JPH01217744A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH01217744A JPH01217744A JP3958988A JP3958988A JPH01217744A JP H01217744 A JPH01217744 A JP H01217744A JP 3958988 A JP3958988 A JP 3958988A JP 3958988 A JP3958988 A JP 3958988A JP H01217744 A JPH01217744 A JP H01217744A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は光磁気記録媒体に係り、特に記録層とは別に
バイアス層を備えて高速オーバーライドを可能とした光
磁気記録媒体に関する。
バイアス層を備えて高速オーバーライドを可能とした光
磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
重希土類−遷移金属非晶質合金（ＲＥ−ＴＭ）薄膜に代
表されるような、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する記録層を基板上に形成した光磁気記録媒体は、
書替え可能な光デイスクメモリとして注目されている。
表されるような、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する記録層を基板上に形成した光磁気記録媒体は、
書替え可能な光デイスクメモリとして注目されている。
光磁気記録媒体における記録・消去は、媒体にレーザビ
ームの照射と磁界の印加によりレーザビーム照射部の記
録層の保磁力ＵＣを低下させて印加磁界の方向に可逆的
に記録層の磁化Ｍｓを向けることで行なわれ、また再生
は磁化Ｍｓの向きに応じた極力−効果を利用してＭｓの
向きを検出することによって行なわれる。
ームの照射と磁界の印加によりレーザビーム照射部の記
録層の保磁力ＵＣを低下させて印加磁界の方向に可逆的
に記録層の磁化Ｍｓを向けることで行なわれ、また再生
は磁化Ｍｓの向きに応じた極力−効果を利用してＭｓの
向きを検出することによって行なわれる。
従来の技術では主として単層のＲＥ−７Ｍ膜からなる記
録層に外部から磁界を印加して記録動作を行なっている
ため、情報の書替え（以下、オーバーライドという）を
行なう場合は、既記録情報を消去してから新たな情報を
記録するという過程をとらなければならず、高速オーバ
ーライドが難しかった。そこで、磁界印加手段として外
部磁石を用いず、記録層と同様の垂直磁化膜からなるバ
イアス層を記録層に隣接して設け、バイアス層の磁化の
向きが熱磁気的に補償点前後で逆転することを利用いて
高速オーバーライドを実現しようとする方式が、例えば
米国特許第４８４９５１９号明細書（以下、第１の公知
例という）によって提案されている。
録層に外部から磁界を印加して記録動作を行なっている
ため、情報の書替え（以下、オーバーライドという）を
行なう場合は、既記録情報を消去してから新たな情報を
記録するという過程をとらなければならず、高速オーバ
ーライドが難しかった。そこで、磁界印加手段として外
部磁石を用いず、記録層と同様の垂直磁化膜からなるバ
イアス層を記録層に隣接して設け、バイアス層の磁化の
向きが熱磁気的に補償点前後で逆転することを利用いて
高速オーバーライドを実現しようとする方式が、例えば
米国特許第４８４９５１９号明細書（以下、第１の公知
例という）によって提案されている。
この第１の公知例ではキュリー点がＴＣＲである記録層
と、補償点Ｔ２゜、、ＢがＴ。Ｒよりも低く、キュリー
点ＴＣＢがＴＣＲよりも高いバイアス層とを積層する。
と、補償点Ｔ２゜、、ＢがＴ。Ｒよりも低く、キュリー
点ＴＣＢがＴＣＲよりも高いバイアス層とを積層する。
この場合、記録・消去時に層の温度をＴｅｎ以下に上昇
させることによって外部磁界の印加なしでバイアス層の
磁化の向きに記録層の磁化を揃えることができるので、
予めオーバーライドしようとするトラック上にどのよう
なパターンの既記録情報があるかを知れば、周波数変調
によって高速オーバーライドが実現できる。
させることによって外部磁界の印加なしでバイアス層の
磁化の向きに記録層の磁化を揃えることができるので、
予めオーバーライドしようとするトラック上にどのよう
なパターンの既記録情報があるかを知れば、周波数変調
によって高速オーバーライドが実現できる。
さらに、第１の公知例には常温以上の領域で磁化の向き
が変わらず、かつキュリー点がＴＣＢよりも高い第２バ
イアス層を積層すれば、予め既記録情報を読取ることな
くレーザビームのパワー変調によるオーバーライド機能
が実現できることも記載されている。
が変わらず、かつキュリー点がＴＣＢよりも高い第２バ
イアス層を積層すれば、予め既記録情報を読取ることな
くレーザビームのパワー変調によるオーバーライド機能
が実現できることも記載されている。
この第１の公知例においては、バイアス層の磁化Ｍｓの
向きがその補償点Ｔ、。□Ｂを境にして熱磁気的に逆転
する。すなわち、媒体が記録層のキュリー点ＴＣＲから
冷却する過程において、まずＴｅｎ以下で記録層の磁化
はバイアス層の磁化の向きに揃うが、冷却がさらに進み
Ｔ ｅＯ□Ｂ以下となった時はバイアス層の磁化は記録
層の磁化と逆向きになる。このため、媒体温度がＴ ｃ
ｏ。８以下になった時点で記録層の保磁力Ｈｅが十分に
立上っていないと、記録層の磁化の向きが再び元に戻っ
てしまう可能性がある。従って、完全なオーバーライド
動作を実現するためには、記録層とバイアス層の磁化Ｍ
ｓおよび保磁力Ｈｅの温度依存特性を厳格に設計しなけ
ればならず、製造マージンが狭いという問題がある。
向きがその補償点Ｔ、。□Ｂを境にして熱磁気的に逆転
する。すなわち、媒体が記録層のキュリー点ＴＣＲから
冷却する過程において、まずＴｅｎ以下で記録層の磁化
はバイアス層の磁化の向きに揃うが、冷却がさらに進み
Ｔ ｅＯ□Ｂ以下となった時はバイアス層の磁化は記録
層の磁化と逆向きになる。このため、媒体温度がＴ ｃ
