JPH10162443A - 情報再生装置 - Google Patents

情報再生装置

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JPH10162443A
JPH10162443A JP8321539A JP32153996A JPH10162443A JP H10162443 A JPH10162443 A JP H10162443A JP 8321539 A JP8321539 A JP 8321539A JP 32153996 A JP32153996 A JP 32153996A JP H10162443 A JPH10162443 A JP H10162443A
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laser beam
recording medium
magneto
light
laser
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JP8321539A
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Atsushi Yamaguchi
山口　　淳
Satoshi Washimi
聡 鷲見
Kenji Tanase
健司 棚瀬
Yoshihisa Suzuki
誉久 鈴木
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接光記録再生法による再生では、ドメイン
が小さいために検出される再生信号が小さく、再生しに
くく、再生信号が欠落しやすい。 【解決手段】 外周側から内周側に向かって屈折率が大
きくなる複数の材料で構成され、レーザ光を光磁気記録
媒体に照射する光導波手段と、レーザ光を生成し、その
生成したレーザ光をそのまま透過して光導波手段に入射
させるとともに、レーザ光の光磁気記録媒体での反射光
を検出する光学手段と、光磁気記録媒体に交番磁界を印
加する磁気手段とを含む光学系を信号の再生に用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、媒体の高品質化及
び記録技術等の高度化により高密度記録化を達成した光
磁気記録媒体及び情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、書き換え可能で、記
憶容量が大きく、且つ、信頼性の高い記録媒体として注
目されており、コンピュータメモリ等として実用化され
始めている。しかし、情報量の増大と装置のコンパクト
化に伴い、より一層の高密度記録再生技術が要請されて
いる。
【０００３】高密度記録再生技術は、媒体側の技術と装
置側の技術とから成る。前者の技術としては、媒体の狭
ピッチ化や、磁気多層膜による再生分解能の向上化など
の技術がある。ここで、磁気多層膜による再生分解能の
向上化技術は、レーザスポットの温度分布が中心付近に
て最高となるガウス分布を成すことを利用して、記録層
の状態を再生層に選択的に転写して、該再生層の状態を
読み出すようにした技術であり、現在、主に、ＦＡＤ，
ＲＡＤ，ＣＡＤの３種類がある。これらの技術において
は、レーザスポットの前方若しくは後方をマスクとし、
これにより再生密度をレーザスポット径より小さくする
ことができる。この結果、再生の高密度化を図ることが
できる。後者の技術としては、レーザー光の回折限界を
超える集光スポットを得る光学的超解像手法や、レーザ
光の短波長化などがある。また、光ファイバーを光磁気
記録媒体に接近させて配置し、光ファイバーからのレー
ザ光を光磁気記録媒体に照射して信号を記録または再生
する近接光記録再生法がある。この方法によると０.０
６μｍ程度の記録ドメインを形成できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近接光記録再
生法による再生では、ドメインが小さいために検出され
る再生信号が小さく、再生しにくいという問題がある。
また、再生信号の欠落という問題もある。そこで、本発
明は、かかる問題を解決し、０.１μｍ以下のドメイン
で記録された信号を正確に再生する再生装置、および再
生方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録または／
および再生可能な光磁気記録媒体に近接して設けられ、
レーザ光を光磁気記録媒体に照射する光導波手段と、レ
ーザ光を生成し、その生成したレーザ光をそのまま透過
して光導波手段に入射させるとともに、レーザ光の光磁
気記録媒体での反射光を検出する光学手段と、光磁気記
録媒体に交番磁界を印加する磁気手段とを含むことを特
徴とする。
【０００６】また、本発明は、好ましくは、光導波手段
が第１の屈折率を有する第１の材料と、第１の屈折率よ
り大きい第２の屈折率を有する第２の材料と、第２の屈
折率より大きい第３の屈折率を有する第３の材料とから
成り、第１の材料、第２の材料、および第３の材料が外
周から内周に向けて配置されていることを特徴とする。
【０００７】また、本発明は、好ましくは、光導波手段
が第１の屈折率を有する第１の材料と、第１の屈折率よ
り大きい第２の屈折率を有する第２の材料とから成り、
第１の材料が外周側に配置されている第１の光導波管
と、第１の材料と、第２の屈折率より大きい第３の屈折
率を有する第３の材料とから成り、第１の材料が外周側
に配置されている第２の光導波管とにより構成されてい
ることを特徴とする。
【０００８】また、本発明は、光学手段がレーザ光を生
成するレーザ光生成手段と、レーザ光生成手段により生
成されたレーザ光をそのまま透過し、レーザ光の光磁気
記録媒体での反射光を受け、その受けた反射光をレーザ
光生成手段の方向とは異なる方向に回折させる回折手段
と、回折手段により回折された反射光を検出する光検出
手段とを含むことを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、更に好ましくは、第１の
屈折率が１.４０〜１.６０の範囲であり、第２の屈折率
が１.４５〜１.６５の範囲であり、第３の屈折率が１.
