JPH10134429A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその再生方法Info
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- JPH10134429A JPH10134429A JP8284108A JP28410896A JPH10134429A JP H10134429 A JPH10134429 A JP H10134429A JP 8284108 A JP8284108 A JP 8284108A JP 28410896 A JP28410896 A JP 28410896A JP H10134429 A JPH10134429 A JP H10134429A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度記録を実現し、クロストークを低減で
きる光磁気記録媒体及びその再生方法。 【解決手段】 光磁気ディスク１０は、基板１１上に希
土類−遷移金属合金からなる再生層１３，中間層１４及
び記録層１５をこの順に積層し、中間層１４の組成Ｇｄ
x （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x は、２６≦ｘ≦３８，０
≦ｙ≦１７を満たしている。光磁気ディスク１０の再生
時には、レーザスポットＳ近傍に記録方向即ち上向きの
再生磁界を印加する。レーザスポットＳの低温領域及び
高温領域では記録層１５の磁化方向が再生層１３により
マスクされ、中間温度領域では記録層１５の磁化方向が
再生層１３に転写されて開口部を形成する。記録方向の
再生磁界を印加することにより、消去方向の印加よりも
開口部の寸法を小さくすることができる。
きる光磁気記録媒体及びその再生方法。 【解決手段】 光磁気ディスク１０は、基板１１上に希
土類−遷移金属合金からなる再生層１３，中間層１４及
び記録層１５をこの順に積層し、中間層１４の組成Ｇｄ
x （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x は、２６≦ｘ≦３８，０
≦ｙ≦１７を満たしている。光磁気ディスク１０の再生
時には、レーザスポットＳ近傍に記録方向即ち上向きの
再生磁界を印加する。レーザスポットＳの低温領域及び
高温領域では記録層１５の磁化方向が再生層１３により
マスクされ、中間温度領域では記録層１５の磁化方向が
再生層１３に転写されて開口部を形成する。記録方向の
再生磁界を印加することにより、消去方向の印加よりも
開口部の寸法を小さくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスク，
光磁気テープ，光磁気カード等の光磁気記録媒体及びそ
の再生方法に関し、特に磁気超解像（Magnetically Ind
uced Super Resolution ）再生が可能な光磁気記録媒体
に関する。
光磁気テープ，光磁気カード等の光磁気記録媒体及びそ
の再生方法に関し、特に磁気超解像（Magnetically Ind
uced Super Resolution ）再生が可能な光磁気記録媒体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年コンピュータの外部記録装置とし
て、光磁気ディスクが脚光を浴びている。光磁気ディス
クは、外部磁界の印加とレーザ光の照射とを用いて媒体
上にサブミクロン単位の記録マークを形成することによ
り、フレキシブルディスク，ハードディスクのような外
部記録媒体と比較して記録容量を大幅に増大させること
が可能である。
て、光磁気ディスクが脚光を浴びている。光磁気ディス
クは、外部磁界の印加とレーザ光の照射とを用いて媒体
上にサブミクロン単位の記録マークを形成することによ
り、フレキシブルディスク，ハードディスクのような外
部記録媒体と比較して記録容量を大幅に増大させること
が可能である。
【０００３】しかしながら、これからのマルチメディア
時代に備えて膨大なデータ，動画の記録を可能にするた
めに、光磁気ディスクの記録容量のさらなる増大化が要
望されている。記録密度を増大させるためには、媒体上
にさらに多くの記録マークを形成すること、即ち記録マ
ーク長をレーザ光のスポット径よりも短くすると共に記
録マーク間隔を詰める必要がある。このような微細な記
録マークを形成するのは比較的簡単であるが、微細な記
録マークを再生する際には照射するレーザ光の波長λと
対物レンズの開口数ＮＡとの制約により、再生可能な記
録マークの長さに限界があった。
時代に備えて膨大なデータ，動画の記録を可能にするた
めに、光磁気ディスクの記録容量のさらなる増大化が要
望されている。記録密度を増大させるためには、媒体上
にさらに多くの記録マークを形成すること、即ち記録マ
ーク長をレーザ光のスポット径よりも短くすると共に記
録マーク間隔を詰める必要がある。このような微細な記
録マークを形成するのは比較的簡単であるが、微細な記
録マークを再生する際には照射するレーザ光の波長λと
対物レンズの開口数ＮＡとの制約により、再生可能な記
録マークの長さに限界があった。
【０００４】そこで、レーザ光径よりも小さい記録マー
クを再生できる磁気超解像（ＭＳＲ）再生方法が、種々
提案されている（特開平１−143041号公報，特開平３−
93056 号公報，特開平３−93058 号公報，特開平４−27
1039号公報，特開平５−12731 号公報）。これらの従来
法は何れも、記録層と再生層とを含む複数の磁性層を積
層した光磁気ディスクを回転せしめ、再生レーザ光を照
射することにより光磁気ディスクの周方向に温度分布を
生ぜしめ、この温度分布を利用してスポット径よりも小
さな記録マークを読出すようにしている。即ち、再生レ
ーザ光のスポット内の或る温度領域では再生層が記録マ
ークをマスクするような磁化方向を有し、他の領域では
記録層の磁化方向が再生層に転写されて読出される。
クを再生できる磁気超解像（ＭＳＲ）再生方法が、種々
提案されている（特開平１−143041号公報，特開平３−
93056 号公報，特開平３−93058 号公報，特開平４−27
1039号公報，特開平５−12731 号公報）。これらの従来
法は何れも、記録層と再生層とを含む複数の磁性層を積
層した光磁気ディスクを回転せしめ、再生レーザ光を照
射することにより光磁気ディスクの周方向に温度分布を
生ぜしめ、この温度分布を利用してスポット径よりも小
さな記録マークを読出すようにしている。即ち、再生レ
ーザ光のスポット内の或る温度領域では再生層が記録マ
ークをマスクするような磁化方向を有し、他の領域では
記録層の磁化方向が再生層に転写されて読出される。
【０００５】これらの従来法により、再生レーザ光のス
ポット径よりも小さな領域から記録マークを読出すこと
ができ、実質的に再生レーザ光のスポット径よりも小さ
な光スポットにて再生した場合と同等の分解能が得られ
る。しかしながら、これらの従来法では以下に示すいく
つかの問題点があった。まず、スポット内の低温領域か
ら記録マークを読出す方式では周方向の分解能には優れ
ているが、近接トラックが影響するクロストークが大き
いこと、また、スポット内の高温領域から記録マークを
読出す方式ではクロストークは低減されるが、再生層を
初期化するために大型の初期化磁石を用いる必要があ
り、装置が小型化されないこと、さらに、再生層の磁化
方向が温度分布により面内方向から垂直方向に変化した
領域から記録マークを読出す方式では、大型の初期化磁
石を用いずに再生できるが、スポット内の転写される領
域が広く、高い再生出力が得られないこと、などが挙げ
られる。
ポット径よりも小さな領域から記録マークを読出すこと
ができ、実質的に再生レーザ光のスポット径よりも小さ
な光スポットにて再生した場合と同等の分解能が得られ
る。しかしながら、これらの従来法では以下に示すいく
つかの問題点があった。まず、スポット内の低温領域か
ら記録マークを読出す方式では周方向の分解能には優れ
ているが、近接トラックが影響するクロストークが大き
いこと、また、スポット内の高温領域から記録マークを
読出す方式ではクロストークは低減されるが、再生層を
初期化するために大型の初期化磁石を用いる必要があ
り、装置が小型化されないこと、さらに、再生層の磁化
方向が温度分布により面内方向から垂直方向に変化した
領域から記録マークを読出す方式では、大型の初期化磁
石を用いずに再生できるが、スポット内の転写される領
域が広く、高い再生出力が得られないこと、などが挙げ
られる。
【０００６】そこで本願出願人は、これらの問題点を解
決できるＭＳＲ再生方法を提案している（特開平７−24
4877号公報）。図１１は、本願出願人が提案した従来の
ＭＳＲ再生可能な光磁気ディスクの膜構成及び再生時の
磁化方向を示す図である。また、図１２はこの光磁気デ
ィスクの消去時の磁化状態を示す図であり、図１３は記
録時の磁化状態を示す図である。
決できるＭＳＲ再生方法を提案している（特開平７−24
4877号公報）。図１１は、本願出願人が提案した従来の
ＭＳＲ再生可能な光磁気ディスクの膜構成及び再生時の
磁化方向を示す図である。また、図１２はこの光磁気デ
ィスクの消去時の磁化状態を示す図であり、図１３は記
