JPS63205835A

JPS63205835A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法

Info

Publication number: JPS63205835A
Application number: JP62037736A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Osato; 陽一大里
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-02-23
Filing date: 1987-02-23
Publication date: 1988-08-25
Also published as: JPH0535494B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、磁気カー効果を利用して読出しができるキュ
リー点書込みタイプの新規な光磁気記録媒体、及びこれ
を使用した重ね書き可能な光磁気記録方法に関する。

〔従来の技術〕

消去可能な光デイスクメモリとして光磁気ディスクが知
られている。光磁気ディスクは、従来の磁気ヘッドを使
った磁気記録媒体と比べて高密度記録、非接触での記録
再生などが可能であるという長所がある反面、記録前に
一度記録部分を消去しなければならない（一方向に着磁
しなければならない）という欠点があった。この欠点を
補う為に、記録再生用ヘッドと消去用ヘッドを別々に設
ける方式、あるいは、レーザーの連続ビームを照射しな
がら、同時に印加する磁場を変調しつつ記録する方式な
どか提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、これらの方法は、装置が大がかりとなり、コス
ト高になる欠点あるいは高速の変調が出来ないなどの欠
点を有する。

本発明は上述従来例の欠点を除去するためになされたも
のであり、新規な光磁気記録媒体と、これを利用するこ
とによって、従来の装置構成に簡易な構造の磁界発生手
段を付設するだけで、磁気記録媒体と同様に重ね書き（
オーバーライド）を可能とした、光磁気記録方法とを提
供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的は以下の本発明によって達成できる。即ち、
キュリー点Ｔ１と保磁力Ｈ８を有する第１磁性層と、キ
ュリー点Ｔ２と保磁力Ｈ２を有する第２ｆｆｌＷ層と、
キュリー点Ｔ３と保磁力Ｈ３を有する第３磁性層とから
なる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも基板上に有して
成る光磁気記録媒体であって、（Ａ）各磁性層が、希土類元素と遷移金属元素との非晶
質合金を主成分とすること、（Ｂ）　　　Ｈ＋　＞　Ｈ３＞　Ｈ２且つＴ３≧７２　
＞　Ｔ　Ｉであること、（Ｃ）補償組成に対して、第１磁性層が遷移金属元素に
富んだ組成で、第２．３磁性層が希土類元素に富んだ組
成であるか、あるいは第１磁性層が希土類元素に富んだ
組成で、第２．３磁性層が遷移金属元素に富んだ組成で
あること、の３条件を満たしている光磁気記録媒体と、
後に代表的態様が示される記録方法である。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明に用いる光磁気
記録媒体の一実施例を示す模式断面図である。第１図（
ａ）の光磁気記録媒体は、プリグループが設けられた透
光性の基板Ｂ上に、第１磁性層１、第２磁性層２および
第３磁性層３が！ａ層されたものである。これら３つの
磁性層は、上記の条件（八）〜（Ｃ）を満たしている（
なお、条件（Ｂ）における各保磁力の値は室温における
値である。）。

通常、第１磁性層１のＴ１は７０〜２００℃、Ｈｌは２
〜ｌＯにＯｅ　、第２磁性層２のＴ２は９０〜４ｏ。

℃、Ｈ２はＱ、ｌ　〜Ｉ　ＫＯｅ　、第３磁性層３のＴ
３は１５０〜４００℃、Ｈ３は０．５〜４　ＫＯｅ程度
の範囲内から選択するとよい。

キュリー点Ｔ＋　、Ｔ２　、Ｔ３は次のような関係が必
要である。第１種の記録において、第１磁性層に、第２
磁性層との磁壁を介して、磁化の向きを第３磁性層の磁
化に対して安定に配列させるためには、キュリー点Ｔ、
（第１種の予備記録はＴ、より３０〜４０℃低い温度で
行なわれる）において、第２磁性層の磁化が残っている
ことが必要なので、Ｔ２≧Ｔ１が必要である。また、第
２種の記録において、キュリー点Ｔ３において、第２゜
３磁性層の磁化を予備記録する方向へ配向させるので、
この温度で第２６Ｉｉ性層の磁化が残っていると、均一
な記録ビットが形成できない。そこで、Ｔ２≧Ｔ、が必
要である。

