JPH06180884A - 光磁気記録方法 - Google Patents
光磁気記録方法Info
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- JPH06180884A JPH06180884A JP4330637A JP33063792A JPH06180884A JP H06180884 A JPH06180884 A JP H06180884A JP 4330637 A JP4330637 A JP 4330637A JP 33063792 A JP33063792 A JP 33063792A JP H06180884 A JPH06180884 A JP H06180884A
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
- G11B11/10519—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means
- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
Abstract
(57)【要約】
【構成】 光磁気ディスクの記録層に一定の大きさの外
部磁界を印加しながら、連続的に走査照射しているＨｉ
ｇｈレベルの光ビームの光強度をパルス的にＬｏｗレベ
ルにすることにより、光磁気ディスクの前の記録状態に
よらず、記録層における光強度がＬｏｗレベルに対応す
る部位にのみに磁区を形成する。光強度がＨｉｇｈレベ
ルの光ビームを記録層に照射することにより、該記録層
に磁化の向きが外部磁界に揃って形成された磁区は、Ｈ
ｉｇｈレベルの光ビームを連続照射することによってビ
ーム照射位置の移動と伴に移動する。そして、光ビーム
の光強度がＬｏｗレベルになったときに上記磁区が固定
される。 【効果】 情報の消し残りの少ないオーバーライトが可
能となり、光磁気記録媒体の構成および該媒体に情報を
記録する装置の構成を共に簡単化できる。
部磁界を印加しながら、連続的に走査照射しているＨｉ
ｇｈレベルの光ビームの光強度をパルス的にＬｏｗレベ
ルにすることにより、光磁気ディスクの前の記録状態に
よらず、記録層における光強度がＬｏｗレベルに対応す
る部位にのみに磁区を形成する。光強度がＨｉｇｈレベ
ルの光ビームを記録層に照射することにより、該記録層
に磁化の向きが外部磁界に揃って形成された磁区は、Ｈ
ｉｇｈレベルの光ビームを連続照射することによってビ
ーム照射位置の移動と伴に移動する。そして、光ビーム
の光強度がＬｏｗレベルになったときに上記磁区が固定
される。 【効果】 情報の消し残りの少ないオーバーライトが可
能となり、光磁気記録媒体の構成および該媒体に情報を
記録する装置の構成を共に簡単化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク等の光
磁気記録媒体に光変調記録によるダイレクトオーバーラ
イトを行う方法に関するものである。
磁気記録媒体に光変調記録によるダイレクトオーバーラ
イトを行う方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光磁気ディスク等の光磁気記録媒
体は、情報の書き換え可能な高密度・大容量のメモリー
素子として注目されている。中でも、情報の書き換えに
際して情報の消去を必要としない、いわゆるダイレクト
オーバーライトができる光磁気記録媒体の必要性は年々
高まっている。こうした背景の下に、既に、ダイレクト
オーバーライトを行える幾つかの方式が提案されてい
る。この方式を大別すると、磁界変調記録方式と、光変
調記録方式とに分けられる。
体は、情報の書き換え可能な高密度・大容量のメモリー
素子として注目されている。中でも、情報の書き換えに
際して情報の消去を必要としない、いわゆるダイレクト
オーバーライトができる光磁気記録媒体の必要性は年々
高まっている。こうした背景の下に、既に、ダイレクト
オーバーライトを行える幾つかの方式が提案されてい
る。この方式を大別すると、磁界変調記録方式と、光変
調記録方式とに分けられる。
【０００３】上記磁界変調記録方式では、一定強度の光
ビームを光磁気記録媒体の所定の記録領域に照射して該
媒体の記録膜の温度を上昇させたところで、記録情報に
応じて反転する外部磁界を上記記録領域に印加し、該媒
体の記録膜の磁化の向きを記録情報に応じて反転させる
ことにより、ダイレクトオーバーライトを実現する。
ビームを光磁気記録媒体の所定の記録領域に照射して該
媒体の記録膜の温度を上昇させたところで、記録情報に
応じて反転する外部磁界を上記記録領域に印加し、該媒
体の記録膜の磁化の向きを記録情報に応じて反転させる
ことにより、ダイレクトオーバーライトを実現する。
【０００４】一方、光変調記録方式としては、交換結合
磁性２層膜を使用する方式（１９８７年度第３４回応用
物理関係連合公演会公演予稿集、講演番号２８ｐ−ＺＬ
−３）、および反磁界を利用する方式（Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４９（１９８６）４７３−４７４）
が代表的であり、いずれの方式の場合も、記録時に光磁
気記録媒体に印加される外部磁界の強さおよび方向は一
定である。
磁性２層膜を使用する方式（１９８７年度第３４回応用
物理関係連合公演会公演予稿集、講演番号２８ｐ−ＺＬ
−３）、および反磁界を利用する方式（Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４９（１９８６）４７３−４７４）
が代表的であり、いずれの方式の場合も、記録時に光磁
気記録媒体に印加される外部磁界の強さおよび方向は一
定である。
【０００５】上記交換結合磁性２層膜を使用する方式で
は、室温で保磁力が大きくキュリー温度の低い磁性体か
らなる記録層と、室温で保磁力が小さくキュリー温度の
高い磁性体からなる記録補助層とを積層した二層構造の
交換結合膜からなる光磁気記録媒体を使用している。そ
して、この方式では、オーバーライトに先立って、記録
補助層の室温での保磁力より大きな初期化磁界が光磁気
記録媒体に印加されることにより、記録補助層の磁化の
方向が一方向に揃えられる。この後、光磁気記録媒体に
初期化磁界とは逆方向の磁界を印加しながら、記録補助
層のキュリー温度付近まで温度を上昇させ、記録層およ
び記録補助層の両層を磁化反転させることができる高パ
ワーレベルと、記録層のキュリー温度付近で温度上昇を
止めて、記録補助層は磁化反転させることなく、記録層
のみを記録補助層の磁化の向きに揃えることができる低
パワーレベルとの間で、照射レーザパワーを記録情報に
応じて変化させることで、ダイレクトオーバーライトを
実現する。
は、室温で保磁力が大きくキュリー温度の低い磁性体か
らなる記録層と、室温で保磁力が小さくキュリー温度の
高い磁性体からなる記録補助層とを積層した二層構造の
交換結合膜からなる光磁気記録媒体を使用している。そ
して、この方式では、オーバーライトに先立って、記録
補助層の室温での保磁力より大きな初期化磁界が光磁気
記録媒体に印加されることにより、記録補助層の磁化の
方向が一方向に揃えられる。この後、光磁気記録媒体に
初期化磁界とは逆方向の磁界を印加しながら、記録補助
層のキュリー温度付近まで温度を上昇させ、記録層およ
び記録補助層の両層を磁化反転させることができる高パ
ワーレベルと、記録層のキュリー温度付近で温度上昇を
止めて、記録補助層は磁化反転させることなく、記録層
のみを記録補助層の磁化の向きに揃えることができる低
パワーレベルとの間で、照射レーザパワーを記録情報に
応じて変化させることで、ダイレクトオーバーライトを
実現する。
【０００６】一方、反磁界を利用する方式では、使用さ
れる光磁気記録媒体の構造は、基本的に単層膜構造であ
る。この方式では、記録ビットの境界にあたる磁壁に作
用して磁区を拡大したりあるいは縮小したりする力を、
