JPH0542062B2 - - Google Patents
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- JPH0542062B2 JPH0542062B2 JP61191202A JP19120286A JPH0542062B2 JP H0542062 B2 JPH0542062 B2 JP H0542062B2 JP 61191202 A JP61191202 A JP 61191202A JP 19120286 A JP19120286 A JP 19120286A JP H0542062 B2 JPH0542062 B2 JP H0542062B2
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気カー効果を利用して読出しがで
きるキユリー点書込みタイプの新規な光磁気記録
媒体、及びこれを使用した重ね書き可能な光磁気
記録方法に関する。
きるキユリー点書込みタイプの新規な光磁気記録
媒体、及びこれを使用した重ね書き可能な光磁気
記録方法に関する。
消去可能な光デイスクメモリとして光磁気デイ
スクが知られている。光磁気デイスクは、従来の
磁気ヘツドを使つた磁気記録媒体と比べて高密度
記録、非接触での記録再生などが可能であるとい
う長所がある反面、記録前に一度記録部分を消去
しなければならない（一方向に着磁しなければな
らない）という欠点があつた。この欠点を補う為
に、記録再生用ヘツドと消去用ヘツドを別々に設
ける方法、あるいは、レーザーの連続ビームを照
射しながら、同時に印加する磁場を変調しつつ記
録する方法などが提案されている。
スクが知られている。光磁気デイスクは、従来の
磁気ヘツドを使つた磁気記録媒体と比べて高密度
記録、非接触での記録再生などが可能であるとい
う長所がある反面、記録前に一度記録部分を消去
しなければならない（一方向に着磁しなければな
らない）という欠点があつた。この欠点を補う為
に、記録再生用ヘツドと消去用ヘツドを別々に設
ける方法、あるいは、レーザーの連続ビームを照
射しながら、同時に印加する磁場を変調しつつ記
録する方法などが提案されている。
しかし、これらの方法は、装置が大がかりとな
り、コスト高になる欠点あるいは高速の変調が出
来ないなどの欠点を有する。
り、コスト高になる欠点あるいは高速の変調が出
来ないなどの欠点を有する。
本発明は上述従来例の欠点を除去するためにな
されたものであり、新規な光磁気記録媒体と、こ
れを利用することによつて、従来の装置構成に簡
易な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気
記録媒体と同様に重ね書き（オーバーライト）を
可能とした、光磁気記録方法とを提供することを
目的とする。
されたものであり、新規な光磁気記録媒体と、こ
れを利用することによつて、従来の装置構成に簡
易な構造の磁界発生手段を付設するだけで、磁気
記録媒体と同様に重ね書き（オーバーライト）を
可能とした、光磁気記録方法とを提供することを
目的とする。
上記の目的は以下の本発明によつて達成でき
る。即ち、高いキユリー点（TH1）と低い保磁力
（HL1）を有する第１磁性層と、この第１磁性層
に比べて相対的に低いキユリー点（TL2）と高い
保磁力（HH2）を有する第２磁性層と、この第２
磁性層に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）
と低い保磁力（HL3）を有する第３磁性層からな
る三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有
して成る光磁気記録媒体であつて、第１磁性層と
第２磁性層の磁壁エネルギーをσw12、第２磁性
層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσw23とし、
第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順
にh1，h2，h3とし、これらの層 の飽和磁化の大
きさを順にMs1，Ms2，Ms3とすると、上記３つ
の磁性層が σw12／2Ms1h1 ＞ HL1 σw23／2Ms3h3 ＜ HL3 なる式を満たすように結合している光磁気記録媒
体と、これを使用して、次の二値の記録を行なう
ことを特徴とする記録方法である。
る。即ち、高いキユリー点（TH1）と低い保磁力
（HL1）を有する第１磁性層と、この第１磁性層
に比べて相対的に低いキユリー点（TL2）と高い
保磁力（HH2）を有する第２磁性層と、この第２
磁性層に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）
と低い保磁力（HL3）を有する第３磁性層からな
る三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有
して成る光磁気記録媒体であつて、第１磁性層と
第２磁性層の磁壁エネルギーをσw12、第２磁性
層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσw23とし、
第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順
にh1，h2，h3とし、これらの層 の飽和磁化の大
きさを順にMs1，Ms2，Ms3とすると、上記３つ
の磁性層が σw12／2Ms1h1 ＞ HL1 σw23／2Ms3h3 ＜ HL3 なる式を満たすように結合している光磁気記録媒
体と、これを使用して、次の二値の記録を行なう
ことを特徴とする記録方法である。
(a) 該媒体に対して、記録用ヘツドと異なる場所
で、保磁力HL3の第３磁性層を一方向に磁化さ
せるのに充分で保磁力HH2の第２磁性層の磁化
の向きを反転させることのない大きさの磁界Ｂ
を加え、 (b) 次に、記録ヘツドにより、バイアス磁界を印
加すると同時に低いキユリー点（TL2）付近
［TL2に近い温度で第１、第２磁性層の磁化の
向きを均一に第３磁性層の磁化の方向に対して
安定な方向に配列可能な温度］まで該媒体が昇
温するだけのレーザーパワーを照射することに
