JPS6348637A

JPS6348637A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法

Info

Publication number: JPS6348637A
Application number: JP61191202A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1986-08-16
Filing date: 1986-08-16
Publication date: 1988-03-01
Also published as: JPH0542062B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、磁気カー効果を利用して読出しかできるキュ
リー点書込みタイプの新規な光磁気記録媒体、及びこれ
を使用した重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

（従来の技術）消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られでいる。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘラＦ：を
使った磁気記録媒体と比べて高２度記録、非接触での記
録再生などが可能であるという長所がある反面、記録前
に一度記録部分を消去しなければならない（一方向に＠
磁しなければならない）という欠点があった。この欠点
を補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に
設ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射し
ながら、同時に印加する磁場を変調しつつ記録する方式
などか提案されている。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、これらの方法は、装百が大がかつとなつ、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。

本発明（よ上述従来例の欠点を除去するためになされた
ものであり、新規を光磁気記録媒体と、これを利用する
ことによって、従来の装ゴ構成に簡易な構造の磁騨発王
手段を付設するだけで、磁気記録媒体と同様に重ね書き
（オーバーライド）を可能とした、光磁気記録方法とを
提供することを目的とする。

Ｃ問題点を解決するための手段〕上記の目的は以下の本発明によって達成できる。ｍち、
高いキュリー点（ＴＨ１）と低い保磁力（ＨＬＩ　）を
有する第１ｆｉｉｉ性層と、この第１磁性層に比べて相
対的に低いキュリー点（Ｔ　Ｌ２）と高い保磁力（Ｈ８
２）を有する第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相
対的に高いキュリー点（Ｔ−３）と低い保磁力（ＨＬ３
）！有するＭ３３磁牲とからなる三層構造の垂直磁化膜
を少なくとも基板上に有して成る光磁気記録媒体であっ
て、第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギーをＧＷ１
２．第２磁性層と第３磁性層の磁壁エネルギーをσｗ２
３とし、第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層の膜厚を
順にｈｌ、ｈ２．ｈ３とし、これらの層　の飽和磁化の
大きざ＠１１−にＭｓ１、Ｍｓ２．Ｍｓ３とすると、上
記３つの磁性層か σＷ１２＞　　ＨＬＩ２Ｍｓ　＋　ｈ　＋ −隻”’　　　＜　　ＨＬ３２Ｍ５３ｈ３なる式＠満たすように結合しでいる光磁気記録媒体と、
これを使用して、次の二値の記録を行なうことを特徴と
する記録方式である。

（ａ）該媒体に対しで、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力ＨＬ３の第３磁性層を一方向に磁化させるのに充
分で保磁力Ｈ１２の第２磁性層の磁化の向きを反転させ
ることのない大きざの磁界［３％加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に低いキュリー点（ＴＬ２）付近［Ｔ、２に近
い温度で第１、第２磁性層の磁化の向きを均一に第３磁
性層の磁化の向きに対して安定な方向に配列可能な温度
］まで該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射す
ることにより、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま
第１磁性層と第２磁性層の磁化の向きを第３磁性層に対
して安定な向きにそろえる第１ｆ！の予備記録か、バイ
アス磁界を印加すると同時に高いキュリー点（ＴＨ３）
付近［Ｔ８３に近い温度で第３磁性層の磁化の向きを均
一に反転可能な温度］まで該媒体が昇温するだ１丈のレ
ーザーパワーを照射すること（こより、第３Ｆｉ：に牲
層の磁化の向きを反転古せ、同時に第１磁性層と第２磁
性層とを共に第３磁性層に対して安定な向きに磁化する
第２種の予備記録かを、信号に応じで実施し、（Ｃ）次
に、該媒体を運動させて、予備記録されたビットを前記
磁界Ｂを通過ぎせることにより、第１種の予備記録によ
り形成されたビットについては、第１磁性層、第２磁性
層、第３磁性層全て磁化の向きをそのまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１磁性層と第２磁性層の磁化の向きはそのまま変
化させないとする、二値の記録。

