JPH06176412A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH06176412A JPH06176412A JP43A JP32161392A JPH06176412A JP H06176412 A JPH06176412 A JP H06176412A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 32161392 A JP32161392 A JP 32161392A JP H06176412 A JPH06176412 A JP H06176412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic film
- film
- recording
- reproducing
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 357
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 51
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 51
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 51
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 abstract description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 316
- 102100027368 Histone H1.3 Human genes 0.000 description 31
- 101001009450 Homo sapiens Histone H1.3 Proteins 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 102100039855 Histone H1.2 Human genes 0.000 description 6
- 101001035375 Homo sapiens Histone H1.2 Proteins 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 1
- LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N Monolinuron Chemical compound CON(C)C(=O)NC1=CC=C(Cl)C=C1 LKJPSUCKSLORMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 101150087557 omcB gene Proteins 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10523—Initialising
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1107—Magnetoresistive
- Y10T428/1143—Magnetoresistive with defined structural feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12639—Adjacent, identical composition, components
- Y10T428/12646—Group VIII or IB metal-base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光磁気記録媒体に関し、光変調オー
バーライトや光スポット以下の微小記録磁区の再生等を
行うに当たって、初期化動作のための初期化磁界が低減
あるいは不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良
好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度の大きい
高性能の媒体を提供するものである。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生
磁性膜，制御磁性膜及び記録磁性膜からなる記録層を有
し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力に
よって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向き
が転写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直磁化
膜であり、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜でかつ
補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されている
フェリ磁性膜であるという構成を備えている。
バーライトや光スポット以下の微小記録磁区の再生等を
行うに当たって、初期化動作のための初期化磁界が低減
あるいは不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良
好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度の大きい
高性能の媒体を提供するものである。 【構成】 本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生
磁性膜，制御磁性膜及び記録磁性膜からなる記録層を有
し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力に
よって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向き
が転写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直磁化
膜であり、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜でかつ
補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されている
フェリ磁性膜であるという構成を備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光による温度上昇
を利用して記録消去を行い、磁気光学効果を利用して再
生を行う光磁気記録媒体及びその作製方法に関するもの
である。
を利用して記録消去を行い、磁気光学効果を利用して再
生を行う光磁気記録媒体及びその作製方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体への記録は、レーザ光照
射により記録膜の温度を局部的にキュリー温度以上に加
熱し、照射部の記録膜を外部磁界の向きに磁化させ、記
録磁区を形成することによって行う（熱磁気記録）。そ
の記録信号の再生は、記録消去時のレーザパワーより低
いパワーのレーザ光照射し、記録膜の記録状態（記録磁
区の磁化の向き）に応じて反射光あるいは透過光の偏光
面が回転する（磁気光学効果）状況を検出することによ
って行う。また、従来の記録方式には、一定強度のレー
ザ光を照射して記録膜の温度を上昇させ、記録信号に応
じて向きの変調された外部磁界で熱磁気記録する方式
（磁界変調記録方式）および一定強度の外部磁界のもと
で記録信号に応じて強度の変調されたレーザ光を照射し
て記録膜の温度を局部的に上昇させて熱磁気記録する方
式（光変調記録方式）がある。
射により記録膜の温度を局部的にキュリー温度以上に加
熱し、照射部の記録膜を外部磁界の向きに磁化させ、記
録磁区を形成することによって行う（熱磁気記録）。そ
の記録信号の再生は、記録消去時のレーザパワーより低
いパワーのレーザ光照射し、記録膜の記録状態（記録磁
区の磁化の向き）に応じて反射光あるいは透過光の偏光
面が回転する（磁気光学効果）状況を検出することによ
って行う。また、従来の記録方式には、一定強度のレー
ザ光を照射して記録膜の温度を上昇させ、記録信号に応
じて向きの変調された外部磁界で熱磁気記録する方式
（磁界変調記録方式）および一定強度の外部磁界のもと
で記録信号に応じて強度の変調されたレーザ光を照射し
て記録膜の温度を局部的に上昇させて熱磁気記録する方
式（光変調記録方式）がある。
【０００３】さらに、光変調方式でオーバーライト動作
を行う方法として従来提案されているものを以下に説明
する。図８において、互いに交換結合している高保磁力
Ｈc1，低キュリー温度Ｔc1の垂直磁化膜である再生磁性
膜８１と低保磁力Ｈc2，高キュリー温度Ｔc2の垂直磁化
膜である補助磁性膜８２とから記録層が構成され、互い
に逆向きの磁界を発生する初期化磁界８３及び記録用磁
界８４、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光８５
を用いて熱磁気記録される（例えば第３４回応用物理学
関係連合講演会予稿集２８ｐ−２Ｌ−３，１９８７）。
を行う方法として従来提案されているものを以下に説明
する。図８において、互いに交換結合している高保磁力
Ｈc1，低キュリー温度Ｔc1の垂直磁化膜である再生磁性
膜８１と低保磁力Ｈc2，高キュリー温度Ｔc2の垂直磁化
膜である補助磁性膜８２とから記録層が構成され、互い
に逆向きの磁界を発生する初期化磁界８３及び記録用磁
界８４、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光８５
を用いて熱磁気記録される（例えば第３４回応用物理学
関係連合講演会予稿集２８ｐ−２Ｌ−３，１９８７）。
【０００４】再生磁性膜は、情報が記録され、かつ再生
が行われるためのもので、補助磁性膜は、再生磁性膜へ
の記録を制御するためのものであって、交換結合力Ｈ1-
2で磁気結合している。室温においてＨc2＞Ｈ1-2、かつ
Ｈc2＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc1であって、補助磁性膜８２の磁
化は初期化磁界８３（Ｈｉ）の向きに揃えられている。
記録時、レーザ光照射領域の記録層の到達温度が再生磁
性膜のキュリー温度Ｔc1付近となる低レベルの時、Ｔc1