本発明の光磁気記録媒体の、隣接する磁性層は交換力で
結合しており第１磁性層１と第２磁性層２は相体的に弱
く結合しており、第２磁性層２と第３磁性層３は相体的
に強く結合している。

本発明の光磁気記録媒体では、特に（Ｃ）の条件を満た
していることによって、第１磁性層１と第２磁性層２の
磁壁エネルギーを０ｗ１□、第２Ｉｆｉ性層２と第３磁
性層３の磁壁エネルギーをσＷ２３、第１磁性層１．第
２磁性層２．第３！！ｉ性層３の膜厚を順にり、、ｈ２
．ｈ３、これらの層の飽和磁化の大きさを順にＭｓ＋　
１Ｍ９２１Ｍｌ＋３とすると、膜厚、飽和磁化、磁壁エ
ネルギ°−等の適度な調整に応じ、実質的に次の条件式
を満たすことができる。

σ胃Ｉ２ □〈Ｈｌ２Ｍｓ　、　ｈ　。

σ１１２３ □＜Ｈ３Ｍｓ３ｈ３これによって、記録が安定に実施できる（理由の詳細は
後述する）。

各磁性層の材料として、具体的には、ＧｄＣｏ、　Ｇｄ
Ｆｅ、　ＴｂＦｅ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　Ｔ
ｂＤｙＦｅ、　ＧｄＦｅＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏ、　Ｇｄ
ＴＭ：ｏ、　ＧｄＴｂＦｅＣｏ等が挙げられる。

本発明の光磁気記録媒体の他の例である第１図（ｂ）に
おいて、４．５は３つの磁性層１，２゜３の耐久性を向
上させるためのあるいは光磁気効果を向上させるための
保護膜である。

６は、貼り合わせ用基板７を貼り合わすための接着層で
ある。貼り合わせ用基板７にも、１から５までの層を積
層し、これを接着すれば表裏で記録・再生が可能となる
。

以下、第２図〜第４図を用いて本発明の記録の過程を示
す、記録前、第１磁性層１の磁化の向きと第２磁性層２
の磁化の向きは、反平行で安定状態であり、第２磁性層
２と第３磁性層３の磁化の向きは平行で安定状態である
。

第３図の３５は、上述したような構成を有する光磁気デ
ィスクである。例えば、この磁性層のある一部の磁化状
態が初め第２図（ａ）のようになっていたとする。

光磁気ディスク３５はスピンドルモータにより回転して
、磁界発生部３４を通過する。このとき、磁界発生部３
４の磁界の大きさを第１ｖｉｉ性層１と第３磁性層３の
保磁力の間の値に設定すると（！ｆ！界の向きは本実施
例では上向き）、第２図（ｂ）に示す様に第２、第３磁
性層２．３は一様な方向に磁化され、一方、第１磁性層
１の磁化は初めのままである。

次に光磁気ディスク３５が回転して記録・再生ヘッド３
１を通過するときに、２種類（第１種と第２種）のレー
ザーパワー値を持つレーザービームを、記録信号発生器
３２からの信号に従って、そのどちらかのパワーでもっ
て、ディスク面に照射する。第１種のレーザーパワーは
該ディスクを第１磁性層のキュリー点付近［ＴＩに近い
温度で第１磁性層の磁化の向きを均一に第２、第３磁性
層の磁化の向きに対して安定な方向に配列可能な温度］
まで昇温するだけのパワーであり、第２種のレーザーパ
ワーは該ディスクを第２、第３磁性層２．３のキュリー
点付近［Ｔ２．Ｔ３に近い温度で第２．第３磁性層の磁
化の向きを均一に反転可能な温度］まで昇温可能なパワ
ーである。即ち、両磁性層１．３の保磁力と温度との関
係の概略を示した第４図において、第１種のレーザーパ
ワーはＴ、付近、第２種のレーザーパワーはＴ３付近ま
でディスクの温度を上昇できる。

第１種のレーザーパワーにより第１磁性層１と第３磁性
層３とは、第１ｉ性層１のキュリー点付近まで昇温する
が、第３磁性層３はこの温度でビットが安定に存在する
保磁力を有しているのでバイアス磁界を適正に設定して
おくことにより、第２図（ｂ）に示すどちらの磁化状態
からも、第２図（ｃ）の様なビットが形成される（第１
種の予備記録）。なお、第２磁性層も第３ｉｉｉ性層と
の交換力が第１磁性層に対してよりも強いので、図のよ
うに常に第３磁性層の磁化と平行になる。