照射レーザ光のエネルギーのみを変えることでコントロ
ールし、最終的に記録ビットの大きさを縮小させること
により該記録ビットを消滅（消去）すると共に、記録ビ
ットの大きさを拡大させることにより記録し、ダイレク
トオーバーライトを実現する。具体的には、一定のレー
ザ光強度の下で、所定の時間幅のレーザパルスで記録ビ
ット（磁区）を形成すると共に、記録ビットに上記レー
ザパルスより短い時間幅のレーザパルスを照射すること
により該記録ビットを消去するようになっている。
れる光磁気記録媒体の構造は、基本的に単層膜構造であ
る。この方式では、記録ビットの境界にあたる磁壁に作
用して磁区を拡大したりあるいは縮小したりする力を、
照射レーザ光のエネルギーのみを変えることでコントロ
ールし、最終的に記録ビットの大きさを縮小させること
により該記録ビットを消滅（消去）すると共に、記録ビ
ットの大きさを拡大させることにより記録し、ダイレク
トオーバーライトを実現する。具体的には、一定のレー
ザ光強度の下で、所定の時間幅のレーザパルスで記録ビ
ット（磁区）を形成すると共に、記録ビットに上記レー
ザパルスより短い時間幅のレーザパルスを照射すること
により該記録ビットを消去するようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
磁界変調記録方式では、外部磁界の方向を高速でスイッ
チングさせる必要があるため、磁気ヘッドを小型化しイ
ンダクタンスを小さくすると共に、光磁気記録媒体と磁
気ヘッドとの間の距離を狭くすることが不可欠となり、
磁気ヘッドが光磁気記録媒体に接触し、光磁気記録媒体
に傷が付いたり、磁気ヘッドがクラッシュすることがあ
るという問題点を有している。すなわち、光磁気記録媒
体の大きな特徴である非接触による情報の記録・再生が
犠牲になりかねない。更に、こうした高速磁界反転を実
現するために磁気ヘッド駆動回路の複雑化を招来するこ
ととなり、この方式で光磁気記録を行う装置の負担増大
を招く。
磁界変調記録方式では、外部磁界の方向を高速でスイッ
チングさせる必要があるため、磁気ヘッドを小型化しイ
ンダクタンスを小さくすると共に、光磁気記録媒体と磁
気ヘッドとの間の距離を狭くすることが不可欠となり、
磁気ヘッドが光磁気記録媒体に接触し、光磁気記録媒体
に傷が付いたり、磁気ヘッドがクラッシュすることがあ
るという問題点を有している。すなわち、光磁気記録媒
体の大きな特徴である非接触による情報の記録・再生が
犠牲になりかねない。更に、こうした高速磁界反転を実
現するために磁気ヘッド駆動回路の複雑化を招来するこ
ととなり、この方式で光磁気記録を行う装置の負担増大
を招く。
【０００８】また、光変調記録方式における交換結合磁
性２層膜を使用する方式では、特に光磁気記録媒体の構
造に敏感な交換結合力を利用するだけに、多層化された
各磁性層の磁気特性を所定条件に設定し、しかも、大面
積の光磁気記録媒体を作成することに困難を伴ってい
た。また、再生パワーに加えてオーバーライト時の高レ
ベルパワーおよび低レベルパワーの３値のレーザパワー
制御が必要となるため、この方式で光磁気記録を行う装
置の構成が複雑化するという問題点を有している。
性２層膜を使用する方式では、特に光磁気記録媒体の構
造に敏感な交換結合力を利用するだけに、多層化された
各磁性層の磁気特性を所定条件に設定し、しかも、大面
積の光磁気記録媒体を作成することに困難を伴ってい
た。また、再生パワーに加えてオーバーライト時の高レ
ベルパワーおよび低レベルパワーの３値のレーザパワー
制御が必要となるため、この方式で光磁気記録を行う装
置の構成が複雑化するという問題点を有している。
【０００９】また、光変調記録方式における反磁界を利
用する方式では、光磁気記録媒体が単層構造を基本とし
ており、オーバーライト性能を左右する磁壁エネルギ制
御、高い信号品質（大きな磁気カー回転角）、高い記録
感度（低いキュリー温度）等の諸特性の整合を図るため
の極めて自由度の小さい媒体組成設計が要求されること
になる。このように、光磁気記録媒体の磁気特性に関す
る許容範囲が狭いため、実際には、オーバーライトによ
る記録磁区の消滅は困難であり、微小ながらも磁区が残
ってしまい、結果的に残った微小磁区が消去率を低下さ
せることになっていた。また、オーバーライトに際して
は、予め前回の記録状態がわかっていなければならず、
完全な単一の光ビームによるオーバーライトとは言えな
かった。
用する方式では、光磁気記録媒体が単層構造を基本とし
ており、オーバーライト性能を左右する磁壁エネルギ制
御、高い信号品質（大きな磁気カー回転角）、高い記録
感度（低いキュリー温度）等の諸特性の整合を図るため
の極めて自由度の小さい媒体組成設計が要求されること
になる。このように、光磁気記録媒体の磁気特性に関す
る許容範囲が狭いため、実際には、オーバーライトによ
る記録磁区の消滅は困難であり、微小ながらも磁区が残
ってしまい、結果的に残った微小磁区が消去率を低下さ
せることになっていた。また、オーバーライトに際して
は、予め前回の記録状態がわかっていなければならず、
完全な単一の光ビームによるオーバーライトとは言えな
かった。
【００１０】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、光磁気記録媒体の構成および該媒体に
情報を記録する装置の構成を簡単化することができ、前
の記録情報の消し残りの少ないオーバーライトが可能な
光磁気記録方法を提供することにある。
り、その目的は、光磁気記録媒体の構成および該媒体に
情報を記録する装置の構成を簡単化することができ、前
の記録情報の消し残りの少ないオーバーライトが可能な
光磁気記録方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録方法
は、上記の課題を解決するために、垂直磁化膜を有する
光磁気記録媒体に、一定の大きさの外部磁界を上記垂直
磁化膜に対して垂直方向に印加すると共に、上記光磁気
記録媒体に対するビーム照射位置を移動させながら情報
に応じて光強度を強弱に変調した光ビームを照射して情
報の書き換えを行う方法であって、光強度が強の光ビー
ムを上記垂直磁化膜に照射することによって該垂直磁化
膜に磁区を形成し、光強度が強の光ビームを連続照射す
ることによって該磁区をビーム照射位置の移動方向に移
動させ、記録磁区形成位置で光ビームの強度を弱にする
ことによってその位置で上記磁区を固定することを特徴
としている。
は、上記の課題を解決するために、垂直磁化膜を有する
光磁気記録媒体に、一定の大きさの外部磁界を上記垂直
磁化膜に対して垂直方向に印加すると共に、上記光磁気
記録媒体に対するビーム照射位置を移動させながら情報
に応じて光強度を強弱に変調した光ビームを照射して情
報の書き換えを行う方法であって、光強度が強の光ビー
ムを上記垂直磁化膜に照射することによって該垂直磁化
膜に磁区を形成し、光強度が強の光ビームを連続照射す
ることによって該磁区をビーム照射位置の移動方向に移
動させ、記録磁区形成位置で光ビームの強度を弱にする
ことによってその位置で上記磁区を固定することを特徴
としている。
【００１２】
【作用】上記の構成によれば、垂直磁化膜を有する光磁
気記録媒体を使用し、一定の大きさの外部磁界を上記垂
直磁化膜に対して垂直方向に印加すると共に、上記光磁
気記録媒体に対するビーム照射位置を移動させながら情
報に応じて光強度を強弱に変調した光ビームを照射する
ことにより、該光磁気記録媒体に対する情報の記録がな
される。
気記録媒体を使用し、一定の大きさの外部磁界を上記垂
直磁化膜に対して垂直方向に印加すると共に、上記光磁
気記録媒体に対するビーム照射位置を移動させながら情
報に応じて光強度を強弱に変調した光ビームを照射する
ことにより、該光磁気記録媒体に対する情報の記録がな
される。
【００１３】光強度が強の光ビームが光磁気記録媒体に
照射されたとき、温度上昇によって垂直磁化膜の保磁力
が小さくなり、磁化の方向が外部磁界の向きの磁区が形