以下、図面ｒ８畳照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明に用いる光磁気
記録媒体の一寅施例そ示す模式断面図である。第１図（
ａ）の光＠気記録媒体は、プリグループが設けられた透
光性の基板Ｂ上に、第１の磁性層１と第２の磁性層２と
第３の磁性層３とが積層されたものである。第１磁性層
１は高いキュリー点（ＴＨ、）と低い保磁力（ＨＬ１）
を有し、第２磁性層２は低いキュリー点（Ｔ　Ｌ２）と
高い保磁力（Ｈ□２ンを有し、第３磁性層３は、高いキ
ュリーｆＡ（ＴＨ３）と低い保磁力（ＨＬ３）を有する
。ここで「高い」、「低い」とは第１・第３磁性層と第
２磁性層とを比較した場合の相対的な関係を表わす（保
磁力は室温における比較）。

第１磁性層と舅３Ｆｉｉ゛荘層の間で特にキュリー点、
保磁力の関係は限定されないが、好ましくはＴ　Ｈｌ≧
Ｔｓ３、ＨＬＩ≦ＨＬ３である。

ただし、通常は第１磁性層１のＴｉ１１は１５０〜４０
０℃、ＨＬＩは０．１−１にＯｅ、Ｔ４２磁惟磁性の工
Ｌ２は７０〜２００°Ｃ，ＨＮ３は２−１０ＫＯｅ　、
第３磁性層３０Ｔ１．Ｉ、はＩＯ’１ｌ−２５０°Ｃ，
Ｈ，３は０．５〜４にＯｅ程原の範囲内にするとよい。

本発明の光磁気記録媒体の、隣接する磁性層は交換力で
結合しており第１磁性層１と筒２磁性層２は相体的に強
く結合しており、第２磁性層２と第３磁性層３は相体的
に弱く結合している。

本発明の光磁気記録媒体では、第１磁性層１と第２磁性
層２の磁壁エネルギーをσＷ、２、第２磁性層２と第３
磁性層３の磁壁エネルギーをσＷ２３とし、第１磁性層
１．藁２磁′１層２．第３磁惟層３の膜厚を項にｈ１、
ｈ、ｈ３とし、これらの層の飽和磁化の大きさを順にＬ
　ｌ　＋　Ｍ　Ｓ　２　＋　Ｍ　Ｓ　３とすると、上記
３つの磁１層が次の式を満たすように結合している。

σＷ＋２＞ＨＬＩ２Ｍｓ　＋　ｈ　＋ σＷ２３＜ＨＬ３２、％！５３）１３この理由については後述する。

３つの磁・１層１．２．３は、最終的に記録された２種
のビットの磁化状態（第２図（ｆ）に示す状態）が安定
に存在出来る様に、即ち上記の開係式を満たすように各
層の膜厚、保磁力、飽和磁化の大きざ、磁壁エネルギー
などを設定すればよい。

各磁性層の材料には、垂直磁気異方性を示ｔノ且つ磁気
光＃−効果を呈するものが利用できるが、ＧｄＣｏ、　
　ＧｄＦｅ、　　丁ｂＦｅ、　　ＤｙＦｅ、　　ＧｄＴ
ｂＦｅ、　　ＴｂＤｙＦｅ。

Ｇ−ｄＦｅｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、　ＧｄＴｂＣｏＷの希
土類元素と遷移金属元素との非晶貢磁憔今金が好ましい
。

本発明の光磁気記録媒体の他の例である第１図（ｂ）に
おいて、４．５は３つの磁性層１，２゜３の耐久性を向
上させるだめのあるいは光磁気効果を向上させるための
保護膜である。

６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板７にも、２から６までの層を積
層し、これ１８接着すれば表裏で記録・４主が可能とな
る。

以下、舅２図〜第４図を用いて本発明の記録の過程を示
す、記録前、磁性層１．２の磁化の向きと磁性層３の磁
化の向きとは、平行で安定状態であっても良いし、反平
行で安定状態であっても良い。

