JPH04102246A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はオーバーライド（Ｏｖｅｒｗｒｉｔｅ）可能な
光磁気記録媒体に関する。

（ロ）従来の技術 従来、光変調法によりオーバーライド可能な光磁気記録
媒体については第５図ないし第７図に示すらのが提案さ
れている（特開昭６２　１７５９１８号公報またはＪａ
ｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ、νｏｆ、　２６（１９８７）Ｓｕｐｐ
ｌｅｍｅｎｔ２６−４．　Ｐ］５５−１５９）。

即ち、第５図に示すように光磁気記録媒体ｌは、レーザ
光２と磁石３．４の磁界を利用して情報を高密度に記録
又は再記録し、レーザ光２を用いてカー効果により記録
情報が読み出されるものである。この光磁気記録媒体１
は、第６図に示すように基板上に記録層５と補助層６と
からなり、両層はその保磁力をＨｌ、Ｈ，、キュリー温
度をＴ、Ｔ、とするとき、Ｈ，＞Ｈ，、”ｒｌ＜Ｔｔの
関係を有するしのに材料が選定される。この媒体１の温
度と磁界の強さとの関係を第７図に示す。尚、第７図中
、Ｔｒは室温であり、Ｈｂはバイアス磁石の磁界の強さ
である。

記録層５への記録に際して、例えば、記録データ７を書
き換える場合には、バイアス磁石３とこのバイアス磁界
と逆向きの磁界を発生する初期化磁石４を設ける。この
初期化磁石４からの磁界の大きさＨｉｎｉは、記録層５
の保磁力１（、より小さく、補助層６の保磁力Ｈ７より
大きい。この記録層５への記録に際して、この初期化磁
界が回転している媒体１に常に印加されているので、媒
体］が図示矢印８方向に回転するとき、初期化磁石４に
より補助層６を初期化磁石４の磁化方向、即ち図面−Ｌ
で下向きに磁化している。

オーバーライドは記録情報データ９に合わせて高パワー
と低パワーのレーザ光を照射することによって行われる
。即ち低パワーのレーザ光の照射時には、媒体１の温度
が記録層５のキュリー温度Ｔ、より高く、補助層６のキ
ュリー温度Ｔ、より低くなるように、また、高パワーの
レーザ光の照射時には補助層６のキュリー温度Ｔ、より
高くなるようにレーザ光のパワーが調整される。

したがって、低パワーの照射時には、記録層５の磁化が
ゼロになるが、補助層６の磁化が残っているので、レー
ザ光の照射を中止した後の冷却時に補助層６からの交換
結合力によって記録層５は補助層６と同じ向き（初期化
磁界と同じ向き）に磁化される。一方、高パワーの照射
時には、記録層５及び補助層６の磁化がいずれもゼロに
なるため、レーザ光照射の中止後の両層の冷却時に最初
は補助層６がバイアス磁石３がらの磁界の向きに磁化さ
れ、続いて記録層５も同じ向きに磁化される。

このように、記録層５は、低パワー照射により初期化磁
界の方向に、又高パワー照射によりバイアス磁界の方向
に磁化される。

（ハ）発明が解決しようとする課題 しかし、従来の光変調法によりオーバーライド可能な光
磁気記録媒体は、記録層と補助層とよりなるものである
から、オーバーライドのときにバイアス磁石を必要とす
るものであり、記録層が複雑になる欠点がある。

本発明はかかる点に鑑み発明されたものにしてオーバー
ライドのときにバイアス磁石を必要としない光磁気記録
媒体を提供しようとするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 かかる課題を解決するために、本発明による光磁気記録
媒体は、基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層と
、垂直異方性を有する第２磁性層及び第３磁性層を積層
形成し、それらの磁性層は室温での保磁力をそれぞれＨ
ｃ　＋、Ｈｃ、、Ｈｃ。

とし、キュリー温度をＴｃ、、丁Ｃ２、Ｔｃ、とすると
き、Ｈｃ、＜Ｈｃ、、Ｈｃ　ｔ　＜　Ｈｃ　ｓ、Ｔｃ＜
　Ｔ　ｃ　、＜　Ｔ　ｃ　１の関係にあることを特徴と
するものである。

（ホ）作用 オーバーライドのときには、レーザ光と初期化磁石を使
用する。初期化磁石からの磁界は室温において第１及び
第３磁性層の保磁力より小さく、第２磁性層の保磁力よ
り大きい。また、レーザ光は記録情報データに合わせて
高パワーと低パワーにパワーが調整されて使用される。

この低パワーの照射は第１磁性層のキュリー温度より高
いが、第２磁性層のキュリー温度より低い温度に光磁気
記録媒体を加熱し、また、高パワーの照射は第２磁性層
のキュリー温度より高いが、第３磁性層のキュリー温度
より低い温度に光磁気記録媒体を加熱するように、それ
ぞれのパワーが調整される。