録時の磁化状態を示す図である。
【０００７】図１１に示すように、光磁気ディスク２０
はポリカーボネート樹脂製の基板（図示せず）上にＳｉ
Ｎからなる下地層（図示せず）と、希土類−遷移金属非
晶質合金からなる再生層２１，中間層２２，及び記録層
２３と、ＳｉＮからなる保護層（図示せず）とをこの順
に積層して構成されている。再生層２１は遷移金属磁化
優勢であり、垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸を有し
ている。中間層２２は希土類磁化優勢であり、室温（１
０℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸を有してお
り、室温より高い所定温度以上になると磁化容易軸が面
内方向から垂直方向に変化する。記録層２３は遷移金属
磁化優勢であり、垂直方向に磁化容易軸を有している。
また、再生層２１，中間層２２及び記録層２３のキュリ
ー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とした場合に、
Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしてい
る。また、再生層２１及び記録層２３の室温における保
磁力を夫々Ｈｃ１及びＨｃ３とした場合に、Ｈｃ３＞Ｈ
ｃ１の関係を満たしている。
はポリカーボネート樹脂製の基板（図示せず）上にＳｉ
Ｎからなる下地層（図示せず）と、希土類−遷移金属非
晶質合金からなる再生層２１，中間層２２，及び記録層
２３と、ＳｉＮからなる保護層（図示せず）とをこの順
に積層して構成されている。再生層２１は遷移金属磁化
優勢であり、垂直方向即ち積層方向に磁化容易軸を有し
ている。中間層２２は希土類磁化優勢であり、室温（１
０℃〜３５℃）では面内方向に磁化容易軸を有してお
り、室温より高い所定温度以上になると磁化容易軸が面
内方向から垂直方向に変化する。記録層２３は遷移金属
磁化優勢であり、垂直方向に磁化容易軸を有している。
また、再生層２１，中間層２２及び記録層２３のキュリ
ー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とした場合に、
Ｔｃ２＜Ｔｃ１，Ｔｃ２＜Ｔｃ３の関係を満たしてい
る。また、再生層２１及び記録層２３の室温における保
磁力を夫々Ｈｃ１及びＨｃ３とした場合に、Ｈｃ３＞Ｈ
ｃ１の関係を満たしている。
【０００８】光磁気ディスク２０の記録マークを消去す
る際には、図１２に示すように、下向きの消去用磁界を
印加しつつ、消去用レーザ光を照射する。このときレー
ザ光が照射された領域はキュリー温度Ｔｃ３以上に昇温
され、記録層２３の磁化方向が消去磁界と同じ下向きに
揃う。消去用レーザ光から遠ざかった領域では室温まで
降温される。室温では中間層２２は上述したように面内
磁化膜となり、再生層２１と中間層２２とは磁気的に結
合しない状態になる。従って、再生層２１の磁化方向は
消去用磁界と同じ下方向に揃う。なお、この光磁気ディ
スク２０において消去方向は下向きであり、記録方向は
逆方向の上向きである。
る際には、図１２に示すように、下向きの消去用磁界を
印加しつつ、消去用レーザ光を照射する。このときレー
ザ光が照射された領域はキュリー温度Ｔｃ３以上に昇温
され、記録層２３の磁化方向が消去磁界と同じ下向きに
揃う。消去用レーザ光から遠ざかった領域では室温まで
降温される。室温では中間層２２は上述したように面内
磁化膜となり、再生層２１と中間層２２とは磁気的に結
合しない状態になる。従って、再生層２１の磁化方向は
消去用磁界と同じ下方向に揃う。なお、この光磁気ディ
スク２０において消去方向は下向きであり、記録方向は
逆方向の上向きである。
【０００９】次に、光磁気ディスク２０に情報を記録す
る際には、図１３に示すように、上向きの記録用磁界を
印加しつつ、記録用レーザ光を照射する。この記録方法
には光変調記録と磁界変調記録との２通りが用いられ
る。光変調記録とは、上向きの記録用磁界を常時印加し
つつレーザ光の強度を情報に対応すべく変調させて照射
する方法であり、高強度のレーザ光が照射された領域の
みが磁化方向を記録用磁界と同じ上向きにし、記録マー
クが形成される。一方、磁界変調記録とは、記録用レー
ザ光を常時照射しつつ磁界の方向を情報に対応すべく上
下に変調させて印加する方法であり、レーザ光が照射さ
れた領域の磁化方向が印加された磁界の向きになる。磁
界変調記録において、消去状態から情報を記録する場合
には、消去磁界と逆向きの磁界が印加された領域で磁化
方向が上向きに反転し、記録マークが形成される。
る際には、図１３に示すように、上向きの記録用磁界を
印加しつつ、記録用レーザ光を照射する。この記録方法
には光変調記録と磁界変調記録との２通りが用いられ
る。光変調記録とは、上向きの記録用磁界を常時印加し
つつレーザ光の強度を情報に対応すべく変調させて照射
する方法であり、高強度のレーザ光が照射された領域の
みが磁化方向を記録用磁界と同じ上向きにし、記録マー
クが形成される。一方、磁界変調記録とは、記録用レー
ザ光を常時照射しつつ磁界の方向を情報に対応すべく上
下に変調させて印加する方法であり、レーザ光が照射さ
れた領域の磁化方向が印加された磁界の向きになる。磁
界変調記録において、消去状態から情報を記録する場合
には、消去磁界と逆向きの磁界が印加された領域で磁化
方向が上向きに反転し、記録マークが形成される。
【００１０】記録用レーザ光から遠ざかった領域では室
温まで降温される。室温では中間層２２は上述したよう
に面内磁化膜となり、再生層２１と記録層２３とは磁気
的に結合しない状態になる。従って、再生層２１の磁化
方向は、小さな磁界を印加することによりその磁化方向
に揃えられ、大型の初期化磁石を用いる必要はない。
温まで降温される。室温では中間層２２は上述したよう
に面内磁化膜となり、再生層２１と記録層２３とは磁気
的に結合しない状態になる。従って、再生層２１の磁化
方向は、小さな磁界を印加することによりその磁化方向
に揃えられ、大型の初期化磁石を用いる必要はない。
【００１１】このように記録された光磁気ディスク２０
の再生時の磁化状態を、図１１に基づいて説明する。光
磁気ディスク２０に再生用レーザ光が照射され、照射領
域に下向きの再生磁界が印加される。レーザ光に対して
前方側となる低温領域（略100 ℃よりも低い領域）では
中間層２２と記録層２３との交換結合力は弱く、中間層
２２の磁化が再生磁界の方向即ち下方向に揃う。そし
て、中間層２２と再生層２１との交換結合力により再生
層２１の磁化方向は上向きに揃って記録層２３の磁化方
向をマスクするはたらきをする（フロントマスク）。ま
た、高温領域（略180 ℃より高い領域）は中間層２２の
キュリー温度を越えた領域であり、中間層２２と再生層
２１との交換結合力が切れている。これにより、再生層
２１の磁化方向は再生磁界の方向に揃い、記録層２３の
磁化方向をマスクするはたらきをする（リアマスク）。
低温領域と高温領域との間の中間温度領域（略100 ℃〜
略180 ℃の領域）では、中間層２２を介して記録層２３
と再生層２１との交換結合力により、記録層２３の磁化
方向が再生層２１に転写される。
の再生時の磁化状態を、図１１に基づいて説明する。光
磁気ディスク２０に再生用レーザ光が照射され、照射領
域に下向きの再生磁界が印加される。レーザ光に対して
前方側となる低温領域（略100 ℃よりも低い領域）では
中間層２２と記録層２３との交換結合力は弱く、中間層
２２の磁化が再生磁界の方向即ち下方向に揃う。そし
て、中間層２２と再生層２１との交換結合力により再生
層２１の磁化方向は上向きに揃って記録層２３の磁化方
向をマスクするはたらきをする（フロントマスク）。ま
た、高温領域（略180 ℃より高い領域）は中間層２２の
キュリー温度を越えた領域であり、中間層２２と再生層
２１との交換結合力が切れている。これにより、再生層
２１の磁化方向は再生磁界の方向に揃い、記録層２３の
磁化方向をマスクするはたらきをする（リアマスク）。
低温領域と高温領域との間の中間温度領域（略100 ℃〜
略180 ℃の領域）では、中間層２２を介して記録層２３
と再生層２１との交換結合力により、記録層２３の磁化
方向が再生層２１に転写される。
【００１２】従って、磁気光学的出力を検出した場合
に、レーザスポットＳ内において温度が低い領域と高い
領域とではマスクが形成されているので光磁気信号を読
出すことはなく、中間の温度領域だけの光磁気信号を読
出すことができる。
に、レーザスポットＳ内において温度が低い領域と高い
領域とではマスクが形成されているので光磁気信号を読
出すことはなく、中間の温度領域だけの光磁気信号を読
出すことができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く本願出願人
により提案した光磁気ディスクでは、大型の初期化磁石
を設けることなくＭＳＲ再生が可能であり、高温領域の
一部領域（中間温度領域）を開口部とするので高い再生
出力が得られ、さらに近隣トラックは中間温度領域より
も低い温度領域となるので近隣トラックからは信号が読
み出されず、クロストークが低い。
により提案した光磁気ディスクでは、大型の初期化磁石