５０〜１.７０の範囲であることを特徴とする。また、
本発明は、更に好ましくは、レーザ光生成手段が半導体
レーザであることを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、更に好ましくは、レーザ
光生成手段により生成されるレーザ光の波長が６２０〜
６５０ｎｍの範囲であることを特徴とする。また、本発
明は、更に好ましくは、レーザ光生成手段により生成さ
れるレーザ光の波長が６６５〜６９５ｎｍの範囲である
ことを特徴とする。また、本発明は、更に好ましくは、
回折手段がホログラム素子であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、更に好ましくは、ホログ
ラム素子のホログラムピッチが１.５〜３０μｍの範囲
であることを特徴とする。また、本発明は、更に好まし
くは、半導体レーザと光検出手段との距離が０.４５〜
２.３ｍｍの範囲であることを特徴とする。また、本発
明は、更に好ましくは、磁気手段により印加される交番
磁界の大きさが５０〜３００Ｏｅの範囲であることを特
徴とする。
【００１２】また、本発明は、信号の再生工程がレーザ
光生成手段により生成されたレーザ光を受け、その受け
たレーザ光を、その中心に尖頭形の光強度分布を持つレ
ーザ光に変え、その変えたレーザ光を光磁気記録媒体に
照射する第１の工程と、第１の工程によりレーザ光を光
磁気記録媒体に照射した後、記録された信号の磁区を拡
大するための交番磁界を光磁気記録媒体に印加する第２
の工程と、第１の工程により光磁気記録媒体に照射され
たレーザ光のうち、反射されたレーザ光を、その強度が
最大となる時点で検出する第３の工程と、第３の工程の
終了後、第２の工程で拡大された磁区を消去する第４の
工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、信号の再生工程がレーザ
光生成手段により生成されたレーザ光を受け、その受け
たレーザ光を、尖頭形の光強度分布を持つ第１のレーザ
光に変え、第１のレーザ光を光磁気記録媒体に照射する
第１の工程と、第１の工程によりレーザ光を光磁気記録
媒体に照射した後、記録された信号の磁区を拡大するた
めの交番磁界を光磁気記録媒体に印加する第２の工程
と、第１の工程の終了後、レーザ光生成手段により生成
されたレーザ光を受け、その受けたレーザ光を第１のレ
ーザ光とは異なる光強度分布を持つ第２のレーザ光に変
え、第２のレーザ光を光磁気記録媒体に照射する第３の
工程と、第３の工程により光磁気記録媒体に照射された
第２のレーザ光のうち、反射されたレーザ光を、その強
度が最大となる時点で検出する第４の工程と、第４の工
程の終了後、第２の工程で拡大された磁区を消去する第
５の工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】また、本発明は、好ましくは、強度が最大
となる時点が交番磁界のうち、いずれか一方の磁界が印
加された時点であることを特徴とする。また、本発明
は、透光性の基板と、基板上に位置し、信号を記録する
第１の磁性層と、第１の磁性層上に位置し、第１の磁性
層からの信号を転写される第２の磁性層とを含むことを
特徴とする。
【００１５】また、本発明は、好ましくは、第１の磁性
層と第２の磁性層との間に非磁性層を挿入したことを特
徴とする。また、本発明は、好ましくは、第２の磁性層
の最小安定磁区は、第１の磁性層の最小安定磁区より大
きいことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図を参照しつつ、本発明の実施の
形態を説明する。図１を参照して、光磁気記録媒体の断
面構造を説明する。光磁気記録媒体１０は、ガラス、ポ
リカーボネート等の透光性基板１上にＴｂＦｅＣｏから
成る記録層２、ＧｄＦｅＣｏから成る再生層４、ＳｉＮ
から成る保護層５を順次積層した構造から成る。前記記
録層２、前記再生層４、および前記保護層５はマグネト
ロンスパッタ法により形成され、各層の膜厚は、前記記