ｏ。８以下になった時点で記録層の保磁力Ｈｅが十分に
立上っていないと、記録層の磁化の向きが再び元に戻っ
てしまう可能性がある。従って、完全なオーバーライド
動作を実現するためには、記録層とバイアス層の磁化Ｍ
ｓおよび保磁力Ｈｅの温度依存特性を厳格に設計しなけ
ればならず、製造マージンが狭いという問題がある。
一方、同様にバイアス層の漏洩磁界を利用して高速オー
バーライドを可能にする従来技術が昭和６２年春期応用
物理学会予稿集２８＋）−ＺＬ−３Ｃ以下、第２の公知
例という）に記載されている。この第２の公知例におい
ては、キュリー点ＴＣＲを有する記録層（例えばＴｂＦ
ｅ膜）と、ＴＣＲよりも高いキュリー点Ｔ’ｃａを有す
るバイアス層（例えばＧｄＴｂＦｅ膜）とを積層し、さ
らに常温保磁力は記録層のキュリー点ＴＣＲがバイアス
層のキュリー点ｒｃａよりも十分に大きくなるように媒
体を設計する。そして、オーバーライドは次のようにし
て行なう。
バーライドを可能にする従来技術が昭和６２年春期応用
物理学会予稿集２８＋）−ＺＬ−３Ｃ以下、第２の公知
例という）に記載されている。この第２の公知例におい
ては、キュリー点ＴＣＲを有する記録層（例えばＴｂＦ
ｅ膜）と、ＴＣＲよりも高いキュリー点Ｔ’ｃａを有す
るバイアス層（例えばＧｄＴｂＦｅ膜）とを積層し、さ
らに常温保磁力は記録層のキュリー点ＴＣＲがバイアス
層のキュリー点ｒｃａよりも十分に大きくなるように媒
体を設計する。そして、オーバーライドは次のようにし
て行なう。
まずレーザビームを記録層側から照射し、外部磁界をバ
イアス層側から印加する。レーザビームを照射する前の
位置にＨｃＲ＞ ｌ（、Ｎ＞ Ｈｃａなる磁界ＨＩＮを
発生するマグネットを設置しておき、バイアス層の磁化
をオーバーライドに先立ってＨＩＮの向きに揃える。Ｈ
ＩＮとは逆向きの外部磁界Ｈｅｘを印加し、その位置で
レーザビームのパワー変調によるオーバーライドを行な
う。すなわち、消去時には低いレーザパワーにより媒体
温度をＴｅｎ以下。
イアス層側から印加する。レーザビームを照射する前の
位置にＨｃＲ＞ ｌ（、Ｎ＞ Ｈｃａなる磁界ＨＩＮを
発生するマグネットを設置しておき、バイアス層の磁化
をオーバーライドに先立ってＨＩＮの向きに揃える。Ｈ
ＩＮとは逆向きの外部磁界Ｈｅｘを印加し、その位置で
レーザビームのパワー変調によるオーバーライドを行な
う。すなわち、消去時には低いレーザパワーにより媒体
温度をＴｅｎ以下。
Ｔｅｎ以下とし、バイアス層の磁化からの漏洩磁界（Ｈ
ｅｘと逆向き）によって記録層の磁化をバイアス層のそ
れに揃え、また記録時には高いレーザパワーにより媒体
温度をＴ’ｃａ以上とし、バイアス層の磁化をＨｅｘ方
向に揃え、冷却過程において記録層の磁化をバイアス層
の磁化からの漏洩磁界（Ｈｅｘと同じ向き）に揃える。
ｅｘと逆向き）によって記録層の磁化をバイアス層のそ
れに揃え、また記録時には高いレーザパワーにより媒体
温度をＴ’ｃａ以上とし、バイアス層の磁化をＨｅｘ方
向に揃え、冷却過程において記録層の磁化をバイアス層
の磁化からの漏洩磁界（Ｈｅｘと同じ向き）に揃える。
しかしながら、この第２の公知例では消去時に外部磁界
Ｈｅｘとバイアス層の漏洩磁界の向きが逆となるので、
記録層に印加される実効磁界が−小さくなってしまい、
確実な消去を行なうためには、媒体設計が難しくなると
いう問題がある。
Ｈｅｘとバイアス層の漏洩磁界の向きが逆となるので、
記録層に印加される実効磁界が−小さくなってしまい、
確実な消去を行なうためには、媒体設計が難しくなると
いう問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
前述したように、第１の公知例においてはオーバーライ
ド時に、記録層のキュリー点Ｔｅｎ以下（従ってバイア
ス層の補償点Ｔ６゜ｍｐＢ以上）に媒体が加熱されるこ
とによってバイアス層の磁化に従って反転した記録層の
磁化が、ＴｃｏｍｐＢ以下に冷却された時に反転したバ
イアス層の磁化によって再反転する可能性がある。従っ
て、確実なオーバーライド動作を実現するためには、記
録層とバイアス層の磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｅといった
磁気特性の温度依存性を厳密に制御する必要があり、媒
体の製造が難しいという問題があった。 また、第２の
公知例では消去時に外部磁界Ｈｅｘとバイアス層の漏洩
磁界の向きが逆となることにより、記録層に印加される
実効磁界が小さくなってしまい、媒体設計が難しくなる
という問題があった。
ド時に、記録層のキュリー点Ｔｅｎ以下（従ってバイア
ス層の補償点Ｔ６゜ｍｐＢ以上）に媒体が加熱されるこ
とによってバイアス層の磁化に従って反転した記録層の
磁化が、ＴｃｏｍｐＢ以下に冷却された時に反転したバ
イアス層の磁化によって再反転する可能性がある。従っ
て、確実なオーバーライド動作を実現するためには、記
録層とバイアス層の磁化Ｍｓおよび保磁力Ｈｅといった
磁気特性の温度依存性を厳密に制御する必要があり、媒
体の製造が難しいという問題があった。 また、第２の
公知例では消去時に外部磁界Ｈｅｘとバイアス層の漏洩
磁界の向きが逆となることにより、記録層に印加される
実効磁界が小さくなってしまい、媒体設計が難しくなる
という問題があった。
本発明の第１の目的は、高速オーバーライドが可能で、
しかも記録層およびバイアス層の磁気特性の温度依存性
を厳格に制御する必要がなく、設計の自由度が高く製造
マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することにある
。
しかも記録層およびバイアス層の磁気特性の温度依存性
を厳格に制御する必要がなく、設計の自由度が高く製造
マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することにある
。
本発明の第２の目的は、バイアス層の漏洩磁界を記録時
のみならず消去時にも効果的に記録層に印加することが
でき、設計の自由度が高く製造マージンの大きい光磁気
記録媒体を提供することにある。