成される。この磁区を囲む磁壁には磁区を拡大あるいは
縮小させようとする磁気的な力が作用し、この力と垂直
磁化膜の保磁力とのバランスによりに磁壁の静動が決ま
る。上記のように光強度が強の光ビームが照射されてい
る場合、垂直磁化膜の保磁力が小さくなるので、磁気的
な力を受けて磁壁は移動しようとする。ここで、光強度
が強の光ビームが光磁気記録媒体に連続的に照射された
場合、上記磁壁はビーム照射位置の移動方向の力を受
け、該磁壁により囲まれる磁区はビーム照射位置の移動
方向へ移動することとなる。
照射されたとき、温度上昇によって垂直磁化膜の保磁力
が小さくなり、磁化の方向が外部磁界の向きの磁区が形
成される。この磁区を囲む磁壁には磁区を拡大あるいは
縮小させようとする磁気的な力が作用し、この力と垂直
磁化膜の保磁力とのバランスによりに磁壁の静動が決ま
る。上記のように光強度が強の光ビームが照射されてい
る場合、垂直磁化膜の保磁力が小さくなるので、磁気的
な力を受けて磁壁は移動しようとする。ここで、光強度
が強の光ビームが光磁気記録媒体に連続的に照射された
場合、上記磁壁はビーム照射位置の移動方向の力を受
け、該磁壁により囲まれる磁区はビーム照射位置の移動
方向へ移動することとなる。
【００１４】尚、既に垂直磁化膜に磁区（記録ビット）
が形成されている場合では、その磁区に光強度が強の光
ビームが照射されることにより、該磁区はビーム照射位
置と伴に移動する磁区に吸収され、その後は、光ビーム
に引かれてビーム照射位置の移動方向へ移動することと
なる。この磁区の移動により、結果的に磁区（既に記録
されていたビット）の消去がなされることになる。
が形成されている場合では、その磁区に光強度が強の光
ビームが照射されることにより、該磁区はビーム照射位
置と伴に移動する磁区に吸収され、その後は、光ビーム
に引かれてビーム照射位置の移動方向へ移動することと
なる。この磁区の移動により、結果的に磁区（既に記録
されていたビット）の消去がなされることになる。
【００１５】そして、上記のように連続的に照射してい
る光ビームの光強度を、パルス的に弱にした場合、その
瞬間から熱拡散により、光ビームの照射により温度上昇
していた部位の温度が低下し垂直磁化膜の保磁力が増大
するため、磁壁を移動させていた磁気的な力と垂直磁化
膜の保磁力とのバランスが取れたところで磁壁の移動は
停止し、結局その場所で孤立した磁区（記録ビット）が
形成されることになる。
る光ビームの光強度を、パルス的に弱にした場合、その
瞬間から熱拡散により、光ビームの照射により温度上昇
していた部位の温度が低下し垂直磁化膜の保磁力が増大
するため、磁壁を移動させていた磁気的な力と垂直磁化
膜の保磁力とのバランスが取れたところで磁壁の移動は
停止し、結局その場所で孤立した磁区（記録ビット）が
形成されることになる。
【００１６】これにより、光磁気記録媒体の構造に敏感
な交換結合磁性２層膜を使用することなく、単層構造の
光磁気記録媒体を用いることができ、また、外部磁界の
強さを一定に保持した状態で、光ビームの光強度を情報
に応じて変調するだけで、前回記録された情報の消し残
りの少ないオーバーライトが可能となり、光磁気記録媒
体の構成および該媒体に情報を記録する装置の構成を共
に簡単化することができる。
な交換結合磁性２層膜を使用することなく、単層構造の
光磁気記録媒体を用いることができ、また、外部磁界の
強さを一定に保持した状態で、光ビームの光強度を情報
に応じて変調するだけで、前回記録された情報の消し残
りの少ないオーバーライトが可能となり、光磁気記録媒
体の構成および該媒体に情報を記録する装置の構成を共
に簡単化することができる。
【００１７】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図３に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００１８】本実施例で使用される光磁気記録媒体とし
ての光磁気ディスクは、図３に示すように、円盤状の光
透過性のある基板１上に光磁気記録媒体層２を設けた構
成になっている。通常、基板１の光磁気記録媒体層２側
には、光ビーム５を案内するためのガイドトラックが形
成されている。
ての光磁気ディスクは、図３に示すように、円盤状の光
透過性のある基板１上に光磁気記録媒体層２を設けた構
成になっている。通常、基板１の光磁気記録媒体層２側
には、光ビーム５を案内するためのガイドトラックが形
成されている。
【００１９】上記の光磁気記録媒体層２は、例えば、第
１の誘電体膜、垂直磁化膜である記録層、第２の誘電体
膜を基板１側から順次積層した３層構造になっている。
第１および第２の誘電体膜は、記録層を保護する働きを
する。また、第１の誘電体膜は、磁気カー効果を強調す
る働きもする。尚、上記第２の誘電体膜上にさらに反射
膜を設けた４層反射膜構造にしてもよい。
１の誘電体膜、垂直磁化膜である記録層、第２の誘電体
膜を基板１側から順次積層した３層構造になっている。
第１および第２の誘電体膜は、記録層を保護する働きを
する。また、第１の誘電体膜は、磁気カー効果を強調す
る働きもする。尚、上記第２の誘電体膜上にさらに反射
膜を設けた４層反射膜構造にしてもよい。
【００２０】また、上記の光磁気記録媒体層２は、例え
ば、第１の誘電体膜、磁気カー回転角の大きな磁性体か
らなり垂直磁化膜である読み出し層、垂直磁化膜である
記録層、第２の誘電体膜を基板１側から順次積層した４
層構造にすることもできる。
ば、第１の誘電体膜、磁気カー回転角の大きな磁性体か
らなり垂直磁化膜である読み出し層、垂直磁化膜である
記録層、第２の誘電体膜を基板１側から順次積層した４
層構造にすることもできる。
【００２１】３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光
磁気ディスクは、具体的には例えば、ガラス基板１上
に、第１の誘電体膜として膜厚が８０ｎｍのＡｌＮ、記
録層として膜厚が４０ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆ
ｅ0.53、および第２の誘電体膜として膜厚が５０ｎｍの
ＡｌＮを順次形成することにより得られる。
磁気ディスクは、具体的には例えば、ガラス基板１上
に、第１の誘電体膜として膜厚が８０ｎｍのＡｌＮ、記
録層として膜厚が４０ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆ
ｅ0.53、および第２の誘電体膜として膜厚が５０ｎｍの
ＡｌＮを順次形成することにより得られる。
【００２２】また、４層反射膜構造の光磁気記録媒体層
２を有する光磁気ディスクは、具体的には例えば、ガラ
ス基板１上に、第１の誘電体膜として膜厚が８０ｎｍの
ＡｌＮ、記録層として膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.29Ｄｙ
0.18Ｆｅ0.53、第２の誘電体膜として膜厚が２５ｎｍの
ＡｌＮ、および反射膜として膜厚が５０ｎｍのＡｌを順
次形成することにより得られる。
２を有する光磁気ディスクは、具体的には例えば、ガラ
ス基板１上に、第１の誘電体膜として膜厚が８０ｎｍの
ＡｌＮ、記録層として膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.29Ｄｙ
0.18Ｆｅ0.53、第２の誘電体膜として膜厚が２５ｎｍの
ＡｌＮ、および反射膜として膜厚が５０ｎｍのＡｌを順
次形成することにより得られる。
【００２３】また、読み出し層を有する４層構造の光磁
気記録媒体層２を有する光磁気ディスクは、具体的には
例えば、ガラス基板１上に、第１の誘電体膜として膜厚
が８０ｎｍのＡｌＮ、読み出し層として膜厚が３０ｎｍ
のＤｙ0.46Ｆｅ0.45Ｃｏ0.09、記録層として膜厚が４０
ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆｅ0.53、および第２の誘電体