録層５が５００〜３０００Å、前記再生層４が５０〜１
０００Å、前記保護層５が１８０〜２２０Åである。
【００１７】また、前記光磁気記録媒体１０において
は、前記記録層２はＴｂＦｅＣｏに限らず、Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｎｄの中から選択した元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉとか
ら成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であってもよ
い。また、Ｐｔ，Ｐｄの内の１元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ
の中から選択した元素とから成る単層の磁性膜若しくは
多層の磁性膜であってもよい。
【００１８】また、前記再生層４はＧｄＦｅＣｏに限ら
ず、ＧｄＦｅ若しくはＧｄＣｏ若しくはＴｂＣｏ若しく
はＨｏ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの中から選択された１元素と
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選択された１元素とから成る
磁性膜であってもよい。また、更に、光磁気記録媒体の
構造は、前記光磁気記録媒体１０に限らず、図２に示す
光磁気記録媒体１１であってもよい。即ち、前記光磁気
記録媒体１０の前記記録層２と前記再生層４との間に非
磁性層３を挿入した構造であってもよい。この場合、前
記非磁性層３に用いられる材料としては、ＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｉＡｌＯＮ、ＩＴＯ、ＳｎＯ2が適しており、そ
の膜厚の範囲は、３０〜３００Åである。
【００１９】また、更に再生層４に用いる磁性膜は、記
録層２に用いる磁性膜より最小安定磁区が大きい磁性膜
であってもよい。この場合、前記記録層２から磁区を転
写された前記再生層４において磁区を拡大するプロセス
を必要としないため、後述する交番磁界を設ける必要が
ない。この最小安定磁区が大きい磁性膜は、前記光磁気
記録媒体１０、および１１の前記再生層４に適用可能で
ある。
【００２０】図３を参照して、本発明において光磁気記
録媒体の再生に用いる光学系について説明する。光学系
は光学手段６と光導波手段７とから成り、光学手段６は
半導体レーザ６ａと光検出手段６ｂと回折手段６ｃとか
ら構成され、また、光導波手段７中には特定方向に偏光
するレーザ光のみを透過する偏光フィルタ８が形成され
ている。本発明においては、紙面に垂直な方向に偏光す
るレーザ光のみを透過するものとする。前記半導体レー
ザ６ａは６３０（許容誤差±１５）ｎｍもしくは６８０
（許容誤差±１５）ｎｍの波長のレーザ光を生成し、前
記回折手段６ｃはホログラムから成り、前記半導体レー
ザ６ａに生成されたレーザ光をそのまま透過し、前記光
導波手段７に入射するとともに、光磁気記録媒体によっ
て反射されたレーザ光を受け、その受けたレーザ光を前
記光検出手段６ｂの方向に回折する。また、前記光検出
手段６ｂは前記半導体レーザ６ａの横に配置され、前記
回折手段６ｃにより回折された反射光を検出する。ま
た、前記光導波手段７は、光磁気記録媒体に近接して設
けられ、前記光学手段６からのレーザ光を受け、その受
けたレーザ光を前記光磁気記録媒体に照射するとともに
前記光磁気記録媒体によって反射されたレーザ光を前記
光学手段６に導く。
【００２１】本発明における光磁気記録媒体の再生につ
いて説明すると、前記光学手段６中の前記半導体レーザ
６ａにより生成されたレーザ光は、前記回折手段６ｃを
そのまま透過し、前記光導波手段７に入射し、前記光導
波手段７中の第１の偏光フィルタ８を通り、前記光導波
手段７中を矢印９ａの方向に進行して前記光導波手段７
の出口７７から前記光磁気記録媒体１０に照射される。
前記光磁気記録媒体にレーザ光が照射されると前記記録