より、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま
第１磁性層と第２磁性層の磁化の向きを第３磁
性層に対して安定な向きにそろえる第１種の予
備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
いキユリー点（TH3）付近［TH3に近い温度で
第３磁性層の磁化の向きを均一に反転可能な温
度］まで該媒体が昇温するだけのレーザーパワ
ーを照射することにより、第３磁性層の磁化の
向きを反転させ、同時に第１磁性層と第２磁性
層とを共に第３磁性層に対して安定な向きに磁
化する第２種の予備記録かを、信号に応じて実
施し、(c)次に、該媒体を運動させて、予備記録
されたビツトを前記磁界Ｂを通過させることに
より、第１種の予備記録により形成されたビツ
トについては、第１磁性層、第２磁性層、第３
磁性層全て磁化の向きをそのまま変化させず、 第２種の予備記録により形成されたビツトにつ
いては、第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと
同方向に反転させ、第１磁性層と第２磁性層の磁
化の向きはそのまま変化させないとする、二値の
記録。
で、保磁力HL3の第３磁性層を一方向に磁化さ
せるのに充分で保磁力HH2の第２磁性層の磁化
の向きを反転させることのない大きさの磁界Ｂ
を加え、 (b) 次に、記録ヘツドにより、バイアス磁界を印
加すると同時に低いキユリー点（TL2）付近
［TL2に近い温度で第１、第２磁性層の磁化の
向きを均一に第３磁性層の磁化の方向に対して
安定な方向に配列可能な温度］まで該媒体が昇
温するだけのレーザーパワーを照射することに
より、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま
第１磁性層と第２磁性層の磁化の向きを第３磁
性層に対して安定な向きにそろえる第１種の予
備記録か、バイアス磁界を印加すると同時に高
いキユリー点（TH3）付近［TH3に近い温度で
第３磁性層の磁化の向きを均一に反転可能な温
度］まで該媒体が昇温するだけのレーザーパワ
ーを照射することにより、第３磁性層の磁化の
向きを反転させ、同時に第１磁性層と第２磁性
層とを共に第３磁性層に対して安定な向きに磁
化する第２種の予備記録かを、信号に応じて実
施し、(c)次に、該媒体を運動させて、予備記録
されたビツトを前記磁界Ｂを通過させることに
より、第１種の予備記録により形成されたビツ
トについては、第１磁性層、第２磁性層、第３
磁性層全て磁化の向きをそのまま変化させず、 第２種の予備記録により形成されたビツトにつ
いては、第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと
同方向に反転させ、第１磁性層と第２磁性層の磁
化の向きはそのまま変化させないとする、二値の
記録。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図ａ，ｂは各々本発明に用いる光磁気記録
媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図
ａの光磁気記録媒体は、プリグループが設けられ
た透光性の基板Ｂ上に、第１の磁性層１と第２の
磁性層と第３の磁性層３とが積層されたものであ
る。第１磁性層１は高いキユリー点（TH1）と低
い保磁力（HL1）を有し、第２磁性層２は低いキ
ユリー点（TL2）と高い保磁力（HH2）を有し、
第３磁性層３は、高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する。ここで「高い」、「低
い」とは第１・第３磁性層と第２磁性層とを比較
した場合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温
における比較）。
媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図
ａの光磁気記録媒体は、プリグループが設けられ
た透光性の基板Ｂ上に、第１の磁性層１と第２の
磁性層と第３の磁性層３とが積層されたものであ
る。第１磁性層１は高いキユリー点（TH1）と低
い保磁力（HL1）を有し、第２磁性層２は低いキ
ユリー点（TL2）と高い保磁力（HH2）を有し、
第３磁性層３は、高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する。ここで「高い」、「低
い」とは第１・第３磁性層と第２磁性層とを比較
した場合の相対的な関係を表わす（保磁力は室温
における比較）。
第１磁性層と第３磁性層の間で特にキユリー
点、保磁力の関係は限定されないが、好ましくは
TH1≧TH3、HL1≦HL3である。
点、保磁力の関係は限定されないが、好ましくは
TH1≧TH3、HL1≦HL3である。
ただし、通常は第１磁性層１のTH1は150〜400
℃、HL1は0.1〜1KOe、第２磁性層２のTL2は70
〜200℃、HH2は２〜10KOe、第３磁性層３のTH3
は100〜250℃、HL3は0.5〜4KOe程度の範囲内に
するとよい。
℃、HL1は0.1〜1KOe、第２磁性層２のTL2は70
〜200℃、HH2は２〜10KOe、第３磁性層３のTH3
は100〜250℃、HL3は0.5〜4KOe程度の範囲内に
するとよい。
本発明の光磁気記録媒体の、隣接する磁性層は
交換力で結合しており第１磁性層１と第２磁性層
２は相対的に強く結合しており、第２磁性層２と
第３磁性層３は相対的に弱く結合している。
交換力で結合しており第１磁性層１と第２磁性層
２は相対的に強く結合しており、第２磁性層２と
第３磁性層３は相対的に弱く結合している。
本発明の光磁気記録媒体では、第１磁性層１と
第２磁性層２の磁壁エネルギーをσw12、第２磁
性層２と第３磁性層３の磁壁エネルギーをσw23
とし、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性層
３の膜厚を順にh1，h2，h3とし、これらの層の飽
和磁化の大きさを順にMs1，Ms2，Ms3とすると、
上記３つの磁性層が次の式を満たすように結合し
ている。
第２磁性層２の磁壁エネルギーをσw12、第２磁