このようなレーザ光と初期化磁石を使用することにより
、オーバーライドのときに初期化磁石からの磁界により
第２磁性層の磁化の向きを初期化磁界の方向にし、低パ
ワーのレーザ光の照射によって、第１磁性層をそのキュ
リー温度以上に加熱して第１磁性層の磁化をゼロとし、
その冷却時に第２磁性層との交換結合力により第１磁性
層は第２磁性層と同じ向き、即ち初期化磁界の向きに磁
化される。高パワーのレーザ光の照射時には、第１及び
第２磁性層をそれぞれのキュリー温度以」−に加熱する
から、この両層の磁化をゼロとし、その冷却時に第３磁
性層との交換結合力により第２磁性層は第３磁性層と同
じ向きに磁化され、続いて第１磁性層は第２磁性層と同
じ向き、即ち第３磁性層と同じ向きに磁化される。従っ
て、オーバーライドのときに、従来では必要であったバ
イアス磁石を必要としない。

（へ）実施例 本発明の一実施例を図面に基ずいて説明する。

第１図は本発明による光磁気記録媒体の模式断面図であ
り、オーバーライド時を概念的に示している。　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　通用この図面におい
て、光磁気記録媒体ｌＯは、基へ 板１１上に磁気光学効果を有する第１磁性層１２と、垂
直異方性を有する第２磁性層１３及び第３磁性層１４を
積層して構成される。これらの磁性層はその室温での保
磁力をそれぞれＨｃ、、Ｈｃ、、Ｈｃ、とし、キュリー
温度をＴｃ、、Ｔｃ＋、ＴＣｌとするとき、ＨＣ！＜Ｈ
ＣＩ、Ｈｃｒ＜Ｈｃ、、Ｔｃ＋＜Ｔｃ、＜Ｔｃ、になる
ものが選択される。

具体的には、基＠ＩＩとして厚さ１．２ｍｍのガラス板
又はポリカーボネート樹脂が使用され、各磁性層として
は、希土類元素（Ｇｄ、Ｔｂ等）と遷移金属元素（Ｆｅ
、　Ｃｏ等）よりなるアモルファス材料を使用し、各磁
性層はその材料をスパッターすることにより形成される
。この実施例では第１磁性層１２としてＧｄＦｅを使用
し、第２磁性層１３及び第３磁性層１４としてＧｄＦｅ
Ｃｏを使用した。この場合にＧｄの組成比を２６〜２７
２石にすることにより保磁力を高めることができ、この
範囲からずらすことにより保磁力を低くすることができ
る。また、ＣＯのわ１成比を高めることによりキュリー
温度を高めることができる。さらに、第１磁性層１２の
厚みとして５Ｃ）０〜１０（１０人、第３磁性層１．１
の厚みとしてｌ０ＱＱ〜２０００人、第２磁性層］３の
厚みとじてその中間の８００〜１５００人とすることが
できる。

実施例においては、第１磁性層１２ヒしては、Ｇｄ＋Ｊ
ｆ−ｚを厚み７００人に形成して、保磁力Ｈｃ　＋が１
５ｋＡ、／ｍ、キュリー温度Ｔｃ、が１３０℃であった
。第２磁性層１３としては、Ｇｄ＋ｔＦｅｓｓＣＯ＋。

を厚み１０００人に形成して、保磁力Ｈｃ　、が２ｋＡ
／ｍ、キュリー温度Ｔｃ、が２００℃てあった。

第２磁性層１３としては、Ｇｄ１ＪｅｉｓＣＯ＋３を厚
み１ＯＵＵ人に形成して、保磁力Ｈｃｓが８　ｋ　Ａ／
ｍ、キュリー温度Ｔｃ、が３００℃であった。

これらの磁性層の温度と磁界の強さとの関係を第２図に
示す。

オーバーライドのときには、レーザ光１５と初期化磁石
１６を使用する。切部化磁石１６からの磁界の強さＩ（
ｉ旧は室温Ｔｒにおいて第１及び第３磁性層１２．１４
の保磁力ｆ（Ｃ＋、Ｈｃ３より小さく、第２磁性層１３
の保磁力Ｈｃ　ｔより大きい。また、レーザ光１５は記
録情報データに合わせて高パワーと低パワーに調整され
て使用される。この低パワーの照射は第１磁性層１２の
キュノー温度Ｔｃ、より高いが、第２磁性層１３のキュ
リー温度Ｔｃ、より低い温度に光磁気記録媒ｔ＊ｌＯを
加熱する。これに対し、高パワーの照射は第２磁性層１
３のキュリー温度Ｔ　ｃ　ｔより高いが、第３磁性層１
４のキュリー温度Ｔｃ、より低い温度に光磁気記録媒体
１０を加熱する。

オーバーライドの場合に、レーザ光のパワーが高いとき
と低いときに分けて第３図及び第４図に基ずいて説明す
る。

第３図Ａは低パワーのレーザ光照射時の媒体の模式断面
図、同図Ｂはその冷却時の同断面図である。

第３図Ａにおいて、オーバーライドに際して初期化磁石
Ｉ６からの磁界により第２磁性層１３はその磁界の向き
に磁化されている。この状態で記録情報データに応じて
低パワーのレーザ光を媒体１０に照射すると、媒体１０
の温度は、第２磁性層１３のキュリー温度Ｔｃｙより低
いが第１磁性層１２のキュリー温度Ｔｃ＋り高くなるの
で、第１磁性層１２の磁化がゼロとなる。ここでレーザ
光］５の照射を中止して第１磁性層１２を冷却すると、
第１磁性層１２は第３図Ｂ中の矢印１７で承すように第
２磁性層１３からの交換結合力によって第２磁性層１３
の磁化の向きと同じ向きに磁化される。

次に、第４図Ａは高パワーのレーザ光照射時の媒体の模
式断面図、同図Ｂ及びＣはその冷却時の同断面図である
。

これらの図面において、第２磁性層】３が切間化磁界の
向きに磁化されている状態で、第４図Ａに示すように高
パワーのレーザ光を媒体１０に照射すると、媒体１０の
温度は、第２磁性層１３のキュリー温度Ｔｃ＋より高い
が、第３磁性層１４のキュリー温度Ｔｃ、より低い温度
に加熱されるから、第１及び第２磁性層】２．１３の磁
化がゼロになる。ここでレーザ光１５の照射を中止して
媒体１０を冷却すると、まず第２磁性層１３は同図Ｂ中
の矢印１８で示すように第３磁性層１４がらの交換結合
力によって第３磁性層の磁化の向きと同じ向きに磁化さ
れる。続いて媒体１０の温度の低下により第１磁性層１
２は同図Ｃ中の矢印１９で示すように第２磁性層】３か
らの交換結合力によって第２磁性層の磁化の向きと同じ
向きに磁化される。

このようにレーザ光のパワーが記録情報データに応じて
高低に調整され、第１磁性層１２の磁化の方向を記録情
報データに応じたものにすることができる。

（ト）発明の効果 本発明は基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層と
、垂直異方性を有する第２磁性層及び第３磁性層を積層
形成し、それらの磁性層は室温での保磁力をそれぞれＨ
ｃ＋、Ｈｃ、、Ｈｃ、とし、キュリー温度をＴｃ＋、Ｔ
ｃ＋、Ｔｃ、とするとき、Ｈｃ、＜Ｈｃ、、Ｈｃ　ｒ　
＜　Ｈｃ　ｓ、Ｔ　ｃ　、＜　Ｔ　ｃ　＋＜　Ｔ　ｃ　
ｈの関係にあることを特徴とするものであるから、第３
磁性層が従来のバイアス磁石の機能を果たすことになり
、オーバーライドに際してバイアス磁石を必要としない
光磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示し、第１図
は本発明による光磁気記録媒体の模式断面図、第２図は
媒体の各磁性層の温度と磁界の強さとの関係説明図、第
３図Ａは低パワーのレーザ光照射時の媒体の模式断面図
、同図Ｂはその冷却時の同断面図、第４図Ａは高パワー
のレーザ光照射時の媒体の模式断面図、同図Ｂ及びＣは
その冷却時の同断面図である。第５図は従来の光磁気記
録媒体の斜視図、第６図はその媒体の模式断面図、第７
図は媒体の各磁性層の温度と磁界の強さとの関係説明図
である。 １０−−−−−−−一光磁気記録媒体、１１−−−−−
−−一基板、１２−一−−−−−第】磁性層、］　］３
−−−−−−−第２磁性層］　４−−−−−−第３磁性
層、＋　５−−−−−−−−レーザ光、１６−−−−−
−−一初期化磁石。 出頼人　三洋電機株式会社 代理人　弁理士　西野卓嗣（外２名） 第１図 ｒ Ｔｃ＋ Ｔｃ２ Ｔｃ３ ｉ！Ｌ廣

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、磁気光学効果を有する第１磁性層と、
   垂直異方性を有する第２磁性層及び第３磁性層を積層形
   成し、それらの磁性層は室温での保磁力をそれぞれＨｃ
   ＿１、Ｈｃ＿２、Ｈｃ＿３とし、キュリー温度をＴｃ＿
   １、Ｔｃ＿２、Ｔｃ＿３とするとＨｃ＿２＜Ｈｃ＿１、
   Ｈｃ＿２＜Ｈｃ＿３、Ｔｃ＿１＜Ｔｃ＿２＜Ｔｃ＿３ の関係にあることを特徴とする光磁気記録媒体。