のみならず消去時にも効果的に記録層に印加することが
でき、設計の自由度が高く製造マージンの大きい光磁気
記録媒体を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は第１の目的を達成するため、膜面に対して垂直
な方向に磁化容易軸を有する記録層と、−同じく膜面に
対して垂直な方向に磁化容易軸を有するバイアス層とを
有する光磁気記録媒体において、記録層とバイアス層と
の間に、膜面内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設け
たことを特徴とする。
な方向に磁化容易軸を有する記録層と、−同じく膜面に
対して垂直な方向に磁化容易軸を有するバイアス層とを
有する光磁気記録媒体において、記録層とバイアス層と
の間に、膜面内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設け
たことを特徴とする。
また、本発明は第２の目的を達成するため、膜面に対し
て垂直な方向に磁化容易軸を有する記録層と、同じく膜
面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有するバイアス層
とを有する光磁気記録媒体において、バイアス層の記録
層と反対側の面に対向して、膜面内に磁化容易軸を有す
る磁気遮蔽層を設けたことを特徴とする。
て垂直な方向に磁化容易軸を有する記録層と、同じく膜
面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有するバイアス層
とを有する光磁気記録媒体において、バイアス層の記録
層と反対側の面に対向して、膜面内に磁化容易軸を有す
る磁気遮蔽層を設けたことを特徴とする。
（作 用）
記録層とバイアス層との間に膜面内に磁化容易軸を有す
る磁気遮蔽層を設けた構造において、記録層のキュリー
点Ｔ ｃ、、バイアス層のキュリー点Ｔｃ！ｌおよび補
償点Ｔ、。、、Ｂ１磁気遮蔽層のキュリー点ＴｃｓをＴ
ｔｏｗｈｐＢ ≦Ｔｃｓ≦ＴｃＲ≦ＴＣＢの関係を満
たすように設計すれば、バイアス層の磁化を記録層に転
写する温度Ｔ’ｃｓｔにおいては、磁気遮蔽層は非磁性
となっているので、バイアス層の漏洩磁界が有効に記録
層に印加される。そして、転写後に媒体がＴ、。ａａｇ
Ｂ以下に冷却して、バイアス層の磁化が記録層の磁化と
逆向きに向いた時点においては、磁気遮蔽層が面内磁化
膜となり、バイアス層の漏洩磁界を磁気遮蔽層の面内方
向にトラップするので、記録層の再磁化反転が防止され
る。
る磁気遮蔽層を設けた構造において、記録層のキュリー
点Ｔ ｃ、、バイアス層のキュリー点Ｔｃ！ｌおよび補
償点Ｔ、。、、Ｂ１磁気遮蔽層のキュリー点ＴｃｓをＴ
ｔｏｗｈｐＢ ≦Ｔｃｓ≦ＴｃＲ≦ＴＣＢの関係を満
たすように設計すれば、バイアス層の磁化を記録層に転
写する温度Ｔ’ｃｓｔにおいては、磁気遮蔽層は非磁性
となっているので、バイアス層の漏洩磁界が有効に記録
層に印加される。そして、転写後に媒体がＴ、。ａａｇ
Ｂ以下に冷却して、バイアス層の磁化が記録層の磁化と
逆向きに向いた時点においては、磁気遮蔽層が面内磁化
膜となり、バイアス層の漏洩磁界を磁気遮蔽層の面内方
向にトラップするので、記録層の再磁化反転が防止され
る。
これにより高速オーバーライドが安定に実現される。
また、記録層とバイアス層の磁化および保磁力の温度依
存特性を設計する際、記録層の再磁化反転の防止を考慮
する必要がないため、設計の自由度が増し、製造マージ
ンが大きくなる。
存特性を設計する際、記録層の再磁化反転の防止を考慮
する必要がないため、設計の自由度が増し、製造マージ
ンが大きくなる。
一方、バイアス層の記録層と反対側の面に対向して膜面
内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設けた構造におい
ては、記録層のキュリー点Ｔ ｃ、。
内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設けた構造におい
ては、記録層のキュリー点Ｔ ｃ、。
バイアス層のキュリー点ＴＣＢｓ磁気遮蔽層のキュリー
点Ｔ’ｃｓをＴ ｃｓ＜ Ｔ ｃ、＜ Ｔ ｃＢの関係
を満たすように設計すれば、消去時に磁気遮蔽層が外部
磁界Ｈｅｗを膜面内方向にトラップすることにより、バ
イアス層の漏洩磁界を有効に記録層に印加する作用を持
つので、確実に消去がなされる。記録時には磁気遮蔽層
は非磁性となっているから、外部磁界Ｈｅｘは磁気遮蔽
層でトラップされることなく、有効にバイアス層に印加
される。従って、磁気遮蔽層を設けることにより記録層
やバイアス層の設計が容品となり、製造マージンが広く
なる。
点Ｔ’ｃｓをＴ ｃｓ＜ Ｔ ｃ、＜ Ｔ ｃＢの関係
を満たすように設計すれば、消去時に磁気遮蔽層が外部
磁界Ｈｅｗを膜面内方向にトラップすることにより、バ
イアス層の漏洩磁界を有効に記録層に印加する作用を持
つので、確実に消去がなされる。記録時には磁気遮蔽層
は非磁性となっているから、外部磁界Ｈｅｘは磁気遮蔽
層でトラップされることなく、有効にバイアス層に印加
される。従って、磁気遮蔽層を設けることにより記録層
やバイアス層の設計が容品となり、製造マージンが広く
なる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係る光磁気記録媒体の
概略的な構成を示す断面図であり、樹脂等の基板１上に
記録層２、磁気遮蔽層３およびバイアス層４を順次積層
した構造となっている。
概略的な構成を示す断面図であり、樹脂等の基板１上に
記録層２、磁気遮蔽層３およびバイアス層４を順次積層
した構造となっている。
記録層２は膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有す
る膜であり、例えばＴｂＦｅ。
る膜であり、例えばＴｂＦｅ。
ＴｂＤｙＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＤｙＦｅＣ
。
。
等の低キユリー点のＲＥ−７Ｍ膜が用いられる。