付近での補助磁性膜における磁化の向きを交換結合力に
よって再生磁性膜に転写する動作を行い、一方、レーザ
光照射領域の記録層の到達温度が補助磁性膜のキュリー
温度Ｔc2付近となる高レベルの時、補助磁性膜８２の磁
化を記録用磁界８４の向きに記録後に冷却過程において
補助磁性膜における記録磁化の向きを交換結合力によっ
て再生磁性膜に転写する動作を行うことによって、オー
バーライトを実現できるものである。
が行われるためのもので、補助磁性膜は、再生磁性膜へ
の記録を制御するためのものであって、交換結合力Ｈ1-
2で磁気結合している。室温においてＨc2＞Ｈ1-2、かつ
Ｈc2＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc1であって、補助磁性膜８２の磁
化は初期化磁界８３（Ｈｉ）の向きに揃えられている。
記録時、レーザ光照射領域の記録層の到達温度が再生磁
性膜のキュリー温度Ｔc1付近となる低レベルの時、Ｔc1
付近での補助磁性膜における磁化の向きを交換結合力に
よって再生磁性膜に転写する動作を行い、一方、レーザ
光照射領域の記録層の到達温度が補助磁性膜のキュリー
温度Ｔc2付近となる高レベルの時、補助磁性膜８２の磁
化を記録用磁界８４の向きに記録後に冷却過程において
補助磁性膜における記録磁化の向きを交換結合力によっ
て再生磁性膜に転写する動作を行うことによって、オー
バーライトを実現できるものである。
【０００５】また、記録磁区が再生光スポット径以下に
小さくなると、再生しようとする記録磁区の前後の記録
磁区も再生光の検出範囲に含まれ、それらからの干渉に
より再生信号が小さくなるためにＳ／Ｎが低下するとい
う課題解決のために、従来提案されている図７に示すよ
うな構成の光磁気記録媒体について説明する。図７にお
いて、７１は初期化磁界Ｈi、７２は記録用磁界Ｈr、７
３は再生光、７４は再生光スポット、７５は記録磁区、
７６は温度Ｔd以上の領域、７７は低保磁力Ｈc1の垂直
磁化膜からなる再生磁性膜、７８は高保磁力Ｈc2の垂直
磁化膜からなる記録磁性膜であって、再生磁性膜７７及
び記録磁性膜７８は交換結合していて２層で記録層を構
成している。
小さくなると、再生しようとする記録磁区の前後の記録
磁区も再生光の検出範囲に含まれ、それらからの干渉に
より再生信号が小さくなるためにＳ／Ｎが低下するとい
う課題解決のために、従来提案されている図７に示すよ
うな構成の光磁気記録媒体について説明する。図７にお
いて、７１は初期化磁界Ｈi、７２は記録用磁界Ｈr、７
３は再生光、７４は再生光スポット、７５は記録磁区、
７６は温度Ｔd以上の領域、７７は低保磁力Ｈc1の垂直
磁化膜からなる再生磁性膜、７８は高保磁力Ｈc2の垂直
磁化膜からなる記録磁性膜であって、再生磁性膜７７及
び記録磁性膜７８は交換結合していて２層で記録層を構
成している。
【０００６】ここで、室温において再生磁性膜７７の保
磁力は前記交換結合力Ｈ1-2より大きく設定され、かつ
Ｈc1＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc2となるように設定されている。
情報は記録磁性膜７８に記録磁区７５として記録用磁界
７２の下で熱磁気記録されているが、室温においてＨc1
＞Ｈ1-2、かつＨc1＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc2であるので、再
生磁性膜７７の磁化は初期化磁界７１の向きに揃えられ
ていて、記録磁区７５は再生磁性膜７７には存在しな
い。
磁力は前記交換結合力Ｈ1-2より大きく設定され、かつ
Ｈc1＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc2となるように設定されている。
情報は記録磁性膜７８に記録磁区７５として記録用磁界
７２の下で熱磁気記録されているが、室温においてＨc1
＞Ｈ1-2、かつＨc1＋Ｈ1-2＜Ｈi＜Ｈc2であるので、再
生磁性膜７７の磁化は初期化磁界７１の向きに揃えられ
ていて、記録磁区７５は再生磁性膜７７には存在しな
い。
【０００７】再生時に、再生光照射によって再生磁性膜
７７の一部分７６の温度がある一定温度Ｔd以上に上昇
して、保磁力Ｈc1が交換結合力より小さくなれば、その
部分に対応する再生磁性膜７７の磁化は記録磁性膜７８
の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜７８の記録
磁区７５は再生磁性膜７６に転写される。従って、再生
光スポットのうちで温度Ｔd以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで再生
光スポットの大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁
区からの波形干渉なしで再生できることになる。
７７の一部分７６の温度がある一定温度Ｔd以上に上昇
して、保磁力Ｈc1が交換結合力より小さくなれば、その
部分に対応する再生磁性膜７７の磁化は記録磁性膜７８
の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜７８の記録
磁区７５は再生磁性膜７６に転写される。従って、再生
光スポットのうちで温度Ｔd以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで再生
光スポットの大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁
区からの波形干渉なしで再生できることになる。
【０００８】以上の従来提案されている２つの方法で共
通している構成は、室温で一方の磁性膜の磁化の向きを
１方向に揃え（初期化動作）、温度上昇時に交換結合力
によって一方の磁性膜の磁化の向きを他方の磁性膜の磁
化に転写する（転写動作）という構成である。
通している構成は、室温で一方の磁性膜の磁化の向きを
１方向に揃え（初期化動作）、温度上昇時に交換結合力
によって一方の磁性膜の磁化の向きを他方の磁性膜の磁
化に転写する（転写動作）という構成である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、初期化動作のための初期化磁界に３ＫＯｅ以
上の強磁界を必要とするため装置の大型化を招くという
欠点があり、また、初期化動作及び転写動作が良好に行
える各磁性膜の保磁力及び磁壁エネルギーの温度依存性
の選択，組合せ、即ち各磁性膜の組成の選択，組合せを
実現することが難しいという課題を有していた。
方法では、初期化動作のための初期化磁界に３ＫＯｅ以
上の強磁界を必要とするため装置の大型化を招くという
欠点があり、また、初期化動作及び転写動作が良好に行
える各磁性膜の保磁力及び磁壁エネルギーの温度依存性
の選択，組合せ、即ち各磁性膜の組成の選択，組合せを
実現することが難しいという課題を有していた。
【００１０】本発明は上記課題に鑑み、初期化動作のた
めの初期化磁界を低減あるいは不要とし、かつ初期化動
作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選
択の自由度が大きい高性能の光磁気記録媒体を提供する
ものである。
めの初期化磁界を低減あるいは不要とし、かつ初期化動
作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選
択の自由度が大きい高性能の光磁気記録媒体を提供する
ものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性
膜，制御磁性膜及び記録磁性膜からなる記録層を有し、
温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力によっ
て前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向きが転
写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直磁化膜で
あり、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜でかつ補償
温度が前記転写の起こる温度付近に設定されているフェ
リ磁性膜であるという構成を備えているものである。
に、本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性
膜，制御磁性膜及び記録磁性膜からなる記録層を有し、
温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力によっ
て前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向きが転
写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直磁化膜で
あり、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜でかつ補償
温度が前記転写の起こる温度付近に設定されているフェ
リ磁性膜であるという構成を備えているものである。
【００１２】また、上記課題を解決するために、本発明
の別の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性膜及び記
録磁性膜からなる記録層を有し、温度上昇時に交換結合
力によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の
向きが転写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直
磁化膜であり、前記再生磁性膜は室温では面内磁化膜で
かつ補償温度付近において垂直磁化膜となる組成Ｇｄx
｛ＦｅyＣｏ(1-y)｝(1- x)（ここで、０.２３≦ｘ≦０.
２８、ｙ≧０.５）であるという構成を備えているもの
である。
の別の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性膜及び記
録磁性膜からなる記録層を有し、温度上昇時に交換結合
力によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の
向きが転写される構成であって、前記記録磁性膜は垂直
磁化膜であり、前記再生磁性膜は室温では面内磁化膜で
かつ補償温度付近において垂直磁化膜となる組成Ｇｄx
｛ＦｅyＣｏ(1-y)｝(1- x)（ここで、０.２３≦ｘ≦０.