層２中の特定部分のドメイン２１の領域が所定温度以上
に昇温し、ドメイン２１の磁化が前記再生層４に交換結
合力により転写される。再生層４に転写された磁区は交
番磁界１２により拡大され磁区４１となる。この場合、
磁区４１の横方向の大きさは前記光導波手段７により照
射されたレーザ光の径とほぼ同程度であり、磁区４１の
領域で反射されたレーザ光は前記光導波手段７中を前記
矢印９ａとは逆方向の矢印９ｂの方向に進行して戻り、
前記偏光フィルタ８を通って前記回折手段６ｃに入射す
る。前記回折手段６ｃでは、レーザ光を前記半導体レー
ザ６ａとは異なる位置に配置された前記光検出手段６ｂ
の方向に回折し、レーザ光は前記光検出手段６ｂに集光
照射され、再生信号として検出される。再生信号が検出
された後、拡大された磁区４１は前記交番磁界１２によ
り消滅される。この動作の繰り返しにより前記記録層２
の各ドメインが順次再生される。従って、本発明におい
ては、６００Å程度のドメインとして記録された信号を
再生層に転写し、拡大して再生するために大きさ再生信
号として検出でき、再生特性を向上させることができ
る。また、本発明においては、前記光導波手段７の出口
７７と前記光磁気記録媒体１０との距離とは０.２（許
容誤差±０.１）μｍである。
【００２２】図４を参照して、前記光導波手段７の詳細
について説明する。前記光導波手段７は１.４０〜１.６
０の範囲の屈折率ｎ1を有する第１の材料７ａと、１.４
５〜１.６５の範囲の屈折率ｎ2を有する第２の材料７ｂ
と、および１.５０〜１.７０の範囲の屈折率ｎ3を有す
る第３の材料７ｃから構成されている光ファイバであ
る。前記第１の材料７ａ、前記第２の材料７ｂ、および
前記第３の材料７ｃとしてＳｉＯ2にＮａ2O、ＣａＯ、
ＧｅＯを含む多成分ガラスでそれぞれ組成比が異なる材
料、およびプラスチック材料が適している。また、前記
光導波手段７の出口７７の径は前記光導波手段７の本体
部分の直径より小さくなっており、前記第３の材料の先
端が尖った構造、また、前記第２の材料の先端の直径は
０.１（許容誤差±０.０５）μｍである。また、本体の
直径は３００（許容誤差±１００）μｍである。本発明
においては、前記第２の材料７ｂと前記第３の材料７ｃ
中をレーザ光が進行し、前記第３の材料７ｃ中を進行し
てきたレーザ光は符号１３で示す強度分布を持つレーザ
光であり、前記第２の材料７ｂ中を進行してきたレーザ
光は符号１４で示す強度分布を持つレーザ光である。
【００２３】図５を参照して、前記光磁気記録媒体の再
生動作を詳細に説明する。光学手段６中の半導体レーザ
６ａにより生成された紙面に垂直な方向に偏光する波長
６３５ｎｍのレーザ光は拡散しながら回折手段６ｃに入
り、回折手段６ｃでは何ら回折を受けず、そのまま透過
し、前記光導波手段７中の前記第２の材料、および前記
第３の材料７ｃに入射される。その後、第１の偏光フィ
ルタ８を通過し、前記第２の材料７ｂ、および前記第３
の材料７ｃ中をそれぞれＬ2、Ｌ1として進行し、前記光
導波手段７の出口７７から前記光磁気記録媒体１０に照
射される。前記第３の材料７ｃ中を進行してきたレーザ
光Ｌ1は上記説明したように尖頭形をした光強度分布を
持ち、その直径は前記記録層２中のドメイン２１の大き
さとほぼ同じ６００（許容誤差±２００）Åである。従
って、光磁気記録媒体１０に照射されたレーザ光Ｌ1は
ドメイン２１の領域のみを所定温度以上に昇温する。ド
メイン２１の領域が昇温されると交換結合力により記録
層２の磁区は再生層４に転写され、交番磁界１２により
磁区を拡大されて磁区４１となる。レーザ光Ｌ1のう
ち、前記磁区４１の領域で反射されたレーザ光Ｌ11は図
示するように外方向に拡散され、前記光導波手段７には
戻らない。一方、前記第２の材料７ｂ中を進行して来た
レーザ光Ｌ2のうち、前記ドメイン４１により反射され
たレーザ光Ｌ21は外方向に拡散することなく、前記光導
波手段７に入射し、前記レーザ光Ｌ2とは逆方向に前記
光導波手段７中を進行する。その後、レーザ光21は前記
回折手段６ｃに入り、回折手段６ｃで矢印１５の方向に
回折され、前記光検出手段６ｂの表面に設けられた第２
の偏光フィルタ９を通って光検出手段６ｂに集光照射さ
れる。その後の動作は図２の説明と同じであるので省略
する。また、前記交番磁界１２の大きさは５０〜３００
Ｏｅの範囲である。なお、前記第２の偏光フィルタ９
は、レーザ光のｐ偏光成分、ｓ偏光成分のうち、どちら
か一方の偏光成分のみを透過するフィルタである。
【００２４】また、光導波手段は上記説明したように１
本の光ファイバに限らず、図６に示すように２本の光フ
ァイバにより構成されていてもよい。第１の光導波手段
６１は１.４０〜１.６０の範囲の屈折率を持つ第１の材
料６１ａと、１.５０〜１.７０の範囲の屈折率を持つ第
３の材料６１ｃとから成り、また、第２の光導波手段６
２は１.４５〜１.６５の範囲の屈折率を持つ第１の材料
６２ａと、１.４５〜１.６５の範囲の屈折率を持つ第２
の材料６２ｂとから成る。第１の光導波手段６１は上記
図４における符号１３で示す光強度分布を持つ第１のレ
ーザ光を、また、第２の光導波手段は上記図４における
符号１４で示す光強度分布を持つ第２のレーザ光を光磁
気記録媒体に照射する。
【００２５】次に、前記第１の光導波手段６１、および
前記第２の光導波手段６２を用いた光磁気記録媒体の再
生動作について説明する。第１の光導波手段６１中を進
行してきた第１のレーザ光Ｌ1が光磁気記録媒体に照射
されると記録層２中のドメイン２１の領域のみが所定温
度以上に昇温され、ドメイン２１の磁化が交換結合力に
より再生層４中の磁区４０に転写される。その後、交番
磁界１２により磁区４０は拡大され、磁区４１となる。
磁区４１が生成されるまでには、磁区４１の領域は前記
第２の光導波手段６２の位置に移動しており、第２の光
導波手段６２より第２のレーザ光Ｌ2が磁区４１の領域
に照射される。磁区４１に照射された第２のレーザ光Ｌ
2のうち、反射されたレーザ光Ｌ22は前記第２の光導波
手段６２中を戻り、前記光学手段６中の前記回折手段６
ｃにより回折され、上記図５の説明と同様にして前記光
検出手段６ｂにより再生信号として検出される。その
後、前記交番磁界１２により磁区４１は消滅される。
【００２６】上記図５および図６において説明した光学
系を用いて光磁気記録媒体の信号を再生する場合には、
記録層の信号が再生層に転写されて磁区が拡大された状
態で再生信号を検出することが必要である。図７を参照
して、再生信号の検出タイミングについて説明する。本
発明においては、記録層２の信号が再生される場合に
は、再生層４の磁化は一定方向に予め初期化されてい
る。図７の説明においては、交番磁界１２のうち、磁界
１２ｂの方向と同じ方向に初期化されているものとす
る。記録層２中の磁区２１の磁化２１ａが再生層４中の
磁区４０に転写され、交番磁界１２のうち、磁界１２ａ
が印加されると磁区４０は磁区４１に拡大する。磁界１
２ａ、磁界１２ｂは所定のパルス幅で一定時間、光磁気
記録媒体に印加されるので、再生信号を検出するタイミ
ングは磁界１２ａが印加されているタイミングとする。
磁化２１ａとは逆方向の磁化２２ａで信号が記録された
磁区２２が再生される場合には、初期化された再生層４
の磁化と再生しようとする磁区２２の磁化２２ａとが同
じであるので表面的には再生層４への磁化の転写、およ
び磁区の拡大は観測されない。従って、初期化磁界と反
対方向の磁化２１ａで記録された信号を再生する場合に
磁区拡大現象が観測されることになり、初期化磁界と反
対方向の磁界１２ａを印加するタイミングで再生信号を
検出すればよいことになる。図７において、前記再生層
４の初期化磁界が逆の場合は磁区２２に記録された信号
が再生される場合に磁区拡大現象が観測されることにな
り、再生信号を検出するタイミングは磁界１２ｂが印加
されているタイミングである。また、前記交番磁界１２
のパルス幅は２５〜５００ｎｓｅｃの範囲である。
【００２７】図８を参照して、前記光学手段６中の前記
半導体レーザ６ａ、前記光検出手段６ｂ、および前記回
折手段６ｃであるホログラムとの相互の位置関係につい
て説明する。半導体レーザ６ａと光検出手段６ｂとは同
一平面上に設置されており、半導体レーザ６ａとホログ
ラムＨとの距離をＬ、ホログラムＨに設けられた微少な
凹凸構造のピッチをｐ、反射光がホログラムＨにより変
更された進行方向と法線方向との成す角をθ、レーザビ
ームの波長をλ、半導体レーザ６ａと光検出手段６ｂと
の距離をＺ1とする。
【００２８】この場合、 ｓｉｎθ＝λ／ｐ・・・・・・・（１） Ｚ1=Ｌｔａｎθ・・・・・・・・（２） が成立する。また、上記、式（１）、（２）より Ｚ1=Ｌλ／（ｐ2―λ2)1/2・・・（３） が成立する。従って、レーザビームの波長が長い程、反
射光がホログラムＨにより進行方向を変えられる角度θ
は大きくなる。その結果、半導体レーザ６ａと光検出手
段６ｂとの距離Ｚ1は大きくなる。また、半導体レーザ
６ａと光検出手段６ｂとの距離Ｚ1は半導体レーザ６ａ
とホログラムＨとの距離Ｌによっても変化するので、本
発明における前記ホログラムＨ、前記半導体レーザ６
ａ、および前記光検出手段６ｂの詳細な位置関係につい
て説明する。ホログラムＨの凹凸構造のピッチｐと、半
導体レーザ６ａ、光検出手段６ｂとホログラムＨとの距
離、即ち、レーザビームの発光点とホログラムとの距離
ＬとをパラメータとしてＺ1を計算した結果を図９に示
す。ホログラムのピッチｐが１.５〜３５μｍの範囲、
レーザビームの発光点とホログラム間の距離Ｌが３〜２
５ｍｍの範囲でＺ1が０.４５〜２.２ｍｍの範囲とな
る。従って、本発明においては、半導体レーザ６ａと光
検出手段６ｂとの距離を０.４５〜２.２ｍｍの範囲に、
半導体レーザ６ａとホログラム６ｃとの距離を３〜２５
ｍｍの範囲に設定して設置する。
【００２９】また、半導体レーザ６ａと光検出手段６ｂ
とは光学手段６を前記光導波手段７側から見ると光学手
段６に設けられた切り込みｋ１、ｋ２、およびｋ３のう
ち、ｋ２−ｋ３間を結ぶ線上に半導体レーザ６ａの発光
点Ａが来るように設置されている。波長６８０ｎｍのレ
ーザ光を生成する半導体レーザを用いた場合の半導体レ
ーザと光検出手段との距離Ｚ2を上記と同様に計算した
結果を図９に示す。ホログラムのピッチｐが１.５〜３
５μｍの範囲、レーザビームの発光点とホログラム間の
距離Ｌが３〜２５ｍｍの範囲でＺ1が０.４８〜２.３ｍ
ｍの範囲となる。従って、本発明においては、波長６８
０ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザと光検出手段
６ｂとの距離を０.４８〜２.３ｍｍの範囲に、波長６８
０ｎｍのレーザ光を生成する半導体レーザとホログラム
６ｃとの距離を３〜２５ｍｍの範囲に設定して設置す
る。
【００３０】また、上記においては、前記回折手段６ｃ
は前記光学手段６の中に一体的に設置されていたがこれ
に限らず、光学手段６とは独立に設置されていても良
い。また、更に上記においては、前記記録層２から前記
再生層４への磁化の転写が交換結合力により行われる前
記光磁気記録媒体１０について説明したが、前記記録層
２から前記再生層４への磁化の転写が静磁結合により行
われる前記光磁気記録媒体１１についても上記説明した
光学系で記録信号を再生することができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、対物レンズを用いずに
レーザ光を光磁気記録媒体に照射するので、コンパクト
な光学系により記録信号を再生できる。また、本発明に
よれば、信号を記録した磁区を拡大して信号を再生でき
るので、再生信号を正確に検出でき、再生特性を向上さ
せることができる。
【００３２】また、本発明によれば、光学系にホログラ
ムを用いているので半導体レーザから生成されたレーザ
光が光磁気記録媒体に向かう場合と、帰ってくる場合の
光路を帰ることができるので半導体レーザと光検出手段
とを同一平面上に設置できる。また、本発明によれば、
半導体レーザ、光検出手段、および回折手段を一体的に
作製できるので光学系を小さくでき、低コスト化に貢献
