の最大磁界は２、５Ｋガウス面内方向の最大磁界は
ＩＫガウスであった。
その後、１ ． ５ ｍ Ｗのレーザビームを照射して
、２値の信号の再生ができた。Ｃ／Ｎ比は約５３ｄＢで
あった。また上記と同様の記録をディスク全面に行なっ
た後の光磁気記録媒体を用い、変調周波数３ Ｍ Ｈ
ｚで同様の記録をディスク全面に行った。再生を行なっ
たところ検出されたのは３ Ｍ Ｈ ｚの信号だけであ
り良好なオーバーライトが行なわれたことが確認された
。Ｃ／Ｎ比は約５２ｄＢであった。
、２値の信号の再生ができた。Ｃ／Ｎ比は約５３ｄＢで
あった。また上記と同様の記録をディスク全面に行なっ
た後の光磁気記録媒体を用い、変調周波数３ Ｍ Ｈ
ｚで同様の記録をディスク全面に行った。再生を行なっ
たところ検出されたのは３ Ｍ Ｈ ｚの信号だけであ
り良好なオーバーライトが行なわれたことが確認された
。Ｃ／Ｎ比は約５２ｄＢであった。
次に、周波数３ Ｍ Ｈ ｚの記録ビット（再生信号Ｃ
／Ｎ比）の劣化が始まる再生レーザパワーを調べたとこ
ろ２ ． ８ ｍ Ｗであった。
／Ｎ比）の劣化が始まる再生レーザパワーを調べたとこ
ろ２ ． ８ ｍ Ｗであった。
足較１ユ
実施例ｌの光磁気記録媒体を用い、第５図（ｂ）に示す
様な磁界発生部３７を用いた記録再生用装置にて、実施
例ｌと同様の記録実験を行なった。光磁気ディスク３５
を挟むｌ対の永久磁石のディスクトラック方向の長さは
同一で、結果として垂直方向の磁界は上部磁石の中心点
付近で最大となり、面内方向の磁界は、上部磁石の端部
付近で最大となる。ガウスメータによる測定では垂直方
向の最大磁界は２．５Ｋガウス、面内方向の最大磁界は
０．１Ｋガウスであった。記録した信号の再生Ｃ／Ｎ比
は実施例１と同一であったが、記録ビットの劣化が始ま
る再生レーザパワーは１ ． ４ ｍ Ｗと小さく、実
施例１に比べて記録ビットの熱安定性が悪いことが分つ
た。
様な磁界発生部３７を用いた記録再生用装置にて、実施
例ｌと同様の記録実験を行なった。光磁気ディスク３５
を挟むｌ対の永久磁石のディスクトラック方向の長さは
同一で、結果として垂直方向の磁界は上部磁石の中心点
付近で最大となり、面内方向の磁界は、上部磁石の端部
付近で最大となる。ガウスメータによる測定では垂直方
向の最大磁界は２．５Ｋガウス、面内方向の最大磁界は
０．１Ｋガウスであった。記録した信号の再生Ｃ／Ｎ比
は実施例１と同一であったが、記録ビットの劣化が始ま
る再生レーザパワーは１ ． ４ ｍ Ｗと小さく、実
施例１に比べて記録ビットの熱安定性が悪いことが分つ
た。
この理由は第６図に示す記録ビットの磁化状態により説
明できる。第６図（ａ）， （ｂ）はそれぞれ実施例
１、比較例ｌによる記録ビットの磁化状態を示す。それ
ぞれ中央部が第３磁性層の補償点以上に昇温可能な記録
パワー（実施例、比較例では８ ｍ Ｗ ）を与えた領
域に相当する。ここでは記録後第３磁性層が再び磁界発
生部により磁化反転し第１磁性層と第３磁性層は安定で
ない向きに配列する。第６図（ｂ）では、第２磁性層は
面内方向に磁化しやすいが磁界発生部からの磁界及び第
１、第３磁性層からの交換力により垂直方向の磁化或分
も生じる。ここで第１，第２磁性層界面で磁壁が形威さ
れる（ハツチング部）。この界面磁壁は特に再生レーザ
パワーを大きくして記録層の温度を上昇させたときビッ
トを形成している第１磁性層の磁化を不安定にする。
明できる。第６図（ａ）， （ｂ）はそれぞれ実施例
１、比較例ｌによる記録ビットの磁化状態を示す。それ
ぞれ中央部が第３磁性層の補償点以上に昇温可能な記録
パワー（実施例、比較例では８ ｍ Ｗ ）を与えた領
域に相当する。ここでは記録後第３磁性層が再び磁界発
生部により磁化反転し第１磁性層と第３磁性層は安定で
ない向きに配列する。第６図（ｂ）では、第２磁性層は
面内方向に磁化しやすいが磁界発生部からの磁界及び第
１、第３磁性層からの交換力により垂直方向の磁化或分
も生じる。ここで第１，第２磁性層界面で磁壁が形威さ
れる（ハツチング部）。この界面磁壁は特に再生レーザ
パワーを大きくして記録層の温度を上昇させたときビッ
トを形成している第１磁性層の磁化を不安定にする。
これに対して第６図（ａ）では磁界発生部に強い面内方
向磁界を有するので第２磁性層はほぼ面内方向に配向し
第１、第３磁性層間にも強い交換力が働くことがない。
向磁界を有するので第２磁性層はほぼ面内方向に配向し
第１、第３磁性層間にも強い交換力が働くことがない。
そこで再生レーザパワーを大きくして記録層の温度が上
昇しても記録ビットは安定に保持される。
昇しても記録ビットは安定に保持される。
及直男』
実施例１と同様にしてサンプルディスク実施例２−１〜
２−６を作威し、同様の記録実験を行なった。
２−６を作威し、同様の記録実験を行なった。
ここでスパツタターゲットを交換することにより第２磁
性層の材料組成だけを表−１の様に変化させた。また記
録実験において第３図（ｂ）の着磁用磁石の組み合わせ