２８、ｙ≧０.５）であるという構成を備えているもの
である。
【００１３】
【作用】図６を用いて本発明の光磁気記録媒体の作用に
ついて説明する。図６は本発明の光磁気記録媒体の模式
図であるが、これは図７に示す従来の光磁気記録媒体に
おいて、再生磁性膜と記録磁性膜の間に、それらの磁性
膜間の交換結合力を制御するために、室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度Ｔd付近に設
定されているフェリ磁性膜を設けた構成となっている。
図６において、６１は初期化磁界Ｈi、６２は記録用磁
界、６３は再生光、６４は再生光スポット、６５は記録
磁区、６６は温度Ｔd以上の領域、６７は低保磁力Ｈc1
を有する垂直磁化膜からなる再生磁性膜、６８は室温で
は面内磁化膜でかつ温度Ｔd付近に補償温度を有するフ
ェリ磁性である制御磁性膜、６９は高保磁力Ｈc3を有す
る垂直磁化膜である記録磁性膜である。
ついて説明する。図６は本発明の光磁気記録媒体の模式
図であるが、これは図７に示す従来の光磁気記録媒体に
おいて、再生磁性膜と記録磁性膜の間に、それらの磁性
膜間の交換結合力を制御するために、室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度Ｔd付近に設
定されているフェリ磁性膜を設けた構成となっている。
図６において、６１は初期化磁界Ｈi、６２は記録用磁
界、６３は再生光、６４は再生光スポット、６５は記録
磁区、６６は温度Ｔd以上の領域、６７は低保磁力Ｈc1
を有する垂直磁化膜からなる再生磁性膜、６８は室温で
は面内磁化膜でかつ温度Ｔd付近に補償温度を有するフ
ェリ磁性である制御磁性膜、６９は高保磁力Ｈc3を有す
る垂直磁化膜である記録磁性膜である。
【００１４】ここで、制御磁性膜は室温では面内磁化膜
であり、垂直磁化膜である再生磁性膜及び記録磁性膜と
磁化容易軸方向が異なるので、室温における再生磁性膜
への記録磁性膜からの交換結合力Ｈ1-3を弱める作用を
する。また、飽和磁化Ｍsの磁性薄膜においては反磁界
４πＭsが面内磁気異方性の原因となるので、飽和磁化
Ｍsが零に近づけば、面内磁気異方性も零に近づく。一
方、交換結合は各磁性膜中の磁化が互いに平行あるいは
反平行に配列し易い性質に基づいて発生するものである
から、磁化が零の時は交換結合力は働かない。
であり、垂直磁化膜である再生磁性膜及び記録磁性膜と
磁化容易軸方向が異なるので、室温における再生磁性膜
への記録磁性膜からの交換結合力Ｈ1-3を弱める作用を
する。また、飽和磁化Ｍsの磁性薄膜においては反磁界
４πＭsが面内磁気異方性の原因となるので、飽和磁化
Ｍsが零に近づけば、面内磁気異方性も零に近づく。一
方、交換結合は各磁性膜中の磁化が互いに平行あるいは
反平行に配列し易い性質に基づいて発生するものである
から、磁化が零の時は交換結合力は働かない。
【００１５】しかし、フェリ磁性膜は補償温度において
飽和磁化が零であっても副格子磁化が零でないので、交
換結合力を伝達できる。従って、記録層の温度が制御磁
性膜の補償温度付近になった時、制御磁性膜が面内磁化
膜として交換結合力Ｈ1-3を弱める作用は飽和磁化Ｍs2
が零に近づくことによって反磁界の減少とともに微弱化
する一方、副格子磁化は依然存在するので交換結合力1-
3を媒介する作用は依然として大きい。つまり、制御磁
性膜は大きな飽和磁化を有する室温において交換結合力
Ｈ1-3を抑制し、飽和磁化が殆ど零になる補償温度即ち
前記転写の起こる温度Ｔd付近において交換結合力Ｈ1-3
を助力する作用を果たす。
飽和磁化が零であっても副格子磁化が零でないので、交
換結合力を伝達できる。従って、記録層の温度が制御磁
性膜の補償温度付近になった時、制御磁性膜が面内磁化
膜として交換結合力Ｈ1-3を弱める作用は飽和磁化Ｍs2
が零に近づくことによって反磁界の減少とともに微弱化
する一方、副格子磁化は依然存在するので交換結合力1-
3を媒介する作用は依然として大きい。つまり、制御磁
性膜は大きな飽和磁化を有する室温において交換結合力
Ｈ1-3を抑制し、飽和磁化が殆ど零になる補償温度即ち
前記転写の起こる温度Ｔd付近において交換結合力Ｈ1-3
を助力する作用を果たす。
【００１６】情報は記録磁性膜６９に記録磁区６５とし
て記録用磁界６２の下で熱磁気記録されている。室温に
おいて、制御磁性膜の交換結合抑制作用により交換結合
力Ｈ1-3が弱められているため、初期化磁界を３ｋOe以
下に低減してもＨc1＞Ｈ1-3、かつＨc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜
Ｈc3の関係を容易に設定できる。従って、再生磁性膜６
７の磁化は初期化磁界６１の向きに揃えられていて、記
録磁区６５は再生磁性膜６７には存在しない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜６７の一部分６６の
温度がある一定温度Ｔd以上に上昇した場合、制御磁性
膜の補償温度付近となり、その交換結合抑制作用が小さ
くなって交換結合力Ｈ1-3が大きくなるため、Ｈc1＜Ｈ1
-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従って、
再生磁性膜６７の一部分６６の磁化は記録磁性膜６９の
磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜６９の記録磁
区６５は再生磁性膜６７に転写される。
て記録用磁界６２の下で熱磁気記録されている。室温に
おいて、制御磁性膜の交換結合抑制作用により交換結合
力Ｈ1-3が弱められているため、初期化磁界を３ｋOe以
下に低減してもＨc1＞Ｈ1-3、かつＨc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜
Ｈc3の関係を容易に設定できる。従って、再生磁性膜６
７の磁化は初期化磁界６１の向きに揃えられていて、記
録磁区６５は再生磁性膜６７には存在しない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜６７の一部分６６の
温度がある一定温度Ｔd以上に上昇した場合、制御磁性
膜の補償温度付近となり、その交換結合抑制作用が小さ
くなって交換結合力Ｈ1-3が大きくなるため、Ｈc1＜Ｈ1
-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従って、
再生磁性膜６７の一部分６６の磁化は記録磁性膜６９の
磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜６９の記録磁
区６５は再生磁性膜６７に転写される。
【００１７】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
【００１８】本発明による上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えることによって発揮される。
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えることによって発揮される。
【００１９】また、図６において、再生磁性膜６７とし
て室温では面内磁化膜でかつ補償温度Ｔcomp1付近にお
いて垂直磁化膜となる磁性膜を用い、制御磁性膜６８を
省略した構成を考えると、室温で面内磁化膜である再生
磁性膜６７の膜厚方向の磁化状態は、交換結合力Ｈ1-3
によって記録磁性膜６９に近い側ほど垂直成分を有する
が、この時再生磁性膜６７の室温における面内磁気異方
性が充分大きければ、再生光入射側の磁化はほとんどＨ
1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のままである。一
方、カー効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生する
ものである。従って、再生光からみれば室温付近におい
て、再生磁性膜６７の表面磁化はほとんど面内方向を向
いており、極カー回転角はほとんど零であるため、記録
磁区６５を再生磁性膜６７には検出できない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜６７の一部分６６の
温度がＴcomp1付近に上昇した場合、再生磁性膜６７は
保磁力Ｈc1（１００Oe前後）の垂直磁化膜になる。この
時、再生磁性膜６７の一部分６６の膜厚方向の磁化は全
て垂直となり、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易
に成立できる。従って、再生磁性膜６７の一部分６６の
磁化は記録磁性膜６９の磁化の向きに揃えられるので、
記録磁性膜６９の記録磁区６５は再生磁性膜６７に転写
される。この時は初期化磁界が不要となる。
て室温では面内磁化膜でかつ補償温度Ｔcomp1付近にお
いて垂直磁化膜となる磁性膜を用い、制御磁性膜６８を
省略した構成を考えると、室温で面内磁化膜である再生
磁性膜６７の膜厚方向の磁化状態は、交換結合力Ｈ1-3
によって記録磁性膜６９に近い側ほど垂直成分を有する
が、この時再生磁性膜６７の室温における面内磁気異方
性が充分大きければ、再生光入射側の磁化はほとんどＨ
1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のままである。一
方、カー効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生する
ものである。従って、再生光からみれば室温付近におい
て、再生磁性膜６７の表面磁化はほとんど面内方向を向
いており、極カー回転角はほとんど零であるため、記録
磁区６５を再生磁性膜６７には検出できない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜６７の一部分６６の
温度がＴcomp1付近に上昇した場合、再生磁性膜６７は
保磁力Ｈc1（１００Oe前後）の垂直磁化膜になる。この
時、再生磁性膜６７の一部分６６の膜厚方向の磁化は全
て垂直となり、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易
に成立できる。従って、再生磁性膜６７の一部分６６の
磁化は記録磁性膜６９の磁化の向きに揃えられるので、
記録磁性膜６９の記録磁区６５は再生磁性膜６７に転写
される。この時は初期化磁界が不要となる。
【００２０】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行
うための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能
の光磁気記録媒体が実現できることになる。
が不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行
うための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能