ここで、バイアス磁界を適正に設定するとは、次のよう
な意味である。

第１種の予備記録では第３磁性層３の磁化の向きに対し
て安定な向きに（ここでは反平行に）第１磁性層１の磁
化が配列する力（交換力）を受けるので１本来はバイア
ス磁界は必要でない。しかし、バイアス磁界は後述する
第２ａのレーザーパワーの予備記録では第３磁性層３の
磁化反転を補助する向きに設定される（第１種の予備記
録を妨げる向き）。そして、このバイアス磁界は、第１
種、第２種どちらのレーザーパワーの予備記録でも、大
きさ、方向を同じ状態に設定しておくことが便宜上好ま
しい。かかる観点からバイアス磁界の設定は次記に示す
原理による第２種のレーザーパワーの予備記録に必要最
小限の大きさに設定しておくことが好ましく、この点を
考慮したのが前でいう適正な設定である。

一方、第２種のレーザーパワーにより、第３磁性層３の
キュリー点近くまでディスクを昇温させる（第２種の予
備記録）と、上記のように設定されたバイアス磁界によ
り第３磁性層３と第２ＩＩｉ性層２の磁化の向きが反転
する。続いて第１磁性層１の磁化も第３磁性層３に対し
て安定な向きに（ここでは反平行方向に）配列する。即
ち、第２図（ｂ）のどちらの磁化状態からも第２図（ｄ
）のような予備記録のビットが形成される。

このように、バイアス磁界と、信号に応じて変わる第１
種及び第２種のレーザーパワーとによって、光磁気ディ
スクの各箇所は第２図（ｃ）か（ｃｌ）の状態に予備記
録されることになる。

次に光磁気ディスク３５を回転させ、予備記録のビット
（Ｃ）　、　（ｄ）が磁界発生部３４を再び通過すると
、磁界発生部３４は前述したように第１磁性層１と第３
磁性層３の間に設定されているので、記録ビット（Ｃ）
は、変化が起こらずに（ｅ）の状態である（最終的な記
録状態）、、一方、記録ビット（ｄ）は第３磁性層３が
磁化反転を起こして（ｆ）の状態になるくもう一つの最
終的な記録状態）。

（ｆ）の記録ビットの状態が安定に存在する為に、前記
したようにとなっている。これは次のような理由による。

σｊ＋ｚ　／２ＭＳ＋ｈ＋は第１磁性層に働く交換力の
強さを示す。つまりσ１１１２７２Ｍ５ｒｈ＋の大きさ
の磁界で第１！ｉｉ性層の磁化の向きを、第２磁性層の
磁化の向きに対して安定な方向へ（この場合は反平行方
向に）向けようとする。そこで第１磁性層の磁化がこの
磁界に抗して反転しないためには、第１磁性層の保磁力
Ｈ，が、この交換力より大きければよい。

つまり、（５１９＋２　／　２ＭＪ１１＋　　＜　　Ｈ
＋　　であれば良い。

第２磁性層２には第１磁性層１どの界面磁壁からはσＷ
１２７２Ｍ５２ｈ２の大きさで、第１磁性層１の磁化に
対して安定な向きにそろえようとする交換・力が働く。

また、第３磁性層との界面磁壁からはσＷ２３　／２Ｍ
５２ｈ２の大きざで第３磁性層３の磁化に対して安定な
向きにそろえようとする交換力が働く。そこで、記録中
、あるいは記録後に第２′磁性層の磁化の向きが常に第
３磁性層の磁化の向きに対して安定な方向に配向してい
るためには（σＩ”２：ｌ　／　２Ｍ５２ｈ２）　＞　
（σ１＋１１２　／　２Ｍｓ＋ｈ１）　、且つ（ａ　Ｈ
２３／　２Ｍ５２ｈ２）　＞　Ｈｚが必要である。