を設けることなくＭＳＲ再生が可能であり、高温領域の
一部領域（中間温度領域）を開口部とするので高い再生
出力が得られ、さらに近隣トラックは中間温度領域より
も低い温度領域となるので近隣トラックからは信号が読
み出されず、クロストークが低い。
【００１４】しかしながら、このような構成の光磁気デ
ィスク２０の再生時に印加する磁界の方向を異ならせた
場合は、即ち上述する光磁気ディスク２０に記録方向と
同じ上向きの再生磁界を印加した場合は、フロントマス
クの形成が困難に成りがちである。これは、従来の中間
層２２及び記録層２３では、これらの間の交換結合力が
低温で制御され難いことが原因である。記録方向の再生
磁界を印加した場合に、低温領域で中間層２２の磁化方
向が再生磁界と同じ向きに揃わないことによりフロント
マスクの形成が不完全となり、再生特性が劣化するとい
う問題があった。
ィスク２０の再生時に印加する磁界の方向を異ならせた
場合は、即ち上述する光磁気ディスク２０に記録方向と
同じ上向きの再生磁界を印加した場合は、フロントマス
クの形成が困難に成りがちである。これは、従来の中間
層２２及び記録層２３では、これらの間の交換結合力が
低温で制御され難いことが原因である。記録方向の再生
磁界を印加した場合に、低温領域で中間層２２の磁化方
向が再生磁界と同じ向きに揃わないことによりフロント
マスクの形成が不完全となり、再生特性が劣化するとい
う問題があった。
【００１５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、第２磁性層の組成を限定することにより、消
去方向又はこれと逆方向である記録方向の何れの方向の
再生磁界を印加してもＭＳＲ再生を可能とし、記録方向
の再生磁界を印加した場合にはさらに分解能を高め、且
つクロストークを低減できる光磁気記録媒体とその再生
方法を提供することを目的とする。
のであり、第２磁性層の組成を限定することにより、消
去方向又はこれと逆方向である記録方向の何れの方向の
再生磁界を印加してもＭＳＲ再生を可能とし、記録方向
の再生磁界を印加した場合にはさらに分解能を高め、且
つクロストークを低減できる光磁気記録媒体とその再生
方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る光磁気記
録媒体は、基板上に少なくとも、ＧｄＦｅＣｏからなる
第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第
２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に
積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方
向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内
方向の磁化容易特性を有し、第１磁性層、第２磁性層及
び第３磁性層のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及び
Ｔｃ３としたときに、Ｔｃ２＜Ｔｃ１且つＴｃ２＜Ｔｃ
３の関係を満たす光磁気記録媒体において、前記第２磁
性層の組成は、Ｇｄx （Ｆｅ100- y Ｃｏy ）100-x のｘ
及びｙが、夫々、２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１７，を満
たすことを特徴とする。
録媒体は、基板上に少なくとも、ＧｄＦｅＣｏからなる
第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢の第
２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの順に
積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積層方
向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で面内
方向の磁化容易特性を有し、第１磁性層、第２磁性層及
び第３磁性層のキュリー温度を夫々Ｔｃ１，Ｔｃ２及び
Ｔｃ３としたときに、Ｔｃ２＜Ｔｃ１且つＴｃ２＜Ｔｃ
３の関係を満たす光磁気記録媒体において、前記第２磁
性層の組成は、Ｇｄx （Ｆｅ100- y Ｃｏy ）100-x のｘ
及びｙが、夫々、２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１７，を満
たすことを特徴とする。
【００１７】再生時に、光磁気記録媒体に相対移動を伴
ったビーム光の照射を行うことによりビームスポット内
に温度分布が形成される。この温度分布の低温領域及び
高温領域では第１磁性層の磁化方向が第３磁性層の磁化
方向をマスクする。これらの領域の間の中間温度領域で
は第３磁性層の磁化方向が第１磁性層に転写されて開口
部を形成し、これによりスポット径よりも小径の記録マ
ークを読出すことが可能となる。このような低温領域及
び高温領域での第１磁性層のマスクを形成するために、
ビーム光照射領域に再生磁界を印加する。
ったビーム光の照射を行うことによりビームスポット内
に温度分布が形成される。この温度分布の低温領域及び
高温領域では第１磁性層の磁化方向が第３磁性層の磁化
方向をマスクする。これらの領域の間の中間温度領域で
は第３磁性層の磁化方向が第１磁性層に転写されて開口
部を形成し、これによりスポット径よりも小径の記録マ
ークを読出すことが可能となる。このような低温領域及
び高温領域での第１磁性層のマスクを形成するために、
ビーム光照射領域に再生磁界を印加する。
【００１８】第１発明にあっては、第２磁性層が、Ｇｄ
x （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x の２６≦ｘ≦３８，０≦
ｙ≦１７を満たす組成を有することにより、記録マーク
を全面消去するための消去方向、又は該消去方向の逆方
向である記録方向の何れの方向の再生磁界を印加しても
ＭＳＲ再生が可能である。２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１
７は、後述する図６〜図９に示すように、再生時のＣＮ
Ｒ及びクロストークのような再生特性が良好となる第２
磁性層の組成範囲から決定している。開口部の寸法は、
記録方向の再生磁界を印加したときの方が消去方向に印
加したときよりも記録トラックの幅方向に小さい。この
ために記録方向の再生磁界を印加した場合は、さらに高
分解能が得られ、クロストークが低減される。
x （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x の２６≦ｘ≦３８，０≦
ｙ≦１７を満たす組成を有することにより、記録マーク
を全面消去するための消去方向、又は該消去方向の逆方
向である記録方向の何れの方向の再生磁界を印加しても
ＭＳＲ再生が可能である。２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１
７は、後述する図６〜図９に示すように、再生時のＣＮ
Ｒ及びクロストークのような再生特性が良好となる第２
磁性層の組成範囲から決定している。開口部の寸法は、
記録方向の再生磁界を印加したときの方が消去方向に印
加したときよりも記録トラックの幅方向に小さい。この
ために記録方向の再生磁界を印加した場合は、さらに高
分解能が得られ、クロストークが低減される。
【００１９】第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発
明にあっては、前記第２磁性層は１５ｎｍ以上の膜厚を
有することを特徴とする。
明にあっては、前記第２磁性層は１５ｎｍ以上の膜厚を
有することを特徴とする。
【００２０】第２発明にあっては、第２磁性層の膜厚が
１５ｎｍ以上である。第２磁性層の膜厚は第２磁性層と
第３磁性層との間の交換結合力の強弱に影響を及ぼし、
薄すぎると交換結合力が強くなって、低温領域にて第２
磁性層の磁化方向が再生磁界の方向に向かなくなり、マ
スクの形成が不完全となる。再生磁界の実用化レベルが
５００Ｏｅ以下であり、このレベルでマスクが完全に形
成されるためには第２磁性層は１５ｎｍ以上の膜厚を有
することが好ましい。また、光磁気記録媒体の実用的厚
みレベルの観点から、第２磁性層の最大膜厚は略６０ｎ
ｍである。
１５ｎｍ以上である。第２磁性層の膜厚は第２磁性層と
第３磁性層との間の交換結合力の強弱に影響を及ぼし、
薄すぎると交換結合力が強くなって、低温領域にて第２
磁性層の磁化方向が再生磁界の方向に向かなくなり、マ
スクの形成が不完全となる。再生磁界の実用化レベルが
５００Ｏｅ以下であり、このレベルでマスクが完全に形
成されるためには第２磁性層は１５ｎｍ以上の膜厚を有
することが好ましい。また、光磁気記録媒体の実用的厚
みレベルの観点から、第２磁性層の最大膜厚は略６０ｎ
ｍである。
【００２１】第３発明に係る光磁気記録媒体の再生方法
は、基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁性層及び第
３磁性層が積層されており、予め前記第３磁性層の磁化