の光磁気記録媒体が実現できることになる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の第１の実施例の光磁気記録媒
体について、図面を参照しながら説明する。図１は、本
実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図１において、１０は初期化磁界Ｈi、１１は記録
用磁界、１２は再生光、１３はポリカーボネイトからな
る基板、１４及び１８はＳｉＮ膜からなる保護層、１５
はキュリー温度Ｔc1，保磁力Ｈc1の垂直磁化膜であるＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ膜からなる再生磁性膜、１６はキュリー
温度Ｔc2，室温では面内磁化膜でかつ１５０℃付近に補
償温度Ｔcomp2を有するフェリ磁性であるＧｄＦｅＣｏ
膜からなる制御磁性膜、１７はキュリー温度Ｔc3，保磁
力Ｈc3の垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ膜からなる記録
磁性膜、１９は記録磁区であり、再生磁性膜１５と記録
磁性膜１７は制御磁性膜１６を介して交換結合してお
り、これらの磁性膜から記録層２０が構成されている。
ここで基板１３上の各膜はスパッタリング法または真空
蒸着法により形成し、各膜厚は保護層１４及び１８を８
０ｎｍ、再生磁性膜１５を４０ｎｍ、制御磁性膜１６を
５〜１５ｎｍ、記録磁性膜１７を５０ｎｍと設定した。
また、キュリー温度はＴc1を３００℃程度、Ｔc2を３０
０℃以上、Ｔc3を２３０℃程度、保磁力は室温において
Ｈc1を１.５〜２ｋOe、Ｈc3を１０ｋOe〜２０ｋOeに設
定した。
体について、図面を参照しながら説明する。図１は、本
実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図１において、１０は初期化磁界Ｈi、１１は記録
用磁界、１２は再生光、１３はポリカーボネイトからな
る基板、１４及び１８はＳｉＮ膜からなる保護層、１５
はキュリー温度Ｔc1，保磁力Ｈc1の垂直磁化膜であるＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ膜からなる再生磁性膜、１６はキュリー
温度Ｔc2，室温では面内磁化膜でかつ１５０℃付近に補
償温度Ｔcomp2を有するフェリ磁性であるＧｄＦｅＣｏ
膜からなる制御磁性膜、１７はキュリー温度Ｔc3，保磁
力Ｈc3の垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ膜からなる記録
磁性膜、１９は記録磁区であり、再生磁性膜１５と記録
磁性膜１７は制御磁性膜１６を介して交換結合してお
り、これらの磁性膜から記録層２０が構成されている。
ここで基板１３上の各膜はスパッタリング法または真空
蒸着法により形成し、各膜厚は保護層１４及び１８を８
０ｎｍ、再生磁性膜１５を４０ｎｍ、制御磁性膜１６を
５〜１５ｎｍ、記録磁性膜１７を５０ｎｍと設定した。
また、キュリー温度はＴc1を３００℃程度、Ｔc2を３０
０℃以上、Ｔc3を２３０℃程度、保磁力は室温において
Ｈc1を１.５〜２ｋOe、Ｈc3を１０ｋOe〜２０ｋOeに設
定した。
【００２２】なお、補償温度を有する希土類−遷移金属
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜１７のキュリー温度Ｔc3付近
では、記録用磁界１１の下での記録磁性膜１７への記録
磁区１９の形成を再生磁性膜１５及び制御磁性膜１６か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
１５及び制御磁性膜１６は記録磁性膜１７と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜１７のキュリー温度Ｔc3付近
では、記録用磁界１１の下での記録磁性膜１７への記録
磁区１９の形成を再生磁性膜１５及び制御磁性膜１６か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
１５及び制御磁性膜１６は記録磁性膜１７と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
【００２３】情報は記録磁性膜１７に記録磁区１９とし
て記録用磁界１１（３００Oe前後）の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、制御磁性膜１６の交換結合抑
制作用により再生磁性膜１５への制御磁性膜１７からの
交換結合力Ｈ1-3は弱められている。図２に制御磁性膜
厚をパラメータとして交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示
す。制御磁性膜厚が１０ｎｍの時、室温においてＨ1-3
は８００Oe程度であり、Ｈc1を１.５ｋOe程度とすれば
初期化磁界Ｈiを３ｋOe以下に低減してもＨc1＞Ｈ1-3、
かつＨc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜Ｈc3の関係を容易に設定でき
る。従って、再生磁性膜１５の磁化は初期化磁界１０の
向きに揃えられていて、記録磁区１９は再生第１磁性膜
１５には存在しない。再生時に、再生光照射によって再
生磁性膜１５の一部分１５′の温度が１３０℃程度以上
に上昇した場合、制御磁性膜１６の補償温度（１５０
℃）付近となり、その交換結合抑制作用が小さくなって
交換結合力Ｈ1-3が１.８ｋOe程度に大きくなるため、Ｈ
c1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従
って、再生磁性膜１５の一部分１５ａの磁化は記録磁性
膜１７の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜１７
の記録磁区１９は再生磁性膜１５に転写される。
て記録用磁界１１（３００Oe前後）の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、制御磁性膜１６の交換結合抑
制作用により再生磁性膜１５への制御磁性膜１７からの
交換結合力Ｈ1-3は弱められている。図２に制御磁性膜
厚をパラメータとして交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示
す。制御磁性膜厚が１０ｎｍの時、室温においてＨ1-3
は８００Oe程度であり、Ｈc1を１.５ｋOe程度とすれば
初期化磁界Ｈiを３ｋOe以下に低減してもＨc1＞Ｈ1-3、
かつＨc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜Ｈc3の関係を容易に設定でき
る。従って、再生磁性膜１５の磁化は初期化磁界１０の
向きに揃えられていて、記録磁区１９は再生第１磁性膜
１５には存在しない。再生時に、再生光照射によって再
生磁性膜１５の一部分１５′の温度が１３０℃程度以上
に上昇した場合、制御磁性膜１６の補償温度（１５０
℃）付近となり、その交換結合抑制作用が小さくなって
交換結合力Ｈ1-3が１.８ｋOe程度に大きくなるため、Ｈ
c1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従
って、再生磁性膜１５の一部分１５ａの磁化は記録磁性
膜１７の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜１７
の記録磁区１９は再生磁性膜１５に転写される。
【００２４】この光磁気記録媒体を再生した場合、再生
光の照射により記録層２０の温度が上昇する。集束され
た再生光の強度はガウシアン分布を有し、光磁気記録媒
体が再生光に対して移動するので、再生光スポット内の
温度分布は図１に示すように再生光スポット２１の中心
付近より後方にずれて１３０℃程度以上の高温部分２２
ができる。すなわち、再生光スポット２１のうち１３０
℃程度以上になった一部分において交換結合力Ｈ1-3が
１.８ｋOe程度に大きくなるため、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1
＜Ｈc3の関係が成立して、再生磁性膜１５の一部分１５
ａの磁化は記録磁性膜１７の磁化の向きに揃えられるの
で、記録磁性膜１７の記録磁区１９は再生磁性膜１５に
転写される。
光の照射により記録層２０の温度が上昇する。集束され
た再生光の強度はガウシアン分布を有し、光磁気記録媒
体が再生光に対して移動するので、再生光スポット内の
温度分布は図１に示すように再生光スポット２１の中心
付近より後方にずれて１３０℃程度以上の高温部分２２
ができる。すなわち、再生光スポット２１のうち１３０
℃程度以上になった一部分において交換結合力Ｈ1-3が
１.８ｋOe程度に大きくなるため、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1
＜Ｈc3の関係が成立して、再生磁性膜１５の一部分１５
ａの磁化は記録磁性膜１７の磁化の向きに揃えられるの
で、記録磁性膜１７の記録磁区１９は再生磁性膜１５に
転写される。
【００２５】ここで記録層２０を構成する各磁性膜のキ
ュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直磁気異方
性の大きさを変化させる各種元素の添加によって比較的
簡単に変えることができるので、光磁気記録媒体に要求
される記録再生条件が変化しても最適な光磁気記録媒体
を作製することができる。
ュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直磁気異方
性の大きさを変化させる各種元素の添加によって比較的
簡単に変えることができるので、光磁気記録媒体に要求
される記録再生条件が変化しても最適な光磁気記録媒体
を作製することができる。
【００２６】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
【００２７】なお、本実施例では、基板１３としてポリ
カ−ボネイト、保護層１４及び１８としてＳｉＮ膜、再
生磁性膜１５としてＧｄＴｂＦｅＣｏ膜、制御磁性膜１
６としてＧｄＦｅＣｏ膜、記録磁性膜１７としてＴｂＦ
ｅＣｏ膜を用いたが、基板１３は他のプラスチックある
いはガラス、保護層１４及び１８はＡｌＮ等の他の窒化
物の膜あるいはＴａＯ2等の酸化物の膜あるいはＺｎＳ
等のカルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、
再生磁性膜１５及び記録磁性膜１７については、Ｔc1＞
Ｔcomp2，Ｔc3＞Ｔcomp2でかつ室温においてＨc1＞Ｈ1-
3，Ｈc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜Ｈc3でかつＴcomp2付近でＨc1＜
Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3であるという条件を満たす限り他の
希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはＭｎＢｉＡｌ等
のＭｎ系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直磁化
膜、制御磁性膜１６については、室温では面内磁化膜で
かつ前記転写の起こる温度付近に補償温度Ｔcomp2を有
するＧｄＦｅやＧｄＣｏ膜等の他のフェリ磁性膜を用い
てもよい。
カ−ボネイト、保護層１４及び１８としてＳｉＮ膜、再
生磁性膜１５としてＧｄＴｂＦｅＣｏ膜、制御磁性膜１
６としてＧｄＦｅＣｏ膜、記録磁性膜１７としてＴｂＦ
ｅＣｏ膜を用いたが、基板１３は他のプラスチックある
いはガラス、保護層１４及び１８はＡｌＮ等の他の窒化
物の膜あるいはＴａＯ2等の酸化物の膜あるいはＺｎＳ
等のカルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、
再生磁性膜１５及び記録磁性膜１７については、Ｔc1＞
Ｔcomp2，Ｔc3＞Ｔcomp2でかつ室温においてＨc1＞Ｈ1-
3，Ｈc1＋Ｈ1-3＜Ｈi＜Ｈc3でかつＴcomp2付近でＨc1＜
Ｈ1-3，Ｈ3-1＜Ｈc3であるという条件を満たす限り他の
希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはＭｎＢｉＡｌ等
のＭｎ系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直磁化
膜、制御磁性膜１６については、室温では面内磁化膜で
かつ前記転写の起こる温度付近に補償温度Ｔcomp2を有
するＧｄＦｅやＧｄＣｏ膜等の他のフェリ磁性膜を用い
てもよい。
【００２８】ところで、本実施例は、再生光スポットの
大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁区からの波形
干渉なしで再生できる光磁気記録媒体についてのもので
あるが、本実施例における上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えれば、図８における説明及び本
実施例の説明で述べたと同様な流れで同様な作用効果が
発揮される。
大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁区からの波形
干渉なしで再生できる光磁気記録媒体についてのもので
あるが、本実施例における上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えれば、図８における説明及び本
実施例の説明で述べたと同様な流れで同様な作用効果が
発揮される。
【００２９】次に、本発明の第２の実施例の光磁気記録
媒体について、図面を参照しながら説明する。図３は、
本実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図３において、３１は記録用磁界、３２は再生光、
３３はポリカーボネイトからなる基板、３４及び３８は
ＳｉＮ膜からなる保護層、３５はキュリー温度Ｔc1，室
温では面内磁化膜でかつ補償温度Ｔcomp1〜１６０℃付
近の１３０℃前後で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
ＧｄＦｅＣｏ膜からなる再生磁性膜、３６はキュリー温
度Ｔc2，室温では面内磁化膜でかつ１５０℃付近に補償
温度Ｔcomp2を有するフェリ磁性であるＧｄＦｅＣｏ膜
からなる制御磁性膜、３７はキュリー温度Ｔc3，保磁力
Ｈc3の垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ膜からなる記録磁
性膜、３９は記録磁区であり、再生磁性膜３５と記録磁
性膜３７は制御磁性膜３６を介して交換結合しており、
これらの磁性膜から記録層４０が構成されている。ここ
で基板３３上の各膜はスパッタリング法または真空蒸着
法により形成し、各膜厚は保護層３４及び３８を８０ｎ
ｍ、再生磁性膜３５を４０ｎｍ、制御磁性膜３６を５〜
１０ｎｍ、記録磁性膜１７を５０ｎｍと設定した。ま
た、キュリー温度はＴc1を３００℃以上、Ｔc2を３００
℃以上、Ｔc3を２３０℃程度、保磁力は室温においてＨ
c3を１０ｋOe〜２０ｋOeに設定した。
媒体について、図面を参照しながら説明する。図３は、
本実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図３において、３１は記録用磁界、３２は再生光、
３３はポリカーボネイトからなる基板、３４及び３８は
ＳｉＮ膜からなる保護層、３５はキュリー温度Ｔc1，室
温では面内磁化膜でかつ補償温度Ｔcomp1〜１６０℃付
近の１３０℃前後で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
ＧｄＦｅＣｏ膜からなる再生磁性膜、３６はキュリー温
度Ｔc2，室温では面内磁化膜でかつ１５０℃付近に補償
温度Ｔcomp2を有するフェリ磁性であるＧｄＦｅＣｏ膜
からなる制御磁性膜、３７はキュリー温度Ｔc3，保磁力
Ｈc3の垂直磁化膜であるＴｂＦｅＣｏ膜からなる記録磁
性膜、３９は記録磁区であり、再生磁性膜３５と記録磁
性膜３７は制御磁性膜３６を介して交換結合しており、
これらの磁性膜から記録層４０が構成されている。ここ
で基板３３上の各膜はスパッタリング法または真空蒸着
法により形成し、各膜厚は保護層３４及び３８を８０ｎ
ｍ、再生磁性膜３５を４０ｎｍ、制御磁性膜３６を５〜
１０ｎｍ、記録磁性膜１７を５０ｎｍと設定した。ま
た、キュリー温度はＴc1を３００℃以上、Ｔc2を３００
℃以上、Ｔc3を２３０℃程度、保磁力は室温においてＨ
c3を１０ｋOe〜２０ｋOeに設定した。
【００３０】なお、補償温度を有する希土類−遷移金属
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜３７のキュリー温度Ｔc3付近
では、記録用磁界３１の下での記録磁性膜３７への記録
磁区３９の形成を再生磁性膜３５及び制御磁性膜３６か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
３５及び制御磁性膜３６は記録磁性膜３７と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜３７のキュリー温度Ｔc3付近
では、記録用磁界３１の下での記録磁性膜３７への記録
磁区３９の形成を再生磁性膜３５及び制御磁性膜３６か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
３５及び制御磁性膜３６は記録磁性膜３７と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
【００３１】ところで、室温では面内磁化膜でかつ補償
温度Ｔcomp1付近で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
ＧｄＦｅＣｏ膜の作製は、以下のようにできる。Ｔcomp
1の値はＧｄ組成比でほぼ決まり、Ｇｄ組成２３〜２８a
t％でＴcomp1＝８０〜２６０℃となる。室温では面内磁
化膜でかつ補償温度付近で垂直磁化膜とするためには、
Ｆｅ対Ｃｏの組成比率がおよそ１以上の組成を選べば実
現でき、Ｆｅの組成比が大きくなるほど補償温度以下の
低い温度で垂直磁化膜となる。図４に再生磁性膜３５の
組成をＧｄ0.25Ｆｅ0.39Ｃｏ0.36とした時の磁化の垂直
成分の温度変化について残留磁化Ｍr／飽和磁化Ｍsの値
として示す。この時、補償温度Ｔcomp1は約１６０℃で
あり、室温において磁化を垂直に向けるために必要な外
部磁界は約２ｋOeであった。
温度Ｔcomp1付近で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
ＧｄＦｅＣｏ膜の作製は、以下のようにできる。Ｔcomp
1の値はＧｄ組成比でほぼ決まり、Ｇｄ組成２３〜２８a
t％でＴcomp1＝８０〜２６０℃となる。室温では面内磁
化膜でかつ補償温度付近で垂直磁化膜とするためには、
Ｆｅ対Ｃｏの組成比率がおよそ１以上の組成を選べば実
現でき、Ｆｅの組成比が大きくなるほど補償温度以下の
低い温度で垂直磁化膜となる。図４に再生磁性膜３５の
組成をＧｄ0.25Ｆｅ0.39Ｃｏ0.36とした時の磁化の垂直
成分の温度変化について残留磁化Ｍr／飽和磁化Ｍsの値
として示す。この時、補償温度Ｔcomp1は約１６０℃で
あり、室温において磁化を垂直に向けるために必要な外
部磁界は約２ｋOeであった。
【００３２】情報は記録磁性膜３７の記録磁区３９とし
て記録用磁界３１（３００Oe前後）の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、再生磁性膜３５は面内磁化膜
であり、制御磁性膜３６の交換結合抑制作用により再生
磁性膜３５への記録磁性膜３７からの交換結合力Ｈ1-3
は弱められている。図５に制御磁性膜厚を７.５ｎｍと
した時の交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す。ここで、
再生磁性膜３５は面内磁化膜であるので交換結合力は再
生磁性膜３５全体に作用する平均としての値で示してい
る。室温においてＨ1-3は７００Oe程度であり、面内磁
化膜である再生磁性膜３５の膜厚方向の磁化状態は、こ
のＨ1-3によって制御磁性膜３６に近い側ほど垂直成分
を有するが、再生光入射側の磁化はほとんどＨ1-3の影
響を受けずに面内磁化の状態のままである。一方、カー
効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生するものであ
る。従って、再生光からみれば室温付近において、再生
磁性膜３５の表面磁化はほとんど面内方向を向いてお
り、極カー回転角はほとんど零であるため、記録磁区３
９を再生磁性膜３５には検出できない。
て記録用磁界３１（３００Oe前後）の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、再生磁性膜３５は面内磁化膜
であり、制御磁性膜３６の交換結合抑制作用により再生
磁性膜３５への記録磁性膜３７からの交換結合力Ｈ1-3
は弱められている。図５に制御磁性膜厚を７.５ｎｍと
した時の交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す。ここで、
再生磁性膜３５は面内磁化膜であるので交換結合力は再
生磁性膜３５全体に作用する平均としての値で示してい
る。室温においてＨ1-3は７００Oe程度であり、面内磁
化膜である再生磁性膜３５の膜厚方向の磁化状態は、こ
のＨ1-3によって制御磁性膜３６に近い側ほど垂直成分
を有するが、再生光入射側の磁化はほとんどＨ1-3の影