膜として膜厚が５０ｎｍのＡｌＮを順次形成することに
より得られる。
気記録媒体層２を有する光磁気ディスクは、具体的には
例えば、ガラス基板１上に、第１の誘電体膜として膜厚
が８０ｎｍのＡｌＮ、読み出し層として膜厚が３０ｎｍ
のＤｙ0.46Ｆｅ0.45Ｃｏ0.09、記録層として膜厚が４０
ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆｅ0.53、および第２の誘電体
膜として膜厚が５０ｎｍのＡｌＮを順次形成することに
より得られる。
【００２４】本実施例で使用される光磁気記録再生装置
としての光磁気ディスク装置は、基本的には、光磁気デ
ィスクの基板１側に配置された光学ヘッド３と、光磁気
ディスクの光磁気記録媒体層２側に光学ヘッド３に対向
して配置された電磁石６から構成されている。
としての光磁気ディスク装置は、基本的には、光磁気デ
ィスクの基板１側に配置された光学ヘッド３と、光磁気
ディスクの光磁気記録媒体層２側に光学ヘッド３に対向
して配置された電磁石６から構成されている。
【００２５】光学ヘッド３は、半導体レーザー等の光源
を有しており、光源からの出射光を集光し、光磁気記録
媒体層２に光ビーム５を照射する対物レンズ４を備えて
いる。
を有しており、光源からの出射光を集光し、光磁気記録
媒体層２に光ビーム５を照射する対物レンズ４を備えて
いる。
【００２６】電磁石６は、円柱状の磁気コア７と、磁気
コア７に巻回されたコイル８から構成されており、光ビ
ーム５が照射されている光磁気記録媒体層２に一定の大
きさの外部磁界Ｈexを光磁気記録媒体層２に対して垂直
方向に印加できるようになっている。
コア７に巻回されたコイル８から構成されており、光ビ
ーム５が照射されている光磁気記録媒体層２に一定の大
きさの外部磁界Ｈexを光磁気記録媒体層２に対して垂直
方向に印加できるようになっている。
【００２７】上記の構成において、光磁気ディスクに対
する情報の記録は、所定方向に回転駆動されている光磁
気ディスクに電磁石６より一定の大きさの外部磁界Ｈex
を光磁気記録媒体層２に対して垂直方向に印加しなが
ら、情報に応じて光強度を強弱に変調した光ビーム５を
照射することにより行われる。
する情報の記録は、所定方向に回転駆動されている光磁
気ディスクに電磁石６より一定の大きさの外部磁界Ｈex
を光磁気記録媒体層２に対して垂直方向に印加しなが
ら、情報に応じて光強度を強弱に変調した光ビーム５を
照射することにより行われる。
【００２８】光学ヘッド３の光源から出射される単一の
光ビーム５を所定の光強度（Ｈｉｇｈレベル）に保った
まま、該光ビーム５を光磁気ディスクに連続して走査照
射しながら、図１（ａ）に示すように、光ビーム５の光
強度をパルス的に零または所定レベル（Ｌｏｗレベル）
に落とすと、同図（ｂ）に示すように、光磁気記録媒体
層２の記録層における光ビーム５の光強度がＬｏｗレベ
ルとなる箇所のみに磁区（記録ビット）が形成される。
光ビーム５を所定の光強度（Ｈｉｇｈレベル）に保った
まま、該光ビーム５を光磁気ディスクに連続して走査照
射しながら、図１（ａ）に示すように、光ビーム５の光
強度をパルス的に零または所定レベル（Ｌｏｗレベル）
に落とすと、同図（ｂ）に示すように、光磁気記録媒体
層２の記録層における光ビーム５の光強度がＬｏｗレベ
ルとなる箇所のみに磁区（記録ビット）が形成される。
【００２９】また、同図（ｃ）に示すように光強度を変
化させた光ビーム５を、上記のようにして光磁気ディス
クに記録された旧ビット列の上に重ねて照射すると、同
図（ｄ）に示すように、旧データのビットは消去され、
光磁気記録媒体層２の記録層における光ビーム５の光強
度がＬｏｗレベルとなる箇所のみに新たに磁区が形成さ
れる。即ち、ダイレクトオーバーライトが可能である。
化させた光ビーム５を、上記のようにして光磁気ディス
クに記録された旧ビット列の上に重ねて照射すると、同
図（ｄ）に示すように、旧データのビットは消去され、
光磁気記録媒体層２の記録層における光ビーム５の光強
度がＬｏｗレベルとなる箇所のみに新たに磁区が形成さ
れる。即ち、ダイレクトオーバーライトが可能である。
【００３０】ここで、上記のオーバーライト動作につい
て、図２を参照して以下に詳細に説明する。
て、図２を参照して以下に詳細に説明する。
【００３１】先ず、一定の大きさの外部磁界Ｈexの下、
光強度がＨｉｇｈレベルの光ビーム５を光磁気ディスク
上で走査した場合を考える。上記光ビーム５は対物レン
ズ４により集光されているため、その光強度分布がガウ
ス分布になり、光磁気ディスク上の温度分布も図２
（ａ）に示すように略ガウス分布になる。そして、光磁
気記録媒体層２の記録層２ａにおいては、同図（ｂ）に
示すように、あるしきい値温度（反転温度）以上に加熱
された領域で磁化反転が生じ、磁壁で囲まれた反転磁化
部２２（磁区）が形成される。即ち、光磁気記録媒体層
２の記録層２ａは、光ビーム５照射による温度上昇によ
ってその保磁力が小さくなり、反転温度以上に加熱され
た領域で、その磁化の方向が外部磁界Ｈexの向きに揃い
磁化反転が生じる。尚、同図（ｂ）は、上記記録層２ａ
の磁化の様子を示しており、磁化の方向は上向き、また
は、下向きの矢印で示している。
光強度がＨｉｇｈレベルの光ビーム５を光磁気ディスク
上で走査した場合を考える。上記光ビーム５は対物レン
ズ４により集光されているため、その光強度分布がガウ
ス分布になり、光磁気ディスク上の温度分布も図２
（ａ）に示すように略ガウス分布になる。そして、光磁
気記録媒体層２の記録層２ａにおいては、同図（ｂ）に
示すように、あるしきい値温度（反転温度）以上に加熱
された領域で磁化反転が生じ、磁壁で囲まれた反転磁化
部２２（磁区）が形成される。即ち、光磁気記録媒体層
２の記録層２ａは、光ビーム５照射による温度上昇によ
ってその保磁力が小さくなり、反転温度以上に加熱され
た領域で、その磁化の方向が外部磁界Ｈexの向きに揃い
磁化反転が生じる。尚、同図（ｂ）は、上記記録層２ａ
の磁化の様子を示しており、磁化の方向は上向き、また
は、下向きの矢印で示している。
【００３２】一般に、円筒状の磁区を囲む磁壁に単位面
積当たりに作用する力Ｆは、次式（１）のように表され
る。
積当たりに作用する力Ｆは、次式（１）のように表され
る。
【００３３】 Ｆ＝−σw ／ｒ−∂σw ／∂ｒ＋２ＭｓＨｄ＋２ＭｓＨｅｘｔ ・・・（１） 上式（１）において、σw は磁壁エネルギ密度（単位面
積当たりの磁壁エネルギ）、ｒは円筒磁区半径、Ｍｓは
飽和磁化、Ｈｄは周囲磁化からの反磁界、Ｈｅｘｔは外
部磁界Ｈexの強さを示している。
積当たりの磁壁エネルギ）、ｒは円筒磁区半径、Ｍｓは
飽和磁化、Ｈｄは周囲磁化からの反磁界、Ｈｅｘｔは外
部磁界Ｈexの強さを示している。
【００３４】この磁壁に作用する磁気的な力Ｆと、磁壁
を動かすまいとする記録層２ａの保磁力Ｈｃに基づく力
２ＭｓＨｃとの大小関係により、磁壁の静動が決定され
る。即ち、上式（１）に示される磁壁に作用する力Ｆの
絶対値の大きさが、２ＭｓＨｃより大きい場合に磁壁の
移動が生じるようになっており、特に、（１）式におけ
る右辺の第１項および第２項が磁区の収縮力として磁壁
に作用する一方、第３項および第４項が磁区を拡大させ
る力として磁壁に作用するようになっている。
を動かすまいとする記録層２ａの保磁力Ｈｃに基づく力
２ＭｓＨｃとの大小関係により、磁壁の静動が決定され
る。即ち、上式（１）に示される磁壁に作用する力Ｆの
絶対値の大きさが、２ＭｓＨｃより大きい場合に磁壁の
移動が生じるようになっており、特に、（１）式におけ
る右辺の第１項および第２項が磁区の収縮力として磁壁
に作用する一方、第３項および第４項が磁区を拡大させ
る力として磁壁に作用するようになっている。
【００３５】ここで、光磁気ディスクに対する光ビーム
５の照射位置が、同図中に示す矢印Ｐ方向に移動した場
合、反転磁化部２２を囲む磁壁におけるビーム照射位置
移動方向の上流側に位置する部分（以下、磁壁先端部と