また、’　ｗ２３　／　２Ｍ５３ｈ３は第３磁性層３に
働く交換力の大きさを示す。つまり、０ｗ２３　／　２
Ｍ５３ｈ３の大きさの磁界で、第３磁性層３の磁化の向
きを、第２磁性層２を介して第１磁性層１の磁化の向き
に対して安定な方向に（この場合は反平行に）向けよう
とする。そこで、第３磁性層３が、この磁界に抗して磁
化が反転しないためには（第２図（ｆ）の記録ビットが
安定に存在するためには）、第３磁性層３の保磁力Ｈ３
をとしてＨ３＞（０ｗ２３７２Ｍ５３ｈ３）であればよ
い。

これまでの説明により界面磁壁エネルギーではσＷ２３
〉０ｗＩ２が必要なので、Ｏ第１ｆｉ性居と第２磁性層の結合は弱く、すなわちそ
れぞれの組成を一方は補償組成に対して希土類元素に富
んだ組成にし、他方を遷移金属に富んだ組成にするとよ
いこと、及び ■　第２磁性層と第３磁性層の結合は強く、すなわちそ
れぞれの組成を共に補償組成に対して希土類元素に富ん
だ組成にするか、共に遷移金属に富んだ組成にするかよ
いことがわかる。

また、第１磁性層から第２磁性層へと働く交換力６１１
１，２／　２Ｍ５２ｔ１２と、第３磁性層から第２！ｆ
ｉ＋！、層へと働く交換力σ”２３　／　２Ｍ５２ｔ＋
２とを小さくすることで、結果的に第３磁性層から第２
磁性層へと働く交換力を減少させることが可能である。

このためには第２磁性層の飽和磁化Ｍ８２を大きく（つ
まり保磁力Ｈ２をできるだけ小さく）することが有効で
ある。そこで少なくともＨ，＞Ｈ２にするとよいことが
わかる。

本発明の記録方法では、記録ビットの状態（ｅ）と（ｆ
）は、記録時のレーザーのパワーで制御され、記録前の
状態には依存しないので、重ね書き（オーバーライド）
が可能である。記録ビット（ｅ）と（ｆ）は、再生用の
レーザービームを照射し、再生光を記録信号再生器３３
で処理することにより、再生できる。

（実施例〕４元のターゲット源を備えたスパッタ装置内に、プリグ
ループ、プリフォーマット信号の刻まれたポリカーボネ
ート製のディスク状基板を、ターゲットとの間の距ｊｌ
ｌｌＯｃｍの間隔にセットし、回転させた。

アルゴン中で、第Ｉのターゲットより、スパッタ速度１
００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒで
７、ｎＳを保護層として８００人の厚さに設けた。

次にアルゴン中で、第２のターゲットよりスパッタ速度
１′００人／ｍｉｎ、スパッタ圧５　Ｘ　Ｉ　Ｏ〜３Ｔ
ｏｒｒでＴｂＦｅ合金をスパッタし、膜厚３００人、Ｔ
、＝約１４０℃のＴｂ、８Ｆｅ６□の第１磁性層を形成
した。この第１ｆｆｉ性層自身のＨ８は約１０ＫＯｅで
あり、副格子磁化は遷移金属の方が大きかった。

次に同様な条件で、第３のターゲットよりＴｂＦｅＣ０
合金をスパッタし、膜厚１５０人、Ｔ、＝約２１０℃の
Ｔｂ２ｓＦｅ６ｓＣＯ＋。の第２磁性層を形成した。こ
の第２磁性層自身のＨ２は約２０００ｅ以下であり、副
格子磁化は希土類元素の方が大きかった。

次に同様な条件で第４のターゲットよりＴｂＦｅＣ。

合金をスパッタし、膜厚３００人、Ｔ３＝約２１［１℃
のＴｂ２３Ｆｅ６．ＣＯ＋ｏの第３磁性層を形成した。

この第３磁性層自身のＨＬ３は約５００〜１５０００ｅ
であり、副格子磁化は希土類金属の方が大きかった。

次に同条件で第１のターゲットより、ＺｎＳをスパッタ
し、保護層として２０００人の厚さのＺｎＳ層を設けた
。

次に膜形成を終えた上記の基板を、ホットメルト接着剤
を用いて、ポリカーボネートの貼り合わせ用基板と貼り
合わせ光磁気ディスクを作成した。この光磁気ディスク
を記録再生装置にセットし、２にＯｅの磁界発生部を、
線速度約７　ｍ／ｓｅｃで通過させつつ、約１μに集光
した８３０ｍｍの波長のレーザービームを５０％のデユ
ーティで２　ＭＨｚで変調させながら、４ｍＷと８ｍ１
ｆの２値のレーザーバワーで記録を行なった。バイアス
磁界は１５００ｅであった。その後１ｍＷのレーザービ
ームを照射して再生を行なったところ、２値の信号の再
生ができた。

次に、上記と同様の実験を、全面記録された後の光磁気
ディスクについて行なった。この結果前に記録された信
号成分は検出されず、オーバーライドが可能であること
が確認された。

実施例２実施例１と同様な方法で、表１に示すような光磁気ディ
スクのサンプルを作製した。比較のために各層の厚さは
いずれも実施例１と同様にした。

変化させたのは第１．２．３磁性層の組成である。すな
わち、補償組成に対して希土類元素に富んだ組成のもの
、遷移金属元素に富んだ組成のものをそれぞれ組み合わ
せた。なお、磁性層の保磁力については第１磁性層と第
３磁性層はそれぞれ約１０ＫＯｅと約１にＯｅになるよ
うにＴｂ元素とＦｅ元素の組成を調整した。

表１で各磁性層の組成の欄におけるＴＭは補償組成に対
して遷移金属に富んだ組成であることを、またＲＥは補
償組成に対して希土類元素に富んだ組成であることを示
す。

ここで、第１磁性層のＴＭ側はＴｂ＋ａＦｅａ２、ＲＥ
側はＴｂ２ｏＦｅａｏであった。第３磁性層のＴＭ側は
Ｔｂ１５Ｆｅ７ｇＣｏｌｏ、ＲＥ側はＴｂ２３Ｆｅ６ｔ
Ｃｔ）＋ｏであった。

◎　作製したサンプルについてビットの安定性、特に（
ｆ）の状態での安定性を調べた。

これは外部磁界を印加しながら磁性層の反転の起こる磁
界をＶＳＭ　（試料振動型磁化測定器）により調べた。

結果を表１に示すが、外部磁界のない状態で（ｆ）の状
態のビットが安定に存在するものはＯ印、一部第３磁性
層の磁化の反転が起こるものはＸ印を付けた。また、実
施例１と同じ方法で第１、第２種の記録を行ない良好な
再生信号を得られるものは○印、不充分であるものはＸ
印を表１に付けた。

表１の、実施例１、実施例２−１〜２−５の結果から、
今まで説明したように磁性層の組成が補償組成に対して
第１磁性層がＴＭ側のときは第２、第３磁性層はＲＥ側
であり、第１磁性層がＲＥ側のときは第２、第３磁性層
はＴＭ側であるような組み合わせの構成で、しかも第２
磁性層の保磁力Ｈ２が第３磁性層の保磁力Ｈ３よりも小
さい場合に、良好なビットの安定性と良好な記録状態が
得らた。

実施例３と比較例実施例１と同様な方法で、表２に示すような光磁気ディ
スクのサンプルを作成した。比較のために各層の厚さは
いずれも実施例１と同様にした。

変化させたのは、実施例１と比較して、第２磁性層の組
成だけである。すなわち、保磁力の大きさＨ２は約２０
００ｅ以下であり、副格子磁化は希土類元素の方が大き
いのは、実施例１と同じ。

作成したサンプルについて、実施例２と同様な評価を行
なった。

表２の、実施例と３−１〜３−４と比較例１〜３の結果
から、第２ｉｆｆ性層のキュリー温度Ｔ２が、Ｔ１とＴ
３との間にある場合（実施例３−１〜３−４）は、良好
な記録が行なえるが、Ｔ２がＴ、より小さい場合（比較
例１）は、第１種のＨ己録が良好に行なえないことが分
った。

