JPH01256051A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光磁気記録媒体への高速の重ね書きが可能な磁
気書き込み、光再生方式に適した媒体に関するものであ
る。
気書き込み、光再生方式に適した媒体に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、光磁気ディスクへの記録（情報の書き込み）は、
−様に磁化した光記録媒体（例えばＴｂ−Ｆｅ薄膜等の
垂直磁化薄膜）に対し異方性磁界以下のバイアス磁場を
磁化と逆向きに加えつつし一ザービームを照射して照射
領域の温度をキュリー温度以上に上げた後、媒体が冷却
する過程でバイアス磁場の方向に磁化が反転することを
利用しており、レーザービームをオン・オフする事で磁
化反転の列として情報を記録していた（通常の光変調記
録）。
−様に磁化した光記録媒体（例えばＴｂ−Ｆｅ薄膜等の
垂直磁化薄膜）に対し異方性磁界以下のバイアス磁場を
磁化と逆向きに加えつつし一ザービームを照射して照射
領域の温度をキュリー温度以上に上げた後、媒体が冷却
する過程でバイアス磁場の方向に磁化が反転することを
利用しており、レーザービームをオン・オフする事で磁
化反転の列として情報を記録していた（通常の光変調記
録）。
（発明が解決しようとする課題）
この方式では一旦記録された領域に再度新しい情報を記
録する場合には、上記記録時とは逆向きのバイアス磁場
中で連続レーザービームを照射して媒体を加熱し磁化を
全て一方向に揃える事（これを消去過程という）が必要
であった。即ち、消去して後に再度記録を行う必要があ
り、通常の磁気記録における情報の書き込みのように、
予め記録されていた領域の上に別の情報を記録すること
で、前の情報は自動的に消える機能はなく、アクセス速
度の高速化上の障害となっていた。
録する場合には、上記記録時とは逆向きのバイアス磁場
中で連続レーザービームを照射して媒体を加熱し磁化を
全て一方向に揃える事（これを消去過程という）が必要
であった。即ち、消去して後に再度記録を行う必要があ
り、通常の磁気記録における情報の書き込みのように、
予め記録されていた領域の上に別の情報を記録すること
で、前の情報は自動的に消える機能はなく、アクセス速
度の高速化上の障害となっていた。
本発明は上記欠点を改善した光磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
ことを目的とする。
（Ｒ題を解決するための手段）
上記目的を達成するための本発明の特徴は、基板と、そ
の上に設けられ、膜面に平行な方向の磁化により情報を
記録する面内磁気異方性の記録層と、該記録層に隣接し
、該記録層より大きな保持力と該記録層より低いキュリ
ー温度を有し、膜面に垂直方向の磁化により情報を記録
する垂直磁気異方性の転写再生層とを有する光磁気記録
媒体にある。
の上に設けられ、膜面に平行な方向の磁化により情報を
記録する面内磁気異方性の記録層と、該記録層に隣接し
、該記録層より大きな保持力と該記録層より低いキュリ
ー温度を有し、膜面に垂直方向の磁化により情報を記録
する垂直磁気異方性の転写再生層とを有する光磁気記録
媒体にある。
（作用）
第１図には本発明の光磁気記録媒体とその磁気書き込み
、光再生方式の構成の概略を示す。本発明では媒体とし
てキュリー温度が高い面内磁気異方性を持った記録層１
とこの媒体の保磁力よりも大きい保磁力を有し、しかも
キュリー温度は前記の媒体よりも低い転写再生層２との
２層構造の磁性薄膜を用い、記録は磁気ヘッド４で記録
層に対し信号を書き込み、その後光磁気記録用ヘッド５
のレーザービーム６で転写再生層２をキュリー温度以上
に加熱し、冷却過程中に記録層１のビットを転写再生層
２に転写することで行う。再生は転写再生層２の磁化情
報をカー回転角の差として光磁気記録用ヘッド５で読み
出す。オーバーライドは記録層１に新しい情報を磁気ヘ
ッド４で書き加え、レーザービーム６で転写再生Ｍ２を
加熱し、記録層１の情報を転写再生層２に転写すること
で行う。磁気ヘッドからでる磁場は記録層１を磁化する
には十分な強度で、かつ転写再生層２を磁化するには不
足する強度に設定することで、消去過程を経ないでこの
ようなオーバーライド記録ができる。
、光再生方式の構成の概略を示す。本発明では媒体とし
てキュリー温度が高い面内磁気異方性を持った記録層１