第３区の３５は、上述したような構成を何ｙる光磁気デ
ィスクである。例えば、このそる１層のある一部の磁化
状態が初め第２３（ａ）のようになっていたとする。即
ち、第２図では、記録前、第１、第２磁′ｉ層と第３磁
性層との磁化の向きが平行なときに安定である場合につ
いて説明する。　光磁気ディスク３５はスピンドルモー
タにより回托して、磁界発生部３４を通過する。このと
き、磁界発生部３４の磁界の大きさを第２磁′ｉ７層２
と藁３磁゛は層３の保磁力の間の値に設定すると（磁界
の向きは本実施例では上向き）、第２図（ｂ）に示す様
ｆこ第３磁性層３は−様な方向に磁化され、一方、第２
磁性層２の磁化は初めのままである。また、第２磁性層
と強く結合しでいる第１磁性層］の磁化も初めのままで
ある。

次に光磁気ディスク３５か回転して記録・４竺ヘッド３
１を通過するときに、２種（第１種と第２７重）のレー
ザーパワーイ直を持つレーザーど−ムを、記録信号発生
器３２からの信号に従って、そのどちらかのパワーでも
って、ディスク面に照射する。第１種のレーザーパワー
は該ディスクを第２磁性層２のキュリー点付近まで昇温
するだけのパワーであり　第２種のレーザーパワーは該
ディスクを第３磁・１層３のキュリー点付近まで昇温可
能なパワーである。即ち、両磁１層２．３の保磁力と温
度との関係の概略を示した第４図において、第１ｆ！の
レーザーパワーはＴＬ２付近、第２種のレーザーパワー
はＴ１．Ｉ３付近までディスクの温度ヲ上昇できる。

第１ｆ重のレーザーパワー１こよつ第２磁性層２と第３
磁性層３どは、第２Ｗ件層２のキュリー点付近まで昇温
するか、第３磁性層３はこの温度でビットが安定に存在
する保磁力を有しているのでバイアス磁界を適正に設定
してあくことにより、第２図（ｂ）に示すどちらの磁化
状態からも、蔦２図（ｃ）の様な記録ビットか形成され
る（第１種の予備記録）。なお、第１磁１層コも、第２
磁゛ｉ層２との交換結合によつ２のような磁化状態とな
るのである。

ここで、バイアス磁界を適正に設定すると（さ、；欠の
ような意０未である。

第］ｆ！の予備記録では舅３磁’ｉｆ　１合３の磁化の
向きに対して安定な向きに（ここでは同じ方向に）側２
磁性層２の磁化か配列する力（交換力）を受けるので９
本来（Ｃｔバイアス磁界は必要でない。しかし、バイア
ス磁界は後述する第２１重のレーザーパワーの予備記録
では第３磁・１層３の磁化反転を補助する向きに設定さ
れる。また、このバイアス磁界は、第１種、第２種どち
らのレーザーパワーの予備記録でも、大きざ、方向を同
し状態に設定しでおくことか好うしい。かがる観点から
バイアス磁界の設定は次記に示す原理によつ第２種のレ
ーザーパワーの予備記録に必要な最小限の大きざに設定
しでおくことか好ましい。

一方、菟２種のレーザーパワーにより、箪３磁・注警３
の主ユリ−点近くまでディスクを昇温させる（舅２３ｊ
の予５記：工）と、上記のバイアス磁界によつ舅３磁た
層３の磁化の向きか反転する。続いて第２磁′１、層２
と第１磁゛注１層］の磁化も第３磁゛１層３に対して安
定な、句きに（ここで１よ同し方向に）配列する。即ち
、第２図（ｂ）のどちらの磁化状態からも笥２図（ｄン
のような記録ビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号１こ応して変わる第
１ｉｆｆｉ及び第２種のレーザーパワ〜とによって、光
磁気ディスクの各箇所は第２図（Ｃ）が（ｄ）の状ｇｔ
こ記録されることになる。

次に光磁気ディス′）３５を回転ざぜ、記録ビット（ｃ
）、（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると、磁界発
生部３４は前述したように第２磁性層２と第３磁惟層３
の間に設定されているので、記録ビット（ｃ）は、変化
か起こらずに（ｅ）の状態である。−方、記録ビット（
ｄ）は第３磁性層３が磁化反転を起こして（ｆ）の状態
１こなる。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為には、前
言己したよう（こ σＷ１２２ＭＳ＋ｈ＋　　　〉”’ σＷ２３２Ｍｓ３ｈ３　　　　く　　Ｈ” となっていることが必要である。これは次のような理白
による。