また、Ｔ２がＴ３より大きい場合（比較例２．３）は、
第２種の記録が良好に行なえないことが分った。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、前記の条件（＾）〜（Ｃ）
を満たす三層構造の磁性層を存する媒体を用い、記録時
に、記録ヘッドと別位置に磁界発生手段を設け、２値レ
ーザーパワーで記録することにより、良好な重ね書き（
オーバーライド）が可能になった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）　、　（ｂ）は各々本発明で使用する光磁
気媒体の一例の構成を示す図、第２図は、本発明の記録
法を実施中の、磁性層１，２．３の磁化の向きを示す図
、第３図は、記録・再生装置の概念図、第４図は第Ｚ＆
ｆｉ性層２と第３磁性層３の保磁力と温度との関係を示
す概略図である。Ｂニブリグルーブ付の透光性基板、１．２，３：磁性層４．５：保護層、６：接着層、７：貼り合わせ用基板、３１：記録・再生用ヘッド、３２：記録信号発生器、３３：記録信号再生器３４：磁界発生手段３５：光磁気ディスク、

Claims

【特許請求の範囲】１）キュリー点Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性
層と、キュリー点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿２を有する第２磁
性層と、キュリー点Ｔ＿３と保磁力Ｈ＿３を有する第３
磁性層と、からなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも
基板上に有して成る光磁気記録媒体であって、次の条件
（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を満たしていることを特徴と
する光磁気記録媒体。（Ａ）各磁性層が、希土類元素と遷移金属元素との非晶
質合金を主成分とすること、（Ｂ）Ｈ＿１＞Ｈ＿３＞Ｈ＿２且つＴ＿３≧Ｔ＿２＞Ｔ＿１であること、（Ｃ）補償組成に対して、第１磁性層が遷移金属元素に
富んだ組成で、第２、３磁性層が希土類元素に富んだ組
成であるか、あるいは第１磁性層が希土類元素に富んだ
組成で、第２、３磁性層が遷移金属元素に富んだ組成で
あること。２）キュリー点Ｔ＿１と保磁力Ｈ＿１を有する第１磁性
層と、キュリー点Ｔ＿２と保磁力Ｈ＿３を有する第２磁
性層と、キュリー点Ｔ＿３と保磁力Ｈ＿３を有する第３
磁性層と、からなる三層構造の垂直磁化膜を少なくとも
基板上に有して成る光磁気記録媒体であって、（Ａ）各磁性層が、希土類元素と遷移金属元素との非晶
質合金を主成分とすること、（Ｂ）Ｈ＿１＞Ｈ＿３＞Ｈ＿２且つＴ＿３≧Ｔ＿２＞Ｔ＿１であること、（Ｃ）補償組成に対して、第１磁性層が遷移金属元素に
富んだ組成で、第２、３磁性層が希土類元素に富んだ組
成であるか、あるいは第１磁性層が希土類元素に富んだ
組成で、第２、３磁性層が遷移金属元素に富んだ組成で
あること、の３条件を満たしている光磁気記録媒体を使
用して、次の二値の記録を行なうことを特徴とする記録
方式。（ａ）該媒体に対して、記録用ヘッドと異なる場所で、
保磁力Ｈ＿２、Ｈ＿３の第２、第３磁性層を一方向に磁
化させるのに充分で保磁力Ｈ＿１の第１磁性層の磁化の
向きを反転させることのない大きさの磁界Ｂを加え、（ｂ）次に、記録ヘッドにより、バイアス磁界を印加す
ると同時にキュリー点（Ｔ＿１）付近まで該媒体が昇温
するだけのレーザーパワーを照射することにより、第２
、第３磁性層の磁化の向きを変えないまま第１磁性層の
磁化の向きを第２、３磁性層に対して安定な向きにそろ
える第１種の予備記録か、バイアス磁界を印加すると同
時にキュリー点（Ｔ＿２、Ｔ＿３）付近まで該媒体が昇
温するだけのレーザーパワーを照射することにより、第
２、第３磁性層の磁化の向きを反転させて、同時に第１
磁性層を第２、第３磁性層に対して安定な向きに磁化す
る第２種の予備記録かを、信号に応じて実施し、（ｃ）次に、該媒体を運動させて、予備記録されたビッ
トを前記磁界Ｂを通過させることにより、第１種の予備
記録により形成されたビットについては、第１磁性層、
第２磁性層、第３磁性層全て磁化の向きをそのまま変化
させず、第２種の予備記録により形成されたビットについては、
第２、第３磁性層の磁化の向きを前記磁界Ｂと同方向に
反転させ、第１磁性層の磁化の向きはそのまま変化させ
ないとする、二値の記録。