とこの媒体の保磁力よりも大きい保磁力を有し、しかも
キュリー温度は前記の媒体よりも低い転写再生層２との
２層構造の磁性薄膜を用い、記録は磁気ヘッド４で記録
層に対し信号を書き込み、その後光磁気記録用ヘッド５
のレーザービーム６で転写再生層２をキュリー温度以上
に加熱し、冷却過程中に記録層１のビットを転写再生層
２に転写することで行う。再生は転写再生層２の磁化情
報をカー回転角の差として光磁気記録用ヘッド５で読み
出す。オーバーライドは記録層１に新しい情報を磁気ヘ
ッド４で書き加え、レーザービーム６で転写再生Ｍ２を
加熱し、記録層１の情報を転写再生層２に転写すること
で行う。磁気ヘッドからでる磁場は記録層１を磁化する
には十分な強度で、かつ転写再生層２を磁化するには不
足する強度に設定することで、消去過程を経ないでこの
ようなオーバーライド記録ができる。
従って従来の技術の欠点が改善され本発明の目的が達成
される。
される。
（実施例）
この発明の実施例を第２図に基づいて説明する。
第２図において、１は記録層、２は記録層１に接して形
成された転写再生層、３は記録層１、転写再生層２を形
成する基板、４は磁気ヘッド、５は光磁気記録用ヘッド
、６は光磁気記録用ヘッド５のレーザービーム、７は転
写再生層２上に形成された保護層である。また、基板３
、記録層１、転写再生層２からなるディスクは円板状に
形成している。
成された転写再生層、３は記録層１、転写再生層２を形
成する基板、４は磁気ヘッド、５は光磁気記録用ヘッド
、６は光磁気記録用ヘッド５のレーザービーム、７は転
写再生層２上に形成された保護層である。また、基板３
、記録層１、転写再生層２からなるディスクは円板状に
形成している。
まず、好適な光磁気記録媒体を実施例１、実施例２とし
て説明し、次にこの発明の光磁気記録媒体の記録層１、
転写再生層２について更に詳しく説明する。
て説明し、次にこの発明の光磁気記録媒体の記録層１、
転写再生層２について更に詳しく説明する。
（実施例１）
第２図の光磁気ディスク用の基板３としてはガラス円板
を用いた。基板３上にスパッタリング法を用いて０．１
７ ｐ ｒａ厚の２．Ｏａｔ％Ｃｏ＋２．Ｏａｔ％Ｔｉ
＋１．５ａｔ％Ｃｕ添加ｙ−Ｆｅ、Ｏ，薄膜の記録層１
を形成後、７７ａｔ％Ｆ ｅ−２３ａｔ％Ｔｂ薄膜の転
写再生層２を０．１μｍ形成し光磁気ディスク媒体とし
た。表−１は記録層１のγ−Ｆｅ、０３薄膜と転写再生
層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜の磁気特性を示す。なお、記録層
１のγ−Ｆａ２０．薄膜は面内磁気異方性を持ち、転写
再生層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜は垂直磁気異方性を持つもの
である。また、Ｔｂ−Ｆｅ薄膜を保護する目的でＳｉＯ
□を０．１μｍオーバーコートし、保護層７とした。
を用いた。基板３上にスパッタリング法を用いて０．１
７ ｐ ｒａ厚の２．Ｏａｔ％Ｃｏ＋２．Ｏａｔ％Ｔｉ
＋１．５ａｔ％Ｃｕ添加ｙ−Ｆｅ、Ｏ，薄膜の記録層１
を形成後、７７ａｔ％Ｆ ｅ−２３ａｔ％Ｔｂ薄膜の転
写再生層２を０．１μｍ形成し光磁気ディスク媒体とし
た。表−１は記録層１のγ−Ｆｅ、０３薄膜と転写再生
層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜の磁気特性を示す。なお、記録層
１のγ−Ｆａ２０．薄膜は面内磁気異方性を持ち、転写
再生層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜は垂直磁気異方性を持つもの
である。また、Ｔｂ−Ｆｅ薄膜を保護する目的でＳｉＯ
□を０．１μｍオーバーコートし、保護層７とした。
本実施例では磁気ヘッド４は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトバ
ルクリングヘッドであり、コア幅は１８．５μｍ、ギャ
ップ長は０．８５μ厘、コイル巻数は３６回である。ま
た１周速２０ＩＩｌ／ｓｅｃでディスクを回転した時の
ヘッド・媒体間隔は０．２７μｍである。
ルクリングヘッドであり、コア幅は１８．５μｍ、ギャ
ップ長は０．８５μ厘、コイル巻数は３６回である。ま
た１周速２０ＩＩｌ／ｓｅｃでディスクを回転した時の
ヘッド・媒体間隔は０．２７μｍである。