バイアス層４は同じく膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有する膜であり、例えばＧｄＴｂＦｅ。
有する膜であり、例えばＧｄＴｂＦｅ。
ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の高キュリー点のＲ
Ｅ−７Ｍ膜（但し、ＲＥリッチで補償点Ｔ ｃｏ、ｐＢ
を有する組成）が使用される。
Ｅ−７Ｍ膜（但し、ＲＥリッチで補償点Ｔ ｃｏ、ｐＢ
を有する組成）が使用される。
磁気遮蔽層３は膜面内に磁化容易軸を有する膜であり、
例えば垂直磁化膜となる組成から外れたＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ。
例えば垂直磁化膜となる組成から外れたＴｂＦｅ、Ｔｂ
ＤｙＦｅ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣ。
等の膜が使用され、キュリー点Ｔ’ｃｓの制御はＲＥ組
成比やＲＥ組成の一部をＹ等で置換することによってな
される。ここで、記録層２のキュリー点ＴＣＲｓバイア
ス層４のキュリー点Ｔ’ｃａおよび補償点ＴｃｏｓｐＢ
％磁気遮蔽層３のキュリー点Ｔｃｓは、Ｔ ｃｏｕｐｅ
≦Ｔ’ｃｓ≦ＴＣＲ≦ＴＣＢの関係を満たすものとする
。
成比やＲＥ組成の一部をＹ等で置換することによってな
される。ここで、記録層２のキュリー点ＴＣＲｓバイア
ス層４のキュリー点Ｔ’ｃａおよび補償点ＴｃｏｓｐＢ
％磁気遮蔽層３のキュリー点Ｔｃｓは、Ｔ ｃｏｕｐｅ
≦Ｔ’ｃｓ≦ＴＣＲ≦ＴＣＢの関係を満たすものとする
。
第２図は第１図の光磁気記録媒体を構成する各層の磁化
の膜温度依存特性を示したもので、ＲｌＢ、Ｓは記録層
２、バイアス層４、磁気遮蔽層３の特性をそれぞれ示し
ている。この場合、記録層２としてはキュリー点ＴＣＲ
が１７０℃のＴ ｂ ２０（Ｆｅｇ５Ｃｏ５）膜を用い
、バイアス層４としては補償点Ｔ ｃａ□Ｂが１５０℃
、キュリー点Ｔ’ｃａが２００℃のＧｄＢＴｂｔｏＦｅ
７ｚＣＯｉ膜を用い、磁気遮蔽層３としてはキュリー点
Ｔｃｓが１５５℃のＹ、Ｇｄ、８Ｔｂ、８Ｆ ｅ、、膜
を用いた。
の膜温度依存特性を示したもので、ＲｌＢ、Ｓは記録層
２、バイアス層４、磁気遮蔽層３の特性をそれぞれ示し
ている。この場合、記録層２としてはキュリー点ＴＣＲ
が１７０℃のＴ ｂ ２０（Ｆｅｇ５Ｃｏ５）膜を用い
、バイアス層４としては補償点Ｔ ｃａ□Ｂが１５０℃
、キュリー点Ｔ’ｃａが２００℃のＧｄＢＴｂｔｏＦｅ
７ｚＣＯｉ膜を用い、磁気遮蔽層３としてはキュリー点
Ｔｃｓが１５５℃のＹ、Ｇｄ、８Ｔｂ、８Ｆ ｅ、、膜
を用いた。
この光磁気記録媒体を以下のように外部磁界Ｈｅｘなし
で、トラック方向に２０μｍ離れた２つのレーザスポッ
トを照射する光ヘッドを使用して、Ｉ ＭＨｚ−→２
ＭＨｚのオーバーライドテストを行なった。まず、トラ
ッキンググループ付の基板１上に記録層２、磁気遮蔽層
３およびバイアス層４を順次スパッタ成膜し、さらにＳ
ｉＮ保護層をバイアス層４の上に被覆して、光磁気記録
媒体を試作した。記録層２およびバイアス層４の磁化を
膜面から基板１面側（第１図の下方向）へ向けて一様に
揃え、着磁を行なった。
で、トラック方向に２０μｍ離れた２つのレーザスポッ
トを照射する光ヘッドを使用して、Ｉ ＭＨｚ−→２
ＭＨｚのオーバーライドテストを行なった。まず、トラ
ッキンググループ付の基板１上に記録層２、磁気遮蔽層
３およびバイアス層４を順次スパッタ成膜し、さらにＳ
ｉＮ保護層をバイアス層４の上に被覆して、光磁気記録
媒体を試作した。記録層２およびバイアス層４の磁化を
膜面から基板１面側（第１図の下方向）へ向けて一様に
揃え、着磁を行なった。
次に、２つのレーザビームスポットのうち先行スポット
のレーザパワーを１■Ｖとしてトラック上の既記録情報
を再生し、その再生信号を高速ＩＣメモリに入力し、こ
のメモリ出力によって後続するオーバーライド用ビーム
による記録周波数を制御した。但し、記録レーザパワー
は５ｍＷとした。
のレーザパワーを１■Ｖとしてトラック上の既記録情報
を再生し、その再生信号を高速ＩＣメモリに入力し、こ
のメモリ出力によって後続するオーバーライド用ビーム
による記録周波数を制御した。但し、記録レーザパワー
は５ｍＷとした。
このＩ ＭＨｚ←−２ＭＨｚのオーバーライドテストに
使用した記録パルス列を第３図に示す。すなわち、第３
図（ａ）に示すように無記録状態のトラックに２値信号
列３１によって変調されたレーザビームを用いてＩＭＨ
ｚ（デユーティ５０％）の信号列３２を記録した後、こ
の信号列３２を検出しながら、同図（ｂ）に示すように
２値信号列３３によって周波数変調された用レーザビー
ムを照射して２ ＭＨｚの信号列３４（デユーティ５０
％）を記録した。次に、この２ ＭＨｚの信号列３４を
先行するレーザビームのスポットで検出しながら、２値
信号列３５によって周波数変調されたオーバーライド用
レーザビームを照射してＩ ＭＨｚの信号列３６をオー
バーライドした。この結果、ＩＭＨｚ←→２ ＭＨｚの
オーバーライドを消え残りを伴わずに達成できた。
使用した記録パルス列を第３図に示す。すなわち、第３
図（ａ）に示すように無記録状態のトラックに２値信号
列３１によって変調されたレーザビームを用いてＩＭＨ
ｚ（デユーティ５０％）の信号列３２を記録した後、こ
の信号列３２を検出しながら、同図（ｂ）に示すように
２値信号列３３によって周波数変調された用レーザビー
ムを照射して２ ＭＨｚの信号列３４（デユーティ５０
％）を記録した。次に、この２ ＭＨｚの信号列３４を
先行するレーザビームのスポットで検出しながら、２値
信号列３５によって周波数変調されたオーバーライド用
レーザビームを照射してＩ ＭＨｚの信号列３６をオー
バーライドした。この結果、ＩＭＨｚ←→２ ＭＨｚの
オーバーライドを消え残りを伴わずに達成できた。
一方、比較例として磁気遮蔽層がなく、記録層の上にバ
イアス層が直接形成された従来構造の高速オーバーライ
ド用光磁気記録媒体を作製した。
イアス層が直接形成された従来構造の高速オーバーライ
ド用光磁気記録媒体を作製した。