性層２と第３磁性層３の磁壁エネルギーをσw23
とし、第１磁性層１、第２磁性層２、第３磁性層
３の膜厚を順にh1，h2，h3とし、これらの層の飽
和磁化の大きさを順にMs1，Ms2，Ms3とすると、
上記３つの磁性層が次の式を満たすように結合し
ている。
σw12／2Ms1h1 ＞ HL1
σw23／2Ms3h3 ＜ HL3
この理由については後述する。
３つの磁性層１，２，３は、最終的に記録され
た２種のビツトの磁化状態（第２図ｆに示す状
態）が安定に存在出来る様に、即ち上記の関係式
を満たすように各層の膜厚、保磁力、飽和磁化の
大きさ、磁壁エネルギーなどを設定すればよい。
た２種のビツトの磁化状態（第２図ｆに示す状
態）が安定に存在出来る様に、即ち上記の関係式
を満たすように各層の膜厚、保磁力、飽和磁化の
大きさ、磁壁エネルギーなどを設定すればよい。
各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示し且
つ磁気光学効果を呈するものが利用できるが、
GdCo，GdFe，TbFe，DyFe，GdTbFe，
TbDyFe，GdFeCo，TbFeCo，GdTbCo等の希
土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金が好
ましい。
つ磁気光学効果を呈するものが利用できるが、
GdCo，GdFe，TbFe，DyFe，GdTbFe，
TbDyFe，GdFeCo，TbFeCo，GdTbCo等の希
土類元素と遷移金属元素との非晶質磁性合金が好
ましい。
本発明の光磁気記録媒体の他の例である第１図
ｂにおいて、４，５は３つの磁性層１，２，３の
耐久性を向上させるためのあるいは光磁気効果を
向上させるための保護膜である。
ｂにおいて、４，５は３つの磁性層１，２，３の
耐久性を向上させるためのあるいは光磁気効果を
向上させるための保護膜である。
６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための
接着層である。貼り合わせ用基板７にも、２から
６までの層を積層し、これを接着すれば表裏で記
録・再生が可能となる。
接着層である。貼り合わせ用基板７にも、２から
６までの層を積層し、これを接着すれば表裏で記
録・再生が可能となる。
以下、第２図〜第４図を用いて本発明の記録の
過程を示す．記録前、磁性層１，２の磁化の向き
と磁性層３の磁化の向きとは、平行で安定状態で
あつても良いし、反平行で安定状態であつても良
い。
過程を示す．記録前、磁性層１，２の磁化の向き
と磁性層３の磁化の向きとは、平行で安定状態で
あつても良いし、反平行で安定状態であつても良
い。
第３図の３５は、上述したような構成を有する
光磁気デイスクである。例えば、この磁性層のあ
る一部の磁化状態が初め第２図ａのようになつて
いたとする。即ち、第２図では、記録前、第１、
第２磁性層と第３磁性層と磁化の向きが平行なと
きに安定である場合について説明する。光磁気デ
イスク３５はスピンドルモータにより回転して、
磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生
部３４の磁界の大きさを第２磁性層２と第３磁性
層３の保磁力の間の値に設定すると（磁界の向き
は本実施例では上向き）、第２図ｂに示す様に第
３磁性層３は一様な方向に磁化され、一方、第２
磁性層２の磁化は初めのままである。また、第２
磁性層と強く結合している第１磁性層１の磁化も
初めのままである。
光磁気デイスクである。例えば、この磁性層のあ
る一部の磁化状態が初め第２図ａのようになつて
いたとする。即ち、第２図では、記録前、第１、
第２磁性層と第３磁性層と磁化の向きが平行なと
きに安定である場合について説明する。光磁気デ
イスク３５はスピンドルモータにより回転して、
磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生
部３４の磁界の大きさを第２磁性層２と第３磁性
層３の保磁力の間の値に設定すると（磁界の向き
は本実施例では上向き）、第２図ｂに示す様に第
３磁性層３は一様な方向に磁化され、一方、第２
磁性層２の磁化は初めのままである。また、第２
磁性層と強く結合している第１磁性層１の磁化も
初めのままである。
次に光磁気デイスク３５が回転して記録・再生
ヘツド３１を通過するときに、２種（第１種と第
２種）のレーザーパワー値を持つレーザービーム
を、記録信号発生器３２からの信号に従つて、そ
のどちらかのパワーでもつて、デイスク面に照射
する。第１種のレーザーパワーは該デイスクを第
２磁性層２のキユリー点付近まで昇温するだけの
パワーであり、第２種のレーザーパワーは該デイ
スクを第３磁性層３のキユリー点付近まで昇温可
能なパワーである。即ち、両磁性層２，３の保磁
力と温度との関係の概略を示した第４図におい
て、第１種のレーザーパワーはTL2付近、第２種
のレーザーパワーはTH3付近までデイスクの温度
を上昇できる。
ヘツド３１を通過するときに、２種（第１種と第
２種）のレーザーパワー値を持つレーザービーム
を、記録信号発生器３２からの信号に従つて、そ
のどちらかのパワーでもつて、デイスク面に照射
する。第１種のレーザーパワーは該デイスクを第
２磁性層２のキユリー点付近まで昇温するだけの
パワーであり、第２種のレーザーパワーは該デイ
スクを第３磁性層３のキユリー点付近まで昇温可
能なパワーである。即ち、両磁性層２，３の保磁
力と温度との関係の概略を示した第４図におい
て、第１種のレーザーパワーはTL2付近、第２種
のレーザーパワーはTH3付近までデイスクの温度
を上昇できる。
第１種のレーザーパワーにより第２磁性層２と
第３磁性層３とは、第２磁性層２のキユリー点付
近まで昇温するが、第３磁性層３はこの温度でビ
ツトが安定に存在する保磁力を有しているのでバ
イアス磁界を適正に設定しておくことにより、第
２図ｂに示すどちらの磁化状態からも、第２図ｃ
の様な記録ビツトが形成される（第１種の予備記
録）。なお、第１磁性層１も、第２磁性層２との
交換結合により図のような磁化状態となるのであ
る。
第３磁性層３とは、第２磁性層２のキユリー点付
近まで昇温するが、第３磁性層３はこの温度でビ
ツトが安定に存在する保磁力を有しているのでバ
