JPH03207040A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁界変調方式によって光磁気記録媒体に対し
行われるオーバーライトを含む光磁気記録技術に関し、
特に、記録信号の書き込みとベリファイとを同時に行う
光磁気記録方法に関するものである。
行われるオーバーライトを含む光磁気記録技術に関し、
特に、記録信号の書き込みとベリファイとを同時に行う
光磁気記録方法に関するものである。
光磁気記録媒体の一形態である光磁気ディスクは、書き
換え可能という利点を持つため、光メモリ素子の中でも
特に注目されている。最近ではその実用化に向けて、情
報記録の高速度処理に不可欠な重ね書き、いわゆるオー
ハーライト技術の研究が鋭意進められている。オーハー
ライト方法には種々の形態があるが、中でも磁界変調方
式による方法は最も容易で有効な手段の１つと考えられ
ている。
換え可能という利点を持つため、光メモリ素子の中でも
特に注目されている。最近ではその実用化に向けて、情
報記録の高速度処理に不可欠な重ね書き、いわゆるオー
ハーライト技術の研究が鋭意進められている。オーハー
ライト方法には種々の形態があるが、中でも磁界変調方
式による方法は最も容易で有効な手段の１つと考えられ
ている。
光磁気記録媒体における通常の書き換え過程は、（１）
旧データ消去、（２）新データ書込み、（３）ベリファ
イ（記録の確認）の３段階で行われる。初期の技術では
、ディスクを各段階毎に１回転させるため、１回のデー
タ書き換えに３回転を必要としたしかし、データの重ね
書きが可能なオーバーライト方法は、（１）と（２）の
処理を同時に行うので情報記録の処理速度を向上させる
ことができる。
旧データ消去、（２）新データ書込み、（３）ベリファ
イ（記録の確認）の３段階で行われる。初期の技術では
、ディスクを各段階毎に１回転させるため、１回のデー
タ書き換えに３回転を必要としたしかし、データの重ね
書きが可能なオーバーライト方法は、（１）と（２）の
処理を同時に行うので情報記録の処理速度を向上させる
ことができる。
ところが、上記従来のオーバーライト方法では、新デー
タ書込みが光ビーム照射後の降温過程においてなされる
ため、オーハーライト時の反射光を利用して同時にベリ
ファイを行うことができない。そのために、オーバーラ
イト終了後に再びディスクを１回転させてベリファイ動
作を行わなければならず、処理速度のさらなる高速化が
望まれるという問題点を有している。また、ベリファイ
の過程はデータの信頼性を保証する過程であり、実用面
から省略できないものと考えられている。
タ書込みが光ビーム照射後の降温過程においてなされる
ため、オーハーライト時の反射光を利用して同時にベリ
ファイを行うことができない。そのために、オーバーラ
イト終了後に再びディスクを１回転させてベリファイ動
作を行わなければならず、処理速度のさらなる高速化が
望まれるという問題点を有している。また、ベリファイ
の過程はデータの信頼性を保証する過程であり、実用面
から省略できないものと考えられている。
本発明の目的は、上記の３段階の書き換え過程を同時に
行い、情報記録の高速度処理を実現する光磁気記録方法
を提供することにある。
行い、情報記録の高速度処理を実現する光磁気記録方法
を提供することにある。
本発明に係る光磁気記録方法は、上記の課題を解決する
ために、記録層が記録情報のベリファイに供する第１層
たとえばＧ ｄ １９．ＯＮ ｄ ４．Ｏ Ｆ ｅ ７
７．０（ａｔχ）の戒分比を有する非晶質合金膜と、記
録情報の書き込みに供する第２ＮたとえばＣ ｄ １４
．Ｏ Ｔ ｂ １４．Ｏ Ｆ ｅ ７２．０（ ａｔχ
）の戒分比を有する非品質合金膜とで構成され、光ビー
ム入射側に形威された第１層のキュリー温度が、該屡の
下に形成された第２層のキュリー温度及び光ビーム照射
時の記録温度より高く、第１層のカ一回転角が記録温度
において検出容易な大きさたとえば０ ．１ｄｅｇ以上
を有し、第１層の保磁力の大きさが室温近傍において記
録磁界の大きさ及び第２層の保磁力の大きさより小さく
なるように構或された光磁気記録媒体を用いている。
ために、記録層が記録情報のベリファイに供する第１層
たとえばＧ ｄ １９．ＯＮ ｄ ４．Ｏ Ｆ ｅ ７
７．０（ａｔχ）の戒分比を有する非晶質合金膜と、記
録情報の書き込みに供する第２ＮたとえばＣ ｄ １４
．Ｏ Ｔ ｂ １４．Ｏ Ｆ ｅ ７２．０（ ａｔχ
）の戒分比を有する非品質合金膜とで構成され、光ビー
ム入射側に形威された第１層のキュリー温度が、該屡の
下に形成された第２層のキュリー温度及び光ビーム照射
時の記録温度より高く、第１層のカ一回転角が記録温度
において検出容易な大きさたとえば０ ．１ｄｅｇ以上
を有し、第１層の保磁力の大きさが室温近傍において記
録磁界の大きさ及び第２層の保磁力の大きさより小さく
なるように構或された光磁気記録媒体を用いている。
本発明に係る光磁気記録方法は、さらに、記録信号に応