記録層およびバイアス層の特性は、第２図中に示した特
性と同一とした。記録層の保磁力Ｈｅはバイアス層の補
償点Ｔ１゜ｓｐＢにおいては、’ｒ、、□８が記録層の
キュリー点ＴＣＲに近いが故に十分立上っておらず、５
０００ｅ程度であり、バイアス層はＴ ｃａｗａｅＢよ
りも低い温度で磁化反転して５０Ｇ程度まで立上る。磁
化が５０Ｇに達した時のバイアス層の漏洩磁界は約８０
００ｅ程度であって、記録層の補償点Ｔ、。ｍｐＢの近
傍での保磁力Ｈｅとほぼ等しい。このような設計の従来
構造の光磁気記録媒体について第３図と同様にオーバー
ライドテストを試みたところ、完全なオーバーライドは
できず、Ｉ ＭＨｚ 、 ２ ＭＨｚの各記録状態に
おいて所々に２ ＭＨｚもしくはＩ ＭＨｚの信号が消
えずに残ってしまうことが確認された。巳の理由は、バ
イアス層の補償点Ｔ１゜ｓｐａ以下でのバイアス層の漏
洩磁界と記録層の保磁力とがほぼ等しいことから、媒体
の微視的な特性変動に起因してＴ ｔｍｍｐＢ以下での
記録層の保磁力がバイアス層の漏洩磁界に打勝っている
部分ではオーバーライドができたのに対し、打勝てなか
った部分ではＴ１゜□Ｂ以上で磁化反転した記録層の磁
化がＴ。。、、Ｂ以下で再反転したためと考えられる。
性と同一とした。記録層の保磁力Ｈｅはバイアス層の補
償点Ｔ１゜ｓｐＢにおいては、’ｒ、、□８が記録層の
キュリー点ＴＣＲに近いが故に十分立上っておらず、５
０００ｅ程度であり、バイアス層はＴ ｃａｗａｅＢよ
りも低い温度で磁化反転して５０Ｇ程度まで立上る。磁
化が５０Ｇに達した時のバイアス層の漏洩磁界は約８０
００ｅ程度であって、記録層の補償点Ｔ、。ｍｐＢの近
傍での保磁力Ｈｅとほぼ等しい。このような設計の従来
構造の光磁気記録媒体について第３図と同様にオーバー
ライドテストを試みたところ、完全なオーバーライドは
できず、Ｉ ＭＨｚ 、 ２ ＭＨｚの各記録状態に
おいて所々に２ ＭＨｚもしくはＩ ＭＨｚの信号が消
えずに残ってしまうことが確認された。巳の理由は、バ
イアス層の補償点Ｔ１゜ｓｐａ以下でのバイアス層の漏
洩磁界と記録層の保磁力とがほぼ等しいことから、媒体
の微視的な特性変動に起因してＴ ｔｍｍｐＢ以下での
記録層の保磁力がバイアス層の漏洩磁界に打勝っている
部分ではオーバーライドができたのに対し、打勝てなか
った部分ではＴ１゜□Ｂ以上で磁化反転した記録層の磁
化がＴ。。、、Ｂ以下で再反転したためと考えられる。
以上の実施例および比較例から明らかなように、本発明
によれば従来技術ではオーバーライドが正しくなされな
いような、記録層およびバイアス層の媒体設計でも、磁
気遮蔽層の追加により完全なオーバーライド機能を付与
することができるので、媒体設計の自由度が高くなり、
製造マージンが広く、かつ安定な高速オーバーライド用
光磁気記録媒体が実現される。
によれば従来技術ではオーバーライドが正しくなされな
いような、記録層およびバイアス層の媒体設計でも、磁
気遮蔽層の追加により完全なオーバーライド機能を付与
することができるので、媒体設計の自由度が高くなり、
製造マージンが広く、かつ安定な高速オーバーライド用
光磁気記録媒体が実現される。
第４図は本発明の第１の実施例を改良した第２の実施例
に係る光磁気記録媒体であり、基板１１上にバイアス層
１２、磁気遮蔽層１３、非磁性体からなる熱遮蔽層１４
および記録層１５を順次積層している。ここで、記録層
１５のキュリー点ＴＣＲ％バイアス層１２のキュリー点
Ｔ ｃ、、磁気遮蔽層１３のキュリー点Ｔ０．は、Ｔ
ｃＲ＜ Ｔ ｃｓ＜ Ｔ ｃＢの関係を満たすものとす
る。
に係る光磁気記録媒体であり、基板１１上にバイアス層
１２、磁気遮蔽層１３、非磁性体からなる熱遮蔽層１４
および記録層１５を順次積層している。ここで、記録層
１５のキュリー点ＴＣＲ％バイアス層１２のキュリー点
Ｔ ｃ、、磁気遮蔽層１３のキュリー点Ｔ０．は、Ｔ
ｃＲ＜ Ｔ ｃｓ＜ Ｔ ｃＢの関係を満たすものとす
る。
第５図は第４図の光磁気記録媒体を構成する各層の磁化
の膜温度依存特性を示したもので、ＲｌＢ、Ｓは記録層
１５、バイアス層１２、磁気遮蔽層１３の特性をそれぞ
れ示している。この場合、基板１１としては１．８ｕ厚
、 １３０ＪＩｌφのポリカーボネート円盤を用い、
記録層１５としてはキュリー点ＴＣＲが１５０℃のＴ
ｂ ２．Ｆ ｅ ｙｓの垂直磁化膜を用い、バイアス層
１２としてはキュリー点Ｔ’ｃｓが２５０℃のＧ ｄ
１ｇＴ ｂ １ｏＦ ｅ ｂｏｃ Ｏ＋ｓの垂直磁化膜
を用い、磁気遮蔽層１３としてはキュリー点Ｔ’ｃｓが
１７０℃のＧｄ５ Ｔｂ３うＦｅ、。の面内磁化膜を用
い、さらに熱遮蔽層１４としては７５０人厚のＳｉ３Ｎ
４膜を用いた。
の膜温度依存特性を示したもので、ＲｌＢ、Ｓは記録層
１５、バイアス層１２、磁気遮蔽層１３の特性をそれぞ
れ示している。この場合、基板１１としては１．８ｕ厚
、 １３０ＪＩｌφのポリカーボネート円盤を用い、
記録層１５としてはキュリー点ＴＣＲが１５０℃のＴ
ｂ ２．Ｆ ｅ ｙｓの垂直磁化膜を用い、バイアス層
１２としてはキュリー点Ｔ’ｃｓが２５０℃のＧ ｄ
１ｇＴ ｂ １ｏＦ ｅ ｂｏｃ Ｏ＋ｓの垂直磁化膜
を用い、磁気遮蔽層１３としてはキュリー点Ｔ’ｃｓが
１７０℃のＧｄ５ Ｔｂ３うＦｅ、。の面内磁化膜を用
い、さらに熱遮蔽層１４としては７５０人厚のＳｉ３Ｎ
４膜を用いた。
この光磁気記録媒体を用いて、以下の手順で記録・消去
テストを行なった。記録・消去には、先行する読出し用
レーザビームスポットに続いて２０μｍ離れた位置に記
録・消去用レーザビームスポットを有する２ビームの光
ヘッドを用いた。
テストを行なった。記録・消去には、先行する読出し用
レーザビームスポットに続いて２０μｍ離れた位置に記
録・消去用レーザビームスポットを有する２ビームの光
ヘッドを用いた。
まず、十分に高パワーのレーザビームを第４図で下向き
の外部磁界Ｈｅｘを印加しつつ媒体上の記録トラック全
てにわたり走査して照射し、記録層１５およびバイアス
層１２の磁化の向きを下向きに揃えて着磁（初期化）し
た。次に、外部磁界Ｈｅｘの向きを第１図で上向きに一
定とし、媒体を１８０Ｏｒｐｍで回転させながらレーザ