称する）Ｌについては、ビーム照射位置の移動に伴っ
て、温度勾配が緩やかな方向へと動く。すると、上式
（１）に示される磁壁に作用する力Ｆにおいて、温度勾
配の影響を最も強く受け易い右辺第２項の絶対値が他の
項と比べて相対的に小さくなることで、右辺第３項およ
び第４項が支配的となる。この結果、磁壁先端部Ｌに
は、磁区を拡大させる方向に力が作用することとなる。
５の照射位置が、同図中に示す矢印Ｐ方向に移動した場
合、反転磁化部２２を囲む磁壁におけるビーム照射位置
移動方向の上流側に位置する部分（以下、磁壁先端部と
称する）Ｌについては、ビーム照射位置の移動に伴っ
て、温度勾配が緩やかな方向へと動く。すると、上式
（１）に示される磁壁に作用する力Ｆにおいて、温度勾
配の影響を最も強く受け易い右辺第２項の絶対値が他の
項と比べて相対的に小さくなることで、右辺第３項およ
び第４項が支配的となる。この結果、磁壁先端部Ｌに
は、磁区を拡大させる方向に力が作用することとなる。
【００３６】一方、反転磁化部２２を囲む磁壁における
ビーム照射位置移動方向の下流側に位置する部分（以
下、磁壁後端部と称する）Ｔについては、ビーム照射位
置の移動に伴って、温度勾配がきつくなる方向へと動
く。すると、上式（１）に示される磁壁に作用する力Ｆ
において、右辺第２項の絶対値が他の項と比べて相対的
に大きくなり、この結果、磁壁後端部Ｔには、磁区を縮
小させる方向に力が作用することとなる。
ビーム照射位置移動方向の下流側に位置する部分（以
下、磁壁後端部と称する）Ｔについては、ビーム照射位
置の移動に伴って、温度勾配がきつくなる方向へと動
く。すると、上式（１）に示される磁壁に作用する力Ｆ
において、右辺第２項の絶対値が他の項と比べて相対的
に大きくなり、この結果、磁壁後端部Ｔには、磁区を縮
小させる方向に力が作用することとなる。
【００３７】上記より、反転磁化部２２を囲む磁壁の先
端部Ｌおよび後端部Ｔには、共にビーム照射位置の移動
方向（ビーム走査方向）に移動しようとする力が作用
し、結果的に、反転磁化部２２は、ビーム照射位置の移
動に伴って、ビーム照射位置の移動方向へ移動すること
となる。
端部Ｌおよび後端部Ｔには、共にビーム照射位置の移動
方向（ビーム走査方向）に移動しようとする力が作用
し、結果的に、反転磁化部２２は、ビーム照射位置の移
動に伴って、ビーム照射位置の移動方向へ移動すること
となる。
【００３８】また、既に上記反転磁化部２２と磁化の方
向が同じ磁区（記録ビット）が存在していたところを、
光強度がＨｉｇｈレベルの光ビーム５が走査していく場
合は次のようになる。先ず、既に存在している磁区に光
ビーム５が照射されることにより、該磁区は、ビーム照
射位置と伴に移動する反転磁化部２２に吸収され、その
後は、光ビーム５に引かれてビーム照射位置の移動方向
へ移動することとなる。このように、光強度がＨｉｇｈ
レベルの光ビーム５を光磁気ディスク上で走査すること
により、走査前に記録層上に存在していた磁区がビーム
走査方向へ移動し、結果的に磁区の消去がなされること
になる。
向が同じ磁区（記録ビット）が存在していたところを、
光強度がＨｉｇｈレベルの光ビーム５が走査していく場
合は次のようになる。先ず、既に存在している磁区に光
ビーム５が照射されることにより、該磁区は、ビーム照
射位置と伴に移動する反転磁化部２２に吸収され、その
後は、光ビーム５に引かれてビーム照射位置の移動方向
へ移動することとなる。このように、光強度がＨｉｇｈ
レベルの光ビーム５を光磁気ディスク上で走査すること
により、走査前に記録層上に存在していた磁区がビーム
走査方向へ移動し、結果的に磁区の消去がなされること
になる。
【００３９】次に、上記のように連続的に走査照射して
いる光ビーム５の光強度を、パルス的にＬｏｗレベルし
た場合を考える。この場合、光ビーム５の光強度を弱に
した瞬間から、横方向および膜厚方向の熱拡散によっ
て、光ビーム５の照射により温度上昇していた部位の温
度が低下し、光磁気ディスクの温度プロファイルは一様
になだらかになる。このため、それまでビーム照射位置
の移動方向への力を受けていた磁壁先端部Ｌおよび磁壁
後端部Ｔには、共に温度勾配が緩やかになる影響によっ
て磁区を拡大させる方向に力が作用し、最終的には、磁
壁に作用する力Ｆの大きさと記録層２ａの保磁力Ｈｃに
基づく力（２ＭｓＨｃ）とが等しくなったところで磁壁
の移動が止まり、結局その場所で孤立した磁区（記録ビ
ット）が形成されることになる。
いる光ビーム５の光強度を、パルス的にＬｏｗレベルし
た場合を考える。この場合、光ビーム５の光強度を弱に
した瞬間から、横方向および膜厚方向の熱拡散によっ
て、光ビーム５の照射により温度上昇していた部位の温
度が低下し、光磁気ディスクの温度プロファイルは一様
になだらかになる。このため、それまでビーム照射位置
の移動方向への力を受けていた磁壁先端部Ｌおよび磁壁
後端部Ｔには、共に温度勾配が緩やかになる影響によっ
て磁区を拡大させる方向に力が作用し、最終的には、磁
壁に作用する力Ｆの大きさと記録層２ａの保磁力Ｈｃに
基づく力（２ＭｓＨｃ）とが等しくなったところで磁壁
の移動が止まり、結局その場所で孤立した磁区（記録ビ
ット）が形成されることになる。
【００４０】以上のようにして、連続的に走査照射して
いるＨｉｇｈレベルの光ビーム５の光強度を、記録磁区
を形成しようとする位置（記録磁区形成位置）でパルス
的にＬｏｗレベルにすることにより、光磁気ディスクの
前の記録状態によらず、記録層における光強度がＬｏｗ
レベルに対応する部位（即ち、記録磁区形成位置）にの
み、外部磁界Ｈexと同じ向きの磁化を有する磁区を形成
することができ、完全なダイレクトオーバーライトが可
能となる。
いるＨｉｇｈレベルの光ビーム５の光強度を、記録磁区
を形成しようとする位置（記録磁区形成位置）でパルス
的にＬｏｗレベルにすることにより、光磁気ディスクの
前の記録状態によらず、記録層における光強度がＬｏｗ
レベルに対応する部位（即ち、記録磁区形成位置）にの
み、外部磁界Ｈexと同じ向きの磁化を有する磁区を形成
することができ、完全なダイレクトオーバーライトが可
能となる。
【００４１】本実施例の光磁気記録方法では、敢えて光
磁気ディスクの構造に敏感な交換結合磁性２層膜を使用
することなく、単層磁性膜構造の光磁気ディスクを用い
ることができ、光磁気ディスクの構成を簡単化すること
ができる。また、外部磁界Ｈexの強さを一定に保持した
状態で、光ビーム５の光強度を情報に応じて変調するだ
けでオーバーライトが可能となり、光磁気ディスク装置
の構成も簡単化することができる。
磁気ディスクの構造に敏感な交換結合磁性２層膜を使用
することなく、単層磁性膜構造の光磁気ディスクを用い
ることができ、光磁気ディスクの構成を簡単化すること
ができる。また、外部磁界Ｈexの強さを一定に保持した
状態で、光ビーム５の光強度を情報に応じて変調するだ
けでオーバーライトが可能となり、光磁気ディスク装置
の構成も簡単化することができる。
【００４２】上記光磁気ディスクおよび光磁気ディスク
装置を用いて、実際にオーバーライトのテストを行っ
た。先ず、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁
気ディスクを用いた場合を以下に示す。
装置を用いて、実際にオーバーライトのテストを行っ
た。先ず、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁
気ディスクを用いた場合を以下に示す。
【００４３】ガラス基板上に、膜厚が８０ｎｍのＡｌ
Ｎ、膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.27Ｄｙ0. 18Ｆｅ0.55、およ
び膜厚が５０ｎｍのＡｌＮをこの順にスパッタリング法
にて成膜して光磁気ディスクを作成した。記録層として
のＧｄ0.27Ｄｙ0.18Ｆｅ0.55は、キュリー温度が１６０
℃、補償温度が８０℃となるような組成に設定したもの