を変化させることで実験で印加した初期化磁界の垂直、
面内方向の磁界を表−１の様に変化させた。表−１にお
いて「垂直飽和磁界」はＶＳＭ （試料振動型磁化測定
器）から求めた。第２磁性層を垂直方向に磁化を飽和さ
せるのに必要な印加磁界を示す。再生Ｃ／Ｎ比、最大再
生パワーは変調周波数３ Ｍ Ｈ ｚで記録した信号の
再生Ｃ／Ｎ比、およびこの信号再生時に記録ビットの劣
化が起こらない最大再生パワーを示す。
性層の材料組成だけを表−１の様に変化させた。また記
録実験において第３図（ｂ）の着磁用磁石の組み合わせ
を変化させることで実験で印加した初期化磁界の垂直、
面内方向の磁界を表−１の様に変化させた。表−１にお
いて「垂直飽和磁界」はＶＳＭ （試料振動型磁化測定
器）から求めた。第２磁性層を垂直方向に磁化を飽和さ
せるのに必要な印加磁界を示す。再生Ｃ／Ｎ比、最大再
生パワーは変調周波数３ Ｍ Ｈ ｚで記録した信号の
再生Ｃ／Ｎ比、およびこの信号再生時に記録ビットの劣
化が起こらない最大再生パワーを示す。
表一ｌの結果、実施例２−１〜２−３より充分な最大再
生パワーを得るには、初期化面内磁界を０．３ＫＯｅ以
上に設定するとよいことが分かる。（第２磁性層の磁化
方向は記録後は第１１第３磁性層界面において垂直方向
に強《配向する。そして充分な最大再生パワーを得るに
は０．３ＫＯｅ以上の面方向磁界により再度面内方向へ
配向させる必要がある）また、実施例２−１〜２−６よ
り充分な最大再生パワーを得るには、第２磁性層の垂直
飽和磁界が２．５ＫＯｅ以上になる様組戒を調整してお
くと良いことが分かる 見豊１』 第５図（ａ）の着磁用磁石の形状の組み合わせを表−２
の様に変えて印加される初期化垂直磁界と初期化面内磁
界の最大値を測定した。垂直方向の最大磁界は着磁用磁
石対のほぼ中央部であり、面内方向最大磁界は端部にあ
る。（測定は磁石対の中間で行った。） 第７図にて磁石対の形状を示す。ａ， ｂはそれぞれの
磁石の厚さ（高さ）を示し、ｃ， ｄはそれぞれの磁石
のトラック方向の長さを示す。対向する磁石の間隔は第
７図の様に１ ０ ｍ ／ ｍに設定した。
生パワーを得るには、初期化面内磁界を０．３ＫＯｅ以
上に設定するとよいことが分かる。（第２磁性層の磁化
方向は記録後は第１１第３磁性層界面において垂直方向
に強《配向する。そして充分な最大再生パワーを得るに
は０．３ＫＯｅ以上の面方向磁界により再度面内方向へ
配向させる必要がある）また、実施例２−１〜２−６よ
り充分な最大再生パワーを得るには、第２磁性層の垂直
飽和磁界が２．５ＫＯｅ以上になる様組戒を調整してお
くと良いことが分かる 見豊１』 第５図（ａ）の着磁用磁石の形状の組み合わせを表−２
の様に変えて印加される初期化垂直磁界と初期化面内磁
界の最大値を測定した。垂直方向の最大磁界は着磁用磁
石対のほぼ中央部であり、面内方向最大磁界は端部にあ
る。（測定は磁石対の中間で行った。） 第７図にて磁石対の形状を示す。ａ， ｂはそれぞれの
磁石の厚さ（高さ）を示し、ｃ， ｄはそれぞれの磁石
のトラック方向の長さを示す。対向する磁石の間隔は第
７図の様に１ ０ ｍ ／ ｍに設定した。
この結果から初期化面内磁界を大きく設定するには実施
例３−１〜３−５の様に対向磁石の形状（主としてｃ，
ｄの長さ）を変えてやることが有効であることが分か
る。
例３−１〜３−５の様に対向磁石の形状（主としてｃ，
ｄの長さ）を変えてやることが有効であることが分か
る。
以上説明したように、本発明による第１磁性層と第３磁
性層との間に交換力の変化する第２磁性層を設けた記録
媒体を用いて、該媒体のレーザ照射部より離れた位置に
て第３磁性層を一様な垂直方向に磁化可能で、第２磁性
層を一様な面内方向に磁化可能な一定磁界を印加するこ
とにより、レーザ２値変調のオーバーライト記録が可能
でしかも記録ビットの熱安定性を向上させることが可能
になった。
性層との間に交換力の変化する第２磁性層を設けた記録
媒体を用いて、該媒体のレーザ照射部より離れた位置に
て第３磁性層を一様な垂直方向に磁化可能で、第２磁性
層を一様な面内方向に磁化可能な一定磁界を印加するこ
とにより、レーザ２値変調のオーバーライト記録が可能
でしかも記録ビットの熱安定性を向上させることが可能
になった。
第１図（ａ）， （ｂ）は各々本発明の光磁気記録媒
体の構成を例示する模式的断面図、第２図は記録過程に
おける本発明の媒体の磁性層の磁化の向きを例示する図
、第３図は本発明の方法に使用できる記録再生装置を例
示する模式図、第４図は第１及び第３磁性層の保磁力と
温度との関係を示す図、第５図は磁界発生部の磁石対の
形状と発生磁界の強度分布を示す図、第６図は記録ビッ
トの磁化状態を詳しく示した図、第７図は磁界発生部の
磁石対の形状を詳しく示した図である。 ｌ・・・基板 ２・・・第ｌ磁性層 ３・・・第２磁性層 ４・・・第３磁性層 ５，６・・・保護層 ７・・・接着層 ８・・・貼り合わせ用基板 ゛く立ノ ８１図 第 ２ 囚 （久） （ｂ） ｃＣ） （ｄ） （ｅ） −Ｃ→ ｄ