パワー８ｍＷのレーザビームを２ＭＩＩｚ、デユーティ
比１：４で媒体上面（膜面側）に照射して記録を行なっ
た。この際の記録用レーザビームのパワー変調パターン
を第６図（ａ）に、また記録後の記録層１５の磁化の向
きを同図（ｂ）にそれぞれ示す。この動作によって、記
録層１５はキュリー点Ｔ ＣＲ（１５０℃）より高い約
１７０℃に加熱されるため、初期の磁化が失われ、冷却
過程において外部磁化Ｈｅｘの向き、すなわち第４図で
下向きに磁化されて記録が行なわれた。
の外部磁界Ｈｅｘを印加しつつ媒体上の記録トラック全
てにわたり走査して照射し、記録層１５およびバイアス
層１２の磁化の向きを下向きに揃えて着磁（初期化）し
た。次に、外部磁界Ｈｅｘの向きを第１図で上向きに一
定とし、媒体を１８０Ｏｒｐｍで回転させながらレーザ
パワー８ｍＷのレーザビームを２ＭＩＩｚ、デユーティ
比１：４で媒体上面（膜面側）に照射して記録を行なっ
た。この際の記録用レーザビームのパワー変調パターン
を第６図（ａ）に、また記録後の記録層１５の磁化の向
きを同図（ｂ）にそれぞれ示す。この動作によって、記
録層１５はキュリー点Ｔ ＣＲ（１５０℃）より高い約
１７０℃に加熱されるため、初期の磁化が失われ、冷却
過程において外部磁化Ｈｅｘの向き、すなわち第４図で
下向きに磁化されて記録が行なわれた。
このとき熱遮蔽層１４の働きにより、膜に与えられた熱
は専ら記録層１５のみの昇温に寄与し、磁気遮蔽層１３
は実質的に昇温しないので、その磁性は変化しない。
は専ら記録層１５のみの昇温に寄与し、磁気遮蔽層１３
は実質的に昇温しないので、その磁性は変化しない。
次に、このようにして記録がなされたトラック上に、光
ヘツド内の先行するレーザビームを連続１諷Ｖで照射し
て読出しながら、後続のレーザビームにより消去を行な
った。その手順を以下に説明する。
ヘツド内の先行するレーザビームを連続１諷Ｖで照射し
て読出しながら、後続のレーザビームにより消去を行な
った。その手順を以下に説明する。
第７図（ａ）に示したように、Ｉ ＭＨｚの周波数でデ
ユーティ比１：４に変調したパワー４履Ｖのレーザビー
ムを照射した。このとき正味０．２μＳｅｅのレーザビ
ーム照射により、熱遮蔽層１４も十分に加熱され、この
熱遮蔽層１４を介しての伝熱作用により磁気遮蔽層１３
はそのキュリー点ＴＣ８（１７０℃）以上である約２０
０℃に温度上昇して磁性を失った。このとき当然ながら
記録層１５の磁性も失われている。従って、記録層１５
はバイアス層１２からの下向きの漏洩磁界中にある。次
に、媒体上のレーザビームスポットを通過した部分は冷
却されてゆくが、この冷却過程において磁気遮蔽層１３
は熱遮蔽層１４に接しているために、冷却速度が遅い。
ユーティ比１：４に変調したパワー４履Ｖのレーザビー
ムを照射した。このとき正味０．２μＳｅｅのレーザビ
ーム照射により、熱遮蔽層１４も十分に加熱され、この
熱遮蔽層１４を介しての伝熱作用により磁気遮蔽層１３
はそのキュリー点ＴＣ８（１７０℃）以上である約２０
０℃に温度上昇して磁性を失った。このとき当然ながら
記録層１５の磁性も失われている。従って、記録層１５
はバイアス層１２からの下向きの漏洩磁界中にある。次
に、媒体上のレーザビームスポットを通過した部分は冷
却されてゆくが、この冷却過程において磁気遮蔽層１３
は熱遮蔽層１４に接しているために、冷却速度が遅い。
従って、まず記録層１５がそのキユリー点ＴＣＲ以下に
冷却された後に、磁気遮蔽層１３がそのキュリー点Ｔｃ
ｓ以下に冷却され、バイアス層１２からの漏洩磁界を遮
蔽するに至る。以上の手順により、第７図（ｂ）に示す
ように記録層１５の消去用レーザビームの照射を受けた
部分は、バイアス層１２の漏洩磁界により第４図におけ
る下向きに磁化され記録が消去される。
冷却された後に、磁気遮蔽層１３がそのキュリー点Ｔｃ
ｓ以下に冷却され、バイアス層１２からの漏洩磁界を遮
蔽するに至る。以上の手順により、第７図（ｂ）に示す
ように記録層１５の消去用レーザビームの照射を受けた
部分は、バイアス層１２の漏洩磁界により第４図におけ
る下向きに磁化され記録が消去される。
このように、本実施例によれば熱遮蔽層１４をさらに付
加することにより、記録層１５と磁気遮蔽層１３はその
冷却過程において熱的に同一の冷却過程を辿らず、記録
層１５の温度が空間への輻射等により記録温度以下に低
下した後に、磁気遮蔽層１３が磁性を回復してバイアス
層１２の漏洩磁界を遮断するに至る。従って、磁気遮蔽
層１３のキュリー点Ｔ’ｃｓが記録温度より高い場合で
も、記録層１５がバイアス層１２と同じ向きの磁化で冷
却された後にバイアス層１２からの漏洩磁界が遮断され
るので、消去動作が可能となる。
加することにより、記録層１５と磁気遮蔽層１３はその
冷却過程において熱的に同一の冷却過程を辿らず、記録
層１５の温度が空間への輻射等により記録温度以下に低
下した後に、磁気遮蔽層１３が磁性を回復してバイアス
層１２の漏洩磁界を遮断するに至る。従って、磁気遮蔽
層１３のキュリー点Ｔ’ｃｓが記録温度より高い場合で
も、記録層１５がバイアス層１２と同じ向きの磁化で冷
却された後にバイアス層１２からの漏洩磁界が遮断され
るので、消去動作が可能となる。
また、本実施例において記録および消去過程における動
作は、熱遮蔽層１４の熱抵抗および熱容量に主として依
存する。しかし、これらの諸量は熱遮蔽層１４の材料お
よび膜厚を制御することにより容易に変えられるので、
記録・消去特性の最適化もまた容易である。
作は、熱遮蔽層１４の熱抵抗および熱容量に主として依
存する。しかし、これらの諸量は熱遮蔽層１４の材料お
よび膜厚を制御することにより容易に変えられるので、
記録・消去特性の最適化もまた容易である。
なお、上記実施例におけるバイアス層１２および磁気遮
蔽層１３には、フェリ磁性体を用いてもよい。また、記
録層１５の上に保護ないしカー効果エンハンスメント用
のオーバーコート層ヲ設けてもよい。
蔽層１３には、フェリ磁性体を用いてもよい。また、記
録層１５の上に保護ないしカー効果エンハンスメント用
のオーバーコート層ヲ設けてもよい。
第８図は本発明の第３の実施例に係る光磁気記録媒体の