まず記録においては、記録電流を２５ｍ Ａとし、記録
層１にビット長２μｍの信号を記録した。
層１にビット長２μｍの信号を記録した。
この時点では、記録層１にのみビットが記録層１の水平
方向に書き込まれている。
方向に書き込まれている。
次に、ディスク上の転写すべき部分をレーザービーム６
で１４０℃に加熱し、記録層１に記録されたビットを転
写再生層２に転写した。転写再生１１！ｊ２のＴｂ−Ｆ
ｅ薄膜の磁化方向は垂直磁気異方性により膜面に垂直に
なる。
で１４０℃に加熱し、記録層１に記録されたビットを転
写再生層２に転写した。転写再生１１！ｊ２のＴｂ−Ｆ
ｅ薄膜の磁化方向は垂直磁気異方性により膜面に垂直に
なる。
再生においては、ビットを転写した転写再生層２から光
磁気記録用ヘッド５で情報をカー効果で検出した。なお
、再生時の媒体面におけるレーザービーム６のパワーは
１ｎ＋Ｗ、周速は５ ｒｎ／Ｓｅｃである。再生出力の
ＣＮ比は４５ｄＢであった。
磁気記録用ヘッド５で情報をカー効果で検出した。なお
、再生時の媒体面におけるレーザービーム６のパワーは
１ｎ＋Ｗ、周速は５ ｒｎ／Ｓｅｃである。再生出力の
ＣＮ比は４５ｄＢであった。
ひきつづきオーバーライド特性を確認するため、−旦ビ
ットを転写した部分に再度磁気ヘッドで３μｍのビット
を記録した。この状態では、記録層１のみ磁化が更新記
録され、転写再生層２の情報は変化しない。この状態で
レーザービーム６により媒体を１４０℃に加熱して転写
再生層２に情報を転写した後、記録した３μｍのビット
を光磁気記録用ヘッド５で検出した。その時のＣＮ比は
４３ｄＢであり、前に記録されていた２μＩビツトの信
号は３μｍビットの信号よりも一３６ｄ Ｂ低く、オー
バーライドも良好に行われることがわかる。
ットを転写した部分に再度磁気ヘッドで３μｍのビット
を記録した。この状態では、記録層１のみ磁化が更新記
録され、転写再生層２の情報は変化しない。この状態で
レーザービーム６により媒体を１４０℃に加熱して転写
再生層２に情報を転写した後、記録した３μｍのビット
を光磁気記録用ヘッド５で検出した。その時のＣＮ比は
４３ｄＢであり、前に記録されていた２μＩビツトの信
号は３μｍビットの信号よりも一３６ｄ Ｂ低く、オー
バーライドも良好に行われることがわかる。
（実施例２）
次にこの発明の他の実施例を示す。この実施例では実施
例１と同様に第２図の構造の媒体において、光磁気ディ
スク用の基板３としてはガラス円板を用いた。基板３上
にスパッタリング法を用いて０．１７７ｚｍ厚の１．ｏ
ａｔ％○Ｓ添加ｙ−Ｆｅ２０．薄膜の記録層１を形成後
、１２ａｔ％Ｃｏ−６５ａｔ％Ｆ ｅ−２３ａｔ％Ｔｂ
薄膜の転写再生層２を０．１μｍ形成し光磁気ディスク
媒体とした。表−２は記録層１のγ−Ｆｅ２０．薄膜と
転写再生層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜の磁気特性を示す。また
、Ｔｂ−Ｆｅ薄膜を保護する目的で保護層７としてＳｉ
Ｏ２を０．１μｍオーバーコートした。
例１と同様に第２図の構造の媒体において、光磁気ディ
スク用の基板３としてはガラス円板を用いた。基板３上
にスパッタリング法を用いて０．１７７ｚｍ厚の１．ｏ
ａｔ％○Ｓ添加ｙ−Ｆｅ２０．薄膜の記録層１を形成後
、１２ａｔ％Ｃｏ−６５ａｔ％Ｆ ｅ−２３ａｔ％Ｔｂ
薄膜の転写再生層２を０．１μｍ形成し光磁気ディスク
媒体とした。表−２は記録層１のγ−Ｆｅ２０．薄膜と
転写再生層２のＴｂ−Ｆｅ薄膜の磁気特性を示す。また
、Ｔｂ−Ｆｅ薄膜を保護する目的で保護層７としてＳｉ
Ｏ２を０．１μｍオーバーコートした。
本実施例では磁気ヘッド４はＭｎ−Ｚｎフェライトバル
クリングヘッドであり、コア幅は１８．５μｍ、ギャッ
プ長は０．８５μｍ、コイル巻数は３６回である。
クリングヘッドであり、コア幅は１８．５μｍ、ギャッ
プ長は０．８５μｍ、コイル巻数は３６回である。
また１周速２０ｍ／ｓｅｅでディスクを回転した時のヘ
ッド・媒体間隔は０．２７μｍである。
ッド・媒体間隔は０．２７μｍである。
まず記録においては、前記実施例と同様に記録電流を２
５ｍ Ａとし、媒体にビット長２μｍの信号を記録した
。この時点では、記録層１にのみビットが書き込まれて
いる。
５ｍ Ａとし、媒体にビット長２μｍの信号を記録した
。この時点では、記録層１にのみビットが書き込まれて
いる。