σＷＩ２　／２Ｍ５１ｉ＋は第１磁性層（こ働く交換力
の強さを示す、つまつＯＷ１２　／　２Ｍ５１ｈｌの大
きざの磁界で第１磁さ層の磁化の向きを、第２磁性層の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は同し方向
に）向けようとする。そこで第１ＦＡ牲層の磁化か常に
第２磁性層の向きに対して安定な方向（この場合は同し
方向に）に向いている為には、第１磁性層の保磁力ＨＬ
、が、この交換力よ、つ小ざければよい、つまりσＷ１
２　／２ＭＳ＋ｈ＋＞Ｈｔ＋であればよい。

またσＷ２３　／　２Ｍ５３ｈ３は第３Ｆｉｉ性層に（
動く交換力の強さを示す、つまつＧ　Ｗ２３　／　２Ｍ
５３１１３の大きざの磁界で第３磁性層の磁化の向きを
第２磁性層の磁化の向きに対して安定な方向へ（この場
合は同じ方向へ）向けようとする。そこで第３磁性層が
この磁界に対して磁化が反転しない為には（第２図（ｆ
）の記録ビットが安定に存在する為には）、第３磁１層
の保磁力＠Ｈｙ３としてσＷ２３　／２Ｍ５ｚｈｚ＜　
ＨＬ　３であればよい、なお、第２磁性層２と第３磁性層３は記録時に交換力に
よる有効なバイアス磁界が働くように、交換結合をしで
いることが必要であるが、あまり強い結合をしていると
上式を満たせない、即ち、（ｆ）の記録状態のビットが
安定に存在できない。そこで、本発明の光磁気記録媒体
を作成する際、第３磁件層３の保磁力を磁界発生部での
磁界よりも小ざい範囲で比較的大きな値に設定し、交換
結合が大きな場合には、第３磁性層の組成を最適化する
か、あるいは第２磁性層２と第３磁性層３の間に数〜数
千人の中間層を設けること（これは第２磁性層２をスパ
ッタで設Ｃすた後に第２磁性層２の構成材料と反応しや
すいガス分子、プラズマにざら丁か、あるいはターゲラ
ｒより誘電体をスパッタして誘電体層を設けることによ
り達成できる）により交換結合の大きさを最適化できる
。

本発明の記録方法では、記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ
）は、記録時のレーザーのパワーで制御され、記録前の
状態には依存しないので、■ね書き（オーバーライド）
が可能である。記録ビット（ｅ）と（ｆ）は、再生用の
レーザーご一ムそ照射し、再生光を記録信号再生器３３
で処理することによつ、再生できる。再生信号の大きざ
（変調度）は主として第１磁性層の光磁気効果に依存す
る。

このことと、本発明の記録方法において使用される３つ
の磁′ｉ層を有する媒体の、再三光か入射する第１磁性
層１には主ユリ−温度の高い材料（ｍち、光磁気効果の
大きな材料）を使用できることとから、本発明では再主
信号の大きい（変調度の大きい）記録が可能となる。

第２図の説明では第１磁・前層１・第２磁社層２と第３
磁性層３との磁化の向きが平行なときに安定な例を示し
たが、これらの磁化の向きが反平行のときに安定な磁性
層についても同様（°こ考えられる。第５図に、この場
合の記録過程の磁化状態を第２図ｆこ対応させで示して
おく。

〔実施例〕

４元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、ブ１ノ
グループ、ブｌノフィーマット信号の刻まれたポリカー
ボネート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距
離１０ｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第１のタープ・ントよつ、スパッタ速度
　１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ　１０゛３Ｔｏｒ
ｒで２ｎＳを保護層として８００人の厚さに設けた。