である。記録条件として、外部磁界Ｈexの強さを１００
０ｅに設定すると共に、図１（ａ）に示すように、レー
ザビーム（光ビーム）の高パワーレベルを８ｍＷ、低パ
ワーレベルを１ｍＷ、パルス周期を５ｍｓ、低パワーレ
ベルに対応するパルス幅を２５０μｓに設定し、レーザ
ビームの光磁気ディスクに対する相対線速度を１ｍｍ／
ｓとなるように上記光磁気ディスクを回転させて情報の
記録を行った。この結果、記録層２ａとしてのＧｄＤｙ
Ｆｅに、同図（ｂ）に示すように円筒状の磁区１１・１
２・１３が形成された。
Ｎ、膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.27Ｄｙ0. 18Ｆｅ0.55、およ
び膜厚が５０ｎｍのＡｌＮをこの順にスパッタリング法
にて成膜して光磁気ディスクを作成した。記録層として
のＧｄ0.27Ｄｙ0.18Ｆｅ0.55は、キュリー温度が１６０
℃、補償温度が８０℃となるような組成に設定したもの
である。記録条件として、外部磁界Ｈexの強さを１００
０ｅに設定すると共に、図１（ａ）に示すように、レー
ザビーム（光ビーム）の高パワーレベルを８ｍＷ、低パ
ワーレベルを１ｍＷ、パルス周期を５ｍｓ、低パワーレ
ベルに対応するパルス幅を２５０μｓに設定し、レーザ
ビームの光磁気ディスクに対する相対線速度を１ｍｍ／
ｓとなるように上記光磁気ディスクを回転させて情報の
記録を行った。この結果、記録層２ａとしてのＧｄＤｙ
Ｆｅに、同図（ｂ）に示すように円筒状の磁区１１・１
２・１３が形成された。
【００４４】その後、上記の記録条件によって記録層２
ａに形成された磁区１１・１２・１３が存在していると
ころを、レーザビームを高パワーレベルに保ったまま走
査すると、該磁区１１・１２・１３は全て消去された。
ａに形成された磁区１１・１２・１３が存在していると
ころを、レーザビームを高パワーレベルに保ったまま走
査すると、該磁区１１・１２・１３は全て消去された。
【００４５】次に、前記と同一の記録条件で上記光磁気
ディスクに情報の記録を行い、同図（ｂ）に示すような
磁区１１・１２・１３…を形成した後、今度は、同図
（ｃ）に示すように、パルス周期を前記記録条件の1.５
倍（即ち、7.５ｍｓ）にし、それ以外は前記記録条件と
同様にして、磁区１１・１２・１３…の上から重ね書き
を行った。この結果、同図（ｄ）に示すように、高パワ
ーレベルのレーザビームで走査された場所に存在してい
た磁区１１・１２は消去され、低パワーレベルのレーザ
ビームが照射された部位には、新たに記録された部位お
よび既に記録されていた磁区１３と重なった部位共に磁
区１４…が形成され、オーバーライトが可能であること
が確認できた。
ディスクに情報の記録を行い、同図（ｂ）に示すような
磁区１１・１２・１３…を形成した後、今度は、同図
（ｃ）に示すように、パルス周期を前記記録条件の1.５
倍（即ち、7.５ｍｓ）にし、それ以外は前記記録条件と
同様にして、磁区１１・１２・１３…の上から重ね書き
を行った。この結果、同図（ｄ）に示すように、高パワ
ーレベルのレーザビームで走査された場所に存在してい
た磁区１１・１２は消去され、低パワーレベルのレーザ
ビームが照射された部位には、新たに記録された部位お
よび既に記録されていた磁区１３と重なった部位共に磁
区１４…が形成され、オーバーライトが可能であること
が確認できた。
【００４６】また、上記記録層２ａとして、Ｇｄ0.27Ｄ
ｙ0.18Ｆｅ0.55の代わりにＧｄ0.20Ｔｂ0.20Ｆｅ0.60を
使用した光磁気ディスクについても、上記同様のオーバ
ーライト動作を確認できた。
ｙ0.18Ｆｅ0.55の代わりにＧｄ0.20Ｔｂ0.20Ｆｅ0.60を
使用した光磁気ディスクについても、上記同様のオーバ
ーライト動作を確認できた。
【００４７】次に、再生性能を改善すべく、磁気カー回
転角の大きな磁性材料を読み出し層を記録層に積層した
４層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディスク
を用いた場合を以下に示す。
転角の大きな磁性材料を読み出し層を記録層に積層した
４層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディスク
を用いた場合を以下に示す。
【００４８】ガラス基板上に、膜厚が８０ｎｍのＡｌ
Ｎ、読み出し層としてキュリー温度が２００℃、膜厚が
３０ｎｍのＤｙ0.46Ｆｅ0.45Ｃｏ0.09、記録層として膜
厚が４０ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆｅ0.53、および膜厚
が５０ｎｍのＡｌＮをこの順にスパッタリング法にて成
膜して光磁気ディスクを作成した。記録条件として、外
部磁界Ｈexの強さを２０００ｅ、レーザビームの高パワ
ーレベルを１０ｍＷ、低パワーレベルを１ｍＷに設定
し、前記と同様のオーバーライトテストを行ったとこ
ろ、前記と同様のオーバーライト動作を確認できた。ま
た、この光磁気ディスクを用いた場合の磁気カー回転角
は、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディ
スクを用いた場合の1.５〜２倍となり、再生性能の向上
が図られていた。
Ｎ、読み出し層としてキュリー温度が２００℃、膜厚が
３０ｎｍのＤｙ0.46Ｆｅ0.45Ｃｏ0.09、記録層として膜
厚が４０ｎｍのＧｄ0.28Ｄｙ0.19Ｆｅ0.53、および膜厚
が５０ｎｍのＡｌＮをこの順にスパッタリング法にて成
膜して光磁気ディスクを作成した。記録条件として、外
部磁界Ｈexの強さを２０００ｅ、レーザビームの高パワ
ーレベルを１０ｍＷ、低パワーレベルを１ｍＷに設定
し、前記と同様のオーバーライトテストを行ったとこ
ろ、前記と同様のオーバーライト動作を確認できた。ま
た、この光磁気ディスクを用いた場合の磁気カー回転角
は、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディ
スクを用いた場合の1.５〜２倍となり、再生性能の向上
が図られていた。
【００４９】また、再生性能を改善する他の手段として
反射膜を設けた４層反射膜構造の光磁気記録媒体層２を
有する光磁気ディスクを用いた場合を以下に示す。
反射膜を設けた４層反射膜構造の光磁気記録媒体層２を
有する光磁気ディスクを用いた場合を以下に示す。
【００５０】ガラス基板上に、膜厚が８０ｎｍのＡｌ
Ｎ、記録層として膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.29Ｄｙ0.18Ｆ
ｅ0.53、膜厚が２５ｎｍのＡｌＮ、および反射膜として
膜厚が５０ｎｍのＡｌをこの順にスパッタリング法にて
成膜して光磁気ディスクを作成した。記録条件として、
外部磁界Ｈexの強さを１０００ｅ、レーザビームの高パ
ワーレベルを８ｍＷ、低パワーレベルを１ｍＷに設定
し、前記と同様のオーバーライトテストを行ったとこ
ろ、前記と同様のオーバーライト動作を確認できた。ま
た、この光磁気ディスクを用いた場合の磁気カー回転角
は、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディ
スクを用いた場合の約２倍となり、再生性能の向上が図
られていた。
Ｎ、記録層として膜厚が３０ｎｍのＧｄ0.29Ｄｙ0.18Ｆ
ｅ0.53、膜厚が２５ｎｍのＡｌＮ、および反射膜として
膜厚が５０ｎｍのＡｌをこの順にスパッタリング法にて
成膜して光磁気ディスクを作成した。記録条件として、
外部磁界Ｈexの強さを１０００ｅ、レーザビームの高パ
ワーレベルを８ｍＷ、低パワーレベルを１ｍＷに設定
し、前記と同様のオーバーライトテストを行ったとこ
ろ、前記と同様のオーバーライト動作を確認できた。ま
た、この光磁気ディスクを用いた場合の磁気カー回転角
は、３層構造の光磁気記録媒体層２を有する光磁気ディ
スクを用いた場合の約２倍となり、再生性能の向上が図
られていた。