方向を第１方向に揃え、ビーム光の強度を変調させて照
射することにより磁化方向が第１方向から第２方向に反
転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３
磁性層に形成することにより情報を記録した第１又は第
２発明の光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対
移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域
に磁界を印加して前記情報を読出す再生方法において、
前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光
を照射し、該ビーム光の照射領域に前記第２方向の磁界
を印加することを特徴とする。
は、基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁性層及び第
３磁性層が積層されており、予め前記第３磁性層の磁化
方向を第１方向に揃え、ビーム光の強度を変調させて照
射することにより磁化方向が第１方向から第２方向に反
転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３
磁性層に形成することにより情報を記録した第１又は第
２発明の光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対
移動を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域
に磁界を印加して前記情報を読出す再生方法において、
前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光
を照射し、該ビーム光の照射領域に前記第２方向の磁界
を印加することを特徴とする。
【００２２】第３発明にあっては、光磁気記録媒体は光
変調記録方式、即ち記録用ビーム光の照射で第３磁性層
のキュリー温度以上に昇温された領域の磁化方向が前記
第２方向である記録方向に揃えられることにより記録さ
れている。この光磁気記録媒体の情報再生時に、記録方
向の再生磁界を印加することにより狭い開口部から情報
を再生できるので高分解能が得られ、クロストークが低
減される。
変調記録方式、即ち記録用ビーム光の照射で第３磁性層
のキュリー温度以上に昇温された領域の磁化方向が前記
第２方向である記録方向に揃えられることにより記録さ
れている。この光磁気記録媒体の情報再生時に、記録方
向の再生磁界を印加することにより狭い開口部から情報
を再生できるので高分解能が得られ、クロストークが低
減される。
【００２３】第４発明に係る光磁気記録媒体の再生方法
は、基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁性層及び第
３磁性層が積層されており、予め前記第３磁性層の磁化
方向を第１方向に揃え、磁界の方向を変調させて印加す
ることにより磁化方向が第１方向から第２方向に反転し
た領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３磁性
層に形成することにより情報を記録した第１又は第２発
明の光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動
を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁
界を印加して前記情報を読出す再生方法において、前記
情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照
射し、該ビーム光の照射領域に前記第２方向の磁界を印
加することを特徴とする。
は、基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁性層及び第
３磁性層が積層されており、予め前記第３磁性層の磁化
方向を第１方向に揃え、磁界の方向を変調させて印加す
ることにより磁化方向が第１方向から第２方向に反転し
た領域と前記第１方向を維持した領域とを前記第３磁性
層に形成することにより情報を記録した第１又は第２発
明の光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒体との相対移動
を伴ってビーム光を照射し、該ビーム光の照射領域に磁
界を印加して前記情報を読出す再生方法において、前記
情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光を照
射し、該ビーム光の照射領域に前記第２方向の磁界を印
加することを特徴とする。
【００２４】第４発明にあっては、光磁気記録媒体は予
め第１方向である消去方向の磁界が印加されて第３磁性
層の磁化方向が消去方向に揃えられており、磁界変調記
録方式、即ち記録用磁界を方向を変調させて印加し、第
３磁性層の磁化方向が反転する記録用磁界の方向に揃え
られることにより情報が記録されている。この光磁気記
録媒体の情報再生時に、消去方向と逆方向である第２方
向の再生磁化を印加することにより、狭い開口部から情
報を再生できるので高分解能が得られ、クロストークが
低減される。
め第１方向である消去方向の磁界が印加されて第３磁性
層の磁化方向が消去方向に揃えられており、磁界変調記
録方式、即ち記録用磁界を方向を変調させて印加し、第
３磁性層の磁化方向が反転する記録用磁界の方向に揃え
られることにより情報が記録されている。この光磁気記
録媒体の情報再生時に、消去方向と逆方向である第２方
向の再生磁化を印加することにより、狭い開口部から情
報を再生できるので高分解能が得られ、クロストークが
低減される。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面に基づき具体的に説明する。 実施の形態１．図１は本発明の光磁気ディスクの再生時
の磁化状態を示す図であり、図２はその光磁気ディスク
の膜構成図である。図２に示すように、光磁気ディスク
１０は、ポリカーボネート樹脂製の基板１１上に、Ｓｉ
Ｎからなる下地層１１、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層１
３（第１磁性層）、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層１４
（第２磁性層）、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層１５（第
３磁性層）及びＳｉＮからなる保護層１６をこの順に積
層して構成されている。基板１１は1.2 ｍｍの厚みを有
し、ランド幅及びグルーブ幅が夫々0.7 μｍピッチで形
成されて、ランド／グルーブ記録可能である。なお、本
実施の形態の光磁気ディスク１０を構成する再生層１
３、中間層１４及び記録層１５の具体的な組成及び磁気
特性を表１に示す。
示す図面に基づき具体的に説明する。 実施の形態１．図１は本発明の光磁気ディスクの再生時
の磁化状態を示す図であり、図２はその光磁気ディスク
の膜構成図である。図２に示すように、光磁気ディスク
１０は、ポリカーボネート樹脂製の基板１１上に、Ｓｉ
Ｎからなる下地層１１、ＧｄＦｅＣｏからなる再生層１
３（第１磁性層）、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層１４
（第２磁性層）、ＴｂＦｅＣｏからなる記録層１５（第
３磁性層）及びＳｉＮからなる保護層１６をこの順に積
層して構成されている。基板１１は1.2 ｍｍの厚みを有
し、ランド幅及びグルーブ幅が夫々0.7 μｍピッチで形
成されて、ランド／グルーブ記録可能である。なお、本
実施の形態の光磁気ディスク１０を構成する再生層１
３、中間層１４及び記録層１５の具体的な組成及び磁気
特性を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】このような構成の光磁気ディスク１０は、
以下の手順にて製造される。まず、スパッタ装置内のチ
ャンバ内にＳｉＮ，ＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏのタ
ーゲットをセットする。基板１１をチャンバ内に搬入し
てチャンバ内圧力を１×10-5Ｐａとする。次に、チャン
バ内にアルゴンガス及び窒素を導入し、各分圧比が３：
２（Ａｒ：Ｎ2 ）でガス圧0.4 Ｐａとなるように調整す
る。この条件でＤＣスパッタ法にて基板１１上に下地層
１２を膜厚７０ｎｍに形成する。
以下の手順にて製造される。まず、スパッタ装置内のチ
ャンバ内にＳｉＮ，ＧｄＦｅＣｏ及びＴｂＦｅＣｏのタ
ーゲットをセットする。基板１１をチャンバ内に搬入し
てチャンバ内圧力を１×10-5Ｐａとする。次に、チャン
バ内にアルゴンガス及び窒素を導入し、各分圧比が３：
２（Ａｒ：Ｎ2 ）でガス圧0.4 Ｐａとなるように調整す
る。この条件でＤＣスパッタ法にて基板１１上に下地層
１２を膜厚７０ｎｍに形成する。
【００２８】次に再度チャンバ内を１×10-5Ｐａとした
後、チャンバ内にアルゴンガスを0.8 Ｐａとなるよう導