断面図であり、基板２１上に記録層２２、バイアス層２
３、磁気遮蔽層２４および保護層２５を順次積層した構
造となっている。すなわち、磁気遮蔽層２４がバイアス
層２３の記録層２２と反対側の面に対向して設けられて
いる点が先の２つの実施例と異なる。
断面図であり、基板２１上に記録層２２、バイアス層２
３、磁気遮蔽層２４および保護層２５を順次積層した構
造となっている。すなわち、磁気遮蔽層２４がバイアス
層２３の記録層２２と反対側の面に対向して設けられて
いる点が先の２つの実施例と異なる。
本実施例においては、記録層２２のキュリー点ＴＣＲｓ
バイアス層２３のキュリー点ＴＣＢｓ磁気遮蔽層２４の
キュリー点Ｔ’ｃｓは、第２の実施例と同様にＴ ＣＲ
＜ Ｔ ｃｓ＜ Ｔ ＣＢの関係を満たすものとする。
バイアス層２３のキュリー点ＴＣＢｓ磁気遮蔽層２４の
キュリー点Ｔ’ｃｓは、第２の実施例と同様にＴ ＣＲ
＜ Ｔ ｃｓ＜ Ｔ ＣＢの関係を満たすものとする。
記録層２２、バイアス層２３、磁気遮蔽層２４としては
、第１の実施例で挙げたのと同様のものを用いることが
できる。
、第１の実施例で挙げたのと同様のものを用いることが
できる。
第９図は第８図の光磁気記録媒体における各層の磁化の
膜温度依存特性を示したものであり、先と同じ＜Ｒ，Ｂ
、Ｓは記録層２２、バイアス層２３、磁気遮蔽層２４の
特性をそれぞれ示している。この場合、基板２１として
は１．６ｍ厚。
膜温度依存特性を示したものであり、先と同じ＜Ｒ，Ｂ
、Ｓは記録層２２、バイアス層２３、磁気遮蔽層２４の
特性をそれぞれ示している。この場合、基板２１として
は１．６ｍ厚。
１３０Ｂφのポリカーボネート円盤を用い、記録層２２
としてはキュリー点ＴＣＲが１５０℃のＴ ｂ ２０Ｆ
ｅ ｓｏの垂直磁化膜を用い、バイアス層２３として
はキュリー点ＴＣＢが２００℃のＧｄ工５Ｔｂ、Ｆｅ、
□Ｃｏｓ垂直磁化膜を用い、磁気遮蔽層２４としてはキ
ュリー点Ｔ’ｃｓが１７０℃のＹ。
としてはキュリー点ＴＣＲが１５０℃のＴ ｂ ２０Ｆ
ｅ ｓｏの垂直磁化膜を用い、バイアス層２３として
はキュリー点ＴＣＢが２００℃のＧｄ工５Ｔｂ、Ｆｅ、
□Ｃｏｓ垂直磁化膜を用い、磁気遮蔽層２４としてはキ
ュリー点Ｔ’ｃｓが１７０℃のＹ。
Ｇ ｄ 、、Ｔ ｂ 、ｇＦ ｅ 、、の面内磁化膜を
用いた。
用いた。
この光磁気記録媒体をＨ、、ｍｓ ５ｋＯｅ、Ｈｅｘｍ
２００００ ｅとしてＩ ＭＨｚ ” →２ ＭＨｚの
高速オーバーライドテストに供したところ、消残りその
他を生じることなく良好なオーバーライドができること
が確認された。
２００００ ｅとしてＩ ＭＨｚ ” →２ ＭＨｚの
高速オーバーライドテストに供したところ、消残りその
他を生じることなく良好なオーバーライドができること
が確認された。
一方、比較例として第８図における磁気遮蔽層２４がな
く、バイアス層上に直接保護層が形成された従来構造の
光磁気記録媒体について同様にオーバーライドテストを
行なったところ、消え残りが発生して再生信号レベルの
低下が見られた。但し、着磁状態からＩ ＭＨｚの信号
を記録した場合、または２Ｈｚの信号を記録した場合に
おいては、磁気遮蔽層２４がない場合でも本実施例と同
様の再生信号が得られた。
く、バイアス層上に直接保護層が形成された従来構造の
光磁気記録媒体について同様にオーバーライドテストを
行なったところ、消え残りが発生して再生信号レベルの
低下が見られた。但し、着磁状態からＩ ＭＨｚの信号
を記録した場合、または２Ｈｚの信号を記録した場合に
おいては、磁気遮蔽層２４がない場合でも本実施例と同
様の再生信号が得られた。
すなわち、１回だけ記録する上では従来技術も本実施例
も同様であるが、オーバーライド時には本実施例の方が
優れていることが明らかとなった。
も同様であるが、オーバーライド時には本実施例の方が
優れていることが明らかとなった。
この理由は、前述したように磁気遮蔽層２４がない場合
には、消去時にバイアス層２３からの漏洩磁界と外部磁
界Ｈｅｘとが相殺されてしまい、十分な実効磁界が記録
層２２へ印加されないのに対し、本実施例の媒体では消
去時に外部磁界Ｈｅｘを磁気遮蔽層２４でトラップする
ので、十分な実効磁界が記録層２２へ印加されるためで
ある。
には、消去時にバイアス層２３からの漏洩磁界と外部磁
界Ｈｅｘとが相殺されてしまい、十分な実効磁界が記録
層２２へ印加されないのに対し、本実施例の媒体では消
去時に外部磁界Ｈｅｘを磁気遮蔽層２４でトラップする
ので、十分な実効磁界が記録層２２へ印加されるためで
ある。
［発明の効果］
本発明によれば、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸
を有する記録層とバイアス層との間に、膜面内に磁化容
易軸を有する磁気遮蔽層を設け、この磁気遮蔽層によっ
て記録層の再磁化反転を防止するため、記録層およびバ
イアス層の磁気特性の温度依存性に厳密な制御を要求さ
れることなく、高速オーバーライドが可能であって、製
造マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することがで
きる。
を有する記録層とバイアス層との間に、膜面内に磁化容
易軸を有する磁気遮蔽層を設け、この磁気遮蔽層によっ
て記録層の再磁化反転を防止するため、記録層およびバ
イアス層の磁気特性の温度依存性に厳密な制御を要求さ
れることなく、高速オーバーライドが可能であって、製
造マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することがで
きる。
また、本発明によればバイアス層の記録層と反対側の面
に対向して、膜面内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を
設け、この磁気遮蔽層によって消去時に外部磁界をトラ
ップしてバイアス層の漏洩磁界を消去時にも効果的に記
録層に印加することにより、設計の自由度が高く、製造
マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することができ
る。