【００５１】尚、上記実施例では、光磁気記録媒体とし
て光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カード
等にも適用できる。
て光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カード
等にも適用できる。
【００５２】また、発明の詳細な説明の項においてなし
た具体的な実施態様、又は実施例は、あくまでも本発明
の技術内容を明らかにするものであって、そのような具
体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではな
く、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろ
いろと変更して実施することができるものである。
た具体的な実施態様、又は実施例は、あくまでも本発明
の技術内容を明らかにするものであって、そのような具
体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではな
く、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろ
いろと変更して実施することができるものである。
【００５３】
【発明の効果】本発明の光磁気記録方法は、以上のよう
に、垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体に、一定の大き
さの外部磁界を上記垂直磁化膜に対して垂直方向に印加
すると共に、上記光磁気記録媒体に対するビーム照射位
置を移動させながら情報に応じて光強度を強弱に変調し
た光ビームを照射して情報の書き換えを行う方法であっ
て、光強度が強の光ビームを上記垂直磁化膜に照射する
ことによって該垂直磁化膜に磁区を形成し、光強度が強
の光ビームを連続照射することによって該磁区をビーム
照射位置の移動方向に移動させ、記録磁区形成位置で光
ビームの強度を弱にすることによってその位置で上記磁
区を固定する構成である。
に、垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体に、一定の大き
さの外部磁界を上記垂直磁化膜に対して垂直方向に印加
すると共に、上記光磁気記録媒体に対するビーム照射位
置を移動させながら情報に応じて光強度を強弱に変調し
た光ビームを照射して情報の書き換えを行う方法であっ
て、光強度が強の光ビームを上記垂直磁化膜に照射する
ことによって該垂直磁化膜に磁区を形成し、光強度が強
の光ビームを連続照射することによって該磁区をビーム
照射位置の移動方向に移動させ、記録磁区形成位置で光
ビームの強度を弱にすることによってその位置で上記磁
区を固定する構成である。
【００５４】それゆえ、光磁気記録媒体の構造に敏感な
交換結合磁性２層膜を使用することなく、単層構造の光
磁気記録媒体を用いることができ、また、外部磁界の強
さを一定に保持した状態で、光ビームの光強度を情報に
応じて変調するだけで、前回記録された情報の消し残り
の少ないオーバーライトが可能となり、光磁気記録媒体
の構成および該媒体に情報を記録する装置の構成を共に
簡単化することができるという効果を奏する。
交換結合磁性２層膜を使用することなく、単層構造の光
磁気記録媒体を用いることができ、また、外部磁界の強
さを一定に保持した状態で、光ビームの光強度を情報に
応じて変調するだけで、前回記録された情報の消し残り
の少ないオーバーライトが可能となり、光磁気記録媒体
の構成および該媒体に情報を記録する装置の構成を共に
簡単化することができるという効果を奏する。
【図１】本発明の光磁気記録方法を示す説明図であり、
（ａ）および（ｃ）は光ビームの光強度の時間変化を示
し、（ｂ）および（ｄ）は記録層に形成された磁区を示
している。
（ａ）および（ｃ）は光ビームの光強度の時間変化を示
し、（ｂ）および（ｄ）は記録層に形成された磁区を示
している。
【図２】本発明の光磁気記録方法を示す説明図であり、
（ａ）は光磁気ディスクにおける光ビームの照射部位の
温度プロファイルを示し、（ｂ）は記録層の磁化の様子
を示している。
（ａ）は光磁気ディスクにおける光ビームの照射部位の
温度プロファイルを示し、（ｂ）は記録層の磁化の様子
を示している。
【図３】光磁気ディスク装置および光磁気ディスクを示
す概略の構成図である。
す概略の構成図である。
１ 基板 ２ 光磁気記録媒体層 ２ａ 記録層（垂直磁化膜） ５ 光ビーム ６ 電磁石 １１〜１４ 磁区 ２２ 反転磁化部 Ｈex 外部磁界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】垂直磁化膜を有する光磁気記録媒体に、一
定の大きさの外部磁界を上記垂直磁化膜に対して垂直方
向に印加すると共に、上記光磁気記録媒体に対するビー
ム照射位置を移動させながら情報に応じて光強度を強弱
に変調した光ビームを照射して情報の書き換えを行う光
磁気記録方法であって、 光強度が強の光ビームを上記垂直磁化膜に照射すること
によって該垂直磁化膜に磁区を形成し、光強度が強の光
ビームを連続照射することによって該磁区をビーム照射
位置の移動方向に移動させ、記録磁区形成位置で光ビー
ムの光強度を弱にすることによってその位置で上記磁区
を固定することを特徴とする光磁気記録方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330637A JPH06180884A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光磁気記録方法 |
| US08/163,355 US5422865A (en) | 1992-12-10 | 1993-12-07 | Light modulation method for magneto-optical recording device |
| KR1019930027076A KR0143541B1 (ko) | 1992-12-10 | 1993-12-09 | 광자기 기록 방법 |
| DE69315178T DE69315178T2 (de) | 1992-12-10 | 1993-12-09 | Magnetooptisches Aufzeichnungsverfahren |
| EP93309900A EP0601856B1 (en) | 1992-12-10 | 1993-12-09 | Magneto-optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4330637A JPH06180884A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06180884A true JPH06180884A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18234901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4330637A Pending JPH06180884A (ja) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | 光磁気記録方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5422865A (ja) |
| EP (1) | EP0601856B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06180884A (ja) |
| KR (1) | KR0143541B1 (ja) |
| DE (1) | DE69315178T2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714171A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-17 | Sony Corp | 情報記録媒体およびその再生装置 |