じて変調する記録磁界の印加によって、記録情報を第１
層に転写するステップと、光ビーム照射により昇温さそ
上記記録磁界を印加することによって、上記記録情報を
第２層に書き込むステップと、上記光ビームのカー効果
により、第１層の記録情報を検出し、その検出信号を上
記記録信号のベリファイに供するステップと、記録温度
から降温後、記録済み部位において、第１層の磁化が第
２層の磁化との交換結合力により第２層の磁化の向きに
揃って安定化するステップとを含み、記録情報を第２層
に書き込むステップと記録信号のべリファイに供するス
テップとが同時に行われることを特徴としている。
じて変調する記録磁界の印加によって、記録情報を第１
層に転写するステップと、光ビーム照射により昇温さそ
上記記録磁界を印加することによって、上記記録情報を
第２層に書き込むステップと、上記光ビームのカー効果
により、第１層の記録情報を検出し、その検出信号を上
記記録信号のベリファイに供するステップと、記録温度
から降温後、記録済み部位において、第１層の磁化が第
２層の磁化との交換結合力により第２層の磁化の向きに
揃って安定化するステップとを含み、記録情報を第２層
に書き込むステップと記録信号のべリファイに供するス
テップとが同時に行われることを特徴としている。
上記の構或によれば、光磁気記録媒体の記録層における
第１層の保磁力の大きさが、室温近傍において記録磁界
の大きさ及び第２層の保磁力の大きさより小さいので、
第１層の磁化の向きは、記録信号に応じて変調する記録
磁界が印加されると光ビームによる昇温を必要とするこ
となく、容易に記録磁界の向きと同一になる。即ち、第
１層に記録情報が転写されたことになる。しかも、第１
層は、力一回転角が記録温度において検出容易な大きさ
を有しているので、情報記録のために照射された光ビー
ムのカー効果により、第１層に転写された記録情報が検
出される。この検出された光磁気信号は上記記録信号の
ベリファイに供される。
第１層の保磁力の大きさが、室温近傍において記録磁界
の大きさ及び第２層の保磁力の大きさより小さいので、
第１層の磁化の向きは、記録信号に応じて変調する記録
磁界が印加されると光ビームによる昇温を必要とするこ
となく、容易に記録磁界の向きと同一になる。即ち、第
１層に記録情報が転写されたことになる。しかも、第１
層は、力一回転角が記録温度において検出容易な大きさ
を有しているので、情報記録のために照射された光ビー
ムのカー効果により、第１層に転写された記録情報が検
出される。この検出された光磁気信号は上記記録信号の
ベリファイに供される。
これと同時に、第２層は上記の光ビームによりキュリー
温度近傍まで昇温され、記録磁界が印加されることによ
って記録情報が書き込まれる。従って、記録情報の書き
込みと同時にベリファイが行われる．第２層は保磁力が
大きいので、記録温度から降温後、室温で安定な記録保
持層になる。
温度近傍まで昇温され、記録磁界が印加されることによ
って記録情報が書き込まれる。従って、記録情報の書き
込みと同時にベリファイが行われる．第２層は保磁力が
大きいので、記録温度から降温後、室温で安定な記録保
持層になる。
また、第１層の保磁力の大きさは、室温近傍において第
２層の保磁力の大きさより小さいので、第１層の磁化は
第２層の磁化との交換結合力により第２層の磁化の向き
に揃って安定化する。これにより、第１層、第２層共に
安定な記録保持層となる。
２層の保磁力の大きさより小さいので、第１層の磁化は
第２層の磁化との交換結合力により第２層の磁化の向き
に揃って安定化する。これにより、第１層、第２層共に
安定な記録保持層となる。
本発明の一実施例を第１図ないし第１１図に基づいて説
明すれば、以下の通りである。
明すれば、以下の通りである。
まず、本発明に係る光磁気記録媒体としての媒体１の構
成例を説明する。媒体１は、第１図に示すように、ガラ
ス基板２に対してＡｌＮから戒る誘電体層３、ＧｄＮｄ
Ｆｅから或る第１層としての読み出し層４、ＧｄＴｂＦ
ｅから或る第２層としての書き込み層５、ＡｆＮから或
る誘電体層６がこの順番に形威され、いわゆる記録層が
上記読み出し層４と書き込み層５とから或る２層構造と
なっている．読み出し層４を形成するＧｄＮｄＦｅは、
例えばＧ ｄ １９．ＯＮ ｄ４．ｏ Ｆ ｅ ７７．
０（ ａｔχ）の或分比を有する非品質合金で、膜厚２
００人である。書き込み層５を形成するＧｄＴｂＦｅは
、例えばＧ ｄ １４．ＯＴ ｂ １４．ＯＦ ｅ ７
２．０（ ａｔχ）の戒分比を有する非晶質合金で、膜
厚６００人である。
成例を説明する。媒体１は、第１図に示すように、ガラ
ス基板２に対してＡｌＮから戒る誘電体層３、ＧｄＮｄ
Ｆｅから或る第１層としての読み出し層４、ＧｄＴｂＦ
ｅから或る第２層としての書き込み層５、ＡｆＮから或
る誘電体層６がこの順番に形威され、いわゆる記録層が
上記読み出し層４と書き込み層５とから或る２層構造と
なっている．読み出し層４を形成するＧｄＮｄＦｅは、