体の構成を例示する模式的断面図、第２図は記録過程に
おける本発明の媒体の磁性層の磁化の向きを例示する図
、第３図は本発明の方法に使用できる記録再生装置を例
示する模式図、第４図は第１及び第３磁性層の保磁力と
温度との関係を示す図、第５図は磁界発生部の磁石対の
形状と発生磁界の強度分布を示す図、第６図は記録ビッ
トの磁化状態を詳しく示した図、第７図は磁界発生部の
磁石対の形状を詳しく示した図である。 ｌ・・・基板 ２・・・第ｌ磁性層 ３・・・第２磁性層 ４・・・第３磁性層 ５，６・・・保護層 ７・・・接着層 ８・・・貼り合わせ用基板 ゛く立ノ ８１図 第 ２ 囚 （久） （ｂ） ｃＣ） （ｄ） （ｅ） −Ｃ→ ｄ
Claims (2)
- （１）低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直磁気異
方性である第１磁性層と、該第１磁性層に比べて高いキ
ュリー点と低い保磁力とを有する第３磁性層と該第１磁
性層と該第３磁性層との間に設けられ、室温においては
、面内磁気異方性を有し、且つ温度が上昇すると垂直磁
気異方性となる第２磁性層とを有する光磁気記録媒体を
使用して、以下の２値の記録を行なうことを特徴とする
記録方法、 （ａ）前記媒体のレーザ照射部より離れた位置にて、第
３磁性層を一様な垂直方向に磁化可能で、第２磁性層を
一様な面内方向に磁化可能な一定磁界を印加し、 （ｂ）次に前記媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁
界を印加すると同時に前記第１磁性層のキュリー点付近
まで前記媒体が昇温するパワーのレーザビームを記録信
号に従って照射することにより、第３磁性層の磁化の向
きを変えないまま第１磁性層の磁化の向きを第３磁性層
に対して安定な向きにそろえるか、 （ｃ）前記媒体のレーザ照射部位に記録バイアス磁界を
印加すると同時に前記第３磁性層のキュリー点付近まで
前記媒体が昇温するだけのレーザパワーを記録信号に従
って照射することにより、第３磁性層の磁化の向き反転
させるとともに第１磁性層も第３磁性層に対して安定な
向きに磁化する２値の記録。 - （２）低いキュリー点と高い保磁力とを有し垂直磁気異
方性である第１磁性層と、該第１磁性層に比べて高いキ
ュリー点と低い保磁力とを有する第３磁性層と、該第１
磁性層と該第３磁性層との間に設けられ、室温において
は、面内磁気異方性を有し且つ温度が上昇すると垂直磁
気異方性となる第２磁性層とを有する光磁気記録媒体を
使用して、オーバーライト可能な２値の記録を行なう光
磁気記録装置において、 （ａ）レーザ照射部より離れた位 置にて、第２磁性層を一様な面内方向に磁化可能で且つ
、第３磁性層を一様な垂直方向に磁化可能な初期化磁界
発生手段と、 （ｂ）レーザ照射部において所定の磁界を発生する記録
バイアス磁界発生手段、 （ｃ）記録信号に応じてゼロでない２値の記録パワーを
有するレーザビームを前記媒体に対して発生照射するレ
ーザビーム発生照射手段、（ｄ）前記媒体を前記レーザ
ビーム発生手段に対して相対移動させる相対移動手段、 とを有することを特徴とする光磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231845A JPH0395745A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 光磁気記録方法及び記録装置 |
| US08/037,179 US5502692A (en) | 1989-09-06 | 1993-03-24 | Method and apparatus for recording, reproducing and overwriting information on or from a magnetooptic disk having three magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1231845A JPH0395745A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 光磁気記録方法及び記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395745A true JPH0395745A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16929915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1231845A Pending JPH0395745A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 光磁気記録方法及び記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5502692A (ja) |
| JP (1) | JPH0395745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814418A (en) * | 1994-09-27 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for reading out information from the same |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3164975B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| JP3249713B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-01-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JP3049482B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2000-06-05 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JPH09212927A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-15 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体およびこれを用いる記録再生方法 |
| JPH10134429A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US7474510B1 (en) * | 2004-01-08 | 2009-01-06 | Seagate Technology Llc | Disk drive head reset for parked head using closely spaced magnet |
| JP4391360B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2009-12-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及びその磁気記録方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4059828A (en) * | 1976-08-20 | 1977-11-22 | Rockwell International Corporation | Bubble lattice file structure |
| JPH0695404B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-11-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPS63316343A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| CA1322408C (en) * | 1986-08-20 | 1993-09-21 | Tomiji Tanaka | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| JPS63291237A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 光磁気記録再生用情報担体装置 |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1231845A patent/JPH0395745A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-24 US US08/037,179 patent/US5502692A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814418A (en) * | 1994-09-27 | 1998-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium and method for reading out information from the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5502692A (en) | 1996-03-26 |
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