響を受けずに面内磁化の状態のままである。一方、カー
効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生するものであ
る。従って、再生光からみれば室温付近において、再生
磁性膜３５の表面磁化はほとんど面内方向を向いてお
り、極カー回転角はほとんど零であるため、記録磁区３
９を再生磁性膜３５には検出できない。
【００３３】再生時に、再生光照射によって再生磁性膜
３５の一部分３５ａの温度が１３０℃程度以上に上昇し
た場合、再生磁性膜３５及び制御磁性膜３６の補償温度
付近となり、再生磁性膜３５は保磁力Ｈc1（１５０Oe前
後）の垂直磁化膜になる一方、制御磁性膜３６の交換結
合抑制作用が小さくなる。この結果、交換結合力Ｈ1-3
が１.８ｋOe程度に大きくなる一方、再生磁性膜３５の
膜厚方向の磁化は全て垂直となり、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1
＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従って、再生磁性膜
３５の一部分３５ａの磁化は記録磁性膜３７の磁化の向
きに揃えられるので、記録磁性膜３７の記録磁区３９は
再生磁性膜３５に転写される。すなわち、再生光スポッ
ト４１のうちで１３０℃程度以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで初期
化磁界なしでも再生光スポットの大きさよりも小さな記
録磁区を前の記録磁区からの波形干渉なしで再生できる
ことになる。
３５の一部分３５ａの温度が１３０℃程度以上に上昇し
た場合、再生磁性膜３５及び制御磁性膜３６の補償温度
付近となり、再生磁性膜３５は保磁力Ｈc1（１５０Oe前
後）の垂直磁化膜になる一方、制御磁性膜３６の交換結
合抑制作用が小さくなる。この結果、交換結合力Ｈ1-3
が１.８ｋOe程度に大きくなる一方、再生磁性膜３５の
膜厚方向の磁化は全て垂直となり、Ｈc1＜Ｈ1-3，Ｈ3-1
＜Ｈc3の関係が容易に成立できる。従って、再生磁性膜
３５の一部分３５ａの磁化は記録磁性膜３７の磁化の向
きに揃えられるので、記録磁性膜３７の記録磁区３９は
再生磁性膜３５に転写される。すなわち、再生光スポッ
ト４１のうちで１３０℃程度以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで初期
化磁界なしでも再生光スポットの大きさよりも小さな記
録磁区を前の記録磁区からの波形干渉なしで再生できる
ことになる。
【００３４】また、図３における再生磁性膜３５とし
て、室温における面内磁気異方性が充分大きく、制御磁
性膜３６を省略しても室温において再生光入射側の磁化
がほとんどＨ1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のま
まであるような磁性膜（例えば、Ｇｄ0.25Ｆｅ0.375Ｃ
ｏ0.375等）を用いると、制御磁性膜６８を省略した構
成であっても上記動作が実現できる。
て、室温における面内磁気異方性が充分大きく、制御磁
性膜３６を省略しても室温において再生光入射側の磁化
がほとんどＨ1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のま
まであるような磁性膜（例えば、Ｇｄ0.25Ｆｅ0.375Ｃ
ｏ0.375等）を用いると、制御磁性膜６８を省略した構
成であっても上記動作が実現できる。
【００３５】さらに、ここで記録層４０を構成する各磁
性膜のキュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直
磁気異方性の大きさを変化させる各種元素の添加によっ
て比較的簡単に変えることができるので、光磁気記録媒
体に要求される記録再生条件が変化しても最適な光磁気
記録媒体を作製することができる。
性膜のキュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直
磁気異方性の大きさを変化させる各種元素の添加によっ
て比較的簡単に変えることができるので、光磁気記録媒
体に要求される記録再生条件が変化しても最適な光磁気
記録媒体を作製することができる。
【００３６】すなわち、初期化動作が不要で、かつ転写
動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度
が大きい高性能の光磁気記録媒体が実現できることにな
る。
動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度
が大きい高性能の光磁気記録媒体が実現できることにな
る。
【００３７】なお、本実施例では、基板３３としてポリ
カ−ボネイト、保護層３４及び３８としてＳｉＮ膜、再
生磁性膜３５としてＧｄＦｅＣｏ膜、制御磁性膜３６と
してＧｄＦｅＣｏ膜、記録磁性膜３７としてＴｂＦｅＣ
ｏ膜を用いたが、基板３３は他のプラスチックあるいは
ガラス、保護層３４及び３８はＡｌＮ等の他の窒化物の
膜あるいはＴａＯ2等の酸化物の膜あるいはＺｎＳ等の
カルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、再生
磁性膜３５ついては、Ｔc1＞Ｔcomp2，Ｔcomp1がＴcomp
2付近，室温では面内磁化膜でかつＴcomp1付近ではＨc1
＜Ｈ1-3であって垂直磁化膜となる他のフェリ磁性膜あ
るいはスピン再配列温度がＴcomp2付近である希土類オ
ルソフェライト系磁性膜等のスピン再配列磁性膜、制御
磁性膜については、室温では面内磁化膜でかつ前記転写
の起こる温度付近に補償温度Ｔcomp2を有するＧｄＣｏ
膜等の他のフェリ磁性膜、記録磁性膜については、Ｔc3
＞Ｔcomp2でかつ室温においてＨc3が十分大きくかつＴc
omp2付近ではＨ3-1＜Ｈc3であるという条件を満たす限
り他の希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはＭｎＢｉ
Ａｌ等のＭｎ系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直
磁化膜を用いてもよい。
カ−ボネイト、保護層３４及び３８としてＳｉＮ膜、再
生磁性膜３５としてＧｄＦｅＣｏ膜、制御磁性膜３６と
してＧｄＦｅＣｏ膜、記録磁性膜３７としてＴｂＦｅＣ
ｏ膜を用いたが、基板３３は他のプラスチックあるいは
ガラス、保護層３４及び３８はＡｌＮ等の他の窒化物の
膜あるいはＴａＯ2等の酸化物の膜あるいはＺｎＳ等の
カルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、再生
磁性膜３５ついては、Ｔc1＞Ｔcomp2，Ｔcomp1がＴcomp
2付近，室温では面内磁化膜でかつＴcomp1付近ではＨc1
＜Ｈ1-3であって垂直磁化膜となる他のフェリ磁性膜あ
るいはスピン再配列温度がＴcomp2付近である希土類オ
ルソフェライト系磁性膜等のスピン再配列磁性膜、制御
磁性膜については、室温では面内磁化膜でかつ前記転写
の起こる温度付近に補償温度Ｔcomp2を有するＧｄＣｏ
膜等の他のフェリ磁性膜、記録磁性膜については、Ｔc3
＞Ｔcomp2でかつ室温においてＨc3が十分大きくかつＴc
omp2付近ではＨ3-1＜Ｈc3であるという条件を満たす限
り他の希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはＭｎＢｉ
Ａｌ等のＭｎ系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直
磁化膜を用いてもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明の光磁気記録媒体
は、複数の磁性膜で記録層を構成し、室温で一方の磁性
膜の磁化の向きを１方向に揃え（初期化動作）、あるい
は温度上昇時に交換結合力によって一方の磁性膜の磁化
の向きを他方の磁性膜の磁化に転写する（転写動作）と
いう過程を用いて、光変調オーバーライトや光スポット
以下の微小記録磁区の再生等を行う場合に、初期化動作
のための初期化磁界が低減あるいは不要となり、かつ初
期化動作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組
成の選択の自由度を広げるものである。
は、複数の磁性膜で記録層を構成し、室温で一方の磁性
膜の磁化の向きを１方向に揃え（初期化動作）、あるい
は温度上昇時に交換結合力によって一方の磁性膜の磁化
の向きを他方の磁性膜の磁化に転写する（転写動作）と
いう過程を用いて、光変調オーバーライトや光スポット
以下の微小記録磁区の再生等を行う場合に、初期化動作
のための初期化磁界が低減あるいは不要となり、かつ初
期化動作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組
成の選択の自由度を広げるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における光磁気記録媒体
の構成図
の構成図
【図２】本発明の第１の実施例における制御磁性膜厚を
パラメータとして交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す特
性図
パラメータとして交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す特
性図
【図３】本発明の第２の実施例における光磁気記録媒体
の構成図
の構成図
【図４】再生磁性膜としてのＧｄ25Ｆｅ39Ｃｏ36膜の磁
化の垂直成分の温度変化を示す特性図
化の垂直成分の温度変化を示す特性図
【図５】本発明の第２の実施例における制御磁性膜厚を
７.５ｎｍとした時の交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す
特性図
７.５ｎｍとした時の交換結合力Ｈ1-3の温度変化を示す
特性図
【図６】本発明の光磁気記録媒体の作用を説明するため
の構成図
の構成図
【図７】従来の光磁気記録媒体の構成図
【図８】従来の光磁気記録媒体の構成図
１０ 初期化磁界 １１ 記録用磁界 １２ 再生光 １３ 基板（ポリカーボネイト樹脂） １４ 保護層（ＳｉＮ膜） １５ 再生磁性膜（ＧｄＴｂＦｅＣｏ膜） １６ 制御磁性膜（ＧｄＦｅＣｏ膜） １７ 記録磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ膜） １８ 保護層（ＳｉＮ膜） １９ 記録磁区 ２０ 記録層 ２１ 再生光スポット ２２ 温度１３０℃以上の部分 ３１ 記録用磁界 ３２ 再生光 ３３ 基板（ポリカーボネイト樹脂） ３４ 保護層（ＳｉＮ膜） ３５ 再生磁性膜（ＧｄＦｅＣｏ膜） ３６ 制御磁性膜（ＧｄＦｅＣｏ膜） ３７ 記録磁性膜（ＴｂＦｅＣｏ膜） ３８ 保護層（ＳｉＮ膜） ３９ 記録磁区 ４０ 記録層 ４１ 再生光スポット ４２ 温度１３０℃以上の部分 ６１ 初期化磁界 ６２ 記録用磁界 ６３ 再生光 ６４ 再生光スポット ６５ 記録磁区 ６６ 温度Ｔd以上の領域 ６７ 再生磁性膜 ６８ 制御磁性膜 ６９ 記録磁性膜 ７１ 初期化磁界 ７２ 記録用磁界 ７３ 再生光 ７４ 再生光スポット ７５ 記録磁区 ７６ 温度Ｔd以上の領域 ７７ 再生磁性膜 ７８ 記録磁性膜 ８１ 再生磁性膜 ８２ 記録磁性膜 ８３ 初期化磁界 ８４ 記録用磁界 ８５ レーザ光