例えばＧ ｄ １９．ＯＮ ｄ４．ｏ Ｆ ｅ ７７．
０（ ａｔχ）の或分比を有する非品質合金で、膜厚２
００人である。書き込み層５を形成するＧｄＴｂＦｅは
、例えばＧ ｄ １４．ＯＴ ｂ １４．ＯＦ ｅ ７
２．０（ ａｔχ）の戒分比を有する非晶質合金で、膜
厚６００人である。
上記のように構成された媒体ｌの光磁気特性である保磁
力Ｈｃ及びカー回転角θ６の温度依存性を、読み出し層
４ （Ｃ，ｄＮｄＦ ｅ）側から測定した結果について
第２図に示す。保磁力Ｈ．は○で、カー回転角θ３は▲
で示されている。第２図によれば、読み出し層４は保磁
力Ｈｃが小さく、約２０００ｅ以上の大きさの磁界が印
加されるとほぼ全温度域で容易に磁化反転し、磁化方向
が揃うことがわかる。また、キュリー温度が高いため、
カー回転角θ、が大きく、１６０゜Ｃ程度でも室温にお
ける値の５０％以上の値を保持している。通常の光磁気
記録では、記録層は書き込みレーザ出力により約１６０
゜Ｃの温度まで昇温される。従って、ＧｄＮｄＦｅから
或る読み出し層４は、記録温度において充分に検出容易
な大きさ（たとえば０．１ｄｅｇ以上）のカー回転角θ
，を有し、充分な強度を有する検出信号が得られること
になる。
力Ｈｃ及びカー回転角θ６の温度依存性を、読み出し層
４ （Ｃ，ｄＮｄＦ ｅ）側から測定した結果について
第２図に示す。保磁力Ｈ．は○で、カー回転角θ３は▲
で示されている。第２図によれば、読み出し層４は保磁
力Ｈｃが小さく、約２０００ｅ以上の大きさの磁界が印
加されるとほぼ全温度域で容易に磁化反転し、磁化方向
が揃うことがわかる。また、キュリー温度が高いため、
カー回転角θ、が大きく、１６０゜Ｃ程度でも室温にお
ける値の５０％以上の値を保持している。通常の光磁気
記録では、記録層は書き込みレーザ出力により約１６０
゜Ｃの温度まで昇温される。従って、ＧｄＮｄＦｅから
或る読み出し層４は、記録温度において充分に検出容易
な大きさ（たとえば０．１ｄｅｇ以上）のカー回転角θ
，を有し、充分な強度を有する検出信号が得られること
になる。
同様に、媒体１の光磁気特性である保磁力Ｈｃ及びカー
回転角θ５の温度依存性を、書き込み層５ （ＧｄＴｂ
Ｆｅ）側から測定した結果について第３図に示す。第２
図と同様に、保磁力Ｈｃは○で、力一回転角θ３は▲で
示されている。第３図によれば、書き込みＮ５の保磁力
ＨｃＯ値は室温で２ｋＯｅ程度を有し、記録温度の１６
０″Ｃ付近では非常に小さくなっている。これは、上記
のＧｄＴｂＦｅのキュリー温度が低いことに起因する。
回転角θ５の温度依存性を、書き込み層５ （ＧｄＴｂ
Ｆｅ）側から測定した結果について第３図に示す。第２
図と同様に、保磁力Ｈｃは○で、力一回転角θ３は▲で
示されている。第３図によれば、書き込みＮ５の保磁力
ＨｃＯ値は室温で２ｋＯｅ程度を有し、記録温度の１６
０″Ｃ付近では非常に小さくなっている。これは、上記
のＧｄＴｂＦｅのキュリー温度が低いことに起因する。
従って、ＧｄＴｂＦｅから或る書き込み層５は、記録温
度における記録磁界の印加によって記録磁界の向きに容
易に磁化反転し、室温付近でその記録が安定に保持され
ることになる。
度における記録磁界の印加によって記録磁界の向きに容
易に磁化反転し、室温付近でその記録が安定に保持され
ることになる。
次に、２層構成になっているために、読み出し層４の磁
化の向きが、交換結合力によって書き込み層５の磁化の
向きに揃えられることを示す。第４図は媒体１の読み出
し層４側から測定したカー回転角θ１の外部磁界Ｈに対
するヒステリシス特性を示している。測定にあたって、
読み出し層４および書き込み層５は、室温で＋２．０ｋ
Ｏｅの大きさの外部磁界によって初期化され、６０゜Ｃ
の雰囲気温度で０ →＋１．０ ｋ Ｏ ｅ →Ｏ →
−１．０ ｋ Ｏ ｅ→０のように値が連続変化する外
部磁界が印加された。第４図によれば、力一回転角θ５
の値は、外部磁界の値が正（初期化された磁化の向きと
同方向）のときは一定で、外部磁界の値が約−０．２ｋ
ｏｅになると反転している。さらに、−１．０ ｋＯｅ
から０に戻していくと、仮に書き込み層５が無いとして
読み出し層４単独であれば、約＋０．２ｋｏｅで再反転
が起きるにもかかわらず、約−０．２ｋＯｅで再反転し
、ヒステリシスループが閉した状態で初期値に戻ってい
る。
化の向きが、交換結合力によって書き込み層５の磁化の
向きに揃えられることを示す。第４図は媒体１の読み出
し層４側から測定したカー回転角θ１の外部磁界Ｈに対
するヒステリシス特性を示している。測定にあたって、
読み出し層４および書き込み層５は、室温で＋２．０ｋ
Ｏｅの大きさの外部磁界によって初期化され、６０゜Ｃ
の雰囲気温度で０ →＋１．０ ｋ Ｏ ｅ →Ｏ →
−１．０ ｋ Ｏ ｅ→０のように値が連続変化する外
部磁界が印加された。第４図によれば、力一回転角θ５
の値は、外部磁界の値が正（初期化された磁化の向きと
同方向）のときは一定で、外部磁界の値が約−０．２ｋ
ｏｅになると反転している。さらに、−１．０ ｋＯｅ
から０に戻していくと、仮に書き込み層５が無いとして
読み出し層４単独であれば、約＋０．２ｋｏｅで再反転
が起きるにもかかわらず、約−０．２ｋＯｅで再反転し
、ヒステリシスループが閉した状態で初期値に戻ってい
る。
約−０．２ｋＯｅでの最初の反転は、読み出し層４が約
２０００ｅ以上の大きさの磁界によってほぼ全温度域で
容易に磁化反転するという前記の説明に一致している。
２０００ｅ以上の大きさの磁界によってほぼ全温度域で
容易に磁化反転するという前記の説明に一致している。
また、外部磁界Ｈの値が約Ｑ．２ｋＯｅで再反転してヒ
ステリシスルーブが閉した状態で初期値にもどったのは
、読み出し層４を反転させていた外部磁界Ｈが弱まった
ときに、読み出し層４と書き込み層５との交換結合力が
読み出し層４を再反転させたからに他ならない。なぜな
ら、第３図から、書き込みＮ５の保磁力Ｈｃは測定温度
の６０゜ＣでＨｃ＞＋ｌ．Ｏ ｋｏｅであるから、書き
込み層５は値が＋１，Ｏ ｋ Ｏ ｅ 〜−１．０ｋｏ
ｅの範囲の外部磁界によって磁化反転されることはなく
、その磁化の向きは初期化された向きを保持しているか
らである。また、書き込み層５の保磁力Ｈｃは読み出し
層４に交換結合力を及ぼすに充分な大きさを有している
からである。
ステリシスルーブが閉した状態で初期値にもどったのは
、読み出し層４を反転させていた外部磁界Ｈが弱まった
ときに、読み出し層４と書き込み層５との交換結合力が
読み出し層４を再反転させたからに他ならない。なぜな
ら、第３図から、書き込みＮ５の保磁力Ｈｃは測定温度
の６０゜ＣでＨｃ＞＋ｌ．Ｏ ｋｏｅであるから、書き
込み層５は値が＋１，Ｏ ｋ Ｏ ｅ 〜−１．０ｋｏ
ｅの範囲の外部磁界によって磁化反転されることはなく
、その磁化の向きは初期化された向きを保持しているか
らである。また、書き込み層５の保磁力Ｈｃは読み出し
層４に交換結合力を及ぼすに充分な大きさを有している
からである。
上記の結果、媒体１の記録層を２層構成としたことによ
り、読み出し層４の磁化の向きを書き込み層５の磁化の
向きに揃える交換結合力が働くことがわかる。
り、読み出し層４の磁化の向きを書き込み層５の磁化の
向きに揃える交換結合力が働くことがわかる。
次に、本発明に係る光磁気記録方法の原理を具体的に説
明する。第５図に示すように、図中矢印Ａで示される向
きに走行し、読み出し層４と書き込み層５とから戒る２
層構戒の記録層に、記録信号に応じて変調する記録磁界
１０を印加すると、レーザ光７の照射によって昇温され
る前に、読み出し層４の磁化の向きが記録磁界ｌＯＯ向
きと同方向になる。即ち、読み出し層４に記録情報が転
写される。これは、前記のように、読み出し層４の保磁
力が記録磁界１０の大きさより小さいためである。次に
、レーザ光７の照射によって、書き込み層５はキュリー
温度近傍まで昇温されるので、その昇温部位９では保磁
力が低下し記録磁界１０の向きに磁化される。
明する。第５図に示すように、図中矢印Ａで示される向
きに走行し、読み出し層４と書き込み層５とから戒る２
層構戒の記録層に、記録信号に応じて変調する記録磁界
１０を印加すると、レーザ光７の照射によって昇温され
る前に、読み出し層４の磁化の向きが記録磁界ｌＯＯ向
きと同方向になる。即ち、読み出し層４に記録情報が転
写される。これは、前記のように、読み出し層４の保磁
力が記録磁界１０の大きさより小さいためである。次に
、レーザ光７の照射によって、書き込み層５はキュリー
温度近傍まで昇温されるので、その昇温部位９では保磁
力が低下し記録磁界１０の向きに磁化される。
ところで、オーバーライト直後の記録磁界作用領域１１
における読み出し層４の磁化は、その保磁力が小さいた
めにやはり記録磁界ＩＯと同方向になる。しかし、オー
バーライトが済んで記録温度から降温し、記録磁界１０
がもはや作用しない記録済み部位としての記録済領域ｌ
２における読み出し層４の磁化は、交換結合力が働くの
で、書き込み層５の磁化と同方向となる。従って、読み
出し層４及び書き込み層５の磁化の向き、即ち、記録が
室温において安定に保持される。
における読み出し層４の磁化は、その保磁力が小さいた
めにやはり記録磁界ＩＯと同方向になる。しかし、オー
バーライトが済んで記録温度から降温し、記録磁界１０
がもはや作用しない記録済み部位としての記録済領域ｌ
２における読み出し層４の磁化は、交換結合力が働くの
で、書き込み層５の磁化と同方向となる。従って、読み
出し層４及び書き込み層５の磁化の向き、即ち、記録が
室温において安定に保持される。
一方、読み出しＮ４は、前記のように、記録温度近傍に
おいてもカー回転角θ３の値が検出容易な程大きいので
、レーザ光７の反射光から充分な強度を有する検出信号
が得られる。しかも、本発明の最も大きな特徴として、
昇温部位９における読み出しＮ４には、記録情報が記録
磁界の方向として転写されているから、その検出信号を
記録信号のベリファイに供することができる。
おいてもカー回転角θ３の値が検出容易な程大きいので
、レーザ光７の反射光から充分な強度を有する検出信号
が得られる。しかも、本発明の最も大きな特徴として、
昇温部位９における読み出しＮ４には、記録情報が記録
磁界の方向として転写されているから、その検出信号を
記録信号のベリファイに供することができる。
実際に、浮上型磁気ヘッドを用いてオーバーライトした
ときの検出信号（ピックアップ出力）データを以下に示
す。実験に用いられた磁気ヘッドのスライダーの大きさ
は６Ｘ４ｍｍで、媒体１の表面から約５μｍの浮上量が
得られるようになっている。磁気ヘッドは０．３ Ｘ０
．２ ｍｍ角、長さｈ１の単磁極型で、５０ｔＩｆｆｌ
φＣｕ線が１２ターン巻回され、駆動電流の大きさは±
０．４Ａである。この磁気ヘッドの発生磁界の大きさは
±２０００ｅであった。
ときの検出信号（ピックアップ出力）データを以下に示
す。実験に用いられた磁気ヘッドのスライダーの大きさ
は６Ｘ４ｍｍで、媒体１の表面から約５μｍの浮上量が
得られるようになっている。磁気ヘッドは０．３ Ｘ０
．２ ｍｍ角、長さｈ１の単磁極型で、５０ｔＩｆｆｌ
φＣｕ線が１２ターン巻回され、駆動電流の大きさは±
０．４Ａである。この磁気ヘッドの発生磁界の大きさは
±２０００ｅであった。
本発明に係る媒体ｌを用いてオーハーライトしたときの
検出信号データを第６図に示す。誘電体層３の膜厚は８
００人、読み出し層４と書き込み層５の膜厚は、第１図
で説明したように、それぞれ２００人と６００人、誘電
体層６の膜厚は２５０人である。また、オーハーライト
前の媒体１は、’ １．８５Ｍ Ｈ ｚの単一周波数を
有する記録信号によって記録済みである。ただし、本実
験装置は１トラック書き込み後、ｌトラックジャンプす
るように構成されている。オーバーライトに用いた記録
信号は１．０ＭＨｚの単一周波数を有している。
検出信号データを第６図に示す。誘電体層３の膜厚は８
００人、読み出し層４と書き込み層５の膜厚は、第１図
で説明したように、それぞれ２００人と６００人、誘電
体層６の膜厚は２５０人である。また、オーハーライト
前の媒体１は、’ １．８５Ｍ Ｈ ｚの単一周波数を
有する記録信号によって記録済みである。ただし、本実
験装置は１トラック書き込み後、ｌトラックジャンプす
るように構成されている。オーバーライトに用いた記録
信号は１．０ＭＨｚの単一周波数を有している。
第６図によれば、記録出力４．０ｍＷのレーザ光照射時
に、図中の大実線で示される振幅の大きいオーバーライ
ト検出信号１３が得られ、その周波数が記録信号の周波
数（１．０ Ｍ Ｈ ｚ ）に一致することから、オー
バーライトに用いた記録信号のベリファイが可能である
ことが確認できた。参考のために、前記録信号（１．８
５Ｍ Ｈ ｚ ）を記録出力４．０ｍＷのレーザ光によ
り再生したときの前記録検出信号１４を併記して示した
。
に、図中の大実線で示される振幅の大きいオーバーライ
ト検出信号１３が得られ、その周波数が記録信号の周波
数（１．０ Ｍ Ｈ ｚ ）に一致することから、オー
バーライトに用いた記録信号のベリファイが可能である
ことが確認できた。参考のために、前記録信号（１．８
５Ｍ Ｈ ｚ ）を記録出力４．０ｍＷのレーザ光によ
り再生したときの前記録検出信号１４を併記して示した
。
比較例として、他の光磁気記録媒体を用いてオーバーラ
イトしたときの検出信号データを第７図に示す。光磁気
記録媒体として、従来型のように、ガラス基板にＡｆＮ
から或る誘電体層、ＧｄＴｂＦｅから成る記録層、Ａｆ
ｆＮから成る誘電体層、Ａｆｆから或る反射層がこの順
番に形威された４層構或のものを用いた。この比較例に
おいても同様に、オーバーライト前の媒体は、１．８５
Ｍ Ｈ ｚの単一周波数を有する記録信号によって記録
済みであり、オーハーライトに用いた記録信号は１．０
ＭＨ ｚの単一周波数を有している。
イトしたときの検出信号データを第７図に示す。光磁気
記録媒体として、従来型のように、ガラス基板にＡｆＮ
から或る誘電体層、ＧｄＴｂＦｅから成る記録層、Ａｆ
ｆＮから成る誘電体層、Ａｆｆから或る反射層がこの順
番に形威された４層構或のものを用いた。この比較例に
おいても同様に、オーバーライト前の媒体は、１．８５
Ｍ Ｈ ｚの単一周波数を有する記録信号によって記録
済みであり、オーハーライトに用いた記録信号は１．０
ＭＨ ｚの単一周波数を有している。
第７図によれば、上記の記録層のカー回転角θ６が小さ
いために、記録出力４ｍＷのレーザ光照射時に、図中の
大実線で示される振幅のかなり小さいオーハーライト検
出信号１５が得られ、その周波数が前記録信号の周波数
（１．８５Ｍ Ｈ ｚ ）に一致することから、前記録
を検出したことがわかる。
いために、記録出力４ｍＷのレーザ光照射時に、図中の
大実線で示される振幅のかなり小さいオーハーライト検
出信号１５が得られ、その周波数が前記録信号の周波数
（１．８５Ｍ Ｈ ｚ ）に一致することから、前記録
を検出したことがわかる。
参考のために、前記録信号（１．８５Ｍ Ｈ ｚ ）を
記録出力４．０ｍＷのレーザ光により再生したときの前
記録検出信号１６を併記して示した。
記録出力４．０ｍＷのレーザ光により再生したときの前
記録検出信号１６を併記して示した。
本発明に係る光磁気記録方法は、上記の構戒を有する光
磁気記録媒体に限定されるものではなく、以下に、本発
明に適用可能な光磁気記録媒体の各種例について開示す
る。
磁気記録媒体に限定されるものではなく、以下に、本発
明に適用可能な光磁気記録媒体の各種例について開示す
る。
例えば、読み出し層４を形威するＧｄＮｄＦｅの組戒に
ついて説明する。第８図に、室温におけるＧｄＮｄＦｅ
の保磁力ＨＣＯ組或依存性を示す。Ｎｄの組戒比を約４
％に固定した場合の特性を○で、約１０％に固定した場
合の特性を●で示した。ＮｄＯ組戒比を約４％に固定し
た場合、室温におけるＧｄＮｄ Ｆ ｅの保磁力Ｈｃの
値は約０．４〜０．９ｋＯｅになっているが、１００″
Ｃ以上の高温では０．１ｋＯｅ以下に抑えられた。また
、ＧｄＴｂＦｅから或る書き込み層５と２Ｎ構或とする
ことにより、第２図に示された保磁力ＨｃＯ値からもわ
かるように、室温における保磁力ＨｃＯ値は、ＣｄＯ組
或比約ｌ７〜２５％の範囲内のいずれにおいても０．１
５ｋ Ｏ ｅ程度を示した。さらに、ＧｄＮｄＦｅのキ
ュリー温度は全て１９０゜Ｃ以上を示し、記録温度を充
分上回っている。
ついて説明する。第８図に、室温におけるＧｄＮｄＦｅ
の保磁力ＨＣＯ組或依存性を示す。Ｎｄの組戒比を約４
％に固定した場合の特性を○で、約１０％に固定した場
合の特性を●で示した。ＮｄＯ組戒比を約４％に固定し
た場合、室温におけるＧｄＮｄ Ｆ ｅの保磁力Ｈｃの
値は約０．４〜０．９ｋＯｅになっているが、１００″
Ｃ以上の高温では０．１ｋＯｅ以下に抑えられた。また
、ＧｄＴｂＦｅから或る書き込み層５と２Ｎ構或とする
ことにより、第２図に示された保磁力ＨｃＯ値からもわ
かるように、室温における保磁力ＨｃＯ値は、ＣｄＯ組
或比約ｌ７〜２５％の範囲内のいずれにおいても０．１
５ｋ Ｏ ｅ程度を示した。さらに、ＧｄＮｄＦｅのキ
ュリー温度は全て１９０゜Ｃ以上を示し、記録温度を充
分上回っている。
第９図に、ＧｄＮｄＦｅのカー回転角θ６の組戒依存性
を示す。Ｎｄの組威比を約４％に固定した場合の特性を
○で、約１０％に固定した場合の特性を●で、約２１％
に固定した場合の特性をΔで示した。ＮｄＯ組或比を約
４％に固定した場合、カー回転角θ３の値は、ＧｄＯ組
戒比約１７〜２５％の範囲内で、約０．４０（ｄｅｇ）
程度の大きな値を示している。
を示す。Ｎｄの組威比を約４％に固定した場合の特性を
○で、約１０％に固定した場合の特性を●で、約２１％
に固定した場合の特性をΔで示した。ＮｄＯ組或比を約
４％に固定した場合、カー回転角θ３の値は、ＧｄＯ組
戒比約１７〜２５％の範囲内で、約０．４０（ｄｅｇ）
程度の大きな値を示している。
上記の結果、読み出し層４を形成するＧｄＮｄＦｅの組
威について、ＮｄＯ組戒比を約４％に固定した場合、Ｇ
ｄの組成比を約１７〜２５％とすることが可能である。
威について、ＮｄＯ組戒比を約４％に固定した場合、Ｇ
ｄの組成比を約１７〜２５％とすることが可能である。
さらに、読み出し層４の膜厚は１５０〜６００大の範囲
で、書き込み層５の膜厚は２００〜６００人の範囲でど
のように組み合わせても本実施例に開示された特性とほ
ぼ同じ特性を示し、オーバーライトと同時ベリフ７イと
が可能である。
で、書き込み層５の膜厚は２００〜６００人の範囲でど
のように組み合わせても本実施例に開示された特性とほ
ぼ同じ特性を示し、オーバーライトと同時ベリフ７イと
が可能である。
さらに、読み出し層４のＧｄＮｄＦｅが示す保磁力Ｈｃ
、力一回転角θつ、及びキュリー温度等の特性を最適範
囲内に押さえれば、書き込み層５の光磁気記録媒体を公
知のＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ、及びＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等で形成することができる。
、力一回転角θつ、及びキュリー温度等の特性を最適範
囲内に押さえれば、書き込み層５の光磁気記録媒体を公
知のＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ、及びＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ等で形成することができる。
さらに、ガラス基板２に対して／ＩＮから威る膜厚８０
０人の誘電体層３、ＴｂＦｅＣｏから或る膜厚２００入
の読み出し層４、組或比の異なるＴｂＦｅＣｏから戒る
膜厚６００人の書き込み層５、ＡＩＮから威る膜厚２５
０人の誘電体層６がこの順番に形威された光磁気記録媒
体を用いることができる。この場合、読み出し層４を形
成するＴｂＦｅＣｏの組戒比はＴ ｂｌｏ．ＯＦ ｅ８
２．Ｏｃ ｏ８．０（ａｔχ）、書き込み層５を形成す
るＴｂＦｅＣｏの組或比はＴ ｂ２４．ＯＦ ｅ６８．
Ｏｃ ｏ８．０（ａｔχ）とした。第１０図に、ＣＯの
組或比を８．０％に固定した場合、ＴｂＦｅＣｏの保磁
力Ｈｃ及びキュリー温度Ｔｃの組戒依存性を示す。保磁
力Ｈｃの組或依存性をＯで、キュリー温度Ｔｃの組戒依
存性を●で示す。第１０図によれば、ＴｂＯ組戒比を１
０．０％とした読み出し層４の保磁力Ｈｃは０．４ｋＯ
ｅ程度を示している。また、Ｔｂの組戒比を２４．０％
とした書き込み層５は、ほぼ補償組或であった。このよ
うに構成された光磁気記録媒体によっても、オーバーラ
イトと同時ベリファイとが可能なことが確認された。
０人の誘電体層３、ＴｂＦｅＣｏから或る膜厚２００入
の読み出し層４、組或比の異なるＴｂＦｅＣｏから戒る
膜厚６００人の書き込み層５、ＡＩＮから威る膜厚２５
０人の誘電体層６がこの順番に形威された光磁気記録媒
体を用いることができる。この場合、読み出し層４を形
成するＴｂＦｅＣｏの組戒比はＴ ｂｌｏ．ＯＦ ｅ８
２．Ｏｃ ｏ８．０（ａｔχ）、書き込み層５を形成す
るＴｂＦｅＣｏの組或比はＴ ｂ２４．ＯＦ ｅ６８．
Ｏｃ ｏ８．０（ａｔχ）とした。第１０図に、ＣＯの
組或比を８．０％に固定した場合、ＴｂＦｅＣｏの保磁
力Ｈｃ及びキュリー温度Ｔｃの組戒依存性を示す。保磁
力Ｈｃの組或依存性をＯで、キュリー温度Ｔｃの組戒依
存性を●で示す。第１０図によれば、ＴｂＯ組戒比を１
０．０％とした読み出し層４の保磁力Ｈｃは０．４ｋＯ
ｅ程度を示している。また、Ｔｂの組戒比を２４．０％
とした書き込み層５は、ほぼ補償組或であった。このよ
うに構成された光磁気記録媒体によっても、オーバーラ
イトと同時ベリファイとが可能なことが確認された。
第１１図乙こ、Ｃｏの組成比を１９．０％に固定した場
合、ＤｙＦｅＣｏの保磁力Ｈｅ及びキュリー温度ＴｃＯ
組或依存性を示す。第１Ｏ図と同様に、保磁力ＨＣの組
成依存性を○で、キュリー温度Ｔｃの組或依存性を●で
示す。第１１図によれば、読み出しＮ４を形成するＤｙ
ＦｅＣｏの組成比と、書き込み層５を形成するＤｙＦｅ
Ｃｏの組戒比とを、上記のＴｂＦｅＣｏと同様に、最適
値で選択することが可能である。
合、ＤｙＦｅＣｏの保磁力Ｈｅ及びキュリー温度ＴｃＯ
組或依存性を示す。第１Ｏ図と同様に、保磁力ＨＣの組
成依存性を○で、キュリー温度Ｔｃの組或依存性を●で
示す。第１１図によれば、読み出しＮ４を形成するＤｙ
ＦｅＣｏの組成比と、書き込み層５を形成するＤｙＦｅ
Ｃｏの組戒比とを、上記のＴｂＦｅＣｏと同様に、最適
値で選択することが可能である。
上記のように、読み出し層４と書き込み層５とを組或の
異なる同材料で形成する以外に、書き込み層５をＧｄＴ
ｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ、及びＧ
ｄＤｙＦｅ等を用いて形成することもできる。
異なる同材料で形成する以外に、書き込み層５をＧｄＴ
ｂＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ、及びＧ
ｄＤｙＦｅ等を用いて形成することもできる。
本発明に係る光磁気記録方法は、以上のように、記録層
が記録情報のベリファイに供する第１層と記録情報の書
き込みに供する第２層とで構成され、光ビーム入射側に
形威された第１層のキュリー温度が、該屡の下に形威さ
れた第２層のキュリー温度及び光ビーム照射時の記録温
度より高く、第１層のカ一回転角が記録温度において検
出容易な大きさを有し、第１層の保磁力の大きさが室温
近傍において記録磁界の大きさ及び第２層の保磁力の大
きさより小さくなるように構成された光磁気記録媒体を
用い、記録信号に応じて変調する記録磁界の印加によっ
て、記録情報を第１層に転写するステップと、光ビーム
照射により昇温させ上記記録磁界を印加することによっ
て、上記記録情報を第２層に書き込むステップと、上記
光ビームのカー効果により、第１層の記録情報を検出し
、その検出信号を上記記録信号のベリファイに供するス
テップと、記録温度から降温後、記録済み部位において
、第１層の磁化が第２層の磁化との交換結合力により第
２層の磁化の向きに揃って安定化するステップとを含み
、記録情報を第２層に書き込むステップと記録信号のベ
リファイに供するステップとが同時に行われる構成であ
る。
が記録情報のベリファイに供する第１層と記録情報の書
き込みに供する第２層とで構成され、光ビーム入射側に
形威された第１層のキュリー温度が、該屡の下に形威さ
れた第２層のキュリー温度及び光ビーム照射時の記録温
度より高く、第１層のカ一回転角が記録温度において検
出容易な大きさを有し、第１層の保磁力の大きさが室温
近傍において記録磁界の大きさ及び第２層の保磁力の大
きさより小さくなるように構成された光磁気記録媒体を
用い、記録信号に応じて変調する記録磁界の印加によっ
て、記録情報を第１層に転写するステップと、光ビーム