| US5517481A (en) * | 1993-07-02 | 1996-05-14 | Sony Corporation | Optical recording and reproducing apparatus wherein data is recorded by stepwise shifting the edge position of each pit |
| US5548573A (en) * | 1993-11-04 | 1996-08-20 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical information reproducing apparatus provided with laser power control means for detecting reflected light from data region |
| JP3333613B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2002-10-15 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録媒体並びに光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置 |
| JPH1092046A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Canon Inc | 光磁気情報再生装置 |
| JPH10162443A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 情報再生装置 |
| US6519211B1 (en) * | 1999-04-01 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having magnetic domain shrinks and disappears |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939717A (en) * | 1986-10-31 | 1990-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for erasing and recording information using three power levels |
| JP2702923B2 (ja) * | 1987-04-24 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録方法及び情報記録装置 |
| US5257256A (en) * | 1987-04-24 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Recording waveform for mark-length modulation optical recording |
| US5144601A (en) * | 1987-11-02 | 1992-09-01 | Fujitsu Limited | Magneto-optical overwriting methods using erasing pulses, each of which has a higher frequency and narrower width than that of the overwriting pulses |
| JP2655682B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-09-24 | 株式会社日立製作所 | 光磁気情報記録再生装置 |
| JPH03127347A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光磁気記録方法及び装置 |
| JP3015475B2 (ja) * | 1990-01-31 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 光磁気記録方法及びそれに使用される光磁気記録媒体 |
| JPH04146543A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-20 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録方式 |
| JPH04311847A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-04 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録再生装置 |
| JPH04325946A (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-16 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録方式 |
| JPH04355236A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | Fujitsu Ltd | 光磁気ディスクの記録方法及び装置 |
| JPH05151638A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体の記録方法及び装置 |
| JP3398766B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2003-04-21 | 株式会社リコー | 光磁気記録方法 |
| JPH05290435A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録方式 |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP4330637A patent/JPH06180884A/ja active Pending
-
1993
- 1993-12-07 US US08/163,355 patent/US5422865A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-09 DE DE69315178T patent/DE69315178T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-09 EP EP93309900A patent/EP0601856B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-09 KR KR1019930027076A patent/KR0143541B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5422865A (en) | 1995-06-06 |
| DE69315178D1 (de) | 1997-12-18 |
| EP0601856B1 (en) | 1997-11-12 |
| KR940016058A (ko) | 1994-07-22 |
| KR0143541B1 (ko) | 1998-07-15 |
| EP0601856A3 (en) | 1995-01-25 |
| DE69315178T2 (de) | 1998-05-07 |
| EP0601856A2 (en) | 1994-06-15 |
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