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光磁気記録媒体の断面構造図である。
【図２】光磁気記録媒体の他の断面構造図である。
【図３】光学系の構成、および光磁気記録媒体の再生原
理を説明する図である。
【図４】光導波手段の内部構造、および光導波手段から
発せられるレーザ光の強度分布を示す図である。
【図５】光磁気記録媒体の再生動作を詳細に説明する図
である。
【図６】他の光導波手段を示す図である。
【図７】再生信号の検出タイミングを説明する図であ
る。
【図８】半導体レーザ、光検出手段、およびホログラム
の相互間の距離を説明する図である。
【図９】ホログラムのピッチとレーザ光の発光点とホロ
グラムとの距離とをパラメータにして波長６３５ｎｍの
レーザ光を発する半導体レーザと再生信号の検出点、お
よび波長６８０ｎｍのレーザ光を発する半導体レーザと
再生信号の検出点の計算結果を示す図表である。
【符号の説明】
１・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・非磁性層 ４・・・再生層 ５・・・保護層 ６・・・光学手段 ６ａ・・・半導体レーザ ６ｂ・・・光検出手段 ６ｃ・・・ホログラム ７・・・光導波手段 ８・・・第１の偏光フィルム ９・・・第２の偏光フィルム １０・・・光磁気記録媒体 １２・・・交番磁界 ２１、２２、４０、４１・・・磁区
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 誉久 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録または／および再生可能な光磁気記
    録媒体に近接して設けられ、レーザ光を前記光磁気記録
    媒体に照射する光導波手段と、 レーザ光を生成し、その生成したレーザ光をそのまま透
    過して前記光導波手段に入射させるとともに、前記レー
    ザ光の前記光磁気記録媒体での反射光を検出する光学手
    段と、 前記光磁気記録媒体に交番磁界を印加する磁気手段と、
    を含む情報再生装置。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記光導波手段は、第１の屈折率を有する第１の材料
    と、前記第１の屈折率より大きい第２の屈折率を有する
    第２の材料と、前記第２の屈折率より大きい第３の屈折
    率を有する第３の材料とから成り、前記第１の材料、前
    記第２の材料、および前記第３の材料が外周から内周に
    向けて配置されている情報再生装置。
  3. 【請求項３】 請求項１において、 前記光導波手段は、第１の屈折率を有する第１の材料
    と、前記第１の屈折率より大きい第２の屈折率を有する
    第２の材料とから成り、前記第１の材料が外周側に配置
    されている第１の光導波管と、 前記第１の材料と、前記第２の屈折率より大きい第３の
    屈折率を有する第３の材料とから成り、前記第１の材料
    が外周側に配置されている第２の光導波管と、により構
    成されている情報再生装置。
  4. 【請求項４】 請求項２または３において、 前記光学手段は、レーザ光を生成するレーザ光生成手段
    と、 前記レーザ光生成手段により生成されたレーザ光をその
    まま透過し、前記レーザ光の前記光磁気記録媒体での反
    射光を受け、その受けた反射光を前記レーザ光生成手段
    の方向とは異なる方向に回折させる回折手段と、 前記回折手段により回折された反射光を検出する光検出
    手段と、を含む情報再生装置。
  5. 【請求項５】 請求項２または３において、 前記第１の屈折率は、１.４０〜１.６０の範囲であり、 前記第２の屈折率は、１.４５〜１.６５の範囲であり、 前記第３の屈折率は、１.５０〜１.７０の範囲である情
    報再生装置。
  6. 【請求項６】 請求項４または５において、 前記レーザ光生成手段は、半導体レーザである情報再生
    装置。