照射により昇温させ上記記録磁界を印加することによっ
て、上記記録情報を第２層に書き込むステップと、上記
光ビームのカー効果により、第１層の記録情報を検出し
、その検出信号を上記記録信号のベリファイに供するス
テップと、記録温度から降温後、記録済み部位において
、第１層の磁化が第２層の磁化との交換結合力により第
２層の磁化の向きに揃って安定化するステップとを含み
、記録情報を第２層に書き込むステップと記録信号のベ
リファイに供するステップとが同時に行われる構成であ
る。
それゆえ、本発明に係る光磁気記録媒体を用いれば、情
報の記録または情報のオーバーライトと同時に、記録情
報のへリファイを行うことができる。その結果、情報記
録の処理速度を従来速度より２倍以上向上させることが
できるという効果を奏する。
報の記録または情報のオーバーライトと同時に、記録情
報のへリファイを行うことができる。その結果、情報記
録の処理速度を従来速度より２倍以上向上させることが
できるという効果を奏する。
第１図ないし第１１図は本発明の一実施例を示すもので
ある。 第１図は光磁気記録媒体の断面図である。 第２図は光磁気記録媒体の記録層における第１層側から
測定した光磁気特性の温度依存性を示すグラフである。 第３図は光磁気記録媒体の記録層における第２層側から
測定した光磁気特性の温度依存性を示すグラフである。 第４図は光磁気記録媒体の外部磁界に対するヒステリシ
ス特性を示すグラフである。 第５図は光磁気記録の原理を示す説明図である。 第６図は記録時の光ビームのカー効果により検出された
検出信号を示す波形図である。 第７図は記録時の光ビームのカー効果により検出された
検出信号を示す他の波形図である。 第８図はＧｄＮｄＦｅ非晶質合金膜の光磁気特性の組或
依存性を示すグラフである。 第９図はＧｄＮｄＦｅ非晶質合金膜の他の光磁気特性の
組或依存性を示すグラフである。 第１０図はＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜の光磁気特性の組
威依存性を示すグラフである。 第１ｌ図はＤｙＦｅＣｏ非晶質合金膜の光磁気特性の組
成依存性を示すグラフである。 １は媒体（光磁気記録媒体）、４は読み出し層（第１層
）、５は書き込み層（第２Ｊｉｉ）、７はレーザ光（光
ビーム）、１０は記録磁界、１２は記録済領域（記録済
み部位）である。
ある。 第１図は光磁気記録媒体の断面図である。 第２図は光磁気記録媒体の記録層における第１層側から
測定した光磁気特性の温度依存性を示すグラフである。 第３図は光磁気記録媒体の記録層における第２層側から
測定した光磁気特性の温度依存性を示すグラフである。 第４図は光磁気記録媒体の外部磁界に対するヒステリシ
ス特性を示すグラフである。 第５図は光磁気記録の原理を示す説明図である。 第６図は記録時の光ビームのカー効果により検出された
検出信号を示す波形図である。 第７図は記録時の光ビームのカー効果により検出された
検出信号を示す他の波形図である。 第８図はＧｄＮｄＦｅ非晶質合金膜の光磁気特性の組或
依存性を示すグラフである。 第９図はＧｄＮｄＦｅ非晶質合金膜の他の光磁気特性の
組或依存性を示すグラフである。 第１０図はＴｂＦｅＣｏ非晶質合金膜の光磁気特性の組
威依存性を示すグラフである。 第１ｌ図はＤｙＦｅＣｏ非晶質合金膜の光磁気特性の組
成依存性を示すグラフである。 １は媒体（光磁気記録媒体）、４は読み出し層（第１層
）、５は書き込み層（第２Ｊｉｉ）、７はレーザ光（光
ビーム）、１０は記録磁界、１２は記録済領域（記録済
み部位）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、記録層が記録情報のベリファイに供する第１層と記
録情報の書き込みに供する第２層とで構成され、光ビー
ム入射側に形成された第１層のキュリー温度が、該層の
下に形成された第２層のキュリー温度及び光ビーム照射
時の記録温度より高く、第１層のカー回転角が記録温度
において検出容易な大きさを有し、第１層の保磁力の大
きさが室温近傍において記録磁界の大きさ及び第２層の
保磁力の大きさより小さくなるように構成された光磁気
記録媒体を用い、 記録信号に応じて変調する記録磁界の印加によって、記
録情報を第１層に転写するステップと、光ビーム照射に
より昇温させ上記記録磁界を印加することによって、上
記記録情報を第２層に書き込むステップと、 上記光ビームのカー効果により、第１層の記録情報を検
出し、その検出信号を上記記録信号のベリファイに供す
るステップと、 記録温度から降温後、記録済み部位において、第１層の
磁化が第２層の磁化との交換結合力により第２層の磁化
の向きに揃って安定化するステップとを含み、 記録情報を第２層に書き込むステップと記録信号のベリ
ファイに供するステップとが同時に行われることを特徴
とする光磁気記録方法。
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