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と制御磁性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を
有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力
によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向
きが転写される構成であって、前記再生磁性膜は直接に
光再生される膜であり、前記記録磁性膜は記録情報を保
持するための膜であって垂直磁化膜であり、前記制御磁
性膜は前記再生磁性膜と前記記録磁性膜の間の交換結合
力の強さを制御する膜であって室温では面内磁化膜でか
つ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されてい
るフェリ磁性膜であることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と制御磁性膜と補助磁性膜とが積層された記録層を
有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力
によって前記補助磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向
きが転写される構成であって、前記再生磁性膜は直接に
光再生されかつ記録情報を保持する膜であって垂直磁化
膜であり、前記補助磁性膜は前記再生磁性膜への情報記
録を補助するための膜であって垂直磁化膜であり、前記
制御磁性膜は前記再生磁性膜と前記補助磁性膜の間の交
換結合力の強さを制御する膜であって室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定さ
れているフェリ磁性膜であることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項３】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を有し、温度上
昇時に交換結合力によって前記記録磁性膜から前記再生
磁性膜へ磁化の向きが転写される構成であって、前記記
録磁性膜は記録情報を保持するための膜であって垂直磁
化膜であり、前記再生磁性膜は直接に光再生される膜で
あって室温では面内磁化膜でかつ補償温度付近において
垂直磁化膜となる組成 Ｇｄx｛ＦｅyＣｏ(1-y)｝(1-x)（ここで、０.２３≦ｘ
≦０.２８、ｙ≧０.５） であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と制御磁性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を
有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力
によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向
きが転写される構成であって、前記記録磁性膜は記録情
報を保持するための膜であって垂直磁化膜であり、前記
制御磁性膜は前記再生磁性膜と前記記録磁性膜の間の交
換結合力の強さを制御する膜であって室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設定さ
れているフェリ磁性膜であり、前記再生磁性膜は直接に
光再生される膜であって室温では面内磁化膜でかつ補償
温度付近において垂直磁化膜となる組成 Ｇｄx｛ＦｅyＣｏ(1-y)｝(1-x)（ここで、０.２３≦ｘ
≦０.２８、ｙ≧０.５） であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項５】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を有し、温度上
昇時に交換結合力によって前記記録磁性膜から前記再生
磁性膜へ磁化の向きが転写される構成であって、前記再
生磁性膜は直接に光再生される膜であり、前記記録磁性
膜は記録情報を保持するための膜であって垂直磁化膜で
あり、前記記録磁性膜のキュリー温度付近での前記記録
磁性膜及び前記再生磁性膜の支配的な副格子磁化の種類
が同一であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】基板上に、この基板の光入射側から再生磁
性膜と制御磁性膜と記録磁性膜とが積層された記録層を
有し、温度上昇時に前記制御磁性膜を介して交換結合力
によって前記記録磁性膜から前記再生磁性膜へ磁化の向
きが転写される構成であって、前記再生磁性膜は直接に
光再生される膜であり、前記記録磁性膜は記録情報を保
持するための膜であって垂直磁化膜であり、前記制御磁
性膜は前記再生磁性膜と前記補助磁性膜の間の交換結合
力の強さを制御する膜であり、前記記録磁性膜のキュリ
ー温度付近での前記記録磁性膜及び前記再生磁性膜，前
記制御磁性膜の支配的な副格子磁化の種類が同一である
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項７】制御磁性膜がＧｄＦｅ膜またはＧｄＣｏ膜
またはＧｄＦｅＣｏ膜であることを特徴とする請求項
１、２または４記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04321613A JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
| US08/160,976 US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 1993-11-30 | Magneto-optical recording medium |
| US09/612,896 US6521357B1 (en) | 1992-12-01 | 2000-07-10 | Magneto-optical recording medium |
| US10/121,780 US6811889B2 (en) | 1992-12-01 | 2002-04-12 | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04321613A JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06176412A true JPH06176412A (ja) | 1994-06-24 |
| JP3092363B2 JP3092363B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=18134483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04321613A Expired - Fee Related JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6399227B1 (ja) |
| JP (1) | JP3092363B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158508A2 (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-28 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1563496A1 (en) * | 2002-11-14 | 2005-08-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Domain expansion rom media with adapted domain shape for improved readout |
| US8374060B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-02-12 | Tdk Corporation | Thermally-assisted magnetic recording method for writing data on a hard disk medium |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1190321A (en) * | 1981-10-29 | 1985-07-09 | Toshihisa Deguchi | Magneto-optical head assembly |
| JPH061564B2 (ja) * | 1984-02-22 | 1994-01-05 | 株式会社ニコン | 光磁気記録媒体 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| JPH01256051A (ja) | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録媒体 |
| US5187694A (en) | 1987-08-21 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium |
| JPH01118239A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH01128245A (ja) | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光磁気記録の記録方式 |
| KR970002341B1 (ko) * | 1987-11-30 | 1997-03-03 | 소니 가부시끼가이샤 | 자기 광 기록 매체의 신호 재생 방법 |
| CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
| US5175714A (en) | 1988-09-30 | 1992-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium including recording and bias layers satisfying certain conditions |