  7. 【請求項７】 請求項６において、 前記レーザ光生成手段により生成されるレーザ光の波長
    は、６２０〜６５０ｎｍの範囲である情報再生方法。
  8. 【請求項８】 請求項６において、 前記レーザ光生成手段により生成されるレーザ光の波長
    は、６６５〜６９５ｎｍの範囲である情報再生方法。
  9. 【請求項９】 請求項４または５において、 前記回折手段は、ホログラム素子である情報再生装置。
  10. 【請求項１０】 請求項９において、 前記ホログラム素子のホログラムピッチは、１.５〜３
    ０μｍの範囲である情報再生方法。
  11. 【請求項１１】 請求項７または８または１０におい
    て、 前記半導体レーザと前記光検出手段との距離は、０.４
    ５〜２.３ｍｍの範囲である情報再生装置。
  12. 【請求項１２】 請求項６から１１において、 前記磁気手段により印加される交番磁界の大きさは、５
    ０〜３００Ｏｅの範囲である情報再生装置。
  13. 【請求項１３】 レーザ光生成手段により生成されたレ
    ーザ光を受け、その受けたレーザ光を、その中心に尖頭
    形の光強度分布を持つレーザ光に変え、その変えたレー
    ザ光を光磁気記録媒体に照射する第１の工程と、 前記第１の工程によりレーザ光を前記光磁気記録媒体に
    照射した後、記録された信号の磁区を拡大するための交
    番磁界を前記光磁気記録媒体に印加する第２の工程と、 前記第１の工程により前記光磁気記録媒体に照射された
    レーザ光のうち、反射されたレーザ光を、その強度が最
    大となる時点で検出する第３の工程と、 前記第３の工程の終了後、前記第２の工程で拡大された
    磁区を消去する第４の工程と、を含む情報再生方法。
  14. 【請求項１４】 レーザ光生成手段により生成されたレ
    ーザ光を受け、その受けたレーザ光を、尖頭形の光強度
    分布を持つ第１のレーザ光に変え、前記第１のレーザ光
    を光磁気記録媒体に照射する第１の工程と、 前記第１の工程によりレーザ光を前記光磁気記録媒体に
    照射した後、記録された信号の磁区を拡大するための交
    番磁界を前記光磁気記録媒体に印加する第２の工程と、 前記第１の工程の終了後、レーザ光生成手段により生成
    されたレーザ光を受け、その受けたレーザ光を前記第１
    のレーザ光とは異なる光強度分布を持つ第２のレーザ光
    に変え、前記第２のレーザ光を前記光磁気記録媒体に照
    射する第３の工程と、 前記第３の工程により前記光磁気記録媒体に照射された
    第２のレーザ光のうち、反射されたレーザ光を、その強
    度が最大となる時点で検出する第４の工程と、 前記第４の工程の終了後、前記第２の工程で拡大された
    磁区を消去する第５の工程と、を含む情報再生方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３または１４において、 前記強度が最大となる時点は、前記交番磁界のうち、い
    ずれか一方の磁界が印加された時点である情報再生方
    法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３または１４において、 前記交番磁界の大きさは、５０〜３００Ｏｅの範囲であ
    る情報再生方法。
  17. 【請求項１７】 透光性の基板と、 前記基板上に位置し、信号を記録する第１の磁性層と、 前記第１の磁性層上に位置し、前記第１の磁性層からの
    信号を転写される第２の磁性層とを含む光磁気記録媒
    体。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に非磁性層
    を挿入した光磁気記録媒体。
  19. 【請求項１９】 請求項１７または１８において、 前記第２の磁性層の最小安定磁区は、前記第１の磁性層
    の最小安定磁区より大きい光磁気記録媒体。
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