入し、ＤＣスパッタ法により、下地層１２上に再生層１
３を膜厚４０ｎｍに形成し、順次中間層１４を膜厚４０
ｎｍに、記録層１５を膜厚４０ｎｍに形成する。その
後、再度チャンバ内を１×10-5Ｐａとした後、チャンバ
内にアルゴンガス及び窒素を導入し、各分圧比が３：２
（Ａｒ：Ｎ2 ）でガス圧0.4 Ｐａとなるように調整した
後、ＤＣスパッタ法にて保護層１６を膜厚７０ｎｍに形
成する。
後、チャンバ内にアルゴンガスを0.8 Ｐａとなるよう導
入し、ＤＣスパッタ法により、下地層１２上に再生層１
３を膜厚４０ｎｍに形成し、順次中間層１４を膜厚４０
ｎｍに、記録層１５を膜厚４０ｎｍに形成する。その
後、再度チャンバ内を１×10-5Ｐａとした後、チャンバ
内にアルゴンガス及び窒素を導入し、各分圧比が３：２
（Ａｒ：Ｎ2 ）でガス圧0.4 Ｐａとなるように調整した
後、ＤＣスパッタ法にて保護層１６を膜厚７０ｎｍに形
成する。
【００２９】以上の如く製造される光磁気ディスク１０
の記録層１５に情報を光磁気記録し、これを再生したと
きの磁化状態について以下に説明する。光磁気ディク１
０への記録原理は図１３に示したものと同様であり、こ
こで説明は省略する。なお、本実施の形態では記録方向
を上向き、消去方向を下向きとする。
の記録層１５に情報を光磁気記録し、これを再生したと
きの磁化状態について以下に説明する。光磁気ディク１
０への記録原理は図１３に示したものと同様であり、こ
こで説明は省略する。なお、本実施の形態では記録方向
を上向き、消去方向を下向きとする。
【００３０】光磁気ディスク１０に再生用レーザ光が照
射され、照射領域に記録方向即ち上向きの再生磁界が印
加される。レーザ光に対して前方側となる低温領域（略
100℃よりも低い領域）では中間層１４と記録層１５と
の交換結合力が弱く、中間層１４の磁化が再生磁界の方
向即ち上方向に揃う。そして、中間層１４と再生層１３
との交換結合力により再生層１３の磁化方向は下向きに
揃って記録層１５の磁化方向をマスクするはたらきをす
る（フロントマスク）。また、高温領域（略180 ℃より
高い領域）は中間層１４のキュリー温度を越えた領域で
あり、中間層１４と再生層１３との交換結合力が切れて
いる。これにより、再生層１３の磁化方向は再生磁界の
磁化方向の上向きに揃い、記録層１４の磁化方向をマス
クするはたらきをする（リアマスク）。低温領域と高温
領域との間の中間温度領域（略100 ℃〜略180 ℃の領
域）では、中間層１４を介して記録層１５と再生層１３
との交換結合力により、記録層１５の磁化方向が再生層
１３に転写されており、開口部を形成している。
射され、照射領域に記録方向即ち上向きの再生磁界が印
加される。レーザ光に対して前方側となる低温領域（略
100℃よりも低い領域）では中間層１４と記録層１５と
の交換結合力が弱く、中間層１４の磁化が再生磁界の方
向即ち上方向に揃う。そして、中間層１４と再生層１３
との交換結合力により再生層１３の磁化方向は下向きに
揃って記録層１５の磁化方向をマスクするはたらきをす
る（フロントマスク）。また、高温領域（略180 ℃より
高い領域）は中間層１４のキュリー温度を越えた領域で
あり、中間層１４と再生層１３との交換結合力が切れて
いる。これにより、再生層１３の磁化方向は再生磁界の
磁化方向の上向きに揃い、記録層１４の磁化方向をマス
クするはたらきをする（リアマスク）。低温領域と高温
領域との間の中間温度領域（略100 ℃〜略180 ℃の領
域）では、中間層１４を介して記録層１５と再生層１３
との交換結合力により、記録層１５の磁化方向が再生層
１３に転写されており、開口部を形成している。
【００３１】このようにフロントマスク及びリアマスク
のダブルマスクが形成されるので、磁気光学的出力を検
出した場合に、レーザスポットＳ内において温度が低い
領域と高い領域とがマスクとしてはたらき、これらの領
域では光磁気信号を読出すことはなく、中間の温度領域
だけで光磁気信号を読出すことができる。
のダブルマスクが形成されるので、磁気光学的出力を検
出した場合に、レーザスポットＳ内において温度が低い
領域と高い領域とがマスクとしてはたらき、これらの領
域では光磁気信号を読出すことはなく、中間の温度領域
だけで光磁気信号を読出すことができる。
【００３２】以上の如きＭＳＲ再生される光磁気ディス
ク１０の記録再生特性を調べた結果を以下に示す。な
お、再生に用いた測定器の半導体レーザ光の波長λは６
８５ｎｍであり、対物レンズの開口数ＮＡは0.55であ
る。また光磁気ディスク１０の周速は５ｍ／ｓである。
ク１０の記録再生特性を調べた結果を以下に示す。な
お、再生に用いた測定器の半導体レーザ光の波長λは６
８５ｎｍであり、対物レンズの開口数ＮＡは0.55であ
る。また光磁気ディスク１０の周速は５ｍ／ｓである。
【００３３】まず、消去用のレーザ光のパワーを８ｍＷ
とし、下向きで３００Ｏｅの消去磁界を光磁気ディスク
１０に印加して全面を消去した。記録用レーザ光のパワ
ーを8.4 ｍＷ、記録周波数を7.51ＭＨｚとし、上向きで
３００Ｏｅの記録磁界を印加しつつ、ｄｕｔｙ５０％で
光変調記録を行なった。この結果0.333 μｍの記録マー
クをランドに形成した。次に、再生用レーザ光をパワー
を異ならせて光磁気ディスク１０に照射し、各ＣＮＲを
測定してダブルマスク再生可能な再生パワーを求めた。
図３はこの結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲを示
し、横軸は再生パワーを示している。図３から、再生パ
ワー２．４ｍＷ以上のレーザ光の照射でダブルマスク方
式のＭＳＲ再生が可能であることが判った。
とし、下向きで３００Ｏｅの消去磁界を光磁気ディスク
１０に印加して全面を消去した。記録用レーザ光のパワ
ーを8.4 ｍＷ、記録周波数を7.51ＭＨｚとし、上向きで
３００Ｏｅの記録磁界を印加しつつ、ｄｕｔｙ５０％で
光変調記録を行なった。この結果0.333 μｍの記録マー
クをランドに形成した。次に、再生用レーザ光をパワー
を異ならせて光磁気ディスク１０に照射し、各ＣＮＲを
測定してダブルマスク再生可能な再生パワーを求めた。
図３はこの結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲを示
し、横軸は再生パワーを示している。図３から、再生パ
ワー２．４ｍＷ以上のレーザ光の照射でダブルマスク方
式のＭＳＲ再生が可能であることが判った。
【００３４】同様に、記録用レーザ光をパワーを異なら
せて光磁気ディスク１０に照射して情報を記録し、３ｍ
Ｗの再生用レーザ光を照射して各記録パワーの光磁気デ
ィスク１０のＣＮＲを測定し、最大再生信号品質の記録
パワー依存性を調べた。図４はこの結果を示すグラフで
あり、縦軸はＣＮＲを示し、横軸は記録パワーを示して
いる。図４から、記録パワー６．５ｍＷのレーザ光の照
射で最大ＣＮＲ47.4ｄＢが得られた。
せて光磁気ディスク１０に照射して情報を記録し、３ｍ
Ｗの再生用レーザ光を照射して各記録パワーの光磁気デ
ィスク１０のＣＮＲを測定し、最大再生信号品質の記録
パワー依存性を調べた。図４はこの結果を示すグラフで
あり、縦軸はＣＮＲを示し、横軸は記録パワーを示して
いる。図４から、記録パワー６．５ｍＷのレーザ光の照
射で最大ＣＮＲ47.4ｄＢが得られた。
【００３５】次に、光磁気ディスク１０の再生磁界依存
性及びクロストークについて調べた。上向き（記録方
向）の再生磁界及び下向きの再生磁界を異なる大きさで
印加した場合と再生磁界を印加しない場合とでＣＮＲ及
びクロストークを測定した。クロストークの測定方法
は、隣接する５トラックの記録マークを予め消去してお
き、中央のランドに記録マークを形成してそのキャリア
レベルを測定する。そして記録したランドの両サイドの
グルーブで同様にキャリアレベルを測定し、これらの平
均を求める。ランドのキャリアレベルとグルーブの平均
キャリアレベルとの差分がクロストークである。
性及びクロストークについて調べた。上向き（記録方
向）の再生磁界及び下向きの再生磁界を異なる大きさで
印加した場合と再生磁界を印加しない場合とでＣＮＲ及
びクロストークを測定した。クロストークの測定方法
は、隣接する５トラックの記録マークを予め消去してお
き、中央のランドに記録マークを形成してそのキャリア
レベルを測定する。そして記録したランドの両サイドの
グルーブで同様にキャリアレベルを測定し、これらの平
均を求める。ランドのキャリアレベルとグルーブの平均
キャリアレベルとの差分がクロストークである。
【００３６】図５はこの結果を示すグラフであり、縦軸
はＣＮＲ及びクロストークを示し、横軸は再生磁界を示
し、正方向が記録方向を負方向が消去方向を示してい
る。図５から明らかなように、再生磁界が上向きの場合
は従来の下向きの場合と同程度のＣＮＲが得られてお
り、クロストークについては再生磁界が上向きの本実施
の形態の方が従来よりも略２０ｄＢほど低い値が得られ
ている。これは、開口部の形状が印加される再生磁界の
方向によって異なるためであり、記録方向の再生磁界を
印加する方が、逆方向よりもトラック幅方向に狭い形状
であるために低いクロストークが得られたと考えられ
る。
はＣＮＲ及びクロストークを示し、横軸は再生磁界を示
し、正方向が記録方向を負方向が消去方向を示してい
る。図５から明らかなように、再生磁界が上向きの場合
は従来の下向きの場合と同程度のＣＮＲが得られてお
り、クロストークについては再生磁界が上向きの本実施
の形態の方が従来よりも略２０ｄＢほど低い値が得られ
ている。これは、開口部の形状が印加される再生磁界の
方向によって異なるためであり、記録方向の再生磁界を
印加する方が、逆方向よりもトラック幅方向に狭い形状
であるために低いクロストークが得られたと考えられ
る。
【００３７】実施の形態２．実施の形態２として、中間
層１４に用いる磁性層の組成を異ならせた光磁気ディス
ク１０を作成した。これらの光磁気ディスク１０に記録
周波数が7.51ＭＨｚ、ｄｕｔｙ５０％で光変調記録を行
い、これの再生時のＣＮＲとクロストークについて調べ
た。光磁気ディスク１０は、中間層１４の組成をＧｄx
（Ｆｅ100-yＣｏy ）100-x とした場合に、ｙ＝６の条
件でｘを夫々異ならせた組成のものと、ｘ＝３１の条件
でｙを夫々異ならせた組成のものとを作成した。なお、
再生層１３及び記録層１５の組成、製造手順等、中間層
１４の組成の他は上述した実施の形態１と同様であり、
その説明を省略する。
層１４に用いる磁性層の組成を異ならせた光磁気ディス
ク１０を作成した。これらの光磁気ディスク１０に記録
周波数が7.51ＭＨｚ、ｄｕｔｙ５０％で光変調記録を行
い、これの再生時のＣＮＲとクロストークについて調べ
た。光磁気ディスク１０は、中間層１４の組成をＧｄx
（Ｆｅ100-yＣｏy ）100-x とした場合に、ｙ＝６の条
件でｘを夫々異ならせた組成のものと、ｘ＝３１の条件
でｙを夫々異ならせた組成のものとを作成した。なお、
再生層１３及び記録層１５の組成、製造手順等、中間層
１４の組成の他は上述した実施の形態１と同様であり、
その説明を省略する。
【００３８】まず、中間層１４のＧｄx （Ｆｅ100-y Ｃ
ｏy ）100-x がｙ＝６の条件でｘを異ならせた組成であ
る光磁気ディスク１０について、４００Ｏｅの再生磁界
を上向き（記録方向）及び下向き（従来）に夫々印加し
た。図６はこのときの最大ＣＮＲとクロストークの測定
結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びクロストー
クを示し、横軸はｘ％を示している。図６から判るよう
に、再生磁界が上向きの場合の方が下向きよりもＣＮＲ
が若干高い。またクロストークも上向きの方が低い値が
測定されている。光磁気ディスクを実用化するために
は、ＣＮＲは４６ｄＢ以上、クロストークは−２３ｄＢ
以下が必要である。このことから、ｘが２６％〜３６％
の範囲内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れの場
合も十分な実用化レベルに達していることが判る。
ｏy ）100-x がｙ＝６の条件でｘを異ならせた組成であ
る光磁気ディスク１０について、４００Ｏｅの再生磁界
を上向き（記録方向）及び下向き（従来）に夫々印加し
た。図６はこのときの最大ＣＮＲとクロストークの測定
結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びクロストー
クを示し、横軸はｘ％を示している。図６から判るよう
に、再生磁界が上向きの場合の方が下向きよりもＣＮＲ
が若干高い。またクロストークも上向きの方が低い値が
測定されている。光磁気ディスクを実用化するために
は、ＣＮＲは４６ｄＢ以上、クロストークは−２３ｄＢ
以下が必要である。このことから、ｘが２６％〜３６％
の範囲内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れの場
合も十分な実用化レベルに達していることが判る。
【００３９】同様に、中間層１４のＧｄx （Ｆｅ100-y
Ｃｏy ）100-x がｘ＝３１の条件でｙを異ならせた組成
である光磁気ディスク１０について、４００Ｏｅの再生
磁界を上向き（記録方向）及び下向き（従来）に夫々印
加した。図７はこのときの最大ＣＮＲとクロストークの
測定結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びクロス
トークを示し、横軸はｘ％を示している。図７から判る
ように、再生磁界が上向きの場合の方が下向きよりもＣ
ＮＲが若干高い。またクロストークも上向きの方が低い
値が測定されている。光磁気ディスクを実用化するため
には、ｙが０〜１６％の範囲内であれば、再生磁界が上
向き，下向き何れの場合も十分な実用化レベルに達して
いることが判る。
Ｃｏy ）100-x がｘ＝３１の条件でｙを異ならせた組成
である光磁気ディスク１０について、４００Ｏｅの再生
磁界を上向き（記録方向）及び下向き（従来）に夫々印
加した。図７はこのときの最大ＣＮＲとクロストークの
測定結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びクロス
トークを示し、横軸はｘ％を示している。図７から判る
ように、再生磁界が上向きの場合の方が下向きよりもＣ
ＮＲが若干高い。またクロストークも上向きの方が低い
値が測定されている。光磁気ディスクを実用化するため
には、ｙが０〜１６％の範囲内であれば、再生磁界が上
向き，下向き何れの場合も十分な実用化レベルに達して
いることが判る。
【００４０】これらの結果から、光変調記録により記録
された情報を再生する際には、中間層１４の組成Ｇｄx
（Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x が、２６≦ｘ≦３６，０≦
ｙ≦１６を満たす場合に、記録方向又は消去方向の何れ
の方向の再生磁界を印加してもダブルマスク方式のＭＳ
Ｒ再生が可能であり、記録方向の再生磁界を印加した場
合には、ＣＮＲ及びクロストークに優れた再生特性を得
ることができる。なお、ｙ＝０の場合は、中間層の組成
はＧｄx Ｆｅ100-x である。
された情報を再生する際には、中間層１４の組成Ｇｄx
（Ｆｅ100-y Ｃｏy ）100-x が、２６≦ｘ≦３６，０≦
ｙ≦１６を満たす場合に、記録方向又は消去方向の何れ
の方向の再生磁界を印加してもダブルマスク方式のＭＳ
Ｒ再生が可能であり、記録方向の再生磁界を印加した場
合には、ＣＮＲ及びクロストークに優れた再生特性を得
ることができる。なお、ｙ＝０の場合は、中間層の組成
はＧｄx Ｆｅ100-x である。
【００４１】実施の形態３．上述した実施の形態２では
光変調記録を行なった光磁気ディスク１０に対して再生
特性を調べたが、実施の形態３では光磁気ディスク１０
に磁界変調記録を行い、同様にＣＮＲ及びクロストーク
を測定した。光磁気ディスク１０に11.0ｍＷの記録レー
ザ光を照射し、300 Ｏｅの記録磁界を印加してレーザパ
ルス磁界変調記録を行なった。記録に際して、磁界は浮
上ヘッドにより与え、記録周波数は3.75ＭＨｚとした。
レーザ光照射はパルス幅４０ｎｓのレーザパルス（周波
数7.51ＭＨｚ）により行い、光変調記録の場合と同様に
0.333 μｍの記録マークを形成した。なお、記録に先立
ち、磁界の方向を定義するために８ｍＷの消去用レーザ
光を照射して下向きの消去磁界を300 Ｏｅで印加し、デ
ィスク全域を消去した。
光変調記録を行なった光磁気ディスク１０に対して再生
特性を調べたが、実施の形態３では光磁気ディスク１０
に磁界変調記録を行い、同様にＣＮＲ及びクロストーク
を測定した。光磁気ディスク１０に11.0ｍＷの記録レー
ザ光を照射し、300 Ｏｅの記録磁界を印加してレーザパ
ルス磁界変調記録を行なった。記録に際して、磁界は浮
上ヘッドにより与え、記録周波数は3.75ＭＨｚとした。
レーザ光照射はパルス幅４０ｎｓのレーザパルス（周波
数7.51ＭＨｚ）により行い、光変調記録の場合と同様に
0.333 μｍの記録マークを形成した。なお、記録に先立
ち、磁界の方向を定義するために８ｍＷの消去用レーザ
光を照射して下向きの消去磁界を300 Ｏｅで印加し、デ
ィスク全域を消去した。
【００４２】中間層１４のＧｄx （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）
100-x がｙ＝６の条件でｘを異ならせた組成である光磁
気ディスク１０について、また、ｘ＝３１の条件でｙを
異ならせた組成である光磁気ディスク１０夫々につい
て、下向き（消去方向）及び上向き（消去方向の逆方
向）夫々の再生磁界を浮上ヘッドにより４５０Ｏｅで印
加した。図８及び図９は夫々の場合のＣＮＲ及びクロス
トークの結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びク
ロストークを示し、横軸はｘ％を示している。図８及び
図９から明らかなように、光変調記録（実施の形態２参
照）と比較してＣＮＲが高く、クロストークも高い値が
得られている。これは、磁界変調記録では、光変調記録
よりもトラック幅方向に大きい記録マークが形成される
ためと考えられる。
100-x がｙ＝６の条件でｘを異ならせた組成である光磁
気ディスク１０について、また、ｘ＝３１の条件でｙを
異ならせた組成である光磁気ディスク１０夫々につい
て、下向き（消去方向）及び上向き（消去方向の逆方
向）夫々の再生磁界を浮上ヘッドにより４５０Ｏｅで印
加した。図８及び図９は夫々の場合のＣＮＲ及びクロス
トークの結果を示すグラフであり、縦軸はＣＮＲ及びク
ロストークを示し、横軸はｘ％を示している。図８及び
図９から明らかなように、光変調記録（実施の形態２参
照）と比較してＣＮＲが高く、クロストークも高い値が
得られている。これは、磁界変調記録では、光変調記録
よりもトラック幅方向に大きい記録マークが形成される
ためと考えられる。
【００４３】また図８から、ｘが２６％〜３８％の範囲
内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れの場合も実
用化レベルの再生特性が得られ、図９から、ｙが０〜１
７％の範囲内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れ
の場合も実用化レベルの再生特性が得られることが判
る。これにより、磁界変調記録により記録された情報を
再生する際には、中間層１４の組成Ｇｄx （Ｆｅ100-y
Ｃｏy ）100-x が、２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１７を満
たす場合に、消去方向又はその逆方向の何れの方向の再
生磁界を印加してもダブルマスク方式のＭＳＲ再生が可
能であり、消去方向の逆方向の再生磁界を印加した場合
には、ＣＮＲ及びクロストークに優れた再生特性を得る
ことができる。
内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れの場合も実
用化レベルの再生特性が得られ、図９から、ｙが０〜１
７％の範囲内であれば、再生磁界が上向き，下向き何れ
の場合も実用化レベルの再生特性が得られることが判
る。これにより、磁界変調記録により記録された情報を
再生する際には、中間層１４の組成Ｇｄx （Ｆｅ100-y
Ｃｏy ）100-x が、２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１７を満
たす場合に、消去方向又はその逆方向の何れの方向の再
生磁界を印加してもダブルマスク方式のＭＳＲ再生が可
能であり、消去方向の逆方向の再生磁界を印加した場合
には、ＣＮＲ及びクロストークに優れた再生特性を得る
ことができる。
【００４４】実施の形態４．中間層１４の組成がＧｄ
31.0（Ｆｅ94.0 Ｃｏ6.0 ）69.0である、実施の形態１
と同様の光磁気ディスク１０を中間層１４の膜厚を異な
らせて作成し、大きさが異なる上向き（記録方向）の再
生磁界を印加して、夫々の光磁気ディスク１０の再生時
のクロストークが−４０ｄＢとなるときの再生磁界を求
めた。図１０から、再生磁界は膜厚が厚くなるに従っ
て、より小さな再生磁界で−４０ｄＢのクロストークが
得られ、膜厚が略５０ｎｍ以上になると再生磁界はこれ
以上低減しないことが言える。中間層１４の膜厚が薄く
なると大きな再生磁界が必要になるのは、中間層１４の
膜厚が薄くなることにより記録層１５との交換結合力が
高くなり、再生時に低温領域において中間層１４の磁化
が再生磁界に揃い難くなるためである。
31.0（Ｆｅ94.0 Ｃｏ6.0 ）69.0である、実施の形態１
と同様の光磁気ディスク１０を中間層１４の膜厚を異な
らせて作成し、大きさが異なる上向き（記録方向）の再
生磁界を印加して、夫々の光磁気ディスク１０の再生時
のクロストークが−４０ｄＢとなるときの再生磁界を求
めた。図１０から、再生磁界は膜厚が厚くなるに従っ
て、より小さな再生磁界で−４０ｄＢのクロストークが
得られ、膜厚が略５０ｎｍ以上になると再生磁界はこれ
以上低減しないことが言える。中間層１４の膜厚が薄く
なると大きな再生磁界が必要になるのは、中間層１４の
膜厚が薄くなることにより記録層１５との交換結合力が
高くなり、再生時に低温領域において中間層１４の磁化
が再生磁界に揃い難くなるためである。
【００４５】再生磁界の実用化レベルは５００Ｏｅ以下
である。これにより、中間層１４の膜厚は１５ｎｍ以上
を有することが好ましいと言える。また、光磁気ディス
クとしての厚みの実用的限界から、中間層１４の最大膜
厚は略６０ｎｍである。
である。これにより、中間層１４の膜厚は１５ｎｍ以上
を有することが好ましいと言える。また、光磁気ディス
クとしての厚みの実用的限界から、中間層１４の最大膜
厚は略６０ｎｍである。
【００４６】
【発明の効果】以上のように本発明においては、第２磁
性層の組成を特定することにより、消去方向又はその逆
方向である記録方向の何れの方向の再生磁界を印加して
もダブルマスク方式のＭＳＲ再生が可能であり、記録方
向の再生磁界を印加してＭＳＲ再生した場合にはさらに
高い分解能が得られ、クロストークが低減でき、その結
果、狭トラック化が可能である等、本発明は優れた効果
を奏する。
性層の組成を特定することにより、消去方向又はその逆
方向である記録方向の何れの方向の再生磁界を印加して
もダブルマスク方式のＭＳＲ再生が可能であり、記録方
向の再生磁界を印加してＭＳＲ再生した場合にはさらに
高い分解能が得られ、クロストークが低減でき、その結
果、狭トラック化が可能である等、本発明は優れた効果
を奏する。
【図１】本発明の光磁気ディスクの再生時の磁化状態を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の光磁気ディスクの膜構成図である。
【図３】本発明の光磁気ディスクの再生特性と再生用レ
ーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。
ーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。
【図４】本発明の光磁気ディスクの再生特性と記録用レ
ーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。
ーザ光のパワーとの関係を示すグラフである。
【図５】本発明の光磁気ディスクの再生特性と再生磁界
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の光磁気ディスク（光変調記録）の中間
層のｘに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を示
すグラフである。
層のｘに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を示
すグラフである。
【図７】本発明の光磁気ディスク（光変調記録）の中間
層のｙに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を示
すグラフである。
層のｙに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を示
すグラフである。
【図８】本発明の光磁気ディスク（磁界変調記録）の中
間層のｘに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を
示すグラフである。
間層のｘに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を
示すグラフである。
【図９】本発明の光磁気ディスク（磁界変調記録）の中
間層のｙに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を
示すグラフである。
間層のｙに対する再生特性と再生磁界の方向との関係を
示すグラフである。
【図１０】本発明の光磁気ディスクの中間層の膜厚に対
する再生磁界依存性を示すグラフである。
する再生磁界依存性を示すグラフである。
【図１１】従来の光磁気ディスクの膜構成と再生時の磁
化状態とを示す図である。
化状態とを示す図である。
【図１２】従来の光磁気ディスクの消去時の磁化状態を
示す図である。
示す図である。
【図１３】従来の光磁気ディスクの記録時の磁化状態を
示す図である。
示す図である。
１０ 光磁気ディスク １１ 基板 １２ 下地層 １３ 再生層 １４ 中間層 １５ 記録層 １６ 保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも、ＧｄＦｅＣｏから
なる第１磁性層、ＧｄＦｅＣｏからなる希土類磁化優勢
の第２磁性層、ＴｂＦｅＣｏからなる第３磁性層をこの
順に積層しており、前記第１磁性層及び第３磁性層は積
層方向の磁化容易特性を有し、前記第２磁性層は室温で
面内方向の磁化容易特性を有する光磁気記録媒体におい
て、 前記第２磁性層の組成は、Ｇｄx （Ｆｅ100-y Ｃｏy ）
100-x のｘ及びｙが、夫々、 ２６≦ｘ≦３８，０≦ｙ≦１７， を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記第２磁性層は、１５ｎｍ以上の膜厚
を有する請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁
性層及び第３磁性層が積層されており、予め前記第３磁
性層の磁化方向を第１方向に揃え、ビーム光の強度を変
調させて照射することにより磁化方向が第１方向から第
２方向に反転した領域と前記第１方向を維持した領域と
を前記第３磁性層に形成することにより情報を記録した
請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体に、該光磁気記
録媒体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、少なく
とも該ビーム光の照射領域に磁界を印加して前記情報を
読出す再生方法において、 前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光
を照射し、少なくとも該ビーム光の照射領域に前記第２
方向の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体
の再生方法。 - 【請求項４】 基板上に少なくとも第１磁性層、第２磁
性層及び第３磁性層が積層されており、予め前記第３磁
性層の磁化方向を第１方向に揃え、磁界の方向を変調さ
せて印加することにより磁化方向が第１方向から第２方
向に反転した領域と前記第１方向を維持した領域とを前
記第３磁性層に形成することにより情報を記録した請求
項１又は２に記載の光磁気記録媒体に、該光磁気記録媒
体との相対移動を伴ってビーム光を照射し、少なくとも
該ビーム光の照射領域に磁界を印加して前記情報を読出
す再生方法において、 前記情報を読出す際に、前記光磁気記録媒体にビーム光
を照射し、少なくとも該ビーム光の照射領域に前記第２
方向の磁界を印加することを特徴とする光磁気記録媒体
の再生方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284108A JPH10134429A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| US08/815,056 US5754500A (en) | 1996-10-25 | 1997-03-11 | Magneto-optical recording medium and method of reading the same |
| US09/041,200 US5966350A (en) | 1996-10-25 | 1998-03-12 | Magneto-optical recording medium and method of reading the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284108A JPH10134429A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10134429A true JPH10134429A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17674308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8284108A Pending JPH10134429A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5754500A (ja) |
| JP (1) | JPH10134429A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20000017120A (ko) * | 1998-08-07 | 2000-03-25 | 이데이 노부유끼 | 광-자기 기록 매체 및 광-자기 기록/재생 장치 |
| WO2002035540A1 (fr) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Fujitsu Limited | Support d'enregistrement magneto-optique, procede de reproduction et dispositif correspondant |
| US6630252B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-10-07 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium comprising four magnetic layers |
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| JPH10269627A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Toshiba Corp | 光記録媒体および超解像再生方法 |
| US6403203B2 (en) | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| JPH10340495A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Tdk Corp | 光磁気記録媒体の記録再生方法および光磁気記録媒体駆動装置 |
| JP3615021B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2005-01-26 | 富士通株式会社 | 光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法 |
| US6118736A (en) * | 1997-09-25 | 2000-09-12 | Tosoh Corporation | Magneto-optical recording medium having a reading layer in which transferred recording marks are extended |
| JP2000200448A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法 |
| US6677105B2 (en) * | 2000-05-12 | 2004-01-13 | Toda Kogyo Corporation | Self-lubricating layer for data storage devices |
| JP2002245693A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2002304786A (ja) | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び記憶装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414041A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Hitachi Ltd | Printing control apparatus |
| JP2805746B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体の信号再生方法 |
| US5163031A (en) * | 1988-12-07 | 1992-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of recording tetra-value signal on magneto-optical recording medium with plural magnetic layers |
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| JPH0393056A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-18 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0395745A (ja) * | 1989-09-06 | 1991-04-22 | Canon Inc | 光磁気記録方法及び記録装置 |
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-
1996
- 1996-10-25 JP JP8284108A patent/JPH10134429A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-11 US US08/815,056 patent/US5754500A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-12 US US09/041,200 patent/US5966350A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5754500A (en) | 1998-05-19 |
| US5966350A (en) | 1999-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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