次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
１００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５ｘ　１０’　Ｔａｒｒ
でＧｄＦｅＣｏ合金をスパッタし、膜厚４００人、ＴＨ
１＝約１＝０℃のＧｄＦｅＧＯの第１磁性層を形成した
。この第１磁性層自身のＨＬＩは約５０００ｅ以下であ
り、副格子磁化は遷移金属の方が大きかった。

次に同様な条件で、第３のターゲットよりＴｂＦｅ合金
をスパッタし、膜厚４００人、Ｔ　Ｌ２”約１４０℃の
ＴｂＦｅの第２磁性層を形成した。この第２磁性層自身
のＨ８２は約５００００ｅ以上であり、副格子磁化は遷
移金属の方が大きかった。

次に同様な条件で第４のターゲットよりＧｃｉＴｂＦｅ
Ｃｏ合金をスパッタし、膜厚３００人、ＴＨ３：約２６
０°ＣのＧｄＴｂＦｅＣｏの第３磁性層を形成した。こ
の第３磁性層自身のＨＬ３は約５ＣＯ〜ｌ５０００ｅ″
Ｃ：あり、副格子磁化は希土類金属の方か大きかった。

次に同条件で第１のターゲットより、Ｉｎｓ　％スパッ
タし、保護層として２０００人の厚さの２ｎＳｉ％設置
すた。

次に上記の膜形成を終えた基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクを作成した。この光磁気ディスク
を記録再生装百にセットし、２にＯｅの磁界発止部を、
線速度約７　ｍ／ｓｅｃで通過させつつ、約１ｕに集光
した８３０ｍｍの波長のレーザービームを５０％のデユ
ーティで２ＭＨｚで変調させながら、４ｍＷと８ｍＷの
２値のレーザーパワーで記録を行なった。バイアス磁界
は１５００ｅであった。その後１ｍＷのレーザービーム
を照射して再生を行なったところ、２値の信号の再生が
できた。

次に、上記と同様の実験を、全面記Ｉゑされた後の光磁
気ディスクについて行なった。この結果前に記録された
信号成分は検出されす、オーバーライドが可能であるこ
とが確認された。

Ｍ２磁性層と第３磁性層の交換力ＯＷ２３　／　２Ｍ５
３ｈ３を調整するためには、例えば第２磁性層形成復、
第３磁′荘層を形成するまでの時間を変える方法によっ
ても可能である。

第２磁１層形成後、第３磁′ｉ層を形成するまでの時間
を３０秒、３０分、３時間と変化させたところ、ＣＩ　
Ｗ２３　／　２Ｍ５３ｈ３の値はそれぞれ１．０にＯｓ
。

０、７ＫＯｅ、　０．４にＯｅと時間を長くするほど小
ざくすることができた。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように光磁気媒体として、高い主ユ
リ−点（ＴＨ１）と低い保磁力（ＨＬＩ　）を有する第
１Ｆｉｉ憔層と、この第１磁性層に比べて相対的に低い
キュリー点（Ｔ　Ｌ２）と高い保磁力（ＨＨ２）を有す
る第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対的（こ高
いキュリー点（Ｔ　Ｈ３）と低い保磁力（ＨＬ３）を有
する第３磁゛ｉ層とからなる三層構造の磁性層を有する
媒体を用い、記録時に、記録ヘッドと別位貫に磁界発生
手段を設け、２値レーザーパワーで記録することにより
、重ね書き（オーバーライド）か可能になった。

また、本発明の記録法で用いる記録媒体の、主に再主に
利用される磁性層は、光磁気効果の大きい材料から選び
得るので、結果として本発明により記録されたビットは
再生信号が大きいという利点がある。。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は各々本発明で使用する光磁気媒
体の一例の構成を示す図、第２図は、本発明の記録法を
実施中の、磁性層１，２．３の磁化の向きを示す図、菌
３図は、記録・再生装讐の概念図、菓４図は第２磁性層
２と第３磁′荘層３の保磁力と温度との関係を示す概略
図である。舅５図は本発明の他の実施例における磁性層
の磁化状態を示す図である。Ｂ　プリグループ付の透光′性基板、１．２．３：磁性層４．５・保護層、６：接着層、７：貼り合わせ用基板、３１：記録・再主用ヘッド、３２・記録信号発生器、３５：光磁気ディスク、

Claims

【特許請求の範囲】１）高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ＿１）と低い保磁力（Ｈ＿
Ｌ＿１）を有する第１磁性層と、この第１磁性層に比べ
て相対的に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ＿２）と高い保磁力
（Ｈ＿Ｈ＿２）を有する第２磁性層と、この第２磁性層
に比べて相対的に高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ＿３）と低い
保磁力（Ｈ＿Ｌ＿３）を有する第３磁性層とからなる三
層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有して成る光
磁気記録媒体であって、第１磁性層と第２磁性層の磁壁
エネルギーをσｗ＿１＿２、第２磁性層と第３磁性層の
磁壁エネルギーをσｗ＿２＿３とし、第１磁性層、第２
磁性層、第３磁性層の膜厚を順にｈ＿１、ｈ＿２、ｈ＿
３、とし、これらの層の飽和磁化の大きさを順にＭ＿Ｓ
＿１、Ｍ＿Ｓ＿２、Ｍ＿Ｓ＿３とすると、上記３つの磁
性層が次の式を満たすように結合していることを特徴と
する光磁気記録媒体。 σＷ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿１ｈ＿１＜Ｈ＿Ｌ＿１σＷ＿
２＿３／２Ｍ＿Ｓ＿３ｈ＿３＜Ｈ＿Ｌ＿３２）高いキュ
リー点（Ｔ＿Ｈ＿１）と低い保磁力（Ｈ＿Ｌ＿１）を有
する第１磁性層と、この第１磁性層に比べて相対的に低
いキュリー点（Ｔ＿Ｌ＿２）と高い保磁力（Ｈ＿Ｈ＿２
）を有する第２磁性層と、この第２磁性層に比べて相対
的に高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ＿３）と低い保磁力（Ｈ＿
Ｌ＿３）を有する第３磁性層からなる三層構造の垂直磁
化膜を少なくとも基板上に有して成る光磁気記録媒体で
あって、第１磁性層と第２磁性層の磁壁エネルギーをσ
ｗ＿１＿２、第２磁性層と第３磁性層の磁壁エネルギー
をσｗ＿２＿３とし、第１磁性層、第２磁性層、第３磁
性層の膜厚を順にｈ＿１、ｈ＿２、ｈ＿３、これらの層
の飽和磁化の大きさを順にＭ＿Ｓ＿１、Ｍ＿Ｓ＿２、Ｍ
＿Ｓ＿３とすると、上記３つの磁性層が σｗ＿１＿２／２Ｍ＿Ｓ＿１ｈ＿１＞Ｈ＿Ｌ＿１σｗ＿
２＿３／２Ｍ＿Ｓ＿３ｈ＿３＜Ｈ＿Ｌ＿３なる式を満た
すように結合している光磁気記録媒体を使用して、次の
二値の記録を行なうことを特徴とする記録方式。（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ＿Ｌ＿３の第３磁性層を一方向に磁化させるの
に充分で保磁力Ｈ＿Ｈ＿２の第２磁性層の磁化の向きを
反転させることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時に低いキュリー点（Ｔ＿Ｌ＿２）付近まで該媒
体が昇温するだけのレーザーパワーを照射することによ
り、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層
と第２磁性層の磁化の向きを第３磁性層に対して安定な
向きにそろえる第１種の予備記録か、バイアス磁界を印
加すると同時に高いキュリー点（Ｔ＿Ｈ＿３）付近まで
該媒体が昇温するだけのレーザーパワーを照射すること
により、第３磁性層の磁化の向きを反転させて、同時に
第１磁性層と第２磁性層とを共に第３磁性層に対して安
定な向きに磁化する第２種の予備記録かを、信号に応じ
て実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録
されたピットを前記磁界Ｂを通過させることにより、第
１種の予備記録により形成されたピットについては、第
１磁性層、第２磁性層、第３磁性層全て磁化の向きをそ
のまま変化させず、第２種の予備記録により形成されたピットについては、
第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に反転さ
せ、第１磁性層と第２磁性層の磁化の向きはそのまま変
化させないとする、二値の記録。