イアス磁界を適正に設定しておくことにより、第
２図ｂに示すどちらの磁化状態からも、第２図ｃ
の様な記録ビツトが形成される（第１種の予備記
録）。なお、第１磁性層１も、第２磁性層２との
交換結合により図のような磁化状態となるのであ
る。
ここで、バイアス磁界を適正に設定するとは、
次のような意味である。
次のような意味である。
第１種の予備記録では第３磁性層３の磁化の向
きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）
第２磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受
けるので、本来はバイアス磁界は必要でない。し
かし、バイアス磁界は後述する第２種のレーザー
パワーの予備記録では第３磁性層３の磁化反転を
補助する向きに設定される。また、このバイアス
磁界は、第１種、第２種どちらのレーザーパワー
の予備記録でも、大きさ、方向を同じ状態に設定
しておくことが好ましい。かかる観点からバイア
ス磁界の設定は次記に示す原理により第２種のレ
ーザーパワーの予備記録に必要な最小限の大きさ
に設定しておくことが好ましい。
きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）
第２磁性層２の磁化が配列する力（交換力）を受
けるので、本来はバイアス磁界は必要でない。し
かし、バイアス磁界は後述する第２種のレーザー
パワーの予備記録では第３磁性層３の磁化反転を
補助する向きに設定される。また、このバイアス
磁界は、第１種、第２種どちらのレーザーパワー
の予備記録でも、大きさ、方向を同じ状態に設定
しておくことが好ましい。かかる観点からバイア
ス磁界の設定は次記に示す原理により第２種のレ
ーザーパワーの予備記録に必要な最小限の大きさ
に設定しておくことが好ましい。
一方、第２種のレーザーパワーにより、第３磁
性層３のキユリー点近くまでデイスクを昇温させ
る（第２種の予備記録）と、上記のバイアス磁界
により第３磁性層３の磁化の向きが反転する。続
いて第２磁性層２と第１磁性層１の磁化も第３磁
性層３に対して安定な向きに（ここでは同じ方向
に）配列する。即ち、第２図ｂのどちらの磁化状
態からも第２図ｄのような記録ビツトが形成され
る。
性層３のキユリー点近くまでデイスクを昇温させ
る（第２種の予備記録）と、上記のバイアス磁界
により第３磁性層３の磁化の向きが反転する。続
いて第２磁性層２と第１磁性層１の磁化も第３磁
性層３に対して安定な向きに（ここでは同じ方向
に）配列する。即ち、第２図ｂのどちらの磁化状
態からも第２図ｄのような記録ビツトが形成され
る。
このように、バイアス磁界と、信号に応じて変
わる第１種及び第２種のレーザーパワーとによつ
て、光磁気デイスクの各箇所は第２図ｃかｄの状
態に記録されることになる。
わる第１種及び第２種のレーザーパワーとによつ
て、光磁気デイスクの各箇所は第２図ｃかｄの状
態に記録されることになる。
次に光磁気デイスク３５を回転させ、記録ビツ
トｃ，ｄが磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４は前述したように第２磁性層２と第
３磁性層３の間に設定されているので、記録ビツ
トｃは、変化が起こらずにｅの状態である。一
方、記録ビツトｄは第３磁性層３が磁化反転を起
こしてｆの状態になる。
トｃ，ｄが磁界発生部３４を再び通過すると、磁
界発生部３４は前述したように第２磁性層２と第
３磁性層３の間に設定されているので、記録ビツ
トｃは、変化が起こらずにｅの状態である。一
方、記録ビツトｄは第３磁性層３が磁化反転を起
こしてｆの状態になる。
ｆの記録ビツトの状態が安定に存在する為に
は、前記したように σw12／2Ms1h1 ＞ HL1 σw23／2Ms3h3 ＜ HL3 となつていることが必要である。これは次ような
理由による。
は、前記したように σw12／2Ms1h1 ＞ HL1 σw23／2Ms3h3 ＜ HL3 となつていることが必要である。これは次ような
理由による。
σw12／2Ms1h1は第１磁性層に働く交換力の強
さを示す。つまりσw12／2Ms1h1の大きさの磁界
で第１磁性層の磁化の向きを、第２磁性層の磁化
の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方
向に）向けようとする。そこで第１磁性層の磁化
が常に第２磁性層の向きに対して安定な方向（こ
の場合は同じ方向に）に向いている為には、第１
磁性層の保磁力HL1が、この交換力より小さけれ
ばよい。つまりσw12／2Ms1h1＞HL1であればよ
い。
さを示す。つまりσw12／2Ms1h1の大きさの磁界
で第１磁性層の磁化の向きを、第２磁性層の磁化
の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ方
向に）向けようとする。そこで第１磁性層の磁化
が常に第２磁性層の向きに対して安定な方向（こ
の場合は同じ方向に）に向いている為には、第１
磁性層の保磁力HL1が、この交換力より小さけれ
ばよい。つまりσw12／2Ms1h1＞HL1であればよ
い。
またσw23／2Ms3h3は第３磁性層に働く交換力
の強さを示す。つまりσw23／2Ms3h3の大きさの
磁界で第３磁性層の磁化の向きを第２磁性層の磁
化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ
方向へ）向けようとする。そこで第３磁性層がこ
の磁界に対して磁化が反転しない為には（第２図
ｆ）の記録ビツトが安定に存在する為には）、第
３磁性層の保磁力をHL3としてσw23／2Ms3h3＜
HL3であればよい。
の強さを示す。つまりσw23／2Ms3h3の大きさの
磁界で第３磁性層の磁化の向きを第２磁性層の磁
化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同じ
方向へ）向けようとする。そこで第３磁性層がこ
の磁界に対して磁化が反転しない為には（第２図
ｆ）の記録ビツトが安定に存在する為には）、第
３磁性層の保磁力をHL3としてσw23／2Ms3h3＜
HL3であればよい。
なお、第２磁性層２と第３磁性層３は記録時に
交換力による有効なバイアス磁界が働くように、
交換結合をしていることが必要であるが、あまり
強い結合をしていると上式を満たせない、即ち、
ｆの記録状態のビツトが安定に存在できない。そ
こで、本発明の光磁気記録媒体を作成する際、第
３磁性層３の保磁力を磁界発生部での磁界よりも
小さい範囲で比較的大きな値に設定し、交換結合
が大きな場合には、第３磁性層３の組成を最適化
するか、あるいは第２磁性層２と第３磁性層３の
間に数〜数千Åの中間層を設けること（これは第
２磁性層２をスパツタで設けた後に第２磁性層２
の構成材料と反応しやすいガス分子、プラズマに
さらすか、あるいはターゲツトより誘電体をスパ
ツタして誘電体層を設けることにより達成でき
る）により交換結合の大きさを最適化できる。
交換力による有効なバイアス磁界が働くように、
交換結合をしていることが必要であるが、あまり
強い結合をしていると上式を満たせない、即ち、
ｆの記録状態のビツトが安定に存在できない。そ
こで、本発明の光磁気記録媒体を作成する際、第
３磁性層３の保磁力を磁界発生部での磁界よりも
小さい範囲で比較的大きな値に設定し、交換結合
が大きな場合には、第３磁性層３の組成を最適化
するか、あるいは第２磁性層２と第３磁性層３の
間に数〜数千Åの中間層を設けること（これは第
２磁性層２をスパツタで設けた後に第２磁性層２
の構成材料と反応しやすいガス分子、プラズマに
さらすか、あるいはターゲツトより誘電体をスパ
ツタして誘電体層を設けることにより達成でき
る）により交換結合の大きさを最適化できる。
本発明の記録方法では、記録ビツトの状態ｅと
ｆは、記録時のレーザーパワーで制御され、記録
前の状態には依存しないので、重ね書き（オーバ
ーライト）が可能である。記録ビツトｅとｆは、
再生用のレーザービームを照射し、再生光を記録
信号発生器３３で処理することにより、再生でき
る。再生信号の大きさ（変調度）は主として第１
磁性層の光磁気効果に依存する。このことと、本
発明の記録方法において使用される３つの磁性層
を有する媒体の、再生光が入射する第１磁性層１
にはキユリー温度の高い材料（即ち、光磁気効果
の大きな材料）を使用できることから、本発明で
は再生信号の大きい（変調度の大きい）記録が可
能となる。
ｆは、記録時のレーザーパワーで制御され、記録
前の状態には依存しないので、重ね書き（オーバ
ーライト）が可能である。記録ビツトｅとｆは、
再生用のレーザービームを照射し、再生光を記録
信号発生器３３で処理することにより、再生でき
る。再生信号の大きさ（変調度）は主として第１
磁性層の光磁気効果に依存する。このことと、本
発明の記録方法において使用される３つの磁性層
を有する媒体の、再生光が入射する第１磁性層１
にはキユリー温度の高い材料（即ち、光磁気効果
の大きな材料）を使用できることから、本発明で
は再生信号の大きい（変調度の大きい）記録が可
能となる。
第２図の説明では第１磁性層１・第２磁性層２
と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安
定な例を示したが、これらの磁化の向きが反平行
のときに安定な磁性層についても同様に考えられ
る。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を
第２図に対応させて示しておく。
と第３磁性層３との磁化の向きが平行なときに安
定な例を示したが、これらの磁化の向きが反平行
のときに安定な磁性層についても同様に考えられ
る。第５図に、この場合の記録過程の磁化状態を
第２図に対応させて示しておく。
４元のターゲツト源を備えたスパツタ装置内
に、プリグループ、プリフオーマツト信号の刻ま
れたポリカーボネート製のデイスク状基板を、タ
ーゲツトとの間の距離10cmの間隔にセツトし、回
転させた。
に、プリグループ、プリフオーマツト信号の刻ま
れたポリカーボネート製のデイスク状基板を、タ
ーゲツトとの間の距離10cmの間隔にセツトし、回
転させた。
アルゴン中で、第１のターゲツトより、スパツ
タ速度100Å／〓、スパツタ圧５×10-3Torrで
ZnSを保護層として800Åの厚さに設けた。
タ速度100Å／〓、スパツタ圧５×10-3Torrで
ZnSを保護層として800Åの厚さに設けた。
次にアルゴン中で、第２のターゲツトよりスパ
ツタ速度100Å／〓、スパツタ圧５×10-3Torrで
GdFeCo合金をスパツタし、膜厚400Å、TH1＝約
350℃のGdFeCoの第１磁性層を形成した。この
第１磁性層自身のHL1は約500 Oe以下であり、副
格子磁化は遷移金属の方が大きかつた。
ツタ速度100Å／〓、スパツタ圧５×10-3Torrで
GdFeCo合金をスパツタし、膜厚400Å、TH1＝約
350℃のGdFeCoの第１磁性層を形成した。この
第１磁性層自身のHL1は約500 Oe以下であり、副
格子磁化は遷移金属の方が大きかつた。
次に同様な条件で、第３のターゲツトより
TbFe合金をスパツタし、膜厚400Å、TL2＝約
140℃のTbFeの第２磁性層を形成した。この第
２磁性層自身のHH2は約5000 Oe以上であり、副
格子磁化は遷移金属の方が大きかつた。
TbFe合金をスパツタし、膜厚400Å、TL2＝約
140℃のTbFeの第２磁性層を形成した。この第
２磁性層自身のHH2は約5000 Oe以上であり、副
格子磁化は遷移金属の方が大きかつた。
次に同様な条件で第４のターゲツトより
GdTbFeCo合金をスパツタし、膜厚300Å、TH3
＝約260℃のGdTbFeCoの第３磁性層を形成し
た。この第３磁性層自身のHL3は約500〜1500Oe
であり、副格子磁化は希土類金属の方が大きかつ
た。
GdTbFeCo合金をスパツタし、膜厚300Å、TH3
＝約260℃のGdTbFeCoの第３磁性層を形成し
た。この第３磁性層自身のHL3は約500〜1500Oe
であり、副格子磁化は希土類金属の方が大きかつ
た。
次に同条件で第１のターゲツトより、ZnSをス
パツタし、保護層として2000Åの厚さのZnS層を
設けた。
パツタし、保護層として2000Åの厚さのZnS層を
設けた。
次に上記の膜形成を終えた基板を、ホツトメル
ト接着剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ光磁気デイスクを作成し
た。この光磁気デイスクを記録再生装置にセツト
し、2KOeの磁界発生部を、線速度約７ｍ／sec
で通過させつつ、約1uｍに集光した830nmの波長
のレーザービームを50％のデユーテイで2MHzで
変調させながら、4mWと8mWの２値のレーザー
パワーで記録を行なつた。バイアス磁界は150
Oeであつた。その後1mWのレーザービームを照
射して再生を行なつたところ、２値の信号の再生
ができた。
ト接着剤を用いて、ポリカーボネートの貼り合わ
せ用基板と貼り合わせ光磁気デイスクを作成し
た。この光磁気デイスクを記録再生装置にセツト
し、2KOeの磁界発生部を、線速度約７ｍ／sec
で通過させつつ、約1uｍに集光した830nmの波長
のレーザービームを50％のデユーテイで2MHzで
変調させながら、4mWと8mWの２値のレーザー
パワーで記録を行なつた。バイアス磁界は150
Oeであつた。その後1mWのレーザービームを照
射して再生を行なつたところ、２値の信号の再生
ができた。
次に、上記と同様の実験を、全面記録された後
の光磁気デイスクについて行なつた。この結果前
に記録された信号成分は検出されず、オーバーラ
イトが可能であることが確認された。
の光磁気デイスクについて行なつた。この結果前
に記録された信号成分は検出されず、オーバーラ
イトが可能であることが確認された。
第２磁性層と第３磁性層の交換力σw23／
2Ms3h3を調整するためには、例えば第２磁性層
形成後、第３磁性層を形成するまでの時間を変え
る方法によつても可能である。
2Ms3h3を調整するためには、例えば第２磁性層
形成後、第３磁性層を形成するまでの時間を変え
る方法によつても可能である。
第２磁性層形成後、第３磁性層を形成するまで
の時間を30秒、30分、３時間と変化させたとこ
ろ、σw23／2Ms3h3の値はそれぞれ1.0KOe，
0.7KOe，0.4KOeと時間を長くするほど小さくす
ることができた。
の時間を30秒、30分、３時間と変化させたとこ
ろ、σw23／2Ms3h3の値はそれぞれ1.0KOe，
0.7KOe，0.4KOeと時間を長くするほど小さくす
ることができた。
以上詳細に説明したように光磁気媒体として、
高いキユリー点（TH1）と低い保磁力（HL1）を
有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相
対的に低いキユリー点（TL2）と高い保磁力
（HH2）を有する第２磁性層と、この第２磁性層
に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する第３磁性層とからなる三
層構造の磁性層を有する媒体を用い、記録時に、
記録ヘツドと別位置に磁界発生手段を設け、２値
レーザーパワーで記録することにより、重ね書き
（オーバーライト）が可能になつた。
高いキユリー点（TH1）と低い保磁力（HL1）を
有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相
対的に低いキユリー点（TL2）と高い保磁力
（HH2）を有する第２磁性層と、この第２磁性層
に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する第３磁性層とからなる三
層構造の磁性層を有する媒体を用い、記録時に、
記録ヘツドと別位置に磁界発生手段を設け、２値
レーザーパワーで記録することにより、重ね書き
（オーバーライト）が可能になつた。
また、本発明の記録法で用いる記録媒体の、主
に再生に利用される磁性層は、光磁気効果の大き
い材料から選び得るので、結果として本発明によ
り記録されたビツトは再生信号が大きいという利
点がある。
に再生に利用される磁性層は、光磁気効果の大き
い材料から選び得るので、結果として本発明によ
り記録されたビツトは再生信号が大きいという利
点がある。
第１図ａ，ｂは各々本発明で使用する光磁気媒
体の一例の構成を示す図、第２図は、本発明の記
録法を実施中の、磁性層１，２，３の磁化の向き
を示す図、第３図は、記録・再生装置の概念図、
第４図は第２磁性層２と第３磁性層３の保磁力と
温度との関係を示す概略図である。第５図は本発
明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。 Ｂ…プリグループ付の透光性基板、１，２，３
…磁性層、４，５…保護層、６…接着層、７…貼
り合わせ用基板、３１…記録・再生用ヘツド、３
２…記録信号発生器、３５…光磁気デイスク。
体の一例の構成を示す図、第２図は、本発明の記
録法を実施中の、磁性層１，２，３の磁化の向き
を示す図、第３図は、記録・再生装置の概念図、
第４図は第２磁性層２と第３磁性層３の保磁力と
温度との関係を示す概略図である。第５図は本発
明の他の実施例における磁性層の磁化状態を示す
図である。 Ｂ…プリグループ付の透光性基板、１，２，３
…磁性層、４，５…保護層、６…接着層、７…貼
り合わせ用基板、３１…記録・再生用ヘツド、３
２…記録信号発生器、３５…光磁気デイスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高いキユリー点（TH1）と低い保磁力（HL1）
を有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて
相対的に低いキユリー点（TL2）と高い保磁力
（HH2）を有する第２磁性層と、この第２磁性層
に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する第３磁性層とからなる三
層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有して
成る光磁気記録媒体であつて、第１磁性層と第２
磁性層の磁壁エネルギーをσw12、第２磁性層と
第３磁性層の磁壁エネルギーをσw23とし、第１
磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順に
h1，h2，h3とし、これらの層の飽和磁化の大きさ
を順にMs1，Ms2，Ms3とすると、上記３つの磁
性層が次の式を満たすように結合していることを
特徴とする光磁気記録媒体。 σw12／2Ms1h1＞HL1 σw23／2Ms3h3＜HL3 ２ 高いキユリー点（TH1）と低い保磁力（HL1）
を有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて
相対的に低いキユリー点（TL2）と高い保磁力
（HH2）を有する第２磁性層と、この第２磁性層
に比べて相対的に高いキユリー点（TH3）と低い
保磁力（HL3）を有する第３磁性層からなる三層
構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有して成
る光磁気記録媒体であつて、第１磁性層と第２磁
性層の磁壁エネルギーをσw12、第２磁性層と第
３磁性層の磁壁エネルギーをσw23とし、第１磁
性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を順にh1，
h2，h3、これらの層を飽和磁化の大きさを順に
Ms1，Ms2，Ms3とすると、上記３つの磁性層が σw12／2Ms1h1＞HL1 σw23／2Ms3h3＜HL3 なる式を満たすように結合している光磁気記録媒
体を使用して、次の二値の記録を行なうことを特
徴とする記録方法。 (a) 該媒体に対して、記録用ヘツドと異なる場所
で、保磁力HL3の第３磁性層を一方向に磁化さ
せるのに充分で保磁力HH2の第２磁性層の磁化
の向きを反転させることのない大きさの磁界Ｂ
を加え、 (b) 次に、記録ヘツドにより、バイアス磁界を印
加すると同時に低いキユリー点（TL2）付近ま
で該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照
射することにより、第３磁性層の磁化の向きを
変えないまま第１磁性層と第２磁性層の磁化の
向きを第３磁性層に対して安定な向きにそろえ
る第１種の予備記録か、バイアス磁界を印加す
ると同時に高いキユリー点（TH3）付近まで該
媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射す
ることにより、第３磁性層の磁化の向きを反転
させて、同時に第１の磁性層と第２の磁性層と
を共に第３磁性層に対して安定な向きに磁化す
る第２種の予備記録かを、信号に応じて実施
し、 (c) 次に、該媒体を運動させて、予備記録された
ビツトを前記磁界Ｂを通過させることにより、
第１種の予備記録により形成されたビツトにつ
いては、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層
全て磁化の向きをそのまま変化せず、 第２種の予備記録により形成されたビツトにつ
いては、第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと
同方向に反転させ、第１磁性層と第２磁性層の磁
化の向きはそのまま変化させないとする、二値の
記録。
Priority Applications (17)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191202A JPS6348637A (ja) | 1986-08-16 | 1986-08-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| CA 541367 CA1340058C (en) | 1986-07-08 | 1987-07-06 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with tow or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| AU75306/87A AU593364C (en) | 1986-07-08 | 1987-07-07 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| EP98200006A EP0838814B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| DE19873752351 DE3752351T2 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Gerät und System zur Aufzeichnung auf einem magnetooptischen Aufzeichnungsmedium |
| AT98200007T ATE216528T1 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| KR1019870007322A KR960003420B1 (ko) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | 2층이상의 자성막을 가지고 중복기록이 가능한 광자기 기록매체 및 그의 매체를 사용한 기록방법 |
| DE19873752348 DE3752348T2 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode |
| DE3752222T DE3752222T2 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetoptisches Aufzeichnungsmedium mit der Möglichkeit des Überschreibens mit zwei oder mehr Magnetschichten und dieses Medium verwendende Aufzeichnungsmethode |
| AT87306038T ATE172047T1 (de) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetoptisches aufzeichnungsmedium mit der möglichkeit des überschreibens mit zwei oder mehr magnetschichten und dieses medium verwendende aufzeichnungsmethode |
| EP87306038A EP0258978B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| EP98200007A EP0838815B1 (en) | 1986-07-08 | 1987-07-08 | Apparatus and system for recording on a magnetooptical recording medium |
| US07/475,941 US5132945A (en) | 1986-07-08 | 1990-01-30 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US08/296,163 US5525378A (en) | 1986-07-08 | 1994-08-26 | Method for producing a magnetooptical recording medium |
| US08/312,930 US5481410A (en) | 1986-07-08 | 1994-09-30 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US08/613,431 US5783300A (en) | 1986-06-18 | 1996-02-29 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US09/080,215 US6028824A (en) | 1986-07-08 | 1998-05-18 | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191202A JPS6348637A (ja) | 1986-08-16 | 1986-08-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1924193A Division JPH06101152B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348637A JPS6348637A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0542062B2 true JPH0542062B2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=16270605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61191202A Granted JPS6348637A (ja) | 1986-06-18 | 1986-08-16 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348637A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0816993B2 (ja) * | 1986-09-04 | 1996-02-21 | 株式会社ニコン | 転写層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JPH01149246A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2797360B2 (ja) * | 1989-01-13 | 1998-09-17 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JP2714085B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1998-02-16 | キヤノン株式会社 | 情報記録方法 |
| US5142513A (en) * | 1989-04-20 | 1992-08-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical storage medium and magneto-optical overwrite system with magnetic characteristic change by variation of thermal condition for recording information |
| JPH09270156A (ja) * | 1996-04-01 | 1997-10-14 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JP2003296943A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sony Corp | 光ディスク、光ディスク再生装置及び再生方法、並びに光ディスクの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175948A (ja) * | 1985-06-11 | 1987-08-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | オーバーライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-08-16 JP JP61191202A patent/JPS6348637A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62175948A (ja) * | 1985-06-11 | 1987-08-01 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | オーバーライト可能な光磁気記録方法、それに使用される光磁気記録装置及び光磁気記録媒体、並びに変調方法、変調装置及び光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348637A (ja) | 1988-03-01 |
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