に対向して、膜面内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を
設け、この磁気遮蔽層によって消去時に外部磁界をトラ
ップしてバイアス層の漏洩磁界を消去時にも効果的に記
録層に印加することにより、設計の自由度が高く、製造
マージンの大きい光磁気記録媒体を提供することができ
る。
第１図は本発明の第１の実施例に係る光磁気記録媒体の
構成を模式的に示す断面図、第２図は同実施例の光磁気
記録媒体における各層の磁化の膜温度依存特性を示す図
、第３図は同実施例におけるオーバーライド動作を説明
するための図、第４図は本発明の第２の実施例に係る光
磁気記録媒体の構成を模式的に示す断面図、第５図は同
実施例の光磁気記録媒体における各層の磁化の膜温度依
存特性を示す図、第６図および第７図は同実施例におけ
る記録および消去動作を説明するための図、第８図は本
発明の第３の実施例に係る光・磁気記録媒体の構成を模
式的に示す断面図、第９図は同実施例の光磁気記録媒体
における各層の磁化の膜温度依存特性を示す図である。 １．１１．２１・・・基板、２，１５．２２・・・記録
層、３，１３．２４・・・磁気遮蔽層、４，１２゜２３
・・・バイアス層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 ００１１００１１００へ３１ １ｓ３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図
構成を模式的に示す断面図、第２図は同実施例の光磁気
記録媒体における各層の磁化の膜温度依存特性を示す図
、第３図は同実施例におけるオーバーライド動作を説明
するための図、第４図は本発明の第２の実施例に係る光
磁気記録媒体の構成を模式的に示す断面図、第５図は同
実施例の光磁気記録媒体における各層の磁化の膜温度依
存特性を示す図、第６図および第７図は同実施例におけ
る記録および消去動作を説明するための図、第８図は本
発明の第３の実施例に係る光・磁気記録媒体の構成を模
式的に示す断面図、第９図は同実施例の光磁気記録媒体
における各層の磁化の膜温度依存特性を示す図である。 １．１１．２１・・・基板、２，１５．２２・・・記録
層、３，１３．２４・・・磁気遮蔽層、４，１２゜２３
・・・バイアス層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図 ００１１００１１００へ３１ １ｓ３図 第４図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (2)
- （１）膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する記
録層と、同じく膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を
有するバイアス層とを有する光磁気記録媒体において、
記録層とバイアス層との間に、膜面内に磁化容易軸を有
する磁気遮蔽層を設けたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - （２）膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する記
録層と、同じく膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を
有するバイアス層とを有する光磁気記録媒体において、
前記バイアス層の前記記録層と反対側の面に対向して、
膜面内に磁化容易軸を有する磁気遮蔽層を設けたことを
特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3958988A JPH01217744A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3958988A JPH01217744A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217744A true JPH01217744A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12557289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3958988A Pending JPH01217744A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992007358A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| EP0523944A2 (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium and method |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP3958988A patent/JPH01217744A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992007358A1 (en) * | 1990-10-17 | 1992-04-30 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| EP0523944A2 (en) * | 1991-07-16 | 1993-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto optical recording medium and method |
| EP0523944A3 (en) * | 1991-07-16 | 1994-02-16 | Canon Kk | Magneto optical recording medium and method |
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