次に、ディスク上の転写すべき部分をレーザービーム６
で２５０℃に加熱し、記録層１に記録されたビットをＣ
ｏ−Ｔｂ−Ｆｅ薄膜の転写再生層２に転写した。
で２５０℃に加熱し、記録層１に記録されたビットをＣ
ｏ−Ｔｂ−Ｆｅ薄膜の転写再生層２に転写した。
更に、再生においては、転写再生層２から光磁気記録用
ヘッド５で情報の再生をした。なお、再生時の媒体面に
おけるレーザービーム６のパワーは１＋ｗＷ、周速は５
ｍ／ｓｅｅである。再生出力のＣＮ比は４８ｄＢであ
った。
ヘッド５で情報の再生をした。なお、再生時の媒体面に
おけるレーザービーム６のパワーは１＋ｗＷ、周速は５
ｍ／ｓｅｅである。再生出力のＣＮ比は４８ｄＢであ
った。
ひきつづき、オーバーライド特性を確認するため、−旦
２μｍのビットを記録した部分に再度３μｍのビットを
記録した。まず、磁気ヘッド４で記録層１のみが磁化さ
れ、転写再生層２の情報は変化しない。次に、レーザー
ビーム６で媒体を２５０℃に加熱後、３μｌのビットを
光磁気記録用ヘッドで検出した。その時のＣＮ比は４５
ｄＢであり、前に記録されていた２μｍビットの信号は
３μｍビットの信号よりも−３５ｄＢ低く、オーバーラ
イドも良好に行われることがわかる。
２μｍのビットを記録した部分に再度３μｍのビットを
記録した。まず、磁気ヘッド４で記録層１のみが磁化さ
れ、転写再生層２の情報は変化しない。次に、レーザー
ビーム６で媒体を２５０℃に加熱後、３μｌのビットを
光磁気記録用ヘッドで検出した。その時のＣＮ比は４５
ｄＢであり、前に記録されていた２μｍビットの信号は
３μｍビットの信号よりも−３５ｄＢ低く、オーバーラ
イドも良好に行われることがわかる。
実施例１、実施例２に示したように本発明の記録層１に
対する要求条件は転写再生層２よりもキュリー温度が高
く保磁力は低い事であるが、これに加えて磁気ヘッド４
で情報が記録しやすいことも望まれる。磁気ヘッド４か
ら発生する磁場は通常数ＫＯｅ以下なので、記録層１の
保磁力は２００００ｅ程度が上限である。γ−Ｆｅ２０
．３薄膜の保磁力はＧｏやＯ８を添加することで増大す
るので、２００００ ｅの保磁力は、Ｃｏだけなら約８
ａｔ％、Ｏ８だけなら約３ａｔ％の添加量で得られる。
対する要求条件は転写再生層２よりもキュリー温度が高
く保磁力は低い事であるが、これに加えて磁気ヘッド４
で情報が記録しやすいことも望まれる。磁気ヘッド４か
ら発生する磁場は通常数ＫＯｅ以下なので、記録層１の
保磁力は２００００ｅ程度が上限である。γ−Ｆｅ２０
．３薄膜の保磁力はＧｏやＯ８を添加することで増大す
るので、２００００ ｅの保磁力は、Ｃｏだけなら約８
ａｔ％、Ｏ８だけなら約３ａｔ％の添加量で得られる。
従ってγ−Ｆｅ、○、薄膜へのＣｏあるいはＯ８添加量
は各々８ａｔ％、および３ａｔ％以下が望ましい。
は各々８ａｔ％、および３ａｔ％以下が望ましい。
また、本発明に必要な記録層１はγ−Ｆｅ、０３薄膜等
の酸化鉄に限定する必要はなく、Ｇｏをベースとした合
金薄膜等の磁気記録薄膜でも同様の効果が得られる事は
自明である。
の酸化鉄に限定する必要はなく、Ｇｏをベースとした合
金薄膜等の磁気記録薄膜でも同様の効果が得られる事は
自明である。
一方、本発明の転写再生層２は室温での保磁力が記録層
１よりも大きいこと、およびキュリー温度が記録層１よ
りも低いことが必要である。特に、磁気ヘッド４によっ
て記録されない事が必要なので、保磁力は数ＫＯｅ以上
である事が望ましい。
１よりも大きいこと、およびキュリー温度が記録層１よ
りも低いことが必要である。特に、磁気ヘッド４によっ
て記録されない事が必要なので、保磁力は数ＫＯｅ以上
である事が望ましい。
希土類−遷移金属アモルファス合金薄膜では、希土類の
磁気モーメントと遷移金属の磁気モーメントが互いに反
平行に配列し全体として磁化を生じない様な組成があり
、これを補償組成と呼んでいる。補償組成付近では薄膜
の磁化は小さいが、確めて高い保磁力が得られる。従っ
て、希土類−遷移金属アモルファス薄膜の組成は補償組
成付近とすることが望まれる。具体的には希土類元素と
してＴｂを、遷移金属として８５ａｔ％Ｆｅ−１５ａｔ
％ＣＯを用いた場合の、補償組成はＴｂが約２３ａｔ％
の時である。保磁力が２ＫＯｅ以上となるのはＴｂ量が
２１〜３０ａｔ％の範囲であり、転写再生層２としては
この組成範囲の薄膜が使用できる。
磁気モーメントと遷移金属の磁気モーメントが互いに反
平行に配列し全体として磁化を生じない様な組成があり
、これを補償組成と呼んでいる。補償組成付近では薄膜
の磁化は小さいが、確めて高い保磁力が得られる。従っ
て、希土類−遷移金属アモルファス薄膜の組成は補償組
成付近とすることが望まれる。具体的には希土類元素と
してＴｂを、遷移金属として８５ａｔ％Ｆｅ−１５ａｔ
％ＣＯを用いた場合の、補償組成はＴｂが約２３ａｔ％
の時である。保磁力が２ＫＯｅ以上となるのはＴｂ量が
２１〜３０ａｔ％の範囲であり、転写再生層２としては
この組成範囲の薄膜が使用できる。
以上の実施例では記録層１に書き込まれたビットを転写
再生層２へと転写するための加熱は光磁気記録用ヘッド
５のレーザービーム強度を強めて加熱したが、媒体を基
板ごと温める方法によることもできる。しかし、光磁気
記録用ヘッド５のレーザービーム６の強度を強めて加熱
すれば、加熱したレーザービーム６の幅のトラックのみ
が転写再生層２にビットが転写されることとなり、磁気
ヘッド４で記録したトラック（数十〜数百μｍの幅）よ
りもはるかに狭いトラック（１μＩ程度の幅）のみがビ
ットを記録された状態になる。
再生層２へと転写するための加熱は光磁気記録用ヘッド
５のレーザービーム強度を強めて加熱したが、媒体を基
板ごと温める方法によることもできる。しかし、光磁気
記録用ヘッド５のレーザービーム６の強度を強めて加熱
すれば、加熱したレーザービーム６の幅のトラックのみ
が転写再生層２にビットが転写されることとなり、磁気
ヘッド４で記録したトラック（数十〜数百μｍの幅）よ
りもはるかに狭いトラック（１μＩ程度の幅）のみがビ
ットを記録された状態になる。
このため、磁気記録方式よりもはるかに高いトラック密
度の記憶が実現できる。また、既に記録されているトラ
ックに新しい信号を書き加える事で自動的に前の情報は
消去され、オーバーライドができる。
度の記憶が実現できる。また、既に記録されているトラ
ックに新しい信号を書き加える事で自動的に前の情報は
消去され、オーバーライドができる。
なお、第１図及び第２図の実施例では基板３の上に記録
層１が置かれ、その上に転写再生層２が置かれているが
、記録層１と転写再生層２の順を逆にして、基板３の上
に転写再生層２を置き、その上に記録Ｍ１１を置いても
よい。ただしその場合は光磁気記録用ヘッド５を、記録
媒体に関し、磁気ヘッド４の反対側に置くと共に基板３
を透明とする必要がある。
層１が置かれ、その上に転写再生層２が置かれているが
、記録層１と転写再生層２の順を逆にして、基板３の上
に転写再生層２を置き、その上に記録Ｍ１１を置いても
よい。ただしその場合は光磁気記録用ヘッド５を、記録
媒体に関し、磁気ヘッド４の反対側に置くと共に基板３
を透明とする必要がある。
（発明の効果）
本発明は従来の磁気記録および光記録と比較すると次の
メリットがある。磁気記録と比べた場合のメリットは以
下の２点である。
メリットがある。磁気記録と比べた場合のメリットは以
下の２点である。
■ 磁気記録方式よりもはるかに高いトラック密度の記
憶が実現できる。
憶が実現できる。
■ 本願の磁気ヘッドは十分コア幅の広いものを用いる
ことができ、この場合ヘッドの位置決めのためのサーボ
を必要とせず粗アクセスのみで駆動できる。
ことができ、この場合ヘッドの位置決めのためのサーボ
を必要とせず粗アクセスのみで駆動できる。
一方、光記録と比べた場合のメリットは以下の４点であ
る。
る。
■ 既に記録されているトラックに新しい信号を書き加
える事で自動的に前の情報は消去され、オーバーライド
ができる。
える事で自動的に前の情報は消去され、オーバーライド
ができる。
■ 高速記録が可能な磁気ヘッド（フライングヘッド等
）が、使用できるため、実効的に光磁気記録方式におい
て磁気記録と同等のビット転送速度が得られる。
）が、使用できるため、実効的に光磁気記録方式におい
て磁気記録と同等のビット転送速度が得られる。
■ 記録層１に磁気記録されているビット形状をそのま
ま転写するので、通常の光記録によるビット形状のよう
に媒体の温度分布に応じた歪がなく、ビットのエツジ位
置で信号を検出するエツジ記録方式が適用し易く高い線
記録密度が得られる。
ま転写するので、通常の光記録によるビット形状のよう
に媒体の温度分布に応じた歪がなく、ビットのエツジ位
置で信号を検出するエツジ記録方式が適用し易く高い線
記録密度が得られる。
■ 本願の光磁気記録用ヘッドは連続駆動（ＣＷ）であ
り、ビット整形のためのパワーやタイミングの調節等従
来の光記録に対して必要とされていた動作が不用である
。
り、ビット整形のためのパワーやタイミングの調節等従
来の光記録に対して必要とされていた動作が不用である
。
第１図は本発明の媒体とその磁気書き込み、光再生方式
の概略図、第２図は本発明の一実施例を示す媒体構造図
である。 １・・・記録Ｆ！Ｉ ２・・・転写再生層３・
・・基板 ４・・・磁気ヘッド５・・・光磁
気記録用ヘッド
の概略図、第２図は本発明の一実施例を示す媒体構造図
である。 １・・・記録Ｆ！Ｉ ２・・・転写再生層３・
・・基板 ４・・・磁気ヘッド５・・・光磁
気記録用ヘッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、その上に設けられ、膜面に平行な方向の面内
磁気異方性を持つ記録層、及び、 該記録層に隣接し、該記録層より大きな保持力と該記録
層より低いキュリー温度を有し、膜面に垂直方向の垂直
磁気異方性を持つ転写再生層とを有することを特徴とす
る光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083032A JPH01256051A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 光磁気記録媒体 |
| US07/188,876 US5051970A (en) | 1987-05-08 | 1988-05-02 | Magneto-optic recording system with overwrite capability |
| DE8888304128T DE3876133T2 (de) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | Vorrichtung und aufzeichnungstraeger zur magneto-optischen aufzeichnung. |
| KR1019880005262A KR910003935B1 (ko) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | 광자기 기록시스템 |
| EP88304128A EP0291248B1 (en) | 1987-05-08 | 1988-05-06 | A magneto-optic medium and system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083032A JPH01256051A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256051A true JPH01256051A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13790888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083032A Pending JPH01256051A (ja) | 1987-05-08 | 1988-04-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256051A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63083032A patent/JPH01256051A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US6521357B1 (en) | 1992-12-01 | 2003-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co,. Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| US6811889B2 (en) | 1992-12-01 | 2004-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
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