| US5142513A (en) | 1989-04-20 | 1992-08-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical storage medium and magneto-optical overwrite system with magnetic characteristic change by variation of thermal condition for recording information |
| JPH0334139A (ja) | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nippon Columbia Co Ltd | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
| US5087532A (en) | 1989-08-01 | 1992-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Direct-overwrite magneto-optic media |
| JP2910084B2 (ja) | 1989-09-06 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
| US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
| JP2707769B2 (ja) | 1989-11-14 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
| DE69122197T2 (de) | 1990-03-24 | 1997-03-06 | Seiko Epson Corp | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, und Verfahren zur magnetooptischen Aufzeichnung und Wiedergabe |
| JPH04134741A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | ４層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JP2567996B2 (ja) | 1991-01-23 | 1996-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP3111479B2 (ja) * | 1991-02-08 | 2000-11-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| US5380573A (en) * | 1991-02-15 | 1995-01-10 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| JP2839783B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1998-12-16 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法 |
| JP2690634B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1997-12-10 | シャープ株式会社 | 光ヘッド |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3093340B2 (ja) * | 1991-07-23 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3159742B2 (ja) * | 1991-10-07 | 2001-04-23 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録再生方法 |
| EP0586175B1 (en) * | 1992-08-28 | 2002-05-15 | Canon Kabushiki Kaisha | A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium |
| JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
| JPH06162589A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
| JP2857002B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1999-02-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置 |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP04321613A patent/JP3092363B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-30 US US08/160,976 patent/US6399227B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-10 US US09/612,896 patent/US6521357B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-12 US US10/121,780 patent/US6811889B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1158508A2 (en) * | 2000-05-23 | 2001-11-28 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
| EP1158508A3 (en) * | 2000-05-23 | 2005-09-14 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020119348A1 (en) | 2002-08-29 |
| US6399227B1 (en) | 2002-06-04 |
| JP3092363B2 (ja) | 2000-09-25 |
| US6811889B2 (en) | 2004-11-02 |
| US6521357B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2579631B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| US5512366A (en) | Magneto-optic recording medium and apparatus | |
| JP3519293B2 (ja) | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 | |
| JP2503708B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び装置 | |
| JPH0535499B2 (ja) | ||
| JPH0522303B2 (ja) | ||
| US5343449A (en) | Over-write capable magnetooptical recording medium having reading layer | |
| US6018511A (en) | Magneto-optical recording medium and readout method of the same | |
| US5502692A (en) | Method and apparatus for recording, reproducing and overwriting information on or from a magnetooptic disk having three magnetic layers | |
| US5503924A (en) | Exchange-coupled magnetooptical recording medium with first layer having smaller vertical orientation saturation magnetization than in-plane orientation saturation magnetization of second layer | |
| JP3092363B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3354726B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び再生方法 | |
| JP2828993B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びそれを用いた情報記録方法 | |
| JP2674815B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
| JP3786507B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| KR930010474B1 (ko) | 광자기 기록매체 및 광자기 기록매체의 제조방법 | |
| JPH0714230A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
| JP3126459B2 (ja) | 光磁気記録方法および光磁気記録装置 | |
| JP3089659B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
| JP2531327B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| CA2010470C (en) | Magneto-optic recording medium and manufacturing method | |
| JPH1125533A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07192330A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH06267125A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH10334527A (ja) | 光磁気記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |